JP2004146576A

JP2004146576A - 半導体温度測定回路

Info

Publication number: JP2004146576A
Application number: JP2002309490A
Authority: JP
Inventors: Takehiko Umeyama; 梅山　竹彦; Kazuyuki Omi; 大見　和幸
Original assignee: Renesas Technology Corp
Current assignee: Renesas Technology Corp
Priority date: 2002-10-24
Filing date: 2002-10-24
Publication date: 2004-05-20
Also published as: US6783274B2; US20040081224A1

Abstract

【課題】任意に設定した温度を電圧０Ｖとして出力することができ、所望の温度−電圧特性となるように設定できるようにすること。
【解決手段】ｎｐｎトランジスタ１８のベース・エミッタ間電圧をＶｂｅ，単位電子電荷をｑ，ボルツマン定数をｋ，絶対温度をＴとしたき、カレントミラー回路の出力端からＮチャネルトランジスタ１９に向けて流れるｋＴ／ｑＲ１に比例した電流Ｉ１’と、Ｎチャネルトランジスタ１９からｎｐｎトランジスタ１８のベース電極と抵抗素子Ｒ２との接続端に出力されるＶｂｅ／Ｒ２に比例した電流Ｉ２’とは、それぞれ異なる温度係数を持つが、ＯＰアンプ２０にて、電流Ｉ１’と電流Ｉ２’との差電流がなくなるように補正され、接地電位基準の電圧に変換される。その結果、温度に対して負の傾きを持つ特性の電圧信号が出力される。
【選択図】　　　図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体集積回路内において温度を測定する半導体温度測定回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体集積回路では、消費される電力によって回路素子の温度が環境温度（２７℃）から約１４０℃まで変化する。この過度の温度変動は、電気的特性の変化や、配線の断線、寿命等に影響を与える。そこで、従来では、半導体集積回路内に保護回路として温度測定回路を設け、温度変動をモニターすることが行われている。
【０００３】
温度測定回路は、例えば、電源側に設けた定電流源と接地（グランド）との間に、半導体の温度測定素子としてダイオード接続のｎｐｎトランジスタの２個を直列に接続して配置し、定電流源側のｎｐｎトランジスタのコレクタ電極から温度に応じた電圧を取り出すように構成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の温度測定回路では、出力される電圧がｎｐｎトランジスタの温度特性に強く依存するので、電圧０Ｖを出力するときの温度を任意に設定し、また任意の温度−電圧特性を持つように設定することが困難であるという問題がある。
【０００５】
また、温度測定のためにｎｐｎトランジスタの温度特性を変更して用いるので、温度−電圧特性の傾きを任意の値に変化させることが困難であるのに加え、同時に集積化される他の回路素子の電気的特性に悪影響を与えるという問題もある。
【０００６】
この発明は、上記に鑑みてなされたもので、任意に設定した温度を電圧０Ｖとして出力することができ、所望の温度−電圧特性を持つように設定することができ、その特性の傾きを任意に変化させることができる半導体温度測定回路を得ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、この発明にかかる半導体温度測定回路は、正の電源側に設けられ、制御電極が共通に接続される第１カレントミラー回路および第２カレントミラー回路と、前記第１カレントミラー回路の出力端と接地との間に設けられ、エミッタサイズが互いに異なるｎｐｎトランジスタで構成される第３カレントミラー回路であって、エミッタサイズが大きい方のトランジスタのエミッタが第１抵抗素子を介して接地に接続され、エミッタサイズが小さい方のトランジスタのエミッタが直接接地に接続される第３カレントミラー回路と、前記第２カレントミラー回路の一方の出力端と負電源との間に設けられ、ベース電極と前記負電源に接続されるエミッタ電極との間に第２抵抗素子が接続される第１ｎｐｎトランジスタと、制御電極が前記第２カレントミラー回路の一方の出力端に接続され、一方の信号電極が前記第２カレントミラー回路の他方の出力端に接続され、他方の信号電極が前記第１ｎｐｎトランジスタのベース電極に接続される第２トランジスタと、逆相入力端が前記第２カレントミラー回路の他方の出力端と前記第２トランジスタの一方の信号電極との接続端に接続されるとともに、抵抗素子を介して出力端に接続され、正相入力端が直接接地に接続され、温度に対して負の傾きを持つ特性の電圧信号を出力するＯＰアンプとを備えたことを特徴とする。
【０００８】
この発明によれば、前記第１抵抗素子の値をＲ１，前記第２抵抗素子の値をＲ２，前記第１ｎｐｎトランジスタのベース・エミッタ間電圧をＶｂｅ，単位電子電荷をｑ，ボルツマン定数をｋ，絶対温度をＴとしたき、前記第２カレントミラー回路の他方の出力端と前記第２トランジスタの一方の信号電極との接続端に流れるｋＴ／ｑＲ１に比例した電流Ｉ１と、前記第２トランジスタから前記第１ｎｐｎトランジスタのベース電極と前記第２抵抗素子との接続端に出力されるＶｂｅ／Ｒ２に比例した電流Ｉ２とは、それぞれ異なる温度係数を持つが、ＯＰアンプにて、電流Ｉ１と電流Ｉ２との差電流がなくなるように補正され、接地電位基準の電圧に変換される。その結果、温度に対して負の傾きを持つ特性の電圧信号が出力される。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下に添付図面を参照して、この発明にかかる半導体温度測定回路の好適な実施の形態を詳細に説明する。
【００１０】
実施の形態１．
図１は、この発明の実施の形態１である半導体温度測定回路の構成を示す回路図である。図１において、正の電源Ｖｃｃには、カレントミラー回路を構成する４個のＰチャネルトランジスタ１１，１２，１３，１４のソース電極が接続されている。Ｐチャネルトランジスタ１１，１２，１３，１４のゲート電極は、共通にＰチャネルトランジスタ１１のドレイン電極に接続されている。
【００１１】
Ｐチャネルトランジスタ１１のドレイン電極は、ｎｐｎトランジスタ１５のコレクタ電極に接続され、ｎｐｎトランジスタ１５のエミッタ電極は、抵抗素子Ｒ１を介して接地（グランド）に接続されている。ｎｐｎトランジスタ１５のベース電極は、ｎｐｎトランジスタ１６のコレクタ電極およびベース電極と共に、Ｐチャネルトランジスタ１２のドレイン電極に接続されている。
【００１２】
ｎｐｎトランジスタ１６のエミッタ電極は、直接接地（グランド）に接続されている。ｎｐｎトランジスタ１５，１６は、カレントミラー回路を構成している。ここで、ｎｐｎトランジスタ１５のエミッタサイズＳ１とｎｐｎトランジスタ１６のエミッタサイズＳ２とは、Ｓ１≫Ｓ２の関係に設定されている。
【００１３】
Ｐチャネルトランジスタ１３のドレイン電極は、ｎｐｎトランジスタ１８のコレクタ電極とＮチャネルトランジスタ１９のゲート電極とに接続され、Ｐチャネルトランジスタ１４のドレイン電極は、Ｎチャネルトランジスタ１９のドレイン電極に接続されている。ｎｐｎトランジスタ１８のエミッタ電極は、負電源Ｖｓｓに直接接続されている。ｎｐｎトランジスタ１８のベース電極とＮチャネルトランジスタ１９のソース電極とは、共通に抵抗素子Ｒ２を介して負電源Ｖｓｓに接続されている。
【００１４】
Ｐチャネルトランジスタ１４のドレイン電極とＮチャネルトランジスタ１９のドレイン電極との接続端は、ＯＰアンプ２０の逆相入力端（−）に接続され、ＯＰアンプ２０の正相入力端（＋）は、接地（グランド）に直接接続されている。ＯＰアンプ２０の逆相入力端（−）と出力端との間は、抵抗素子Ｒ３を介して接続されている。ＯＰアンプ２０の出力端は、当該半導体温度測定回路の出力端子２１に接続されている。
