JP5230882B2 - 炭化ケイ素粉末の製造方法、及び炭化ケイ素単結晶 - Google Patents

炭化ケイ素粉末の製造方法、及び炭化ケイ素単結晶 Download PDF

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Description

本発明は、Siに比べて禁制帯幅が広く、絶縁破壊電界が大きい等の特性を有し、半導体デバイスの高性能化に有望な炭化ケイ素単結晶、該炭化ケイ素単結晶を好適に製造可能な炭化ケイ素粉末及び該炭化ケイ素粉末の製造方法に関する。
従来、炭化ケイ素単結晶の製造方法としては、高純度黒鉛容器を用い、炭化ケイ素の種結晶上に、炭化ケイ素粉末を2000℃以上の高温で昇華させ、炭化ケイ素単結晶を得る改良レーリー法(改良昇華再結晶法)が知られている。
一方、炭化ケイ素粉末の製造方法としては、一般的にケイ砂及び石油コークスを原料とし、炭化ケイ素粉末を得るアチソン法が知られている。
しかし、前記アチソン法によれば、前記原料中に不純物が多く含まれているため、得られた炭化ケイ素粉末を炭化ケイ素単結晶の製造に用いた場合、単結晶中に不純物が混入するだけでなく、結晶欠陥も多発することが開示されている〔第51回応用物理学会学術公演予稿集29−W−1(1990)〕。
また、特開平6−219896号公報においては、n型炭化ケイ素単結晶の育成に際し、不純物の含有割合が1ppm以下の高純度炭化ケイ素粉末を原料として用いることが記載されているものの、その製造方法については一切記載されていない。
前記高純度の炭化ケイ素粉末を得る方法としては、特開平5−24818号公報に開示されており、これにより得られる高純度の炭化ケイ素粉末の各不純物元素量は1ppm以下を達成している。この方法においては、高純度の液状のケイ素源と、液状の炭素源とを、原料として用いることにより、生成した炭化ケイ素の純度を1ppm以下に保っている。
しかし、前記高純度の炭化ケイ素粉末の生成における中間プロセスにおいて、不純物の混入に細心の注意が必要であるという問題があった。
本発明が解決しようとする課題
本発明は、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、結晶欠陥の数が少なく電子特性が優れた炭化ケイ素単結晶、高純度で粒度分布が狭いため、前記炭化ケイ素単結晶を製造するのに好適な炭化ケイ素粉末、該炭化ケイ末粉末の効率的な製造方法を提供することを目的とする。
問題点を解決するための手段
前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。
<1> ケイ素源の少なくとも1種と炭素源の少なくとも1種とを混合した混合物を焼成した後、2100℃以上で後処理することを特徴とする炭化ケイ素粉末の製造方法である。
<2> 後処理が、2150〜2400℃で行なわれる前記<1>に記載の炭化ケイ素粉末の製造方法である。
<3> ケイ素源が、アルコキシシラン化合物である前記<1>又は<2>に記載の炭化ケイ素粉末の製造方法である。
<4> アルコキシシラン化合物が、エトキシシラン二量体激びエトキシシラン重合体の少なくともいずれかである前記<3>に記載の炭化ケイ素粉末の製造方法である。
<5> 炭素源が、フェノール樹脂である前記<1>から<4>のいずれかに記載の炭化ケイ素粉末の製造方法である。
<6> 後処理が、アルゴン雰囲気で行なわれる前記<1>から<5>のいずれかに記載の炭化ケイ素粉末の製造方法である。
<7> 後処理の時間が、3〜8時間である前記<1>から<6>のいずれかに記載の炭化ケイ素粉末の製造方法である。
<8> 混合物を、焼成の前に、熱及び硬化触媒の少なくともいずれかにより硬化することを特徴とする前記<1>から<7>のいずれかに記載の炭化ケイ素粉末の製造方法である。
