JP2007324507A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】小型化が可能なSOI基板を用いた半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板11aと、支持基板11a上に形成された埋込み酸化膜11b(第1酸化膜)と、埋込み酸化膜11b上に形成された第1及び第2領域と該第1領域と該第2領域との間に少なくとも一部が介在する第3領域を有するシリコン膜11cとからなるSOI基板11と、シリコン膜11cの第1領域に形成され、p型(第1導電型)を有するp+拡散領域15(第1拡散層)と、シリコン膜11cの第2領域に形成され、p型と逆極性であるn型(第2導電型)の不純物を有するn+拡散領域16(第2拡散層)と、シリコン膜11cの第3領域上に形成されたゲート酸化膜13(第2絶縁膜)と、ゲート酸化膜13上に形成されたマスク絶縁膜14(第3絶縁膜)とを有する。
【選択図】図2
【解決手段】支持基板11aと、支持基板11a上に形成された埋込み酸化膜11b(第1酸化膜)と、埋込み酸化膜11b上に形成された第1及び第2領域と該第1領域と該第2領域との間に少なくとも一部が介在する第3領域を有するシリコン膜11cとからなるSOI基板11と、シリコン膜11cの第1領域に形成され、p型(第1導電型)を有するp+拡散領域15(第1拡散層)と、シリコン膜11cの第2領域に形成され、p型と逆極性であるn型(第2導電型)の不純物を有するn+拡散領域16(第2拡散層)と、シリコン膜11cの第3領域上に形成されたゲート酸化膜13(第2絶縁膜)と、ゲート酸化膜13上に形成されたマスク絶縁膜14(第3絶縁膜)とを有する。
【選択図】図2
Description
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、特に極性の異なる拡散領域が基板表面に対して横方向に配置された半導体装置及びその製造方法に関する。
SOI(Silicon On Insulator)基板にダイオードを構成する場合、バルク(bulk)基板にダイオードを構成する場合のように深さ方向でPN接合する構成を採用することができない。すなわち、p型の拡散領域(以下、p拡散領域という)とn型の拡散領域(以下、n拡散領域という)とが上下に配置された構成を採用することができない。このため、SOI基板にダイオードを作り込む場合、例えば以下に示す特許文献1又は2に記載の半導体装置のように、横方向でPN接合する構成を採用することが一般的であった。
特開平7−129998号公報
特開2001−28424号公報
しかしながら、p拡散領域(アノード)とn拡散領域(カソード)とが横方向でPN接合するダイオードを作成する場合、SOI基板上層のシリコン薄膜におけるアクティブ領域に高濃度の拡散領域であるアノード及びカソードを横に配列した状態で形成する必要がある。また、各拡散領域(アノード及びカソード)の上部には、コンタクトプラグなどの配線と電気的な接続を向上するために、シリサイド膜が形成されていた。
これらのような拡散領域及びシリサイド膜の形成では、一般的にフォトリソグラフィ工程が用いられるが、この工程において生じる位置ずれを考慮すると、形成するダイオードの寸法をある程度大きくする必要がある。このため、SOI基板にダイオードを形成する場合、半導体装置が大型化してしまうという問題が存在する。
そこで本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、小型化が可能なSOI基板を用いた半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
本発明の半導体装置は、前述の課題を解決するために、支持基板と、該支持基板上に形成された第1絶縁膜と、該第1絶縁膜上に形成された第1及び第2領域と該第1領域と該第2領域との間に少なくとも一部が介在する第3領域とを有するシリコン膜とからなる半導体基板と、前記シリコン膜の前記第1領域に形成され、第1導電型を有する第1拡散層と、前記シリコン膜の前記第2領域に形成され、前記第1導電型と逆極性である第2導電型の不純物を有する第2拡散層と、前記シリコン膜の前記第3領域上に形成された第2絶縁膜と、前記第2絶縁膜上に形成された第3絶縁膜とを有して構成される。
第1拡散領域と第2拡散領域との間の領域上に第2絶縁膜を形成することで、第1拡散領域又は第2拡散領域を形成する際に、この第2絶縁膜をマスクの一部として使用することが可能である。このため、半導体装置を微細化したとしても、第1拡散領域又は第2拡散領域形成時のフォトリソグラフィ工程における露光マージンを確保することができる。結果、半導体装置を小型化することが可能となる。
また、本発明の半導体装置の製造方法は、支持基板と、該支持基板上に形成された第1絶縁膜と、該第1絶縁膜上に形成された第1及び第2領域と該第1領域と該第2領域との間に少なくとも一部が介在する第3領域とを有するシリコン膜とからなる半導体基板を準備する工程と、前記シリコン膜表面に第2絶縁膜を形成する工程と、前記第2絶縁膜上に第3絶縁膜を形成する工程と、前記第2及び第3絶縁膜をエッチングにより加工することで前記シリコン膜における前記第1及び第2領域を露出させる工程と、前記第3絶縁膜上の少なくとも一部と前記第2領域上とに第1レジストパターンを形成する工程と、前記第1レジストパターンと前記加工された第3絶縁膜とをマスクとして用いつつ前記第1領域に第1導電型の不純物を注入することで、前記第1領域に第1拡散層を形成する工程と、前記第3絶縁膜上の少なくとも一部と前記第1領域上とに第2レジストパターンを形成する工程と、前記第2レジストパターンと前記第3絶縁膜とをマスクとして用いつつ前記第2領域に前記第1導電型と逆極性である第2導電型の不純物を注入することで、前記第2領域に第2拡散層を形成する工程とを有して構成される。
第1拡散領域と第2拡散領域との間の領域上に第2絶縁膜を形成することで、第1拡散領域又は第2拡散領域を形成する際に、この第2絶縁膜をマスクの一部として使用することが可能である。このため、半導体装置を微細化したとしても、第1拡散領域又は第2拡散領域形成時のフォトリソグラフィ工程における露光マージンを確保することができる。結果、小型化された半導体装置を製造することが可能となる。