【００１５】
以上の構成において、ｎｐｎトランジスタ１５，１６のエミッタサイズＳ１，Ｓ２の比を、Ｓ１／Ｓ２＝５とし、抵抗素子Ｒ１の値をＲ１とし、Ｔを絶対温度［Ｋ］とし、ｋをボルツマン定数＝１．３８×１０^−２３［Ｊ／Ｋ］とし、ｑを単位電子電荷とすると、Ｐチャネルトランジスタ１１のドレイン電極からｎｐｎトランジスタ１５のコレクタ電極に出力される電流Ｉ１は、
Ｉ１＝（１／Ｒ１）・（ｋＴ／ｑ）ｌｎ（Ｓ１／Ｓ２）　・・・（１）
となる。
【００１６】
また、カレントミラー回路の特性から、Ｐチャネルトランジスタ１３のドレイン電極およびＰチャネルトランジスタ１４のドレイン電極から出力される電流Ｉ１’は、Ｉ１’＝Ｉ１となる。
【００１７】
そして、Ｎチャネルトランジスタ１９のソース電極から出力される電流Ｉ２’は、ＯＰアンプ２０の逆相入力端（−）にかかる電圧に依らず、ｎｐｎトランジスタ１８のベース・エミッタ間電圧Ｖｂｅと、抵抗素子Ｒ２の値Ｒ２とで決定されるので、
Ｉ２’＝Ｖｂｅ／Ｒ２　　　・・・・・（２）
となる。
【００１８】
したがって、得られる出力電圧Ｖｏｕｔは、

となる。
【００１９】
すなわち、図１に示す半導体温度測定回路では、ｋＴ／ｑ・Ｒ１に比例する電流Ｉ１’とＶｂｅ／Ｒ２に比例する電流Ｉ２’との差電流（Ｉ２’−Ｉ１’）を発生する。電流Ｉ１’と電流Ｉ２’とは、それぞれ異なる温度係数を持つが、ＯＰアンプ２０にて、その差電流がなくなるように補正され、接地（グランド）電位を基準とした電圧に変換される。このとき、ｎｐｎトランジスタ１８のベース・エミッタ間電圧Ｖｂｅの温度係数∂Ｖｂｅ／∂Ｔは、負の係数（約−２ｍＶ／℃）を持つので、出力端子２１に出力される電圧Ｖｏｕｔは、例えば図２に示すように、温度に対して負の傾きを持つ電圧信号となる。
【００２０】
図２は、図１に示す半導体温度測定回路にて得られる負の傾きを持つ温度−電圧特性を示す図である。図２において、温度Ｔｂは、この温度Ｔｂにて出力電圧Ｖｏｕｔ＝０Ｖとなるように任意に定めた温度である。図２では、この任意に定めた温度Ｔｂにて出力電圧Ｖｏｕｔ＝０Ｖとなり、ここから負の傾きを持って立ち上がり、温度Ｔｂ以下の所定温度Ｔａにて出力電圧Ｖｏｕｔ＝Ｖａとなる温度−電圧特性が示されている。したがって、図２に示す温度−電圧特性の傾きは、−Ｖａ／（Ｔｂ−Ｔａ）である。
【００２１】
そうすると、温度Ｔｂにて出力電圧Ｖｏｕｔ＝０Ｖとなるように設定する場合のパラメータである抵抗値Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３は、次のようにして求めることができる。すなわち、温度Ｔｂにて出力電圧Ｖｏｕｔ＝０Ｖとなるように設定した場合の電流値をＩｒｅｆとすると、式（１）（２）から
Ｒ１＝（１／Ｉｒｅｆ）・（ｋＴｂ／ｑ）ｌｎ（Ｓ１／Ｓ２）　・・・（４）
Ｒ２＝Ｖｂｅ（Ｔｂ）／Ｉｒｅｆ　　　・・・・・（５）
と求められる。また、図２に示す温度−電圧特性の傾き−Ｖａ／（Ｔｂ−Ｔａ）と式（３）の傾きとが等しいとすることで、
Ｒ３＝［−Ｖａ／（Ｔｂ−Ｔａ）］／［（１／Ｒ２）（∂Ｖｂｅ／∂Ｔ）−（（１／Ｒ１）・（ｋ／ｑ）ｌｎ（Ｓ１／Ｓ２））｝　　　・・・・（６）
と求められる。
【００２２】
このとき、Ｉ１’＝Ｉ２’となる点が出力電圧Ｖｏｕｔ＝０Ｖの温度となることから、以上の計算は、任意に設定した温度ＴｂにてＩ１’＝Ｉ２’となるように抵抗値Ｒ１，Ｒ２を設定することと等価である。したがって、任意の温度を出力電圧Ｖｏｕｔ＝０Ｖとして負の傾きを持つ任意の温度−電圧特性が得られることが解る。また、抵抗値Ｒ３を変えることによって温度−電圧特性の傾きを調整することができることも解る。
【００２３】
このように、実施の形態１によれば、任意に設定した温度を電圧０Ｖとして出力することができ、所望の負の傾きを持つ温度−電圧特性となるように設定することができるので、広い範囲で相関を持つ電圧出力が得られる。したがって、高精度の温度測定が行えるようになる。
【００２４】
実施の形態２．