<9> 混合物を、焼成の前に、非酸化性雰囲気下で500〜1000℃にて加熱する前記<1>からく8>のいずれかに記載の炭化ケイ素粉末の製造方法である。
<10> 混合の際、混合物に対し、ハロゲン化合物を0.5〜5重量%添加する前記<1>から<9>のいずれかに記載の炭化ケイ素粉末の製造方法である。
<11> 焼成が、非酸化性雰囲気にて、800〜1000℃の温度で30〜120分間加熱した後、1350〜2000℃の温度で120〜240分間焼成する前記<1>から<10>のいずれかに記載の炭化ケイ素粉末の製造方法である。
<12> 焼成の際、ケイ素源及び炭素源に対し、1〜5容積%のハロゲン又はハロゲン化水素を添加する前記<1>から<11>のいずれかに記載の炭化ケイ素粉末の製造方法である。
<13> 炭化ケイ素粉末の体積平均粒径(D50)が、100〜500μmである前記<1>から<12>のいずれかに記載の炭化ケイ素粉末の製造方法である。
<14> 炭化ケイ素粉末における不純物元素(本発明において、「周期表における1族から16族に属しかっ原子番号3以上(但し原子番号6〜8及び同14を除く)である元素」を意味する。以下同様である。)の総含有量が、0.3ppm以下である前記<1>から<13>のいずれかに記載の炭化ケイ素粉末の製造方法である。
<15> 炭化ケイ素粉末の粒度分布(D90/D10)が、4以下である前記<1>から<14>のいずれかに記載の炭化ケイ素粉末の製造方法である。
<16> 前記<1>から<15>のいずれかに記載の炭化ケイ素粉末の製造方法により得られる炭化ケイ素粉末である。
<17> 前記<16>に記載の炭化ケイ素粉末を用い製造されることを特徴とする炭化ケイ素単結晶である。
<18> 欠陥密度が5×102個/cm2以下であって、結晶構造が、菱面体晶、六方晶、及び、菱面体晶と六方晶との混合物の少なくともいずれかである前記<17>に記載の炭化ケイ素単結晶である。
以下に、本発明を詳細に説明する。
[炭化ケイ素粉末の製造方法]
本発明の炭化ケイ素粉末の製造方法においては、ケイ素源と炭素源とを混合した混合物を焼成した後、後処理する。
−ケイ素源−
前記ケイ素源としては、ケイ素化合物が挙げられる。
前記ケイ素化合物としては、液状のものと固体のものとを併用することができるが、少なくとも1種は液状のものから選択する。
前記液状のものとしては、アルコキシシラン化合物が挙げられ、アルコキシシラン及びアルコキシシラン重合体等が好適に用いられる。
前記アルコキシシランとしては、例えば、メトキシシラン、エトキシシラン、プロポキシシラン、ブトキシシラン等が挙げられ、これらの中でもハンドリングの点でエトキシシランが好ましい。
前記アルコキシシラン化合物としては、モノアルコキシシラン、ジアルコキシシラン、トリアルコキシシラン、テトラアルコキシシランのいずれであってもよいが、テトラアルコキシシランが好ましい。
前記アルコキシシラン重合体としては、重合度が2〜15程度の低分子量重合体(オリゴマー)及びケイ酸ポリマーが挙げられる。
前記固体のものとしては、SiO、シリカゾル(コロイド状超微細シリカ含有液、内部にOH基やアルコキシル基を含む)、二酸化ケイ素(シリカゲル、微細シリカ、石英粉末)等の酸化ケイ素が挙げられる。
前記ケイ素化合物は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい 前記ケイ素化合物の中でも、均質性やハンドリング性が良好な点で、エトキシシランのオリゴマー、エトキシシラン重合体、エトキシシランのオリゴマーと微粉末シリカとの混合物、等が好ましく、特に、エトキシシランの2量体及びエトキシシラン重合体が好ましい。