また、本発明の半導体装置の製造方法は、前述の課題を解決するために、支持基板と、該支持基板上に形成された第1絶縁膜と、該第1絶縁膜上に形成された第1及び第2領域と該第1領域と該第2領域との間に少なくとも一部が介在する第3領域とを有するシリコン膜とからなる半導体基板を準備する工程と、前記シリコン膜表面に第2絶縁膜を形成する工程と、前記第2絶縁膜上に第3絶縁膜を形成する工程と、前記第2及び第3絶縁膜をエッチングにより加工することで前記シリコン膜における前記第1及び第2領域を露出させる工程と、前記加工された第3絶縁膜をマスクとして用いつつ前記第1及び第2領域に第1導電型の不純物を注入する工程と、前記露出されたシリコン膜及び前記第3絶縁膜上に第4絶縁膜を形成する工程と、前記第4絶縁膜をエッチバックすることで、前記第2及び第3絶縁膜側面にサイドウォールを形成する工程と、前記第3絶縁膜上の少なくとも一部から前記第2領域上にかけて第1レジストパターンを形成する工程と、前記第1レジストパターンと前記加工された第3絶縁膜と前記サイドウォールとをマスクとして用いつつ前記第1領域に前記第1導電型の不純物を注入することで、前記第1領域の一部に第1拡散層を形成する工程と、前記第3絶縁膜上の少なくとも一部から前記第1領域上にかけて第2レジストパターンを形成する工程と、前記第2レジストパターンと前記加工された第3絶縁膜と前記サイドウォールとをマスクとして用いつつ前記第2領域に前記第1導電型と逆極性である第2導電型の不純物を注入することで、前記第2領域の一部に第2拡散層を形成する工程とを有して構成される。
第1拡散領域と第2拡散領域との間の領域上に第2絶縁膜を形成することで、第1拡散領域又は第2拡散領域を形成する際に、この第2絶縁膜をマスクの一部として使用することが可能である。このため、半導体装置を微細化したとしても、第1拡散領域又は第2拡散領域形成時のフォトリソグラフィ工程における露光マージンを確保することができる。結果、小型化された半導体装置を製造することが可能となる。また、第1及び第2絶縁膜の側面にサイドウォールを形成し、第2絶縁膜とサイドウォールと第1/第2レジストパターンとをマスクとして第1拡散領域又は第2拡散領域とを形成することで、第1拡散領域と第2拡散領域との間の距離をサイドウォールの幅にて制御することが可能となる。この結果、半導体装置の耐圧特性を制御することが可能となる。さらに、サイドウォール下に閾値調整のための不純物注入された領域を形成しておくことで、半導体装置の耐圧特性を更に制御することが可能となる。
本発明によれば、小型化が可能なSOI基板を用いた半導体装置及びその製造方法を実現することが可能となる。
以下、本発明を実施するための最良の形態を図面と共に詳細に説明する。なお、以下の説明において、各図は本発明の内容を理解でき得る程度に形状、大きさ、および位置関係を概略的に示してあるに過ぎず、従って、本発明は各図で例示された形状、大きさ、および位置関係のみに限定されるものではない。また、各図では、構成の明瞭化のため、断面におけるハッチングの一部が省略されている。さらに、後述において例示する数値は、本発明の好適な例に過ぎず、従って、本発明は例示された数値に限定されるものではない。
まず、本発明による実施例1について図面を用いて詳細に説明する。
本実施例は、絶縁物やゲート電極をマスクとして用いることで、拡散領域(アノード及びカソード)形成時の位置合わせ精度やコンタクトプラグとシリサイド膜との位置合わせ精度などを考慮した寸法マージンを低減することを可能とする。この結果、本発明による半導体装置であるダイオードの形成面積を縮小することが可能となる。
・構成
図1は、本実施例による半導体ダイオード10の概略構成を示す上視図である。また、図2は、図1に示す半導体ダイオード10の単位構成の概略を示す断面図である。本実施例による半導体ダイオード10は、単位構成の素子を1つ以上組み合わせることで構成されている。なお、図1では、説明の明確化のため、ゲート酸化膜13及びマスク絶縁膜14を省略して示す。また、図2では、説明の簡略化のため、層間絶縁膜を省略して示す。
図1は、本実施例による半導体ダイオード10の概略構成を示す上視図である。また、図2は、図1に示す半導体ダイオード10の単位構成の概略を示す断面図である。本実施例による半導体ダイオード10は、単位構成の素子を1つ以上組み合わせることで構成されている。なお、図1では、説明の明確化のため、ゲート酸化膜13及びマスク絶縁膜14を省略して示す。また、図2では、説明の簡略化のため、層間絶縁膜を省略して示す。
本実施例による半導体ダイオード10は、例えば図1に示すように、p+拡散領域15とn+拡散領域16とが、縦横に交互に規則的に配列された構成を有する。これにより、1つの半導体ダイオード10において、p+拡散領域15とn+拡散領域16とが対面する面積を増加させることが可能となり、結果、駆動能力を向上することが可能となる。また、p+拡散領域15とn+拡散領域16との間には、半導体ダイオード10の動作時にキャリアが流れる領域(以下、キャリア領域という)12が形成されている。
また、図1及び図2に示すように、半導体ダイオード10の単位構成は、支持基板11aと、支持基板11a上に形成された埋込み酸化膜11bと、埋込み酸化膜11b上に形成されたシリコン薄膜11cとからなるSOI基板11を用いて作製される。支持基板11aには、例えばシリコン基板が用いられる。埋込み酸化膜11bには、例えばシリコン酸化膜などが用いられる。その膜厚は、例えば145nm(ナノメートル)程度とすることができる。また、シリコン薄膜11cの膜厚は、例えば50nm程度とすることができる。
SOI基板11におけるシリコン薄膜11cは、例えば図示しない素子分離絶縁膜が形成されることで、素子形成領域(アクティブ領域とも言う)と素子分離領域(フィールド領域とも言う)とに区画されている。なお、素子分離絶縁膜は、例えLOCOS(Local Oxidation of Silicon)法やSTI(Shallow Trench Isolation)法などを用いて形成することができる。
シリコン薄膜11cにおけるアクティブ領域は、例えばn型の導電性を持つ不純物(例えばリンイオンなど)が、比較的(例えば後述するn+拡散領域16と比較して)、低濃度にドープされることで、閾値調整がなされている。
シリコン薄膜11cにおけるアクティブ領域表面の一部(これを例えば第3領域とする)には、ゲート酸化膜13が形成されている。ゲート酸化膜13は、例えば熱酸化により形成することができる。また、その膜厚は、例えば5nm程度とすることができる。
ゲート酸化膜13上には、マスク絶縁膜14が形成されている。マスク絶縁膜14は、後述するp型の高濃度拡散領域(以下、p+拡散領域という)15形成時及びn型の高濃度拡散領域(以下、n+拡散領域という)16形成時に不純物が注入される領域を制御するためのマスクである。このマスク絶縁膜14は、例えばシリコン酸化膜で形成することができる。また、その膜厚は、注入する不純物がシリコン薄膜11cまで到達しない程度の膜厚、例えば100nm程度とすることができる。
