JP5223432B2 - typeIクラスレート化合物の製造方法 - Google Patents
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Description
クラスレートは、空間群I43mのtypeVIIIと呼ばれる結晶構造を取ることが知られている。このA8B46の組成比式を取るクラスレートとしては、空間群Pm3nのtypeIと呼ばれる結晶構造も知られている。なお、本明細書では、数字にアンダーバーがついた記号は、数字の上にバーが付いた記号を意味している。このうち、typeIのBa8(Ga,Sn)46クラスレート(typeIクラスレート化合物)は、これまで知られているtypeVIIIのBa8(Ga,Sn)46クラスレートのゼーベック係数よりも、高いゼーベック係数を有する。
ゼーベック係数よりも、高いゼーベック係数が得られる。具体的には、例えば、室温(例えば25℃)から100℃の範囲で、ゼーベック係数が400〜450μV/KのtypeIクラスレート化合物を得ることができる。
また、取り出した別の結晶体を研磨し、EPMAで構成元素を調べた結果、Biは検出されなかった。さらに、余剰物質から取り出した結晶体を研磨して、ゼーベック係数を室温(25℃)で測定した結果、400μV/Kの値となった。ゼーベック係数の値が正であることから、結晶体はp型半導体であることが分かった。
(比較例)
まず、純度99%以上のBa、Ga、及びSnを、表2に示す組成比(原子%)となるように秤量した(総量8g)。なお、組成比にはR1〜R2の2種類があり、それぞれについてtypeIクラスレート化合物を製造した。
取り出した結晶体の一部を瑪瑙の乳鉢で粉砕し、X線回折装置で測定した結果、組成比R1〜R2のいずれにおいても、typeIのBa8(Ga,Sn)46クラスレートであることを確認した。
(実験例)
まず、純度99%以上のBa、Ga、Sn、及びBiを、Ba:Ga:Sn:Bi=8:16:60:16の組成比(原子%)となるように秤量した(総量8g)。
2…余剰物質
3…石英ボート
Claims (1)
- 組成比式Ba8(Gax,Sn1-x)46(0<x<1)で表されるtypeIクラスレート化合物の製造方法であって、
前記クラスレート化合物の構成元素と、Biとを溶融させて溶融物とする溶融工程を有し、
前記溶融物において、Biと前記クラスレート化合物の構成元素との原子比率であるBi/(Ba+Ga+Sn)を、0<Bi/(Ba+Ga+Sn)<8/92とすることを特徴とするtypeIクラスレート化合物の製造方法。
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