JP2005190111A - 定電圧回路 - Google Patents

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Abstract

【課題】 出力電圧精度を高める。
【解決手段】 電圧検出回路8は、トランジスタQ1のベース・エミッタ間電圧VBE(Q1)を検出し、電流出力回路9は、検出電圧に応じたバイアス電流I1を出力する。電圧VBE(Q1)が高くなると、電流出力回路9の出力電流I1が増大し、トランジスタQ2のベース・エミッタ間電圧VBE(Q2)も高くなる。逆に、電圧VBE(Q1)が低くなると、電流出力回路9の出力電流I1が減少し、トランジスタQ2のベース・エミッタ間電圧VBE(Q2)も低くなる。その結果、負荷変動にかかわらずトランジスタQ1とQ2のベース・エミッタ間電圧VBEが等しくなり、出力電圧VOUTをツェナー電圧Vzに精度よく一致させることができる。
【選択図】 図1

Description

本発明は、出力端子から一定の電圧を出力する定電圧回路に関する。
定電圧回路は、出力電圧に応じた基準電圧を発生させる回路が必要となる。特許文献1および2に記載の定電圧回路は、ともにツェナーダイオードを用いて基準電圧を生成している。
特開2003−150256号公報 特開平7−261862号公報
図6は、従来から用いられている定電圧回路の電気的構成を示している。電源線1と電源線2(グランド線)との間には、定電流回路3とダイオードD1とツェナーダイオードD2が直列に接続されている。ダイオードD1とツェナーダイオードD2との直列回路は、トランジスタQ1のベースに対し基準電圧Vrを与える基準電圧生成回路4を構成しており、ダイオードD1のアノードは出力トランジスタQ1のベースに接続されている。トランジスタQ1のコレクタは電源線1に接続され、エミッタは出力端子5に接続されている。
ここで、ツェナーダイオードD2に対しダイオードD1を直列に設ける理由は、ダイオードD1の順方向電圧VFを用いてトランジスタQ1のベース・エミッタ間電圧VBEをキャンセルし、出力電圧VOUTの温度依存性を低減することにある。これにより、出力電圧VOUTをツェナーダイオードD2のツェナー電圧Vzにほぼ等しく制御することができる。
しかし、トランジスタQ1のベース・エミッタ間電圧VBEはコレクタ電流に依存して変化するため、定電圧回路の出力電流が変化すると、トランジスタQ1のベース・エミッタ間電圧VBEとダイオードD1の順方向電圧VFとの間にずれが生じ、上記キャンセルする関係が成立しなくなる。その結果、出力電圧VOUTの精度が低下するという問題があった。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的は、出力電圧精度の高い定電圧回路を提供することにある。
請求項1に記載した手段によれば、出力トランジスタのベースに、基準電圧発生回路とダイオードとの直列回路により生成される基準電圧が与えられ、当該定電圧回路の出力端子となる出力トランジスタのエミッタには、上記基準電圧から出力トランジスタのベース・エミッタ間電圧だけ低い電圧(シンク出力の場合には高い電圧)が出力される。この場合、基準電圧発生回路とダイオードとの直列回路には、電流出力回路から出力トランジスタのベース・エミッタ間電圧に応じた電流(以下、バイアス電流と称す)が供給される。
その結果、出力トランジスタのベース・エミッタ間電圧が高い場合には、上記バイアス電流が増えてダイオードの順方向電圧が増大し、逆に出力トランジスタのベース・エミッタ間電圧が低い場合には、上記バイアス電流が減ってダイオードの順方向電圧が減少する。つまり、負荷変動、電源電圧変動、温度変動にかかわらず、ダイオードの順方向電圧が出力トランジスタのベース・エミッタ間電圧と等しくなるように制御されるので、当該定電圧回路の出力電圧を基準電圧発生回路により生成される基準電圧(一般に高精度の電圧である)に精度よく一致させることができる。