シリコン薄膜11cのアクティブ領域において、マスク絶縁膜14及びゲート酸化膜13下の一対の領域(これを例えば第1及び第2領域とする)には、それぞれp+拡散領域15及びn+拡散領域16が形成される。p+拡散領域15は、例えば砒素イオンやボロンイオンなどをドープすることで形成することができる。また、その不純物濃度は、例えば1×1018/nm3程度とすることができる。一方、n+拡散領域16は、例えばリンイオンなどをドープすることで形成することができる。また、その不純物濃度は、1×1018/nm3程度とすることができる。なお、p+拡散領域15及びn+拡散領域16は、それぞれ一部がマスク絶縁膜14下の領域にまで延在している。また、アクティブ領域におけるp+拡散領域15とn+拡散領域16とで挟まれた領域は、キャリア領域12として機能する。
p+拡散領域15表面とn+拡散領域16表面とは、それぞれシリサイド膜15a又は16aが形成されることで、低抵抗化されている。
以上のような構成を有する半導体ダイオード10が形成されたSOI基板11は、図示しない層間絶縁膜により覆われる。また、層間絶縁膜には、p+拡散領域15表面のシリサイド膜15a及びn+拡散領域16表面のシリサイド膜16aを露出させるコンタクトホールがそれぞれ形成され、これらの内部にコンタクトプラグ17が形成される。
・製造方法
次に、本実施例による半導体ダイオード10の製造方法について、図面を用いて詳細に説明する。図3(a)から図4(c)は、本実施例による半導体ダイオード10の製造方法を示すプロセス図である。
次に、本実施例による半導体ダイオード10の製造方法について、図面を用いて詳細に説明する。図3(a)から図4(c)は、本実施例による半導体ダイオード10の製造方法を示すプロセス図である。
本製造方法では、まず、支持基板11aと埋込み酸化膜11bとシリコン薄膜11cとからなるSOI基板11を準備し、このシリコン薄膜11cに、例えばLOCOS法やSTI法を用いて図示しない素子分離絶縁膜を形成する。これにより、シリコン薄膜11cを1つ以上のアクティブ領域に区画する。
次に、図3(a)に示すように、シリコン薄膜11cにおけるアクティブ領域に、例えばリンイオンなどのn型の不純物をドープすることで、これの閾値電圧を調整する。なお、この際のドーズ量は、例えば1×1013/cm3程度とすることができる。
次に、シリコン薄膜11c表面を熱酸化することで、例えば膜厚が5nm程度のシリコン酸化膜13Aを形成する。なお、この際の熱酸化条件としては、例えば加熱温度を850℃とし、加熱時間を30分とすることができる。続いて、例えばCVD(Chemical Vapor Deposition)法などを用いて酸化シリコンや窒化シリコンなどの絶縁物をシリコン酸化膜13A上に堆積させることで、例えば膜厚が100nm程度の絶縁膜14Aを形成する。これにより、図3(b)に示すように、SOI基板11上に、シリコン酸化膜13Aと絶縁膜14Aとが積層される。
次に、既存のフォトリソグラフィ工程を用いることで、升目状(例えば図1参照)に開口を有するレジストパターンR1を形成し、これをマスクとして用いつつ、絶縁膜14A及びシリコン酸化膜13Aを順次エッチングする。これにより、図3(c)に示すように、シリコン薄膜11c上の一部に、膜厚が例えば5nmのゲート酸化膜13と、膜厚が例えば100nmのマスク絶縁膜14とを形成する。
次に、レジストパターンR1を除去した後、再度、既存のフォトリソグラフィ工程を用いることで、少なくともp+拡散領域15が形成される領域上に開口を有するレジストパターンR2を形成する。この際、レジストパターンR2のエッジ(開口のエッジ)は、マスク絶縁膜14上に位置していればよい。これは、後述におけるp+拡散領域15を形成する際のイオン注入工程において、レジストパターンR2の他に、マスク絶縁膜14もマスクとして機能する。したがって、レジストパターンR2は少なくともn+拡散領域16を形成する領域上を覆っていればよい。言い換えれば、マスク絶縁膜14を用いることで、レジストパターンR2を形成する際にマスク絶縁膜14の幅分のマージンを設けることができる。続いて、レジストパターンR2及びマスク絶縁膜14をマスクとして用いつつ、露出されたシリコン薄膜11cのアクティブ領域に、p型の不純物、例えば砒素イオン又はボロンイオンを注入する。これにより、図4(a)に示すように、シリコン薄膜11cにおけるアクティブ領域の一部にp+拡散領域15が形成される。なお、この際のドーズ量は、例えば1×1015/nm2程度とすることができる。
次に、レジストパターンR2を除去した後、再度、既存のフォトリソグラフィ工程を用いることで、少なくともn+拡散領域16が形成される領域上に開口を有するレジストパターンR3を形成する。この際、レジストパターンR3のエッジ(開口のエッジ)は、レジストパターンR2と同様に、マスク絶縁膜14上に位置していればよい。これは、後述におけるn+拡散領域16を形成する際のイオン注入工程において、レジストパターンR3の他に、マスク絶縁膜14もマスクとして機能するである。したがって、レジストパターンR3は少なくともn+拡散領域16を形成する領域上を覆っていればよい。言い換えれば、マスク絶縁膜14を用いることで、レジストパターンR3を形成する際にマスク絶縁膜14の幅分のマージンを設けることができる。続いて、レジストパターンR3及びマスク絶縁膜14をマスクとして用いつつ、露出されたシリコン薄膜11cのアクティブ領域に、n型の不純物、例えばリンイオンを注入する。これにより、図4(b)に示すように、シリコン薄膜11cにおけるアクティブ領域の一部にn+拡散領域16が形成される。この際のドーズ量は、例えば1×1015/nm2程度とすることができる。
次に、レジストパターンR3を除去した後、p+拡散領域15表面及びn+拡散領域16表面をシリサイド化する。これにより、図4(c)に示すように、これらにそれぞれシリサイド膜15a及び16aが形成される。
その後、以上の工程で作成されたダイオードを覆うように層間絶縁膜を形成し、これにp+拡散領域15表面のシリサイド膜15a及びn+拡散領域16表面のシリサイド膜16aと電気的に接続するコンタクトプラグ17をそれぞれ形成する。これにより、図1及び図2に示すような、本実施例による半導体ダイオード10が製造される。
・作用効果
以上のように、本実施例による半導体ダイオード10は、支持基板11aと、支持基板11a上に形成された埋込み酸化膜11bと、埋込み酸化膜11b上に形成された第1及び第2領域と該第1領域と該第2領域との間に少なくとも一部が介在する第3領域を有するシリコン膜11cとからなるSOI基板11と、シリコン膜11cの第1領域に形成され、p型(第1導電型)を有するp+拡散領域15(第1拡散層)と、シリコン膜11cの第2領域に形成され、p型と逆極性であるn型(第2導電型)の不純物を有するn+拡散領域16(第2拡散層)と、シリコン膜11cの第3領域上に形成されたゲート酸化膜13(第2絶縁膜)と、ゲート酸化膜13上に形成されたマスク絶縁膜14(第3絶縁膜)とを有して構成される。
