JP5230882B2 - 炭化ケイ素粉末の製造方法、及び炭化ケイ素単結晶 - Google Patents
炭化ケイ素粉末の製造方法、及び炭化ケイ素単結晶 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5230882B2 JP5230882B2 JP2001098728A JP2001098728A JP5230882B2 JP 5230882 B2 JP5230882 B2 JP 5230882B2 JP 2001098728 A JP2001098728 A JP 2001098728A JP 2001098728 A JP2001098728 A JP 2001098728A JP 5230882 B2 JP5230882 B2 JP 5230882B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon carbide
- carbide powder
- producing
- powder according
- single crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Description
しかし、前記高純度の炭化ケイ素粉末の生成における中間プロセスにおいて、不純物の混入に細心の注意が必要であるという問題があった。
<1> ケイ素源の少なくとも1種と炭素源の少なくとも1種とを混合した混合物を焼成した後、2100℃以上で後処理することを特徴とする炭化ケイ素粉末の製造方法である。
<2> 後処理が、2150〜2400℃で行なわれる前記<1>に記載の炭化ケイ素粉末の製造方法である。
<3> ケイ素源が、アルコキシシラン化合物である前記<1>又は<2>に記載の炭化ケイ素粉末の製造方法である。
<5> 炭素源が、フェノール樹脂である前記<1>から<4>のいずれかに記載の炭化ケイ素粉末の製造方法である。
<6> 後処理が、アルゴン雰囲気で行なわれる前記<1>から<5>のいずれかに記載の炭化ケイ素粉末の製造方法である。
<8> 混合物を、焼成の前に、熱及び硬化触媒の少なくともいずれかにより硬化することを特徴とする前記<1>から<7>のいずれかに記載の炭化ケイ素粉末の製造方法である。
<9> 混合物を、焼成の前に、非酸化性雰囲気下で500〜1000℃にて加熱する前記<1>からく8>のいずれかに記載の炭化ケイ素粉末の製造方法である。
<11> 焼成が、非酸化性雰囲気にて、800〜1000℃の温度で30〜120分間加熱した後、1350〜2000℃の温度で120〜240分間焼成する前記<1>から<10>のいずれかに記載の炭化ケイ素粉末の製造方法である。
<12> 焼成の際、ケイ素源及び炭素源に対し、1〜5容積%のハロゲン又はハロゲン化水素を添加する前記<1>から<11>のいずれかに記載の炭化ケイ素粉末の製造方法である。
<14> 炭化ケイ素粉末における不純物元素(本発明において、「周期表における1族から16族に属しかっ原子番号3以上(但し原子番号6〜8及び同14を除く)である元素」を意味する。以下同様である。)の総含有量が、0.3ppm以下である前記<1>から<13>のいずれかに記載の炭化ケイ素粉末の製造方法である。
<15> 炭化ケイ素粉末の粒度分布(D90/D10)が、4以下である前記<1>から<14>のいずれかに記載の炭化ケイ素粉末の製造方法である。
<17> 前記<16>に記載の炭化ケイ素粉末を用い製造されることを特徴とする炭化ケイ素単結晶である。
<18> 欠陥密度が5×102個/cm2以下であって、結晶構造が、菱面体晶、六方晶、及び、菱面体晶と六方晶との混合物の少なくともいずれかである前記<17>に記載の炭化ケイ素単結晶である。
[炭化ケイ素粉末の製造方法]
本発明の炭化ケイ素粉末の製造方法においては、ケイ素源と炭素源とを混合した混合物を焼成した後、後処理する。
前記ケイ素源としては、ケイ素化合物が挙げられる。
前記ケイ素化合物としては、液状のものと固体のものとを併用することができるが、少なくとも1種は液状のものから選択する。
前記アルコキシシラン化合物としては、モノアルコキシシラン、ジアルコキシシラン、トリアルコキシシラン、テトラアルコキシシランのいずれであってもよいが、テトラアルコキシシランが好ましい。
前記アルコキシシラン重合体としては、重合度が2〜15程度の低分子量重合体(オリゴマー)及びケイ酸ポリマーが挙げられる。
前記炭素源としては、加熱により炭素を生ずる有機化合物が挙げられ、液状のものを単独で用いてもよいし、液状のものと固体のものとを併用してもよい。
前記加熱により炭素を生ずる有機化合物の純度としては、目的に応じて適宜選択することができるが、高純度の炭化ケイ素粉末が必要な場合には各金属を5ppm以上含有していない有機化合物を用いることが好ましい。
前記ケイ素源と炭素源との混合においては、前記ケイ素源と炭素源とを均質に混合する。該混合の際には、該ケイ素源と炭素源との混合物に対し、ハロゲン化合物を0.5〜5重量%添加するのが好ましい。
前記ハロゲン化合物を、前記数値範囲の量添加することにより、混入した不純物がハロゲン化され、次の焼成により気化し、飛散して不純物が除去され、より純度の高い炭化ケイ素粉末を得ることが可能となる。具体的には、前記ハロゲン化合物を添加することにより、得られる炭化ケイ素粉末における各不純物元素の含有量を0.3ppm以下に抑制することが可能となる。