前記ケイ素化合物は、高純度であるのが好ましく、初期における各不純物の含有量が20ppm以下であるのが好ましく、5ppm以下であるのがより好ましい。
−炭素源−
前記炭素源としては、加熱により炭素を生ずる有機化合物が挙げられ、液状のものを単独で用いてもよいし、液状のものと固体のものとを併用してもよい。
前記加熱により炭素を生ずる有機化合物としては、残炭率が高く、かつ触媒若しくは加熱により重合又は架橋する有機化倉物が好ましく、例えば、フェノール樹脂、フラン樹脂、ポリイミド、ポリウレタン、ポリビニルアルコール等の樹脂のモノマーやプレポリマーが好ましく、その他、セルロース、蔗糖、ピッチ、タール等の液状物が挙げられる。これらの中でも、高純度のものが好ましく、フェノール樹脂がより好ましく、レゾール型フェノール樹脂が特に好ましい。
前記加熱により炭素を生ずる有機化合物は、1種単独で用いてもよいし、2以上を併用してもよい。
前記加熱により炭素を生ずる有機化合物の純度としては、目的に応じて適宜選択することができるが、高純度の炭化ケイ素粉末が必要な場合には各金属を5ppm以上含有していない有機化合物を用いることが好ましい。
−混合−
前記ケイ素源と炭素源との混合においては、前記ケイ素源と炭素源とを均質に混合する。該混合の際には、該ケイ素源と炭素源との混合物に対し、ハロゲン化合物を0.5〜5重量%添加するのが好ましい。
前記ハロゲン化合物を、前記数値範囲の量添加することにより、混入した不純物がハロゲン化され、次の焼成により気化し、飛散して不純物が除去され、より純度の高い炭化ケイ素粉末を得ることが可能となる。具体的には、前記ハロゲン化合物を添加することにより、得られる炭化ケイ素粉末における各不純物元素の含有量を0.3ppm以下に抑制することが可能となる。
前記ハロゲン化合物を添加した場合、前記混合物は、添加したハロゲン化合物の分解温度近傍で10〜30分間反応をさせ、次の焼成の温度まで昇温を行うのが、不純物除去の効果の点から、更に好ましい。
前記ハロゲン化合物としては、原料であるケイ素源及び炭素源が、液状又は水溶液状で混合されている場合、塩化アンモニウム、塩酸水溶液等、不純物を含まない液状の形態で、混合物に添加するのが好ましい。また、炭素源が熱可塑性フェノール樹脂やフラン樹脂で、ケイ素源が固体状のものを含む場合、ポリ塩化ビニル、塩素化ポリエチレン、ポリクロロプレン等のハロゲンを含むポリマーを混合物に添加するのが好ましい。
前記混合において、得られた混合物を、次の焼成の前に、熱及び硬化触媒の少なくともいずれかにより硬化してもよい。
前記硬化の方法としては、加熱により架橋する方法、硬化触媒により硬化する方法、電子線や放射線による方法、等が挙げられる。
前記硬化触媒としては、前記炭素源の種類等に応じて適宜選択することができ、フェノール樹脂やフラン樹脂の場合には、トルエンスルホン酸、トルエンカルボン酸、酢酸、しゅう酸、塩酸、硫酸等の酸類、ヘキサミンなどのアミン類などが好ましい。該炭素源が、各種糖類である場合には、酸素、オゾン或いは空気雰囲気中で不融化した後、次の焼成を行なうのが好ましい。
前記混合により得られた混合物を、次の焼成の前に、非酸化性雰囲気下で500〜1000℃にて予め加熱してもよい。
前記混合の際に、前記ハロゲン化合物を添加する場合には、前記混合物を、非酸化性雰囲気下で500〜600℃の温度加熱で10〜30分間加熱し、その後、非酸化性雰囲気下で800〜1000℃の温度で30分間〜2時間加熱するのが好ましい。この800〜1000℃の温度での加熱の時間が30分以下であると、不充分なことがある一方、2時間を超えると、効果の向上がないことがある。該非酸化性雰囲気にするには、窒素やアルゴン等が用いられ、経済的理由からは窒素が好ましい。
−焼成−