以上のように、本実施例による半導体ダイオード10は、支持基板11aと、支持基板11a上に形成された埋込み酸化膜11bと、埋込み酸化膜11b上に形成された第1及び第2領域と該第1領域と該第2領域との間に少なくとも一部が介在する第3領域を有するシリコン膜11cとからなるSOI基板11と、シリコン膜11cの第1領域に形成され、p型(第1導電型)を有するp+拡散領域15(第1拡散層)と、シリコン膜11cの第2領域に形成され、p型と逆極性であるn型(第2導電型)の不純物を有するn+拡散領域16(第2拡散層)と、シリコン膜11cの第3領域上に形成されたゲート酸化膜13(第2絶縁膜)と、ゲート酸化膜13上に形成されたマスク絶縁膜14(第3絶縁膜)とを有して構成される。
p+拡散領域15とn+拡散領域16との間の領域上にマスク絶縁膜14を形成することで、p+拡散領域15又はn+拡散領域16を形成する際に、このマスク絶縁膜14をマスクの一部として使用することが可能である。このため、半導体ダイオード10を微細化したとしても、p+拡散領域15又はn+拡散領域16形成時のフォトリソグラフィ工程における露光マージンを確保することができる。結果、半導体ダイオード10を小型化することが可能となる。
また、本実施例による半導体ダイオード10の製造方法は、支持基板11aと、支持基板11a上に形成された埋込み酸化膜11b(第1酸化膜)と、埋込み酸化膜11b上に形成された第1及び第2領域と該第1領域と該第2領域との間に少なくとも一部が介在する第3領域とを有するシリコン膜11cとからなるSOI基板を準備し、シリコン膜11c表面にゲート酸化膜13へ加工されるシリコン酸化膜13A(第2絶縁膜)を形成し、シリコン酸化膜13A上にマスク絶縁膜14へ加工される絶縁膜14A(第3絶縁膜)を形成し、シリコン酸化膜13A及び絶縁膜14Aをエッチングにより加工することでシリコン膜11cにおける第1及び第2領域を露出させると共にゲート酸化膜13及びマスク絶縁膜14を形成し、マスク酸化膜14(第3絶縁膜)上の少なくとも一部と第2領域上とに第1レジストパターンR2を形成し、第1レジストパターンR2とマスク酸化膜14とをマスクとして用いつつ第1領域にp型(第1導電型)の不純物を注入することで、第1領域にp+拡散領域15(第1拡散層)を形成し、マスク絶縁膜14上の少なくとも一部と第1領域上とに第2レジストパターンR3を形成し、第2レジストパターンR3とマスク絶縁膜14とをマスクとして用いつつ第2領域にp型と逆極性であるn型(第2導電型)の不純物を注入することで、第2領域にn+拡散領域16(第2拡散層)を形成する。
p+拡散領域15とn+拡散領域16との間の領域上にマスク絶縁膜14を形成することで、p+拡散領域15又はn+拡散領域16を形成する際に、このマスク絶縁膜14をマスクの一部として使用することが可能である。このため、半導体ダイオード10を微細化したとしても、p+拡散領域15又はn+拡散領域16形成時のフォトリソグラフィ工程における露光マージンを確保することができる。結果、小型化された半導体ダイオード10を製造することが可能となる。
なお、以上の説明では、p+拡散領域15とn+拡散領域16とが升目状に2次元配列された構成を例示したが、本発明は、これに限定されず、例えば図5に示すように、p+拡散領域15’とn+拡散領域16’とが、それぞれ突出部(フィンガとも言う)15b’又は16b’を持つ櫛歯状の形状であってもよい。このように構成することで、p+拡散領域15’とn+拡散領域16’とが対面する面積を、上述において図1及び図2を用いて説明した構成と同様に、増加させることができる。なお、シリサイド膜15a’及び16a’は、突出部15b’及び16b’以外に形成されていればよい。
また、本実施例では、マスク絶縁膜14をイオン注入時のマスクとして用いたが、本発明はこれに限定されず、ゲート酸化膜13上に、例えば不純物を含むポリシリコン膜を用いてゲート電極を形成し、これをマスクとして用いつつイオン注入することで、p+拡散領域15及びn+拡散領域16をそれぞれ形成するように構成してもよい。
なお、本実施例による半導体ダイオード10は、例えばESD(Electro Static Discharge)特性向上のための保護回路などに使用することが可能である。ただし、本発明は、これに限定せず、種々の部位に適用することが可能である。
次に、本発明の実施例2について図面を用いて詳細に説明する。尚、以下の説明において、実施例1と同様の構成については、同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、特記しない構成に関しては実施例1と同様である。
本実施例は、実施例1と同様に、絶縁物やゲート電極をマスクとして用いることで、拡散領域(アノード及びカソード)形成時の位置合わせ精度やコンタクトプラグとシリサイド膜との位置合わせ精度などを考慮した寸法マージンを低減することを可能とする。この結果、本発明による半導体装置であるダイオードの形成面積を縮小することが可能となる。
・構成
図6は、本実施例による半導体ダイオード20の概略構成を示す上視図である。また、図7は、図6に示す半導体ダイオード20の単位構成の概略を示す断面図である。本実施例による半導体ダイオード20は、単位構成の素子を1つ以上組み合わせることで構成されている。なお、図6では、説明の明確化のため、ゲート絶縁膜23、マスク絶縁膜24を及びサイドウォール29を省略して示す。また、図7では、説明の簡略化のため、層間絶縁膜を省略して示す。
図6は、本実施例による半導体ダイオード20の概略構成を示す上視図である。また、図7は、図6に示す半導体ダイオード20の単位構成の概略を示す断面図である。本実施例による半導体ダイオード20は、単位構成の素子を1つ以上組み合わせることで構成されている。なお、図6では、説明の明確化のため、ゲート絶縁膜23、マスク絶縁膜24を及びサイドウォール29を省略して示す。また、図7では、説明の簡略化のため、層間絶縁膜を省略して示す。
本実施例による半導体ダイオード20は、例えば図6に示すように、複数のp+拡散領域25を取り囲むように、n+拡散領域26が形成された構成を有する。これにより、1つの半導体ダイオード20において、p+拡散領域25とn+拡散領域26とが対面する面積を増加させることが可能となり、結果、駆動能力を向上することが可能となる。また、p+拡散領域25とn+拡散領域26との間には、半導体ダイオード20の動作時にキャリアが流れる領域(以下、キャリア領域という)(以下、キャリア領域という)22及びこれを囲むn型の低濃度拡散領域(以下、n−拡散領域という)28が形成されている。n−拡散領域28の不純物濃度は、例えばキャリア領域22より高く、n+拡散領域26よりも低い。このようなn−拡散領域28は、半導体ダイオード20の閾値電圧を調整するための構成であり、これにより、半導体ダイオード20の耐圧特性を制御することが容易となる。