前記硬化の方法としては、加熱により架橋する方法、硬化触媒により硬化する方法、電子線や放射線による方法、等が挙げられる。
前記硬化触媒としては、前記炭素源の種類等に応じて適宜選択することができ、フェノール樹脂やフラン樹脂の場合には、トルエンスルホン酸、トルエンカルボン酸、酢酸、しゅう酸、塩酸、硫酸等の酸類、ヘキサミンなどのアミン類などが好ましい。該炭素源が、各種糖類である場合には、酸素、オゾン或いは空気雰囲気中で不融化した後、次の焼成を行なうのが好ましい。
前記混合の際に、前記ハロゲン化合物を添加する場合には、前記混合物を、非酸化性雰囲気下で500〜600℃の温度加熱で10〜30分間加熱し、その後、非酸化性雰囲気下で800〜1000℃の温度で30分間〜2時間加熱するのが好ましい。この800〜1000℃の温度での加熱の時間が30分以下であると、不充分なことがある一方、2時間を超えると、効果の向上がないことがある。該非酸化性雰囲気にするには、窒素やアルゴン等が用いられ、経済的理由からは窒素が好ましい。
前記焼成においては、特に制限はないが、前記混合物を、非酸化性雰囲気にて、800〜1000℃の温度で30〜120分間加熱した後、1350〜2000℃の温度で120〜180分間焼成するのが好ましい。
前記800〜1000℃の温度で加熱することにより、ケイ素及び炭素の炭化物が得られる。該加熱の温度としては、850〜950℃がより好ましく、該加熱の時間としては、45〜90分程度がより好ましい。
前記加熱の際、非酸化性雰囲気にするには、窒素やアルゴン等が用いられ、経済的理由からは窒素が好ましい。
尚、前記焼成においては、前記非酸化性雰囲気ガスを反応容器内に導入することにより、焼成時に発生する不純物元素を含むSiO、COガスを、反応容器外へ好適に排出・除去することができる。また、前記焼成の際、ケイ素源及び炭素源に対し、1〜5容積%のハロゲン又はハロゲン化水素を添加するのが、得られる炭化ケイ素粉末の不純物元素含有量を抑制し得る点で、好ましい。
前記後処理は、前記焼成の後、2100℃以上で行なわれる。該後処理としては、2150〜2400℃で行なわれるのが好ましい。
該後処理により、不純物が除去され、高純度で粒度分布が狭く、結晶成長により粒径の大きい炭化ケイ素粉末を得ることが可能となる。
前記後処理は、非酸化性雰囲気にて行うのが好ましく、非酸化性雰囲気にするには、高温でも非反応性である点で、アルゴンを用いるのが好ましい。
前記後処理の時間としては、3〜8時間が好ましく、4〜6時間程度が特に好ましい。
前記体積平均粒径(D50)が、前記数値範囲内であれば、単結晶の作製に用いた場合、単結晶の成長が速く好ましい。
本発明の炭化ケイ素粉末は、前記本発明の炭化ケイ素粉末の製造方法により得られる。従って、高純度で粒度分布が狭く、粒径が大きくいため、炭化ケイ素単結晶の原料として特に好適である。
本発明の炭化ケイ素単結晶は、前記本発明の炭化ケイ素粉末を用い製造される。該炭化ケイ素単結晶の製造方法としては、特に制限はないが、例えば、前記本発明の炭化ケイ素粉末を、種結晶上に再結晶法で成長させる方法等が好ましい。該再結晶法としては、改良レーリー法(種結晶を有する昇華再結晶法)等の公知の方法を用い、下記のように製造することができる。
例えば、図1に示す装置を用い、黒鉛蓋に、種結晶として、研磨によりSi面が現れている単結晶板を設置し、この黒鉛容器中に前記の製造方法で得られた炭化ケイ素粉末を充填し、昇華再結晶法により単結晶の育成を行う方法等が挙げられる。
炭化ケイ素単結晶の製造装置10は、内圧の制御やガス置換が可能なステンレスチャンバー(不図示)内に設置されている。従って、石英蓋26A及び26Bには、不図示の開口部が設けられ、ステンレスチャンバー及び石英チャンバー24内の雰囲気が同じになるよう設定されている。
(実施例1)
−炭化ケイ素粉末の製造−
SiO2含有量40%の高純度テトラエトキシシラン680gと含水率20%の高純度液体レゾール型フェノール樹脂305gとを混合し、触媒として高純度マレイン酸の34%水溶液114gを加えて硬化乾燥させ、均質な樹脂状固形物を得た。これを窒素雰囲気下で900℃において、1時間炭化した。得られた炭化物のC/Si比は元素分析の結果2.40であった。
この炭化物400gを炭素製容器に入れ、アルゴン雰囲気下で2200℃まで昇温し、4時間保持し、炭化ケイ素粉末を得た。得られた粉体は黄緑色であった。
得られた炭化ケイ素粉末の不純物分析は、炭化ケイ素粉末を、フッ酸、硝酸、硫酸を含む混酸で加圧熱分解した後、ICP−質量分析法及びフレームレス原子吸光法で行った。不純物である鉄、銅、カルシウムの分析値を表1に示す。また炭化ケイ素粉末の体積平均粒径(D50)及び粒度分布を、粒度分布測定装置(COULTER LS230)にて測定した。結果を表2に示す。
