JP5217835B2 - 有機el素子およびその製造方法 - Google Patents
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図1は、本発明の実施形態に係る有機EL素子100の構成を示す概略断面図である。この図に示されるように、基板1の上に、ホール注入電極2、低分子ホール輸送層3、難溶化層4、高分子発光層5および電子注入電極6が順に積層された構造により、本実施形態にかかる有機EL素子100が構成されている。
まず、基板1としてガラス基板を用い、このガラス基板上にホール注入電極2となるITO電極を150nm形成した。次に、低分子ホール輸送層3として、上述した化学式1で示されるN, N, N', N', N'', N''-Hexakis(4'-methyl-biphenyl-4-yl)-benzene-1,3,5-triamine(分子量1119、ガラス転移点観測されず、融点402℃)を真空蒸着法で60nm形成し、この上に2−プロパノールに有機酸としてドデシルベンゼンスルホン酸を0.7重量%溶解させた溶液をスピンコート法で塗布することで難溶化層4を形成し、さらに2−プロパノールでリンスした後120℃で熱処理を行った。
本実施例では、実施例1とは異なる有機酸を用い、実施例1と同様の手法により有機EL素子100の試料を製造した。具体的には、有機酸としてパラトルエンスルホン酸を用いた。
本実施例でも、実施例1とは異なる有機酸を用い、実施例1と同様の手法により有機EL素子100の試料を製造した。具体的には、有機酸として有機酸をエタンスルホン酸を用いた。
本実施例でも、実施例1とは異なる有機酸を用い、実施例1と同様の手法により有機EL素子100の試料を製造した。具体的には、有機酸として有機酸を酢酸を用いた。
本実施例でも、実施例1とは異なる有機酸を用い、実施例1と同様の手法により有機EL素子100の試料を製造した。具体的には、有機酸として有機酸をビス(2−エチルヘキシル)フォスフェイトを用いた。
本実施例では、有機酸を含む蒸気中に低分子ホール輸送層3の表面を曝す手法により難溶化層4を形成し、それ以外に関しては実施例1と同様の手法により有機EL素子100の試料を製造した。具体的には、有機酸としてエタンスルホン酸を用い、処理法として窒素ガス中でエタンスルホン酸を80℃に熱することで飽和蒸気圧状態にした雰囲気中に低分子ホール輸送層3の表面を2時間暴露させる手法を行った。
本実施例でも、有機酸を含む蒸気中に低分子ホール輸送層3の表面を曝す手法により難溶化層4を形成し、それ以外に関しては実施例1と同様の手法により有機EL素子100の試料を製造した。具体的には、有機酸として酢酸を用い、処理法として窒素ガス中で酢酸を50℃に熱することで飽和蒸気圧状態にした雰囲気中に低分子ホール輸送層表面を2時間暴露させる手法を行った。
本実施例では、有機酸による表面処理を行い高分子層を形成した後、加熱処理を行うことで有機酸を揮発除去する工程を行ったが、それ以外に関しては実施例1と同様の手法により有機EL素子100の試料を製造した。具体的には、有機酸を酢酸とし、高分子発光層5を形成後150℃10分の加熱処理を行った。
図2は、上記各実施例の単位電流密度あたりの最大発光効率I(cd/A)と比較例1の最大発光効率I0(cd/A)との比較結果I/I0をまとめた図表である。
本実施例では、実施例1とは異なる構成材料によって低分子ホール輸送層3を構成したもおのであり、その他関しては、実施例1と同様の手法により有機EL素子100の試料を製造した。具体的には、上述した化学式2で示されたTPTを低分子ホール輸送層3の構成材料として用いた。
本実施例でも、実施例1とは異なる構成材料によって低分子ホール輸送層3を構成したもおのであり、その他関しては、実施例1と同様の手法により有機EL素子100の試料を製造した。具体的には、上述した化学式3で示されたTBPBを低分子ホール輸送層3の構成材料として用いた。
2 ホール注入電極
3 低分子ホール輸送層
4 難溶化層
5 高分子発光層
6 電子注入層
Claims (15)
- 電極基板(1)と、
前記電極基板(1)の上に形成されたホール注入電極(2)と、
前記ホール注入電極(2)の上に形成され、低分子材料にて構成された低分子ホール輸送層(3)と、