また、図6及び図7に示すように、半導体ダイオード20の単位構成は、実施例1と同様に、支持基板11aと、支持基板11a上に形成された埋込み酸化膜11bと、埋込み酸化膜11b上に形成されたシリコン薄膜11cとからなるSOI基板11を用いて作製される。また、SOI基板11におけるシリコン薄膜11cは、実施例1と同様に、例えば図示しない素子分離絶縁膜が形成されることで、素子形成領域(アクティブ領域)と素子分離領域(フィールド領域)とに区画されている。さらに、シリコン薄膜11cにおけるアクティ領域は、実施例1と同様に、例えばn型の導電性を持つ不純物(例えばリンイオンなど)が、比較的(例えば後述するn+拡散領域26と比較して)、低濃度にドープされることで、閾値調整がなされている。
シリコン薄膜11cにおけるアクティブ領域表面の一部には、ゲート酸化膜23が形成されている。ゲート酸化膜23は、例えば熱酸化により形成することができる。また、その膜厚は、例えば5nm程度とすることができる。
ゲート酸化膜23上には、マスク絶縁膜24が形成されている。マスク絶縁膜24は、後述するp+拡散領域25形成時及びn+拡散領域26形成時に不純物が注入される領域を制御するためのマスクである。このマスク絶縁膜24は、例えばシリコン酸化膜で形成することができる。また、その膜厚は、注入する不純物がシリコン薄膜11cまで到達しない程度の膜厚、例えば100nm程度とすることができる。
ゲート酸化膜23及びマスク絶縁膜24の両側面には、それぞれサイドウォール29が形成されている。サイドウォール29は、例えばシリコン窒化膜などを用いることができる。また、その横方向の厚さは、例えば100nm程度とすることができる。
シリコン薄膜11cのアクティブ領域において、サイドウォール29下には、n−拡散領域28が形成されている。n−拡散領域28は、上述したように、半導体ダイオード20の閾値電圧を調整するための領域である。このn−拡散領域28は、例えばリンイオンなどをドープすることで形成することができる。また、その不純物濃度は、例えば1×1017/cm3程度とすることができる。なお、n−拡散領域28は、それぞれ一部がマスク絶縁膜24下の領域にまで延在している。また、アクティブ領域におけるn−拡散領域28で挟まれた領域は、キャリア領域22として機能する。
シリコン薄膜11cのアクティブ領域において、マスク絶縁膜24、ゲート酸化膜23及びサイドウォール29下の一対の領域には、それぞれp+拡散領域25及びn+拡散領域26が形成される。p+拡散領域25は、例えば砒素イオンやボロンイオンなどをドープすることで形成することができる。また、その不純物濃度は、例えば1×1018/nm3程度とすることができる。一方、n+拡散領域26は、例えばリンイオンなどをドープすることで形成することができる。また、その不純物濃度は、1×1018/nm3程度とすることができる。なお、p+拡散領域25及びn+拡散領域26は、それぞれ一部がサイドウォール29下の領域にまで延在している。
p+拡散領域25表面とn+拡散領域26表面とは、それぞれシリサイド膜25a又は26aが形成されることで、低抵抗化されている。
以上のような構成を有する半導体ダイオード20が形成されたSOI基板11は、図示しない層間絶縁膜により覆われる。また、層間絶縁膜には、p+拡散領域25表面のシリサイド膜25a及びn+拡散領域26表面のシリサイド膜26aを露出させるコンタクトホールがそれぞれ形成され、これらの内部にコンタクトプラグ17が形成される。
・製造方法
次に、本実施例による半導体ダイオード20の製造方法について、図面を用いて詳細に説明する。図8(a)から図9(c)は、本実施例による半導体ダイオード20の製造方法を示すプロセス図である。なお、実施例1と同様の工程については、これを引用することで、その詳細な説明を省略する。
次に、本実施例による半導体ダイオード20の製造方法について、図面を用いて詳細に説明する。図8(a)から図9(c)は、本実施例による半導体ダイオード20の製造方法を示すプロセス図である。なお、実施例1と同様の工程については、これを引用することで、その詳細な説明を省略する。
本製造方法では、実施例1と同様に、まず、支持基板11aと埋込み酸化膜11bとシリコン薄膜11cとからなるSOI基板11を準備し、これのシリコン薄膜11cに、例えばLOCOS法やSTI法を用いて図示しない素子分離絶縁膜を形成することで、シリコン薄膜11cを1つ以上のアクティブ領域に区画する。
次に、図3(a)を用いて説明したように、シリコン薄膜11cにおけるアクティブ領域に、例えばリンイオンなどのn型の不純物をドープすることで、これの閾値電圧を調整する。なお、この際のドーズ量は、例えば1×1013/cm3程度とすることができる。
次に、シリコン薄膜11c表面を熱酸化することで、例えば膜厚が5nm程度のシリコン酸化膜13Aを形成する。なお、この際の熱酸化条件としては、例えば加熱温度を850℃とし、加熱時間を30分とすることができる。続いて、例えばCVD法などを用いて酸化シリコンや窒化シリコンなどの絶縁物をシリコン酸化膜13A上に堆積させることで、例えば膜厚が100nm程度の絶縁膜14Aを形成する。これにより、図3(b)を用いて説明したように、SOI基板11上に、シリコン酸化膜13Aと絶縁膜14Aとが積層される。
次に、既存のフォトリソグラフィ工程を用いることで、例えば図6に示すp+拡散領域25及びn+拡散領域26と同様の開口を有するレジストパターンを形成し、これをマスクとして用いつつ、絶縁膜14A及びシリコン酸化膜13Aを順次エッチングする。これにより、図3(c)を用いて説明したように、シリコン薄膜11c上の一部に、膜厚が例えば5nmのゲート酸化膜23と、膜厚が例えば100nmのマスク絶縁膜24とが形成される。
次に、マスク絶縁膜24をマスクとして用いつつ、露出されたシリコン薄膜11cのアクティブ領域に、n型の不純物、例えばリンイオンを注入する。これにより、図8(a)に示すように、シリコン薄膜11cにおけるアクティブ領域の一部に一対のn−拡散領域28が形成される。なお、この際のドーズ量は、例えば1×1014/nm2程度とすることができる。
次に、マスク絶縁膜24上のレジストパターンを除去した後、図8(b)に示すように、SOI基板11上面全体に、例えばCVD法などを用いて絶縁物を堆積させることで、例えば膜厚が100nm程度の絶縁膜29Aを形成する。なお、堆積させる絶縁物は、エッチングの際にシリコン薄膜11c及びマスク絶縁膜24との選択比が十分に取れる絶縁物(例えばマスク絶縁膜24にシリコン酸化膜を用いた場合は窒化シリコンなど)を用いることが好ましい。
次に、SOI基板11上の絶縁膜29Aをエッチバックする。これにより、図8(c)に示すように、ゲート酸化膜23及びマスク絶縁膜24の両側面に、サイドウォール29が形成される。