請求項2に記載した手段によれば、出力トランジスタと検出用トランジスタは、エミッタ同士およびベース同士が接続されている。出力トランジスタに流れる電流(当該定電圧回路の出力電流)の増大等により出力トランジスタのベース・エミッタ間電圧が高くなると、検出用トランジスタのベース・エミッタ間電圧も同じように高くなり、検出用トランジスタに流れる電流ひいてはカレントミラー回路を介して上記基準電圧発生回路とダイオードとの直列回路に流れる電流も増大する。その結果、上述した作用により出力電圧の精度を高めることができる。
請求項3に記載した手段によれば、基準電圧発生回路とダイオードとの直列回路には、電流出力回路から出力トランジスタのコレクタ電流(すなわち当該定電圧回路の出力電流)に応じたバイアス電流が供給される。一般に、出力トランジスタのベース・エミッタ間電圧は、コレクタ電流の増大に伴って高くなる傾向がある。その結果、出力トランジスタのコレクタ電流が大きい場合すなわち出力トランジスタのベース・エミッタ間電圧が高い場合には、上記バイアス電流が増えてダイオードの順方向電圧が増大し、逆に出力トランジスタのコレクタ電流が小さい場合すなわち出力トランジスタのベース・エミッタ間電圧が低い場合には、上記バイアス電流が減ってダイオードの順方向電圧が減少する。
つまり、負荷変動、電源電圧変動、温度変動にかかわらず、ダイオードの順方向電圧が出力トランジスタのベース・エミッタ間電圧と等しくなるように制御されるので、当該定電圧回路の出力電圧を基準電圧発生回路の生成する基準電圧に精度よく一致させることができる。
請求項4記載の手段は、請求項2記載の手段と同様の構成であるが、出力トランジスタに対しエミッタ同士およびベース同士が接続されている検出用トランジスタは、出力トランジスタに流れる電流に対しエミッタ面積比で定まる電流を出力するため、当該機能に着目すれば電流検出回路とみなすこともできる。
請求項5に記載した手段によれば、基準電圧発生回路とダイオードとの直列回路のうち基準電圧発生回路には、出力トランジスタに流れる電流の大小にかかわらず、定電流回路から一定の電流が供給されるので、基準電圧発生回路、特に定電圧動作をさせるために所定の電流を流す必要がある回路(ツェナーダイオード等)を安定して動作させることができる。
請求項6に記載した手段によれば、上記定電流回路が基準電圧発生回路に流す電流により基準電圧が確立され、起動回路は、その基準電圧を用いて出力トランジスタに対しベース電流を供給する。従って、電源電圧が印加されると、直ちに安定した定電圧を出力することができる。
請求項7に記載した手段によれば、出力端子に負荷回路を接続して、無負荷時または軽負荷時であっても少なくとも所定量以上の出力電流を流すことにより、基準電圧発生回路とダイオードとの直列回路に所定量以上のバイアス電流を流すことができる。その結果、基準電圧発生回路、特に定電圧動作をさせるために所定の電流を流す必要がある回路(ツェナーダイオード等)を安定して動作させることができ、定電圧回路の耐ノイズ性を高めることができる。
請求項8に記載した手段によれば、出力トランジスタと同特性を有するトランジスタをダイオード接続することにより上記直列回路のダイオードを構成したので、ダイオード接続したトランジスタのベース・エミッタ間電圧と出力トランジスタのベース・エミッタ間電圧とがより一致し易くなり、より高精度の出力電圧が得られる。
請求項9に記載した手段によれば、基準電圧発生回路を、ツェナーダイオードまたはバンドギャップ基準電圧発生回路により構成したので、温度依存性の小さい高精度の出力電圧が得られる。
(第1の実施形態)
以下、本発明の第1の実施形態について図1および図2を参照しながら説明する。