図３は、この発明の実施の形態２である半導体温度測定回路の構成を示す回路図である。なお、図３では、図１に示した構成と同一ないしは同等である構成要素には、同一の符号が付されている。ここでは、この実施の形態２に関わる部分を中心に説明する。
【００２５】
図３に示すように、実施の形態２では、図１に示した構成において、ＯＰアンプ２０の負帰還回路が、抵抗素子Ｒ３に代えて、抵抗素子とスイッチ素子との直列回路を複数個（図３では、抵抗素子Ｒ３およびスイッチ素子３１の直列回路と、抵抗素子Ｒ３’およびスイッチ素子３２の直列回路との２つの直列回路）並列接続した回路で構成されている。複数の抵抗素子（図３では、２個の抵抗素子Ｒ３，Ｒ３’）は、抵抗値が互いに異なるように設定されている。なお、スイッチ素子３１，３２は、例えばＭＯＳトランジスタで構成することができる。
【００２６】
図４は、図３に示す半導体温度測定回路にて得られる負の傾きを持つ複数の温度−電圧特性を示す図である。図４において、温度−電圧特性（１）は、スイッチ素子３１を閉路して、スイッチ素子３２を開路した場合の特性である。図２と同様に、任意に設定した温度Ｔｂにて出力電圧０Ｖとなり、ここから負の傾きを持って立ち上がり、温度Ｔｂ以下の所定温度Ｔａにて出力電圧Ｖａとなる温度−電圧特性が示されている。
【００２７】
温度−電圧特性（２）は、スイッチ素子３１を開路して、スイッチ素子３２を閉路した場合の特性である。任意に設定した温度Ｔｂにて出力電圧０Ｖとなり、ここから特性（１）よりも緩やかな負の傾きを持って立ち上がり、温度Ｔｂ以下の所定温度Ｔａにて出力電圧Ｖｂ（Ｖｂ＜Ｖａ）となる温度−電圧特性が示されている。
【００２８】
このように、実施の形態２によれば、ＯＰアンプの負帰還回路に挿入する抵抗素子の値をスイッチ素子によって多段に切り替えるようにしたので、任意に設定した温度を基準に傾きが異なる複数の負の傾きを持つ温度−電圧特性が得られる。したがって、実施の形態１よりも一層高精度の温度測定が行えるようになる。
【００２９】
実施の形態３．
図５は、この発明の実施の形態３である半導体温度測定回路の構成を示す回路図である。実施の形態３では、正の傾きを持つ温度−電圧特性を得る場合の構成例が示されている。なお、図５では、図１に示した構成と同一ないしは同等である構成要素には、同一の符号が付されている。ここでは、この実施の形態３に関わる部分を中心に説明する。
【００３０】
実施の形態３では、図１に示した構成において、Ｐチャネルトランジスタ１４のドレイン電極とＮチャネルトランジスタ１９のドレイン電極との接続端は、ＯＰアンプ２０の正相入力端（＋）に接続されている。そして、ＯＰアンプ２０の逆相入力端（−）と出力端とを直接接続し、正相入力端（＋）と接地（グランド）との間に抵抗素子Ｒ４を接続するようにしている。
【００３１】
以上の構成において、Ｐチャネルトランジスタ１４のドレイン電極から出力される電流Ｉ１’（＝Ｉ１）と、Ｎチャネルトランジスタ１９のソース電極から出力される電流Ｉ２’は、実施の形態１にて説明したのと同様に、
Ｉ１’＝（１／Ｒ１）・（ｋＴ／ｑ）ｌｎ（Ｓ１／Ｓ２）∝ｋＴ／ｑ　…（７）
Ｉ２’＝Ｖｂｅ／Ｒ２　　　　　・・・・・（８）
となる。設定した温度ＴｂにてＩ１’＝Ｉ２’＝Ｉｒｅｆとなるように抵抗素子Ｒ１，Ｒ２の値を設定する。このとき、抵抗素子Ｒ４に流れる電流は、ゼロとなり、出力端子２１に発生する電圧は０Ｖとなる。
【００３２】
温度の変化によって抵抗素子Ｒ４に流れる電流は変化するので、得られる出力電圧Ｖｏｕｔは、
Ｖｏｕｔ＝Ｒ４（Ｉ１’−Ｉ２’）＝Ｒ４［（（１／Ｒ１）・（ｋＴ／ｑ）ｌｎ（Ｓ１／Ｓ２））−（Ｖｂｅ／Ｒ２）］　　　　　　　　　　　　　　　　　　・・・・・・・・・（９）
となり、例えば、図６に示すように、温度に対して正の傾きを持つ電圧信号が得られる。
【００３３】
図６は、図５に示す半導体温度測定回路にて得られる正の傾きを持つ温度−電圧特性を示す図である。図６では、任意に定めた温度Ｔｂにて出力電圧Ｖｏｕｔ＝０Ｖとなり、ここから正の傾きを持って立ち上がり、温度Ｔｂよりも高い所定の温度Ｔｃにて出力電圧Ｖｏｕｔ＝Ｖｃとなる温度−電圧特性が示されている。