次に、既存のフォトリソグラフィ工程を用いることで、少なくともp+拡散領域25が形成される領域上に開口を有するレジストパターンR12を形成する。この際、レジストパターンR12のエッジ(開口のエッジ)は、マスク絶縁膜24上に位置していればよい。これは、後述におけるp+拡散領域25を形成する際のイオン注入工程において、レジストパターンR12の他に、マスク絶縁膜24もマスクとして機能するである。したがって、レジストパターンR12は少なくともn+拡散領域26を形成する領域上を覆っていればよい。言い換えれば、マスク絶縁膜24を用いることで、レジストパターンR12を形成する際にマスク絶縁膜24の幅分のマージンを設けることができる。続いて、レジストパターンR12及びマスク絶縁膜24をマスクとして用いつつ、露出されたシリコン薄膜11cのアクティブ領域に、p型の不純物、例えば砒素イオン又はボロンイオンを注入する。これにより、図9(a)に示すように、シリコン薄膜11cにおけるアクティブ領域の一部にp+拡散領域25が形成される。なお、この際のドーズ量は、例えば1×1015/nm2程度とすることができる。
次に、レジストパターンR12を除去した後、再度、既存のフォトリソグラフィ工程を用いることで、少なくともn+拡散領域26が形成される領域上に開口を有するレジストパターンR13を形成する。この際、レジストパターンR13のエッジ(開口のエッジ)は、レジストパターンR12と同様に、マスク絶縁膜24上に位置していればよい。これは、後述におけるn+拡散領域26を形成する際のイオン注入工程において、レジストパターンR13の他に、マスク絶縁膜24もマスクとして機能するである。したがって、レジストパターンR13は少なくともn+拡散領域26を形成する領域上を覆っていればよい。言い換えれば、マスク絶縁膜24を用いることで、レジストパターンR13を形成する際にマスク絶縁膜24の幅分のマージンを設けることができる。続いて、レジストパターンR13及びマスク絶縁膜24をマスクとして用いつつ、露出されたシリコン薄膜11cのアクティブ領域に、n型の不純物、例えばリンイオンを注入する。これにより、図9(b)に示すように、シリコン薄膜11cにおけるアクティブ領域の一部にn+拡散領域26が形成される。この際のドーズ量は、例えば1×1015/nm2程度とすることができる。
次に、レジストパターンR13を除去した後、p+拡散領域25表面及びn+拡散領域26表面をシリサイド化する。これにより、図9(c)に示すように、これらにそれぞれシリサイド膜25a及び26aが形成される。
その後、以上の工程で作成されたダイオードを覆うように層間絶縁膜を形成し、これにp+拡散領域25表面のシリサイド膜25a及びn+拡散領域26表面のシリサイド膜26aと電気的に接続するコンタクトプラグ17をそれぞれ形成する。これにより、図6及び図7に示すような、本実施例による半導体ダイオード20が製造される。
・作用効果
以上のように、本実施例による半導体ダイオード20は、支持基板11aと、支持基板11a上に形成された埋込み酸化膜11bと、埋込み酸化膜11b上に形成された第1及び第2領域と該第1領域と該第2領域との間に少なくとも一部が介在する第3領域を有するシリコン膜11cとからなるSOI基板11と、シリコン膜11cの第1領域に形成され、p型(第1導電型)を有するp+拡散領域25(第1拡散層)と、シリコン膜11cの第2領域に形成され、p型と逆極性であるn型(第2導電型)の不純物を有するn+拡散領域26(第2拡散層)と、シリコン膜11cの第3領域上に形成されたゲート酸化膜23(第2絶縁膜)と、ゲート酸化膜23上に形成されたマスク絶縁膜24(第3絶縁膜)とを有して構成される。また、本実施例による半導体ダイオード20は、ゲート酸化膜23及びマスク絶縁膜24の側面に形成されたサイドウォール29と、シリコン薄膜11cにおけるサイドウォール29下の領域に形成されたn−拡散領域28とを有して構成される。
以上のように、本実施例による半導体ダイオード20は、支持基板11aと、支持基板11a上に形成された埋込み酸化膜11bと、埋込み酸化膜11b上に形成された第1及び第2領域と該第1領域と該第2領域との間に少なくとも一部が介在する第3領域を有するシリコン膜11cとからなるSOI基板11と、シリコン膜11cの第1領域に形成され、p型(第1導電型)を有するp+拡散領域25(第1拡散層)と、シリコン膜11cの第2領域に形成され、p型と逆極性であるn型(第2導電型)の不純物を有するn+拡散領域26(第2拡散層)と、シリコン膜11cの第3領域上に形成されたゲート酸化膜23(第2絶縁膜)と、ゲート酸化膜23上に形成されたマスク絶縁膜24(第3絶縁膜)とを有して構成される。また、本実施例による半導体ダイオード20は、ゲート酸化膜23及びマスク絶縁膜24の側面に形成されたサイドウォール29と、シリコン薄膜11cにおけるサイドウォール29下の領域に形成されたn−拡散領域28とを有して構成される。
p+拡散領域25とn+拡散領域26との間の領域上にマスク絶縁膜24を形成することで、p+拡散領域25又はn+拡散領域26を形成する際に、このマスク絶縁膜24をマスクの一部として使用することが可能である。このため、半導体ダイオード10を微細化したとしても、p+拡散領域25又はn+拡散領域26形成時のフォトリソグラフィ工程における露光マージンを確保することができる。結果、半導体ダイオード10を小型化することが可能となる。また、ゲート酸化膜23及びマスク絶縁膜24の側面にサイドウォール29を形成し、マスク絶縁膜24とサイドウォール29とレジストパターンR12/R13とをマスクとしてp+拡散領域25又はn+拡散領域26とを形成することで、p+拡散領域25とn+拡散領域26との間の距離をサイドウォール29の幅にて制御することが可能となる。この結果、半導体ダイオード20の耐圧特性を制御することが可能となる。さらに、サイドウォール29下に閾値調整のための不純物注入された領域(n−拡散領域28)を形成しておくことで、半導体ダイオード20の耐圧特性を更に制御することが可能となる。