前記焼成においては、特に制限はないが、前記混合物を、非酸化性雰囲気にて、800〜1000℃の温度で30〜120分間加熱した後、1350〜2000℃の温度で120〜180分間焼成するのが好ましい。
前記800〜1000℃の温度で加熱することにより、ケイ素及び炭素の炭化物が得られる。該加熱の温度としては、850〜950℃がより好ましく、該加熱の時間としては、45〜90分程度がより好ましい。
前記加熱の際、非酸化性雰囲気にするには、窒素やアルゴン等が用いられ、経済的理由からは窒素が好ましい。
前記焼成の温度と時間とは、得ようとする炭化ケイ素粉末の粒径等に応じて適宜選択することができる。炭化ケイ素粉末のより効率的な生成の点では、前記温度は、1600〜1900℃が好ましく、1800〜1900℃程度が特に好ましい。前記焼成の際、非酸化性雰囲気にするには、高温でも非反応性である点で、アルゴンを用いるのが好ましい。
尚、前記焼成においては、前記非酸化性雰囲気ガスを反応容器内に導入することにより、焼成時に発生する不純物元素を含むSiO、COガスを、反応容器外へ好適に排出・除去することができる。また、前記焼成の際、ケイ素源及び炭素源に対し、1〜5容積%のハロゲン又はハロゲン化水素を添加するのが、得られる炭化ケイ素粉末の不純物元素含有量を抑制し得る点で、好ましい。
−後処理−
前記後処理は、前記焼成の後、2100℃以上で行なわれる。該後処理としては、2150〜2400℃で行なわれるのが好ましい。
該後処理により、不純物が除去され、高純度で粒度分布が狭く、結晶成長により粒径の大きい炭化ケイ素粉末を得ることが可能となる。
前記後処理の温度としては、2150℃未満であると、不純物の除去が不充分となることがある一方、2400℃を超えると、得られる炭化ケイ素粉末において、分解が進んでしまい、均一なものが得られないことがある。
前記後処理は、非酸化性雰囲気にて行うのが好ましく、非酸化性雰囲気にするには、高温でも非反応性である点で、アルゴンを用いるのが好ましい。
前記後処理の時間としては、3〜8時間が好ましく、4〜6時間程度が特に好ましい。
前記本発明の炭化ケイ素粉末の製造方法により得られる炭化ケイ素粉末の体積平均粒径(D50)としては、100〜500μmが好ましく、200〜300μmがより好ましい。
前記体積平均粒径(D50)が、前記数値範囲内であれば、単結晶の作製に用いた場合、単結晶の成長が速く好ましい。
前記炭化ケイ素粉末の粒度分布(D90/D10)(体積平均粒径基準)としては、粒子の均一性の点から、4.0以下であるのが好ましく、3.5以下であるのがより好ましい。
前記本発明の炭化ケイ素粉末の製造方法により得られる炭化ケイ素粉末における各不純物元素の含有量としては、0.3ppm以下が好ましく、0.1ppm以下がより好ましい。
前記本発明の炭化ケイ素粉末の製造方法において、用いる装置等としては、特に制限はなく、前記条件を設定可能な公知の装置が総て好適に用いられる。また、製造は、連続製造でもよくバッチ製造でもよく、前記焼成と後処理とが、1つの加熱炉内で連続的に行われてもよく、別々の加熱炉内で行なわれてもよい。
前記加熱により炭素を生ずる有機化合物に含まれる炭素と、前記ケイ素化合物に含まれるケイ素との比(以下「C/Si比」と略記)は、両者の混合物を1000℃にて炭化して得られる炭化物中間体を、元素分析することにより定義される。化学量論的には、前記C/Si比が3.0の時に得られた炭化ケイ素粉末中の遊離炭素が0%となるはずであるが、実際には同時に生成するSiOガスの揮散により低C/Si比において遊離炭素が発生する。この得られた炭化ケイ素粉末中の遊離炭素量が適当な量となるように予め配合比を決定しておくのが好ましい。通常、1気圧近傍で1600℃以上での焼成では、前記C/Si比を2.0〜2.5にすると遊離炭素を抑制することができる。前記C/Si比が2.5を超えると、前記遊離炭素が顕著に増加する。但し、雰囲気の圧力を低圧又は高圧で焼成する場合は、純粋な炭化ケイ素粉末を得るためのC/Si比は変動するので、この場合は必ずしも前記C/Si比の範囲に限定するものではない。