【００３４】
このように、実施の形態３によれば、任意に設定した温度を電圧０Ｖとして出力することができ、所望の正の傾きを持つ温度−電圧特性となるように設定することができるので、広い範囲で相関を持つ電圧出力が得られる。したがって、実施の形態１と同様に、高精度の温度測定が行えるようになる。
【００３５】
実施の形態４．
図７は、この発明の実施の形態４である半導体温度測定回路の構成を示す回路図である。なお、図７では、図５に示した構成と同一ないしは同等である構成要素には、同一の符号が付されている。ここでは、この実施の形態４に関わる部分を中心に説明する。
【００３６】
図７に示すように、実施の形態４では、図５に示した構成において、ＯＰアンプ２０の正相入力端（＋）と接地（グランド）との間に、抵抗素子とスイッチ素子との直列回路を複数個（図７では、抵抗素子Ｒ４およびスイッチ素子４１の直列回路と、抵抗素子Ｒ４’およびスイッチ素子４２の直列回路との２つの直列回路）並列接続した回路が設けられている。複数の抵抗素子（図７では、２個の抵抗素子Ｒ４，Ｒ４’）は、抵抗値が互いに異なるように設定されている。なお、スイッチ素子４１，４２は、例えばＭＯＳトランジスタで構成することができる。
【００３７】
図８は、図７に示す半導体温度測定回路にて得られる正の傾きを持つ複数の温度−電圧特性を示す図である。図８において、温度−電圧特性（３）は、スイッチ素子４１を閉路して、スイッチ素子４２を開路した場合の特性である。図６と同様に、任意に設定した温度Ｔｂにて出力電圧Ｖｏｕｔ＝０Ｖとなり、ここから正の傾きを持って立ち上がり、温度Ｔｂよりも高い所定の温度Ｔｃにて出力電圧Ｖｏｕｔ＝Ｖｃとなる温度−電圧特性が示されている。
【００３８】
温度−電圧特性（４）は、スイッチ素子４１を開路して、スイッチ素子４２を閉路した場合の特性である。任意に設定した温度Ｔｂにて出力電圧Ｖｏｕｔ＝０Ｖとなり、ここから特性（３）よりも緩やかな正の傾きを持って立ち上がり、温度Ｔｂよりも高い所定の温度ＴｃにてＶｏｕｔ＝Ｖｄ（Ｖｄ＜Ｖｃ）となる温度−電圧特性が示されている。
【００３９】
このように、実施の形態４によれば、ＯＰアンプの正相入力端と接地（グランド）との間に挿入する抵抗素子の値をスイッチ素子によって多段に切り替えるようにしたので、任意に設定した温度を基準に傾きが異なる複数の正の傾きを持つ温度−電圧特性が得られる。したがって、実施の形態３よりも一層高精度の温度測定が行えるようになる。
【００４０】
なお、図１，図３，図５，図７の各図において、Ｐチャネルトランジスタ１１，１２，１３，１４と、Ｎチャネルトランジスタ１９とは、バイポーラトランジスタにて置き換えることが可能であり、以上説明した作用・効果と同様の作用・効果が得られる。
【００４１】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、任意に設定した温度を電圧０Ｖとして出力することができ、所望の傾きを持つ温度−電圧特性となるように設定することができるので、広い範囲で相関を持つ電圧出力が得られる。したがって、高精度の温度測定が行えるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態１である半導体温度測定回路の構成を示す回路図である。
【図２】図１に示す半導体温度測定回路にて得られる負の傾きを持つ温度−電圧特性を示す図である。
【図３】この発明の実施の形態２である半導体温度測定回路の構成を示す回路図である。
【図４】図３に示す半導体温度測定回路にて得られる負の傾きを持つ複数の温度−電圧特性を示す図である。
【図５】この発明の実施の形態３である半導体温度測定回路の構成を示す回路図である。
【図６】図５に示す半導体温度測定回路にて得られる正の傾きを持つ温度−電圧特性を示す図である。
【図７】この発明の実施の形態４である半導体温度測定回路の構成を示す回路図である。
【図８】図７に示す半導体温度測定回路にて得られる正の傾きを持つ複数の温度−電圧特性を示す図である。
【符号の説明】