得られた炭化ケイ素粉末を、図1の円筒型黒鉛容器12内に、円筒型黒鉛容器12の容積の半分程度の炭化ケイ素粉末14Aを収容した。次に、黒鉛蓋16における、炭化ケイ素粉末14Aに対向する面の略中央に、種結晶14Bとして、単結晶板(6H(0001)面をカットして研磨によりSi面が現れており、径が約8mmで(形状は不揃い)厚みが0.4mmのもの)を配置した。この円筒型黒鉛容器12を、誘導炉に入れ充分アルゴン置換を行った後、1気圧のアルゴン下で温度を1600℃まで上昇させ、一旦、0.1Torr以下までゆっくり減圧にし、10〜30分間保持した後、10Torrまで徐々にアルゴンを入れ、容器の底面が2480℃になるまで高周波誘導加熱をした。この条件で約5時間単結晶の育成を行った。育成した単結晶部分の成長方向の長さを表2に示した。
育成した単結晶の種結晶とは異なる部分、即ち、種結晶の影響が少ない部分をスライスし鏡面研磨した。これらを、溶融アルカリを用いてエッチングし欠陥を観察したところ、ピット状の欠陥と六角形の穴状の貫通欠陥があった。区別してカウントし、それぞれ単結晶の中心から80%の面積の部分の平均欠陥密度を計算した。
本発明において欠陥密度とは、これらピット状欠陥と貫通欠陥の合計から得られた欠陥密度を指す。結果を表2に示す。
次に、得られた単結晶を、フッ酸、硝酸を含む混酸で加圧・熱分解し、得られた溶液を10倍以上に濃縮してICP−質量分析及びフレームレス原子吸光分析を用いて不純物分析を行った。結果を表3に示す。
実施例1の「炭化ケイ素粉末の製造」において、「炭化物400gを炭素製容器に入れ、アルゴン雰囲気下で2200℃まで昇温して4時間保持した」を、「炭化物400gを炭素製容器に入れ、アルゴン雰囲気下で1750℃まで昇温し、30分間保管した後、1850℃まで昇温し、1時間保持した。この1時間の保持中に、2030℃まで昇温して5分間保持し1850℃に降温する操作を、保持時間開始後15分後から、略等間隔(15分間隔)で3回行なった。」に代えたほかは、実施例1と同様にして炭化ケイ素粉末を得、実施例1と同様にして、不純物分析、粒度分布、平均粒径の測定を行なった。
また、得られた炭化ケイ素粉末を用い、実施例1と同様にして炭化ケイ素単結晶の製造を行い、育成した単結晶部分の成長方向の長さ及び平均欠陥密度を測定し、不純物分析を行なった。これらの結果を表1〜3に示す。
12 円筒型黒鉛容器
14A 炭化ケイ素粉末
14B 炭化ケイ素単結晶の種結晶
16 黒鉛蓋
18 断熱材
22 支持棒
24 石英チャンバー
26A 石英上蓋
26B 石英底蓋
28A 石英の窓
28B 石英の窓
30 側壁
32 誘導加熱コイル
Claims (14)
- ケイ素源の少なくとも1種と炭素源の少なくとも1種とを混合した混合物を焼成した後、2150〜2400℃で後処理し、
得られた炭化ケイ素粉末の体積平均粒径(D50)が、200〜300μmであることを特徴とする炭化ケイ素粉末の製造方法。
- ケイ素源が、アルコキシシラン化合物である請求項1に記載の炭化ケイ素粉末の製造方法。
- アルコキシシラン化合物が、エトキシシラン二量体及びエトキシシラン重合体の少なくともいずれかである請求項2に記載の炭化ケイ素粉末の製造方法。
- 炭素源が、フェノール樹脂である請求項1から3のいずれかに記載の炭化ケイ素粉末の製造方法。
- 後処理が、アルゴン雰囲気で行なわれる請求項1から4のいずれかに記載の炭化ケイ素粉末の製造方法。
- 後処理の時間が、3〜8時間である請求項1から5のいずれかに記載の炭化ケイ素粉末の製造方法。
- 混合物を、焼成の前に、熱及び硬化触媒の少なくともいずれかにより硬化する請求項1から6のいずれかに記載の炭化ケイ素粉末の製造方法。
- 混合物を、焼成の前に、非酸化性雰囲気下で500〜1000℃にて加熱する請求項1から7のいずれかに記載の炭化ケイ素粉末の製造方法。
- 混合の際、混合物に対し、ハロゲン化合物を0.5〜5重量%添加する請求項1から8のいずれかに記載の炭化ケイ素粉末の製造方法。
- 焼成が、非酸化性雰囲気にて、800〜1000℃の温度で30〜120分間加熱した後、1350〜2000℃の温度で120〜240分間焼成する請求項1から9のいずれかに記載の炭化ケイ素粉末の製造方法。
- 焼成の際、ケイ素源及び炭素源に対し、1〜5容積%のハロゲン又はハロゲン化水素を添加する請求項1から10のいずれかに記載の炭化ケイ素粉末の製造方法。
- 炭化ケイ素粉末における各不純物元素の含有量が、0.3ppm以下である請求項1から11のいずれかに記載の炭化ケイ素粉末の製造方法。
- 炭化ケイ素粉末の粒度分布(D90/D10)が、4以下である請求項1から12のいずれかに記載の炭化ケイ素粉末の製造方法。
- 請求項1から13のいずれかに記載の炭化ケイ素粉末の製造方法により得られる炭化ケイ素粉末を用い製造される炭化ケイ素単結晶であって、
欠陥密度が80個/cm 2 以下であって、結晶構造が、菱面体晶、六方晶、及び、菱面体晶と六方晶との混合物の少なくともいずれかであることを特徴とする炭化ケイ素単結晶。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001098728A JP5230882B2 (ja) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | 炭化ケイ素粉末の製造方法、及び炭化ケイ素単結晶 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001098728A JP5230882B2 (ja) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | 炭化ケイ素粉末の製造方法、及び炭化ケイ素単結晶 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002293525A JP2002293525A (ja) | 2002-10-09 |