図1は、IC(半導体集積回路装置)内に形成された定電圧回路の構成を示しており、従来構成を示す図6と同一部分には同一符号を付している。図1(a)に示す定電圧回路6において、電源線1、2間には例えばバッテリ電圧VBが印加されるようになっており、出力端子5には負荷が接続されるようになっている。トランジスタQ1(出力トランジスタに相当)のコレクタとベースは、それぞれ電源線1と出力端子5に接続されており、トランジスタQ1のベースと電源線2との間には、ダイオード接続されたトランジスタQ2とツェナーダイオードD2(基準電圧発生回路に相当)との直列回路からなる基準電圧生成回路7が接続されている。
電圧検出回路8は、トランジスタQ1のベース・エミッタ間電圧VBEを検出する回路であって、電源線2とトランジスタQ1のベースとの間に接続された電流出力回路9は、上記検出電圧VBEに応じた電流を出力するようになっている。なお、図1(b)に示す定電圧回路10は、図1(a)に示す定電圧回路6に対し、基準電圧生成回路7に代えて図6に示した基準電圧生成回路4を採用した点においてのみ異なっている。
図2(a)、(b)は、それぞれ図1(a)、(b)における電圧検出回路8および電流出力回路9を具体化した構成を示している。図2(a)において、トランジスタQ3(検出用トランジスタに相当)は電圧検出回路8として動作し、そのベース、エミッタはそれぞれトランジスタQ1ベース、エミッタと接続されている。また、電源線1とトランジスタQ3のコレクタとの間に接続されたトランジスタQ4と、電源線1とトランジスタQ1ないしQ3のベースとの間に接続されたトランジスタQ5は、カレントミラー回路を構成しており、上記電流出力回路9として動作するようになっている。図2(b)についても同様である。
次に、図1(a)および図2(a)に示す定電圧回路6についての作用および効果を説明する。
電流出力回路9は、基準電圧生成回路7に対しバイアス電流を供給するとともに、トランジスタQ1に対しベース電流を供給する回路である。基準電圧生成回路7にバイアス電流が流れると、トランジスタQ2のコレクタ・エミッタ間にベース・エミッタ間電圧VBE(Q2)が発生し、ツェナーダイオードD2の両端子間にツェナー電圧Vzが発生する。トランジスタQ1は、この基準電圧生成回路7の基準電圧(=VBE(Q2)+Vz)をベース電圧として動作し、出力端子5を通して負荷(図示せず)に対し電流を出力する。このときの出力電圧VOUTは、次の(1)式のようになる。
VOUT=Vr−VBE(Q1)=VBE(Q2)−VBE(Q1)+Vz …(1)
この(1)式によれば、VBE(Q2)=VBE(Q1)の関係が成立するように制御すれば、ツェナー電圧Vzに等しい出力電圧VOUTを得られることになる。しかし、トランジスタのベース・エミッタ間電圧VBEは、コレクタ電流に依存して変化する。そこで、電圧検出回路8と電流出力回路9とを用いることにより、トランジスタQ1のベース・エミッタ間電圧VBE(Q1)に応じてトランジスタQ2のベース・エミッタ間電圧VBE(Q2)を制御し、VBE(Q2)=VBE(Q1)の関係を成立させている。
すなわち、トランジスタQ3には、トランジスタQ1のベース・エミッタ間電圧VBE(Q1)に応じたコレクタ電流が流れ、そのコレクタ電流はトランジスタQ4、Q5からなるカレントミラー回路で折り返されて電流出力回路9の出力電流I1(バイアス電流)となる。例えば、定電圧回路6の出力電流が増大してトランジスタQ1のベース・エミッタ間電圧VBE(Q1)が高くなると、電流出力回路9の出力電流I1が増大し、基準電圧生成回路7に流れる電流も増大する。この電流の増大に伴って、トランジスタQ2のベース・エミッタ間電圧VBE(Q2)も高くなる。
逆に、定電圧回路6の出力電流が減少してトランジスタQ1のベース・エミッタ間電圧VBE(Q1)が低くなると、電流出力回路9の出力電流I1が減少し、基準電圧生成回路7に流れる電流も減少する。この電流の減少に伴って、トランジスタQ2のベース・エミッタ間電圧VBE(Q2)も低くなる。その結果、負荷変動にかかわらずトランジスタQ1、Q3とトランジスタQ2のベース・エミッタ間電圧VBEが等しくなり、定電圧回路6の出力電圧VOUTをツェナー電圧Vzに精度よく一致させることができる。