１１〜１４　Ｐチャネルトランジスタ、１５，１６，１８　ｎｐｎトランジスタ、１９　Ｎチャネルトランジスタ、２０　ＯＰアンプ、Ｒ１〜Ｒ４，Ｒ３’，Ｒ４’　抵抗素子、３１，３２，４１，４２　スイッチ素子、Ｔｂ　任意の設定温度、（１）（２）　負の傾きを持つ温度−電圧特性、（３）（４）　正の傾きを持つ温度−電圧特性、Ｓ１，Ｓ２　エミッタサイズ。

Claims

正の電源側に設けられ、制御電極が共通に接続される第１カレントミラー回路および第２カレントミラー回路と、
前記第１カレントミラー回路の出力端と接地との間に設けられ、エミッタサイズが互いに異なるｎｐｎトランジスタで構成される第３カレントミラー回路であって、エミッタサイズが大きい方のトランジスタのエミッタが第１抵抗素子を介して接地に接続され、エミッタサイズが小さい方のトランジスタのエミッタが直接接地に接続される第３カレントミラー回路と、
前記第２カレントミラー回路の一方の出力端と負電源との間に設けられ、ベース電極と前記負電源に接続されるエミッタ電極との間に第２抵抗素子が接続される第１ｎｐｎトランジスタと、
制御電極が前記第２カレントミラー回路の一方の出力端に接続され、一方の信号電極が前記第２カレントミラー回路の他方の出力端に接続され、他方の信号電極が前記第１ｎｐｎトランジスタのベース電極に接続される第２トランジスタと、
逆相入力端が前記第２カレントミラー回路の他方の出力端と前記第２トランジスタの一方の信号電極との接続端に接続されるとともに、抵抗素子を介して出力端に接続され、正相入力端が直接接地に接続され、温度に対して負の傾きを持つ特性の電圧信号を出力するＯＰアンプと、
を備えたことを特徴とする半導体温度測定回路。
前記ＯＰアンプの負帰還回路は、抵抗素子とスイッチ素子との直列回路を複数個並列接続した回路で構成され、各直列回路の抵抗素子は、それぞれ異なる値に設定されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体温度測定回路。
正の電源側に設けられ、制御電極が共通に接続される第１カレントミラー回路および第２カレントミラー回路と、
前記第１カレントミラー回路の出力端と接地との間に設けられ、エミッタサイズが互いに異なるｎｐｎトランジスタで構成される第３カレントミラー回路であって、エミッタサイズが大きい方のトランジスタのエミッタが第１抵抗素子を介して接地に接続され、エミッタサイズが小さい方のトランジスタのエミッタが直接接地に接続される第３カレントミラー回路と、
前記第２カレントミラー回路の一方の出力端と負電源との間に設けられ、ベース電極と前記負電源に接続されるエミッタ電極との間に第２抵抗素子が接続される第１ｎｐｎトランジスタと、
制御電極が前記第２カレントミラー回路の一方の出力端に接続され、一方の信号電極が前記第２カレントミラー回路の他方の出力端に接続され、他方の信号電極が前記第１ｎｐｎトランジスタのベース電極に接続される第２トランジスタと、
正相入力端が前記第２カレントミラー回路の他方の出力端と前記第２トランジスタの一方の信号電極との接続端に接続されるとともに、抵抗素子を介して接地に接続され、逆相入力端が出力端に直接接続され、温度に対して正の傾きを持つ特性の電圧信号を出力するＯＰアンプと、
を備えたことを特徴とする半導体温度測定回路。
前記ＯＰアンプの正相入力端と接地との間には、抵抗素子とスイッチ素子との直列回路を複数個並列接続した回路が設けられ、各直列回路の抵抗素子は、それぞれ異なる値に設定されていることを特徴とする請求項３に記載の半導体温度測定回路。
前記第１抵抗素子および前記第２抵抗素子の抵抗値は、それぞれ、前記第２カレントミラー回路の他方の出力端と前記第２トランジスタの一方の信号電極との接続端に流れる電流と、前記第２トランジスタから前記第１ｎｐｎトランジスタのベース電極と前記第２抵抗素子との接続端に出力される電流とが等しくなる任意の温度において前記ＯＰアンプの出力電圧が０Ｖとなるように設定されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の半導体温度測定回路。