また、本実施例による半導体ダイオード20の製造方法は、支持基板11aと、支持基板11a上に形成された埋込み酸化膜11b(第1絶縁膜)と、埋込み酸化膜11b上に形成された第1及び第2領域と該第1領域と該第2領域との間に少なくとも一部が介在する第3領域とを有するシリコン膜とからなるSOI基板11を準備し、シリコン膜11c表面にシリコン酸化膜13A(第2絶縁膜)を形成し、シリコン酸化膜13A上に絶縁膜14A(第3絶縁膜)を形成し、第2及び第3絶縁膜をエッチングにより加工することで、ゲート酸化膜23及びマスク絶縁膜24を形成すると共にシリコン膜11cにおける第1及び第2領域を露出させ、マスク絶縁膜24をマスクとして用いつつ第1及び第2領域にp型(第1導電型)の不純物を注入し、露出されたシリコン膜11c及びマスク絶縁膜24上に絶縁膜29A(第4絶縁膜)を形成し、絶縁膜29Aをエッチバックすることで、ゲート酸化膜23及びマスク絶縁膜24側面にサイドウォール29を形成し、マスク絶縁膜24上の少なくとも一部から第2領域上にかけて第1レジストパターンR12を形成し、第1レジストパターンR12とマスク絶縁膜24とサイドウォール29とをマスクとして用いつつ第1領域にp型の不純物を注入することで、第1領域の一部にp+拡散領域25(第1拡散層)し、マスク絶縁膜24上の少なくとも一部から第1領域上にかけて第2レジストパターンR13を形成し、第2レジストパターンR13とマスク絶縁膜24とサイドウォール29とをマスクとして用いつつ第2領域にp型と逆極性であるn型(第2導電型)の不純物を注入することで、第2領域の一部にn+拡散領域26(第2拡散層)を形成する。
p+拡散領域25とn+拡散領域26との間の領域上にマスク絶縁膜24を形成することで、p+拡散領域25又はn+拡散領域26を形成する際に、このマスク絶縁膜24をマスクの一部として使用することが可能である。このため、半導体ダイオード20を微細化したとしても、p+拡散領域25又はn+拡散領域26形成時のフォトリソグラフィ工程における露光マージンを確保することができる。結果、小型化された半導体ダイオード20を製造することが可能となる。また、ゲート酸化膜23及びマスク絶縁膜24の側面にサイドウォール29を形成し、マスク絶縁膜24とサイドウォール29とレジストパターンR12/R13とをマスクとしてp+拡散領域25又はn+拡散領域26とを形成することで、p+拡散領域25とn+拡散領域26との間の距離をサイドウォール29の幅にて制御することが可能となる。この結果、半導体ダイオード20の耐圧特性を制御することが可能となる。さらに、サイドウォール29下に閾値調整のための不純物注入された領域(n−拡散領域28)を形成しておくことで、半導体ダイオード20の耐圧特性を更に制御することが可能となる。
なお、本実施例において、p+拡散領域25とn+拡散領域26とは、上記した構成に限定されず、例えば実施例1と同様な升目状の構成や、櫛歯状の構成であってもよい。このように構成することで、p+拡散領域とn+拡散領域とが対面する面積を、実施例1と同様に、増加させることができる。
また、本実施例では、マスク絶縁膜24、または、マスク絶縁膜24及びサイドウォール29をイオン注入時のマスクとして用いたが、本発明はこれに限定されず、ゲート酸化膜23上に、例えば不純物を含むポリシリコン膜を用いてゲート電極を形成し、これ、またはこれとサイドウォール29とをマスクとして用いつつイオン注入することで、n−拡散領域28、p+拡散領域25及びn+拡散領域26をそれぞれ形成するように構成してもよい。
なお、本実施例による半導体ダイオード20は、例えばESD特性向上のための保護回路などに使用することが可能である。ただし、本発明は、これに限定せず、種々の部位に適用することが可能である。
また、上記実施例1及び実施例2は本発明を実施するための例にすぎず、本発明は種々変形することが可能である。
10、20 半導体ダイオード
11 SOI基板
11a 支持基板
11b 埋込み酸化膜
11c シリコン薄膜
12、22 キャリア領域
13、23 ゲート酸化膜
13A シリコン酸化膜
14、24 マスク絶縁膜
14A 絶縁膜
15、15’、25 p+拡散領域
15a、15a’、16a、16a’、25a、26a シリサイド膜
15b’、16b’ 突出部
16、16’、26 n+拡散領域
17 コンタクトプラグ
28 n−拡散領域
29 サイドウォール
29A 絶縁膜
R1、R2、R3、R12、R13 レジストパターン
11 SOI基板
11a 支持基板
11b 埋込み酸化膜
11c シリコン薄膜
12、22 キャリア領域
13、23 ゲート酸化膜
13A シリコン酸化膜
14、24 マスク絶縁膜
14A 絶縁膜
15、15’、25 p+拡散領域
15a、15a’、16a、16a’、25a、26a シリサイド膜
15b’、16b’ 突出部
16、16’、26 n+拡散領域
17 コンタクトプラグ
28 n−拡散領域
29 サイドウォール
29A 絶縁膜
R1、R2、R3、R12、R13 レジストパターン
Claims (13)
- 支持基板と、該支持基板上に形成された第1絶縁膜と、該第1絶縁膜上に形成された第1及び第2領域と該第1領域と該第2領域との間に少なくとも一部が介在する第3領域とを有するシリコン膜とからなる半導体基板と、
前記シリコン膜の前記第1領域に形成され、第1導電型を有する第1拡散層と、
前記シリコン膜の前記第2領域に形成され、前記第1導電型と逆極性である第2導電型の不純物を有する第2拡散層と、
前記シリコン膜の前記第3領域上に形成された第2絶縁膜と、
前記第2絶縁膜上に形成された第3絶縁膜と
を有することを特徴とする半導体装置。 - 前記第2及び第3絶縁膜の側面に形成されたサイドウォールと、
前記シリコン膜における前記サイドウォール下の領域に形成された第3拡散層と
をさらに有することを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 前記第3領域は、前記第1領域及び前記第2領域それぞれの周辺を囲む格子状に設けられ、
前記第1拡散層と前記第2拡散層とは、前記第3領域を介して互いに隣接するように複数配列していることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体装置。 - 前記第1拡散層は、複数の第1突出部を有し、
前記第2拡散層は、複数の第2突出部を有し、
前記第1突出部の側面と前記第2突出部の側面とは少なくとも一部が互いに対向するように形成されることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体装置。 - 前記第3領域は前記第1領域を囲むように設けられ、
前記第2領域は前記第3領域を囲むように設けられることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体装置。 - 支持基板と、該支持基板上に形成された第1絶縁膜と、該第1絶縁膜上に形成された第1及び第2領域と該第1領域と該第2領域との間に少なくとも一部が介在する第3領域とを有するシリコン膜とからなる半導体基板と、
前記シリコン膜の前記第1領域に形成され、第1導電型を有する第1拡散層と、
前記シリコン膜の前記第2領域に形成され、第1導電型と逆極性である第2導電型の不純物を有する第2拡散層と、
前記前記シリコン膜の前記第3領域上に形成された第2絶縁膜と、
前記第2絶縁膜上に形成されたゲート電極と
