JP2008159675A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の半導体装置では、P型の単結晶シリコン基板2上にN型のエピタキシャル層3が形成されている。コレクタ領域としてのN型の埋め込み拡散層6が基板2とエピタキシャル層3に渡り形成されている。エピタキシャル層4には、N型の埋め込み拡散層6に達するトレンチ9が形成されている。トレンチ9は、N型不純物が導入されたポリシリコン16により埋設されている。この構造により、NPNトランジスタ1では、コレクタ領域でのシート抵抗値が低減され、デバイスサイズが縮小される。
【選択図】図1
Description
2 P型の単結晶シリコン基板
3 N型のエピタキシャル層
6 N型の埋め込み拡散層
9 トレンチ
10 トレンチ
11 トレンチ
14 絶縁層
16 ポリシリコン
Claims (7)
- 半導体層と、
前記半導体層に形成され、コレクタ領域としての埋め込み拡散層と、
前記埋め込み拡散層まで達するように前記半導体層に形成されたコレクタ領域としてのトレンチと、
前記トレンチ内に埋設された導電材料と、
前記半導体層に形成され、ベース領域としての拡散層及びエミッタ領域としての拡散層とを有することを特徴とする半導体装置。 - 前記コレクタ領域としてのトレンチ内壁には絶縁層が形成され、前記トレンチ底部の前記絶縁層には開口部が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記ベース領域としての拡散層の一部は、前記絶縁層と隣接していることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記半導体層に形成された分離領域としてのトレンチとを有し、前記分離領域としてのトレンチは前記絶縁層で埋設されていることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記ベース領域としての拡散層の一部は、前記分離領域としてのトレンチ内の絶縁層と隣接していることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。
- 一導電型の半導体基板上に逆導電型のエピタキシャル層を形成し、前記半導体基板及び前記エピタキシャル層に逆導電型の埋め込み拡散層を形成する工程と、
前記エピタキシャル層に前記埋め込み拡散層に達するトレンチを形成し、前記トレンチ内壁に絶縁層を形成した後、前記トレンチ底部の前記絶縁層に開口部を形成し、前記トレンチを導電材料で埋設する工程と、
前記エピタキシャル層に一導電型の拡散層を形成した後、前記一導電型の拡散層と重畳するように逆導電型の拡散層を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記トレンチを形成する工程では、コレクタ用のトレンチ及び分離領域用のトレンチが形成され、前記分離領域用のトレンチは前記絶縁層で埋設されることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2016526800A (ja) * | 2013-07-02 | 2016-09-05 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | トレンチの下にシンカー拡散を有するバイポーラトランジスタ |
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2006
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