JP2009218242A - プラズマ処理装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
低コストで製造できるプラズマ処理装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
プラズマが形成される処理室内に配置されウエハをその上面に載置する試料台と、この試料台の前記ウエハを載置する上面に配置された誘電体製の膜と、この誘電体製の膜内部に配置された膜状のヒータと、前記試料台上にウエハが載せられた状態で前記ヒータによりこのウエハを加熱しつつ処理するプラズマ処理装置の製造方法であって、前記試料台の上面に前記誘電体から構成される膜を配置した後にこの誘電体製の膜上に前記膜状のヒータを形成し、このヒータに電力を供給して温度の分布を検出した結果に基づいて、前記温度の分布が所定の値となるように前記ヒータの抵抗値を調節した後、前記誘電体から構成される膜を前記ヒータ上に形成する。
【選択図】図1
Description
102 高抵抗誘電体膜
103,203,301,401 溶射膜ヒータ
104 ウエハ吸着のための給電層
105 被処理基板
106 ヒータ通電用の給電端子
107 直流電源
201 電極本体
202 絶縁層
204 給電端子
302,402 給電端部
Claims (7)
- プラズマが形成される処理室内に配置されウエハをその上面に載置する試料台と、この試料台の前記ウエハを載置する上面に配置された誘電体製の膜と、この誘電体製の膜内部に配置された膜状のヒータと、前記試料台上にウエハが載せられた状態で前記ヒータによりこのウエハを加熱しつつ処理するプラズマ処理装置の製造方法であって、
前記試料台の上面に前記誘電体から構成される膜を配置した後にこの誘電体製の膜上に前記膜状のヒータを形成し、このヒータに電力を供給して温度の分布を検出した結果に基づいて、前記温度の分布が所定の値となるように前記ヒータの抵抗値を調節した後、前記誘電体から構成される膜を前記ヒータ上に形成するプラズマ処理装置の製造方法。 - 請求項1に記載のプラズマ処理装置の製造方法であって、前記温度の分布は非接触型の面温度計を用いて検出するプラズマ処理装置の製造方法。
- 請求項1または2に記載のプラズマ処理装置の製造方法であって、前記ヒータの形状を変化させて抵抗値を調節するプラズマ処理装置の製造方法。
- 請求項3に記載のプラズマ処理装置の製造方法であって、前記温度の分布の低温の部分に相当する前記ヒータの断面を小さくしてその抵抗値を調節するプラズマ処理装置の製造方法。
- 請求項3に記載のプラズマ処理装置の製造方法であって、前記温度の分布の高温の部分に相当する前記ヒータの断面を大きくしてその抵抗値を調節するプラズマ処理装置の製造方法。
- 請求項1乃至5のいずれかに記載のプラズマ処理装置の製造方法であって、前記ヒータの抵抗値の分布を前記載置面の周方向について3つ以上の領域に分けて検出し各領域毎に前記ヒータの抵抗値を調節するプラズマ処理装置の製造方法。
- 請求項6のプラズマ処理装置の製造方法において、前記領域毎の平均の温度分布に基づいて前記抵抗値を調節するプラズマ処理装置の製造方法。
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