を有することを特徴とする半導体装置。 - 支持基板と、該支持基板上に形成された第1絶縁膜と、該第1絶縁膜上に形成された第1及び第2領域と該第1領域と該第2領域との間に少なくとも一部が介在する第3領域とを有するシリコン膜とからなる半導体基板を準備する工程と、
前記シリコン膜表面に第2絶縁膜を形成する工程と、
前記第2絶縁膜上に第3絶縁膜を形成する工程と、
前記第2及び第3絶縁膜をエッチングにより加工することで前記シリコン膜における前記第1及び第2領域を露出させる工程と、
前記第3絶縁膜上の少なくとも一部と前記第2領域上とに第1レジストパターンを形成する工程と、
前記第1レジストパターンと前記加工された第3絶縁膜とをマスクとして用いつつ前記第1領域に第1導電型の不純物を注入することで、前記第1領域に第1拡散層を形成する工程と、
前記第3絶縁膜上の少なくとも一部と前記第1領域上とに第2レジストパターンを形成する工程と、
前記第2レジストパターンと前記第3絶縁膜とをマスクとして用いつつ前記第2領域に前記第1導電型と逆極性である第2導電型の不純物を注入することで、前記第2領域に第2拡散層を形成する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 支持基板と、該支持基板上に形成された第1絶縁膜と、該第1絶縁膜上に形成された第1及び第2領域と該第1領域と該第2領域との間に少なくとも一部が介在する第3領域とを有するシリコン膜とからなる半導体基板を準備する工程と、
前記シリコン膜表面に第2絶縁膜を形成する工程と、
前記第2絶縁膜上に第3絶縁膜を形成する工程と、
前記第2及び第3絶縁膜をエッチングにより加工することで前記シリコン膜における前記第1及び第2領域を露出させる工程と、
前記加工された第3絶縁膜をマスクとして用いつつ前記第1及び第2領域に第1導電型の不純物を注入する工程と、
前記露出されたシリコン膜及び前記第3絶縁膜上に第4絶縁膜を形成する工程と、
前記第4絶縁膜をエッチバックすることで、前記第2及び第3絶縁膜側面にサイドウォールを形成する工程と、
前記第3絶縁膜上の少なくとも一部から前記第2領域上にかけて第1レジストパターンを形成する工程と、
前記第1レジストパターンと前記加工された第3絶縁膜と前記サイドウォールとをマスクとして用いつつ前記第1領域に前記第1導電型の不純物を注入することで、前記第1領域の一部に第1拡散層を形成する工程と、
前記第3絶縁膜上の少なくとも一部から前記第1領域上にかけて第2レジストパターンを形成する工程と、
前記第2レジストパターンと前記加工された第3絶縁膜と前記サイドウォールとをマスクとして用いつつ前記第2領域に前記第1導電型と逆極性である第2導電型の不純物を注入することで、前記第2領域の一部に第2拡散層を形成する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第3領域は、前記第1領域及び前記第2領域それぞれの周辺を囲む格子状に設けられ、
前記第1拡散層と前記第2拡散層とは、前記第3領域を介して互いに隣接するように複数配列していることを特徴とする請求項7又は8記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1拡散層は、複数の第1突出部を有し、
前記第2拡散層は、複数の第2突出部を有し、
前記第1突出部の側面と前記第2突出部の側面とは少なくとも一部が互いに対向するように形成されていることを特徴とする請求項7又は8記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第3領域は前記第1領域を囲むように設けられ、
前記第2領域は前記第3領域を囲むように設けられることを特徴とする請求項7又は8記載の半導体装置の製造方法。 - 支持基板と、該支持基板上に形成された第1絶縁膜と、該第1絶縁膜上に形成された第1及び第2領域と該第1領域と該第2領域との間に少なくとも一部が介在する第3領域とを有するシリコン膜とからなる半導体基板を準備する工程と、
前記シリコン膜表面に第2絶縁膜を形成する工程と、
前記第2絶縁膜上に導電体膜を形成する工程と、
前記第2絶縁膜及び前記導電体膜をエッチングにより加工することでゲート絶縁膜及びゲート電極を形成すると共に前記シリコン膜における前記第1及び第2領域を露出させる工程と、
前記ゲート電極の少なくとも一部と前記第2領域上とに第1レジストパターンを形成する工程と、
前記第1レジストパターンと前記ゲート電極とをマスクとして用いつつ前記第1領域に第1導電型の不純物を注入することで、前記第1領域に第1拡散層を形成する工程と、
前記ゲート電極上の少なくとも一部と前記第1領域上とに第2レジストパターンを形成する工程と、
前記第2レジストパターンと前記ゲート電極とをマスクとして用いつつ前記第2領域に前記第1導電型と逆極性である第2導電型の不純物を注入することで、前記第2領域に第2拡散層を形成する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 支持基板と、該支持基板上に形成された第1絶縁膜と、該第1絶縁膜上に形成された第1及び第2領域と該第1領域と該第2領域との間に少なくとも一部が介在する第3領域とを有するシリコン膜とからなる半導体基板を準備する工程と、
前記シリコン膜表面に第2絶縁膜を形成する工程と、
前記第2絶縁膜上に導電体膜を形成する工程と、
前記第2絶縁膜及び前記導電体膜をエッチングにより加工することでゲート絶縁膜及びゲート電極を形成すると共に前記シリコン膜における前記第1及び第2領域を露出させる工程と、
前記ゲート電極をマスクとして用いつつ前記第1及び第2領域に第1導電型の不純物を注入する工程と、
前記露出されたシリコン膜及び前記ゲート電極上に第3絶縁膜を形成する工程と、
前記第3絶縁膜をエッチバックすることで、前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極側面にサイドウォールを形成する工程と、
前記ゲート電極上の少なくとも一部から前記第2領域上にかけて第1レジストパターンを形成する工程と、
前記第1レジストパターンと前記ゲート電極と前記サイドウォールとをマスクとして用いつつ前記第1領域に前記第1導電型の不純物を注入することで、前記第1領域の一部に第1拡散層を形成する工程と、
前記ゲート電極上の少なくとも一部から前記第1領域上にかけて第2レジストパターンを形成する工程と、
前記第2レジストパターンと前記ゲート電極と前記サイドウォールとをマスクとして用いつつ前記第2領域に前記第1導電型と逆極性である第2導電型の不純物を注入することで、前記第2領域の一部に第2拡散層を形成する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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