JP5230882B2 true JP5230882B2 (ja) | 2013-07-10 |
Family
ID=18952353
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001098728A Expired - Fee Related JP5230882B2 (ja) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | 炭化ケイ素粉末の製造方法、及び炭化ケイ素単結晶 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5230882B2 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7314521B2 (en) | 2004-10-04 | 2008-01-01 | Cree, Inc. | Low micropipe 100 mm silicon carbide wafer |
JP4930915B2 (ja) * | 2006-01-20 | 2012-05-16 | 東海カーボン株式会社 | 高純度SiC微粉末の製造方法 |
JP2008115045A (ja) * | 2006-11-06 | 2008-05-22 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 単結晶SiC及びその製造方法 |
JP5029987B2 (ja) * | 2007-05-16 | 2012-09-19 | 東海カーボン株式会社 | ナノカーボンの製造方法 |
JP2009173501A (ja) * | 2008-01-28 | 2009-08-06 | Bridgestone Corp | 炭化ケイ素単結晶製造用高純度炭化ケイ素粉体の製造方法及び炭化ケイ素単結晶 |
JP5560862B2 (ja) * | 2010-04-07 | 2014-07-30 | 新日鐵住金株式会社 | 炭化珪素単結晶インゴットの製造装置 |
KR102009762B1 (ko) * | 2012-11-30 | 2019-08-12 | 엘지이노텍 주식회사 | 탄화규소 분말, 탄화규소 분말의 제조 방법 및 장치 |
KR102090084B1 (ko) * | 2018-08-30 | 2020-03-17 | 에스케이씨 주식회사 | 반절연 탄화규소 단결정 잉곳을 성장시키는 방법 |
CN112639174B (zh) | 2018-08-30 | 2022-09-20 | 赛尼克公司 | 生长半绝缘碳化硅单晶锭的方法和用于生长碳化硅单晶锭的装置 |
KR102090085B1 (ko) * | 2018-08-30 | 2020-03-17 | 에스케이씨 주식회사 | 반절연 탄화규소 단결정 잉곳을 성장시키는 방법 |
KR102090082B1 (ko) * | 2018-09-17 | 2020-03-17 | 에스케이씨 주식회사 | 탄화규소 단결정 잉곳을 성장시키는 방법 |
KR102192815B1 (ko) | 2019-03-21 | 2020-12-18 | 에스케이씨 주식회사 | 잉곳의 제조방법, 잉곳 성장용 원료물질 및 이의 제조방법 |
CN114132929B (zh) * | 2020-09-04 | 2023-07-28 | 比亚迪股份有限公司 | 一种碳化硅粉的制备方法及碳化硅粉 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2804860B2 (ja) * | 1991-04-18 | 1998-09-30 | 新日本製鐵株式会社 | SiC単結晶およびその成長方法 |
JP3934695B2 (ja) * | 1995-05-31 | 2007-06-20 | 株式会社ブリヂストン | 炭化ケイ素単結晶製造用高純度炭化ケイ素粉体の製造方法 |
JPH09268096A (ja) * | 1996-03-29 | 1997-10-14 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 単結晶の製造方法及び種結晶 |
JP4048603B2 (ja) * | 1998-06-05 | 2008-02-20 | 株式会社デンソー | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
JP2000351614A (ja) * | 1999-06-10 | 2000-12-19 | Bridgestone Corp | 炭化ケイ素粉体、及びその製造方法 |
JP4224195B2 (ja) * | 2000-10-06 | 2009-02-12 | 新日本製鐵株式会社 | 炭化珪素単結晶育成用種結晶および炭化珪素単結晶の製造方法 |
-
2001