以上説明した本発明の炭化ケイ素粉末の製造方法によれば、比較的粒径の大きな炭化ケイ素粉末を、短い後処理時間で得ることができるため、効率的である。
[炭化ケイ素粉末]
本発明の炭化ケイ素粉末は、前記本発明の炭化ケイ素粉末の製造方法により得られる。従って、高純度で粒度分布が狭く、粒径が大きくいため、炭化ケイ素単結晶の原料として特に好適である。
[炭化ケイ素単結晶]
本発明の炭化ケイ素単結晶は、前記本発明の炭化ケイ素粉末を用い製造される。該炭化ケイ素単結晶の製造方法としては、特に制限はないが、例えば、前記本発明の炭化ケイ素粉末を、種結晶上に再結晶法で成長させる方法等が好ましい。該再結晶法としては、改良レーリー法(種結晶を有する昇華再結晶法)等の公知の方法を用い、下記のように製造することができる。
例えば、図1に示す装置を用い、黒鉛蓋に、種結晶として、研磨によりSi面が現れている単結晶板を設置し、この黒鉛容器中に前記の製造方法で得られた炭化ケイ素粉末を充填し、昇華再結晶法により単結晶の育成を行う方法等が挙げられる。
図1は、本発明の炭化ケイ素単結晶の製造装置を概略的に示す図である。図1において、炭化ケイ素単結晶の製造装置10は、石英チャンバー24と、炭化ケイ素粉末14Aを収容可能な円筒型黒鉛容器12と、円筒型黒鉛容器12に対し着脱可能であり、円筒型黒鉛容器12に装着された際に、円筒型黒鉛容器12内に収容された炭化ケイ素粉末14Aに対向する面の略中央に炭化ケイ素単結晶の種結晶14Bを配置可能な黒鉛蓋16と、円筒型黒鉛容器12を石英チャンバー24の内部に固定させる支持棒22と、石英チャンバー24の外周であって円筒型黒鉛容器12が位置する部分に略等間隔に螺旋状に環巻きされた状態で配置された誘導加熱コイル32と、を備える。
円筒型黒鉛容量12の周囲には、円筒型黒鉛容器12内の温度を安定させるため、黒鉛フェルト又は黒鉛発泡体からなる断熱材18が配置されている。石英チャンバー24の上面には石英上蓋26Aが、下面には底蓋26Bがそれぞれ設けられ、石英蓋26A及び26Bのそれぞれにおいては、中央部に、温度測定用の石英の窓28A及び28Bが配置されている。石英チャンバー24の側壁30は、冷却水を流すことができるよう二重槽となっており、円筒型黒鉛容器12内の温度制御は、石英チャンバー24の側壁30の冷却水、及び、誘導加熱コイル32によって行われる。
炭化ケイ素単結晶の製造装置10は、内圧の制御やガス置換が可能なステンレスチャンバー(不図示)内に設置されている。従って、石英蓋26A及び26Bには、不図示の開口部が設けられ、ステンレスチャンバー及び石英チャンバー24内の雰囲気が同じになるよう設定されている。
炭化ケイ素単結晶の製造装置10において、誘導加熱コイル32に電流を通電させこれを加熱させると、その熱で炭化ケイ素粉末14Aが加熱される。炭化ケイ素粉末14Aは、再結晶化温度にまで冷却されない限り再結晶しない。ここで、黒鉛蓋16側は、炭化ケイ素粉末14A側よりも温度が低く、昇華した炭化ケイ素粉末14Aが再結晶し得る雰囲気にあるため、炭化ケイ素単結晶の種結晶14B上に炭化ケイ素単結晶が再結晶化し、炭化ケイ素の結晶が成長して、炭化ケイ素単結晶が製造される。
尚、炭化ケイ素単結晶の製造装置としては、特に制限はないが、円筒型黒鉛容器、黒鉛蓋、断熱材等は、得られる単結晶の純度保持の点から、高純度の黒鉛原料を用いるのが好ましい。該黒鉛原料は、高純度処理されたものが用いられるが、具体的には、2500℃以上の温度で予め充分にベーキングされ、育成温度で不純物の発生がないものが好ましい。