そして、トランジスタQ1ないしQ3を同特性となるように形成することにより、出力電圧VOUTの精度を一層高めることができる。また、トランジスタQ1ないしQ3を互いに近接してレイアウトすれば互いに温度結合され、温度変動に対してトランジスタQ1ないしQ3のベース・エミッタ間電圧VBEが同じ変化を示すようになり、トランジスタQ2のベース・エミッタ間電圧VBE(Q2)とトランジスタQ1のベース・エミッタ間電圧VBE(Q1)の変化が相殺される。従って、温度依存性の小さい出力電圧VOUTが得られる。なお、図1(b)および図2(b)に示す定電圧回路10についても同様の作用および効果を有する。
ところで、トランジスタQ3は、トランジスタQ1に流れる電流に対しエミッタ面積比で定まる電流を出力するため、本発明でいう電流検出回路と見ることもできる。トランジスタのベース・エミッタ間電圧は、コレクタ電流の増大に伴って高くなる傾向がある。従って、上記視点に立ってトランジスタQ3によりトランジスタQ1に流れる電流を検出し、その検出電流に応じたバイアス電流を基準電圧生成回路4、7に流すことにより、トランジスタQ1とQ2のベース・エミッタ間電圧VBEが等しくなり、定電圧回路6、10の出力電圧VOUTをツェナー電圧Vzに精度よく一致させることができる。
(第2の実施形態)
図3は、本発明の第2の実施形態を示す定電圧回路を示している。この定電圧回路11は、第1の実施形態で説明した定電圧回路6に対し、電源線1とツェナーダイオードD2のカソードとの間に定電流回路12を接続した構成となっている。この定電流回路12の出力電流I2は、ツェナーダイオードD2が安定してツェナー電圧Vzを確立するのに必要な電流以上の値に設定されている。
本実施形態によれば、定電圧回路11の出力電流が小さいなどの理由により、トランジスタQ1のベース・エミッタ間電圧VBE(Q1)が低下して電流出力回路9の出力電流I1が減少した場合であっても、ツェナーダイオードD2には少なくとも電流I2が流れ、安定したツェナー電圧Vzひいては出力電圧VOUTを得ることができる。
(第3の実施形態)
図4は、本発明の第3の実施形態を示す定電圧回路を示している。この定電圧回路13は、第2の実施形態で説明した定電圧回路11に対し、ツェナーダイオードD2のカソードとトランジスタQ1、Q3のベースとの間に起動回路14を接続した構成となっている。起動回路14は、図示極性のダイオードD3と抵抗R1との直列回路からなる。
本実施形態によれば、定電圧回路13の電源線1、2間に電圧VBが印加された時に、定電流回路12からツェナーダイオードD2に電流が流れてツェナー電圧Vzが発生するとともに、起動回路14を通してトランジスタQ1、Q3にベース電流が流れるので、短時間のうちに確実に出力電圧VOUTを立ち上げることができる。
(第4の実施形態)
図5は、本発明の第4の実施形態を示す定電圧回路を示している。この定電圧回路15は、第3の実施形態で説明した定電圧回路13に対し、出力端子5と電源線2との間に定電流回路16(負荷回路に相当)を接続した構成となっている。この構成によれば、出力端子5に接続される負荷の状態(例えば負荷の有無や軽重)にかかわらず、トランジスタQ1には少なくとも定電流回路16が出力する電流I3以上の電流が流れ、トランジスタQ2、Q3、電流出力回路9にもそれに対応する電流が流れる。その結果、定電圧回路15全体を安定して動作させることができ、定電圧回路15の耐ノイズ性を高めることができる。なお、電流I3は、所望の耐ノイズ性および安定性が得られるように決定する。
(その他の実施形態)
なお、本発明は上記し且つ図面に示す各実施形態に限定されるものではなく、例えば以下のように変形または拡張が可能である。
第2ないし第4の各実施形態において、トランジスタQ2をダイオードD1に置き替えても良い
各実施形態において、基準電圧発生回路には、ツェナーダイオードに限らず例えばバンドギャップ基準電圧発生回路を用いてもよい。
出力トランジスタQ1にPNP形トランジスタを採用し、出力端子5から電流をシンクする定電圧回路として構成してもよい。
第4の実施形態において、定電流回路16に替えて抵抗を用いてもよい。
本発明の第1の実施形態を示す定電圧回路の電気的構成図 図1について電圧検出回路と電流出力回路を具体化した電気的構成図 本発明の第2の実施形態を示す図1相当図 本発明の第3の実施形態を示す図1相当図 本発明の第4の実施形態を示す図1相当図 従来技術を示す図1相当図
符号の説明
4、7は基準電圧生成回路(直列回路)、5は出力端子、6、10、11、13、15は定電圧回路、8は電圧検出回路または電流検出回路、9は電流出力回路、12は定電流回路、14は起動回路、16は定電流回路(負荷回路)、Q1はトランジスタ(出力トランジスタ)、Q3はトランジスタ(検出用トランジスタ、電圧検出回路、電流検出回路)、D1はダイオード、D2はツェナーダイオード(基準電圧発生回路)である。

Claims (9)

  1. 出力端子から一定電圧を出力する定電圧回路において、
    エミッタが前記出力端子に接続された出力トランジスタと、
    この出力トランジスタのベースに基準電圧を与える基準電圧発生回路とダイオードとの直列回路と、
    前記出力トランジスタのベース・エミッタ間電圧を検出する電圧検出回路と、
    前記基準電圧発生回路とダイオードとの直列回路に対し前記電圧検出回路による検出電圧に応じた電流を出力する電流出力回路とを備えて構成されていることを特徴とする定電圧回路。
  2. 前記電圧検出回路は、前記出力トランジスタに対しエミッタ同士およびベース同士が接続された検出用トランジスタにより構成され、
    前記電流出力回路は、前記検出用トランジスタに流れる電流を入力とするカレントミラー回路により構成されていることを特徴とする請求項1記載の定電圧回路。
  3. 出力端子から一定の電圧を出力する定電圧回路において、
    エミッタが前記出力端子に接続された出力トランジスタと、
    この出力トランジスタのベースに基準電圧を与える基準電圧発生回路とダイオードとの直列回路と、
    前記出力トランジスタのコレクタ電流を検出する電流検出回路と、
    前記基準電圧発生回路とダイオードとの直列回路に対し前記電流検出回路による検出電流に応じた電流を出力する電流出力回路とを備えて構成されていることを特徴とする定電圧回路。
  4. 前記電流検出回路は、前記出力トランジスタに対しエミッタ同士およびベース同士が接続された検出用トランジスタにより構成され、
    前記電流出力回路は、前記検出用トランジスタに流れる電流を入力とするカレントミラー回路により構成されていることを特徴とする請求項3記載の定電圧回路。
  5. 前記基準電圧発生回路とダイオードとの直列回路のうち基準電圧発生回路にのみ一定の電流を出力する定電流回路を設けたことを特徴とする請求項1ないし4の何れかに記載の定電圧回路。
  6. 前記基準電圧発生回路が出力する基準電圧を用いて前記出力トランジスタに対しベース電流を供給する起動回路を設けたことを特徴とする請求項5記載の定電圧回路。
  7. 前記出力端子に、所定量の電流を流し込む負荷回路を接続したことを特徴とする請求項1ないし6の何れかに記載の定電圧回路。
  8. 前記ダイオードは、前記出力トランジスタと同特性を有するトランジスタをダイオード接続した構成であることを特徴とする請求項1ないし7の何れかに記載の定電圧回路。
  9. 前記基準電圧発生回路は、ツェナーダイオードまたはバンドギャップ基準電圧発生回路であることを特徴とする請求項1ないし8の何れかに記載の定電圧回路。

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