JP5222588B2 - プラズマ処理装置の製造方法 - Google Patents
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Description
102 高抵抗誘電体膜
103,203,301,401 溶射膜ヒータ
104 ウエハ吸着のための給電層
105 被処理基板
106 ヒータ通電用の給電端子
107 直流電源
201 電極本体
202 絶縁層
204 給電端子
302,402 給電端部
Claims (7)
- プラズマが形成される処理室内に配置されウエハをその上に載置する試料台と、この試料台上に配置され前記ウエハがその上に載置される円形の載置面を構成する誘電体製の膜と、この誘電体製の膜内部に配置された膜状のヒータとを備え、前記誘電体膜上に前記ウエハが載せられた状態で前記ヒータによりこのウエハを加熱しつつ処理するプラズマ処理装置の製造方法であって、
前記試料台の上面に前記誘電体から構成される膜を配置した後にこの誘電体製の膜上に前記膜状のヒータを形成し、このヒータに電力を供給して前記載置面の面方向について複数の領域毎の温度を検出して得られた温度の分布に基づいて、前記複数の領域同士の間の温度のばらつきが許容範囲内になるように前記ヒータの抵抗値を調節した後、前記誘電体から構成される膜を前記ヒータ上に形成するプラズマ処理装置の製造方法。
- 請求項1に記載のプラズマ処理装置の製造方法であって、前記温度の分布は非接触型の面温度計を用いて検出するプラズマ処理装置の製造方法。
- 請求項1または2に記載のプラズマ処理装置の製造方法であって、前記ヒータの形状を変化させて抵抗値を調節するプラズマ処理装置の製造方法。
- 請求項3に記載のプラズマ処理装置の製造方法であって、前記温度の分布の低温の部分に相当する前記ヒータの断面を小さくしてその抵抗値を調節するプラズマ処理装置の製造方法。
- 請求項3に記載のプラズマ処理装置の製造方法であって、前記温度の分布の高温の部分に相当する前記ヒータの断面を大きくしてその抵抗値を調節するプラズマ処理装置の製造方法。
- 請求項1乃至5のいずれかに記載のプラズマ処理装置の製造方法であって、前記載置面の周方向について3つ以上の前記複数の領域について得られた前記温度の分布を用いて検出したこれらの領域のヒータの抵抗値の分布に基づいて前記各領域の前記ヒータの抵抗値を調節するプラズマ処理装置の製造方法。
- 請求項6のプラズマ処理装置の製造方法において、前記領域毎の平均の温度に基づいて検出した前記複数の領域のヒータの抵抗値の分布に基づいて前記各領域のヒータの抵抗値を調節するプラズマ処理装置の製造方法。
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