該炭化ケイ素単結晶は、前記本発明の炭化ケイ素粉末を用いて得られるため、欠陥密度が低い。該炭化ケイ素単結晶としては、欠陥密度が5×102個/cm2以下であって、結晶構造が、菱面体晶、六方晶、及び、菱面体晶と六方晶との混合物の少なくともいずれかであるのが好ましい。
以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明は、下記実施例に何ら限定されない。
(実施例1)
−炭化ケイ素粉末の製造−
SiO2含有量40%の高純度テトラエトキシシラン680gと含水率20%の高純度液体レゾール型フェノール樹脂305gとを混合し、触媒として高純度マレイン酸の34%水溶液114gを加えて硬化乾燥させ、均質な樹脂状固形物を得た。これを窒素雰囲気下で900℃において、1時間炭化した。得られた炭化物のC/Si比は元素分析の結果2.40であった。
この炭化物400gを炭素製容器に入れ、アルゴン雰囲気下で2200℃まで昇温し、4時間保持し、炭化ケイ素粉末を得た。得られた粉体は黄緑色であった。
<炭化ケイ素粉末における不純物分析・粒度分布、平均粒径の測定>
得られた炭化ケイ素粉末の不純物分析は、炭化ケイ素粉末を、フッ酸、硝酸、硫酸を含む混酸で加圧熱分解した後、ICP−質量分析法及びフレームレス原子吸光法で行った。不純物である鉄、銅、カルシウムの分析値を表1に示す。また炭化ケイ素粉末の体積平均粒径(D50)及び粒度分布を、粒度分布測定装置(COULTER LS230)にて測定した。結果を表2に示す。
−炭化ケイ素単結晶の製造等−
得られた炭化ケイ素粉末を、図1の円筒型黒鉛容器12内に、円筒型黒鉛容器12の容積の半分程度の炭化ケイ素粉末14Aを収容した。次に、黒鉛蓋16における、炭化ケイ素粉末14Aに対向する面の略中央に、種結晶14Bとして、単結晶板(6H(0001)面をカットして研磨によりSi面が現れており、径が約8mmで(形状は不揃い)厚みが0.4mmのもの)を配置した。この円筒型黒鉛容器12を、誘導炉に入れ充分アルゴン置換を行った後、1気圧のアルゴン下で温度を1600℃まで上昇させ、一旦、0.1Torr以下までゆっくり減圧にし、10〜30分間保持した後、10Torrまで徐々にアルゴンを入れ、容器の底面が2480℃になるまで高周波誘導加熱をした。この条件で約5時間単結晶の育成を行った。育成した単結晶部分の成長方向の長さを表2に示した。
<炭化ケイ素単結晶における平均欠陥密度の測定>
育成した単結晶の種結晶とは異なる部分、即ち、種結晶の影響が少ない部分をスライスし鏡面研磨した。これらを、溶融アルカリを用いてエッチングし欠陥を観察したところ、ピット状の欠陥と六角形の穴状の貫通欠陥があった。区別してカウントし、それぞれ単結晶の中心から80%の面積の部分の平均欠陥密度を計算した。
本発明において欠陥密度とは、これらピット状欠陥と貫通欠陥の合計から得られた欠陥密度を指す。結果を表2に示す。
<炭化ケイ素単結晶における不純物分析>
次に、得られた単結晶を、フッ酸、硝酸を含む混酸で加圧・熱分解し、得られた溶液を10倍以上に濃縮してICP−質量分析及びフレームレス原子吸光分析を用いて不純物分析を行った。結果を表3に示す。
(比較例1)
実施例1の「炭化ケイ素粉末の製造」において、「炭化物400gを炭素製容器に入れ、アルゴン雰囲気下で2200℃まで昇温して4時間保持した」を、「炭化物400gを炭素製容器に入れ、アルゴン雰囲気下で1750℃まで昇温し、30分間保管した後、1850℃まで昇温し、1時間保持した。この1時間の保持中に、2030℃まで昇温して5分間保持し1850℃に降温する操作を、保持時間開始後15分後から、略等間隔(15分間隔)で3回行なった。」に代えたほかは、実施例1と同様にして炭化ケイ素粉末を得、実施例1と同様にして、不純物分析、粒度分布、平均粒径の測定を行なった。
また、得られた炭化ケイ素粉末を用い、実施例1と同様にして炭化ケイ素単結晶の製造を行い、育成した単結晶部分の成長方向の長さ及び平均欠陥密度を測定し、不純物分析を行なった。これらの結果を表1〜3に示す。
Figure 0005230882
Figure 0005230882
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発明の効果
本発明によれば、結晶欠陥の数が少なく電子特性が優れた炭化ケイ素単結晶、高純度で粒度分布が狭いため、前記炭化ケイ素単結晶を製造するのに好適な炭化ケイ素粉末、該炭化ケイ末粉末の効率的な製造方法を提供することができる。
図1は、本発明の炭化ケイ素単結晶の製造装置を概略的に示す図である。
10 炭化ケイ素単結晶の製造装置
12 円筒型黒鉛容器
14A 炭化ケイ素粉末
14B 炭化ケイ素単結晶の種結晶
16 黒鉛蓋
18 断熱材
22 支持棒
24 石英チャンバー
26A 石英上蓋
26B 石英底蓋
28A 石英の窓
28B 石英の窓
30 側壁
32 誘導加熱コイル

Claims (14)

  1. ケイ素源の少なくとも1種と炭素源の少なくとも1種とを混合した混合物を焼成した後、2150〜2400℃で後処理し、
    得られた炭化ケイ素粉末の体積平均粒径(D50)が、200〜300μmであることを特徴とする炭化ケイ素粉末の製造方法。
  2. ケイ素源が、アルコキシシラン化合物である請求項1に記載の炭化ケイ素粉末の製造方法。
  3. アルコキシシラン化合物が、エトキシシラン二量体及びエトキシシラン重合体の少なくともいずれかである請求項2に記載の炭化ケイ素粉末の製造方法。
  4. 炭素源が、フェノール樹脂である請求項1から3のいずれかに記載の炭化ケイ素粉末の製造方法。
  5. 後処理が、アルゴン雰囲気で行なわれる請求項1から4のいずれかに記載の炭化ケイ素粉末の製造方法。
  6. 後処理の時間が、3〜8時間である請求項1から5のいずれかに記載の炭化ケイ素粉末の製造方法。
  7. 混合物を、焼成の前に、熱及び硬化触媒の少なくともいずれかにより硬化する請求項1から6のいずれかに記載の炭化ケイ素粉末の製造方法。
  8. 混合物を、焼成の前に、非酸化性雰囲気下で500〜1000℃にて加熱する請求項1から7のいずれかに記載の炭化ケイ素粉末の製造方法。
  9. 混合の際、混合物に対し、ハロゲン化合物を0.5〜5重量%添加する請求項1から8のいずれかに記載の炭化ケイ素粉末の製造方法。
  10. 焼成が、非酸化性雰囲気にて、800〜1000℃の温度で30〜120分間加熱した後、1350〜2000℃の温度で120〜240分間焼成する請求項1から9のいずれかに記載の炭化ケイ素粉末の製造方法。
  11. 焼成の際、ケイ素源及び炭素源に対し、1〜5容積%のハロゲン又はハロゲン化水素を添加する請求項1から10のいずれかに記載の炭化ケイ素粉末の製造方法。
  12. 炭化ケイ素粉末における各不純物元素の含有量が、0.3ppm以下である請求項1から11のいずれかに記載の炭化ケイ素粉末の製造方法。
  13. 炭化ケイ素粉末の粒度分布(D90/D10)が、4以下である請求項1から12のいずれかに記載の炭化ケイ素粉末の製造方法。
  14. 請求項1から13のいずれかに記載の炭化ケイ素粉末の製造方法により得られる炭化ケイ素粉末を用い製造される炭化ケイ素単結晶であって、
    欠陥密度が80個/cm 以下であって、結晶構造が、菱面体晶、六方晶、及び、菱面体晶と六方晶との混合物の少なくともいずれかであることを特徴とする炭化ケイ素単結晶。
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