前記低分子ホール輸送層(3)を有機酸にて表面処理することで形成された難溶化層(4)と、
前記難溶化層(4)の表面に形成され、高分子材料にて構成された高分子発光層(5)と、
前記高分子発光層(5)の上に形成された電子注入電極(6)と、を有し、
前記有機酸がスルホン酸化合物、カルボン酸化合物、もしくは有機リン酸化合物であることを特徴とする有機EL素子。 - 前記低分子ホール輸送層(3)がトリフェニルアミン誘導体材料で構成されていることを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子。
- 前記前記低分子ホール輸送層(3)の構成材料のガラス転移点、もしくはガラス転移点がない場合は融点が120℃以上であることを特徴とする請求項1または2に記載の有機EL素子。
- 前記低分子ホール輸送層(3)の構成材料の真空度1Pa時の昇華温度が300℃以上であることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の有機EL素子。
- 前記難溶化層(4)の膜厚が10nm以下であることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1つに記載の有機EL素子。
- 電極基板(1)を用意し、該電極基板(1)の上にホール注入電極(2)を形成する工程と、
前記ホール注入電極(2)の上に、低分子材料にて構成された低分子ホール輸送層(3)を形成する工程と、
前記低分子ホール輸送層(3)を有機酸にて表面処理することで難溶化層(4)を形成する工程と、
前記難溶化層(4)の表面に、高分子材料にて構成された高分子発光層(5)を形成する工程と、
前記高分子発光層(5)の上に電子注入電極(6)を形成する工程と、を有することを特徴とする有機EL素子の製造方法。 - 前記難溶化層(4)を形成する工程では、前記低分子ホール輸送層(3)に対して有機酸を含む溶液を塗布することで前記難溶化層(4)を形成することを特徴とする請求項6に記載の有機EL素子の製造方法。
- 前記難溶化層(4)を形成する工程では、前記低分子ホール輸送層(3)の表面を、有機酸を含む蒸気中に曝すことで前記難溶化層(4)を形成することを特徴とする請求項6に記載の有機EL素子の製造方法。
- 前記難溶化層(4)を形成する工程では、有機酸としてスルホン酸化合物、カルボン酸化合物、ヒドロキシ化合物、チオール化合物、エノール化合物、もしくは有機リン酸化合物を用いることを特徴とする請求項6ないし8のいずれか1つに記載の有機EL素子の製造方法。
- 前記低分子ホール輸送層(3)を形成する工程では、前記低分子ホール輸送層(3)を真空蒸着法にて形成し、
前記高分子発光層(5)を形成する工程では、前記高分子発光層(5)を塗布法で形成することを特徴とする請求項6ないし9のいずれか1つに記載の有機EL素子の製造方法。 - 前記低分子ホール輸送層(3)を形成する工程では、前記低分子ホール輸送層(3)の構成材料としてトリフェニルアミン誘導体材料を用いることを特徴とする請求項6ないし10のいずれか1つに記載の有機EL素子の製造方法。
- 前記低分子ホール輸送層(3)を形成する工程では、前記低分子ホール輸送層(3)の構成材料としてガラス転移点、もしくはガラス転移点がない場合は融点が120℃以上の材料を用いることを特徴とする請求項6ないし11のいずれか1つに記載の有機EL素子の製造方法。
- 前記低分子ホール輸送層(3)を形成する工程では、前記低分子ホール輸送層(3)の構成材料として真空度1Pa時の昇華温度が300℃以上の材料を用いることを特徴とする請求項6ないし12のいずれか1つに記載の有機EL素子の製造方法。
- 前記難溶化層(4)を形成する工程では、前記難溶化層(4)の膜厚を10nm以下となるようにすることを特徴とする請求項6ないし13のいずれか1つに記載の有機EL素子の製造方法。
- 前記高分子発光層(5)を形成したのち、加熱処理を行うことにより、前記有機酸を揮発除去することを特徴とする請求項6ないし14のいずれか1つに記載の有機EL素子の製造方法。
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