- 2001-03-30 JP JP2001098728A patent/JP5230882B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002293525A (ja) | 2002-10-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3934695B2 (ja) | 炭化ケイ素単結晶製造用高純度炭化ケイ素粉体の製造方法 | |
US5863325A (en) | Process for producing high purity silicon carbide powder for preparation of a silicon carbide single crystal and single crystal | |
JP2009173501A (ja) | 炭化ケイ素単結晶製造用高純度炭化ケイ素粉体の製造方法及び炭化ケイ素単結晶 | |
JP5230882B2 (ja) | 炭化ケイ素粉末の製造方法、及び炭化ケイ素単結晶 | |
US6627169B1 (en) | Silicon carbide powder and production method thereof | |
US7029643B2 (en) | Silicon carbide powder and method for producing the same | |
KR101678622B1 (ko) | 이산화규소-카본 다공질 복합체와 이를 이용한 고순도 과립 β-상 탄화규소 분말의 제조방법 | |
JP2011102205A (ja) | α型炭化ケイ素粉体の粒径制御方法及び炭化ケイ素単結晶 | |
JPH07157307A (ja) | 炭化ケイ素単結晶製造用高純度β型炭化ケイ素粉末の製造方法 | |
US20040259717A1 (en) | Process for producing silicon carbide sinter jig for use in semicondutor production and silicon carbide sinter jig obtained by the process | |
JP2003073194A (ja) | 炭化ケイ素単結晶及びその製造方法 | |
JP5303103B2 (ja) | 炭化ケイ素焼結体及びその製造方法 | |
JP2012246165A (ja) | 炭化ケイ素微粉末の製造方法及びその製造装置 | |
JP2007112661A (ja) | 炭化ケイ素単結晶の製造方法及び製造装置 | |
JPWO2016208563A1 (ja) | 導電性マイエナイト型化合物の製造方法 | |
US6387834B1 (en) | Sintered silicon carbide body and method for producing the same | |
US20050258033A1 (en) | Sputtering target | |
JP2010100447A (ja) | 炭化ケイ素単結晶の製造装置および製造方法 | |
JP2002280316A (ja) | ウエハ及びその製造方法 | |
JP3685365B2 (ja) | 半導体装置部材用の精製炭化珪素粉末とその精製方法、及び該粉末から得られる半導体装置部材用焼結体の製造方法 | |
JP2001048651A (ja) | 炭化ケイ素質焼結体及びその製造方法 | |
JP5130099B2 (ja) | 炭化ケイ素焼結体の製造方法 | |
JP5770754B2 (ja) | 炭化ケイ素焼結体のアニール方法 | |
JP2006248807A (ja) | 炭化ケイ素表面リッチ層を備える炭化ケイ素焼結体 | |
JP2002029843A (ja) | プラズマ処理装置用保護部材 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080307 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101122 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110510 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110621 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120327 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120511 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130226 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130321 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160329 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5230882 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |