JP5247544B2 - 温度検出回路 - Google Patents
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請求項2にかかる発明は、請求項1記載の温度検出回路において、前記第2の電圧生成回路が、直列に接続した前記第4の抵抗と第5の抵抗とに前記第2の電流を流して、前記第2の電圧に加えて、温度に応じて前記第2の電圧と同様に変化する第3の電圧を生成するものであり、前記コンパレータに加えて、前記第1の電圧と前記第3の電圧とを比較する第2のコンパレータを備えたことを特徴とする。
請求項3にかかる発明は、請求項1または2記載の温度検出回路において、前記第1の電流生成回路がBGR回路であり、前記第2の電流生成回路がGm一定回路であることを特徴とする。
請求項4にかかる発明の温度検出回路は、BGR回路の出力段の電流がミラーされる第1のトランジスタと、Gm一定回路の出力段の電流がミラーされる第2のトランジスタと、前記第1のトランジスタのドレインに接続された第1の抵抗と、前記第2のトランジスタのドレインに直列接続された第2および第3の抵抗と、前記第1の抵抗と前記第1のトランジスタのドレインの共通接続点である第1の共通接続点の電圧と前記第2の抵抗と前記第2のトランジスタのドレインの共通接続点である第2の共通接続点の電圧とを比較する第1のコンパレータと、前記第1の共通接続点の電圧と前記第2の抵抗と前記第3の抵抗の共通接続点である第3の共通接続点の電圧とを比較する第2のコンパレータとを備え、前記第1のコンパレータの出力電圧と前記第2のコンパレータの出力電圧との組合せにより、現在の温度を検出することを特徴とする。
で得られる。VBEQ11はトランジスタQ11のベース・エミッタ間電圧、VTはトランジスタQ11,Q12のサーマル電圧である。VBEQ11、R13/R12は温度によらず一定であり、抵抗R13の温度依存性により、I1∝1/Tとなる。図1のトランジスタMP1のゲートには電圧V1が入力され、トランジスタMP11〜MP13とカレントミラー回路が形成されて、トランジスタMP13の電流I1がミラーされるため、トランジスタMP1に流れる電流I11も、I11∝1/Tとなる。よって、抵抗R11〜R14(但し、R11=R13)、R1の値を適宜設定することで、温度や電源電圧に依存しない電圧Vaを得ることができる。
となる。抵抗R21の温度依存性により、I2∝1/T2となる。ここで、μpは移動度、Coxはゲート容量、W,Lはゲート幅およびゲート長である。トランジスタMP2のゲートには電圧V2が入力されており、トランジスタMP22とカレントミラー回路が形成されて、トランジスタMP23の電流I2がミラーされてトランジスタMP2を流れる電流も、I22∝1/T2となる。
Claims (4)
- 第1の抵抗を含み、該第1の抵抗の温度依存性により、温度に反比例する第1の電流を生成する第1の電流生成回路と、第2の抵抗を含み、該第2の抵抗の抵抗値の2乗に反比例する第2の電流を生成する第2の電流生成回路と、
前記第1の電流を第3の抵抗に流して、温度に依存しない第1の電圧を生成する第1の電圧生成回路と、前記第2の電流を第4の抵抗に流して、温度に応じて変化する第2の電圧を生成する第2の電圧生成回路と、
前記第1の電圧と前記第2の電圧とを比較するコンパレータとを備えたことを特徴とする温度検出回路。 - 前記第2の電圧生成回路が、直列に接続した前記第4の抵抗と第5の抵抗とに前記第2の電流を流して、前記第2の電圧に加えて、温度に応じて前記第2の電圧と同様に変化する第3の電圧を生成するものであり、
前記コンパレータに加えて、前記第1の電圧と前記第3の電圧とを比較する第2のコンパレータを備えたことを特徴とする請求項1記載の温度検出回路。 - 前記第1の電流生成回路がBGR回路であり、前記第2の電流生成回路がGm一定回路であることを特徴とする請求項1または2記載の温度検出回路。
- BGR回路の出力段の電流がミラーされる第1のトランジスタと、Gm一定回路の出力段の電流がミラーされる第2のトランジスタと、前記第1のトランジスタのドレインに接続された第1の抵抗と、前記第2のトランジスタのドレインに直列接続された第2および第3の抵抗と、前記第1の抵抗と前記第1のトランジスタのドレインの共通接続点である第1の共通接続点の電圧と前記第2の抵抗と前記第2のトランジスタのドレインの共通接続点である第2の共通接続点の電圧とを比較する第1のコンパレータと、前記第1の共通接続点の電圧と前記第2の抵抗と前記第3の抵抗の共通接続点である第3の共通接続点の電圧とを比較する第2のコンパレータとを備え、
前記第1のコンパレータの出力電圧と前記第2のコンパレータの出力電圧との組合せにより、現在の温度を検出することを特徴とする温度検出回路。
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