JP5238940B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の第1の実施形態による半導体装置の製造方法について図1及び図2を参照して説明する。図1(A)、図2(A)は半導体装置の部分的な平面図、図1(B)、図2(B)は、それぞれ図1(A)、図2(A)のX−X線における断面図である。
本発明の第2の実施形態による半導体装置の製造方法について図4及び図5を参照して説明する。図4(A)、図5(A)は半導体装置の部分的な平面図、図4(B)、図5(B)は、それぞれ図4(A)、図5(A)のY−Y線における断面図である。
本発明の第1及び第2の実施形態の製造方法によれば、不純物拡散領域の横方向拡散を抑制する効果が得られるので、一般にウエル領域や半導体素子の分離領域の形成などに適用することができるものである。そこで、以下では、本発明のバイポーラプロセスの分離領域の形成への適用例について説明する。
4,4A P型の不純物領域 5 第2のホトレジスト
6,6A N型の不純物領域 7 P型の不純物拡散領域
10 シリコン単結晶基板 11,14 シリコン酸化膜
12 エピタキシャル層 13 埋め込み層
15 第1のホトレジスト 16 P型の不純物領域
17 第2のホトレジスト 18 凹部
19 N型の不純物領域 20 分離領域
21 島領域 22 ベース層 23 エミッタ層
24 コレクタ層 25 層間絶縁膜 26 エミッタ電極
27 ベース電極 28 コレクタ電極
K 開口部 K1 第1の開口部 K2 第2の開口部
Claims (5)
- 半導体基板の表面に第1導電型の不純物を導入して第1の不純物領域を形成する工程と、
前記第1の不純物領域を部分的にエッチングする工程と、
前記エッチングにより前記第1の不純物領域が除去された前記半導体基板の表面に第2導電型の不純物を導入して前記第1の不純物領域に隣接した第2の不純物領域を形成する工程と、
前記第1及び第2の不純物領域を熱拡散することにより、前記半導体基板の中に第1導電型の不純物拡散領域を形成する工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板の表面に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の中に第1導電型の不純物を導入して第1の不純物領域を形成する工程と、
前記第1導電型の不純物が導入された絶縁膜を部分的にエッチング除去し前記半導体基板を露出する工程と、
前記工程で露出された半導体基板の表面に第2導電型の不純物を導入して、前記第1の不純物領域に隣接した第2の不純物領域を形成する工程と、
前記第1及び第2の不純物領域を熱拡散することにより、前記半導体基板の中に第1導電型の不純物拡散領域を形成する工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 第1導電型の半導体基板を準備し、
前記半導体基板の表面に第2導電型の半導体層を形成する工程と、
前記半導体層の中に第1導電型の分離領域によって囲まれた島領域を形成する工程と、を備え、
前記分離領域を形成する工程は、前記半導体層の表面に第1導電型の不純物を導入して第1の不純物領域を形成する工程と、前記分離領域を形成する工程は、前記第1の不純物領域を部分的にエッチングする工程と、前記エッチングにより前記第1の不純物領域が除去された前記半導体基板の表面に第2導電型の不純物を導入して前記第1の不純物領域に隣接した第2の不純物領域を形成する工程と、前記第1及び第2の不純物領域を熱拡散することにより、前記半導体基板の中に第1導電型の不純物拡散領域を形成する工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記分離領域によって囲まれた島領域の中に半導体素子を形成する工程と、を備えることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1導電型の不純物はボロンであり、前記第2導電型の不純物はリンであることを特徴とする請求項1、2、3、4のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
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