JP5216380B2 - 新規な化合物、酸発生剤、レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 - Google Patents

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US12/208,109 US7927780B2 (en) 2007-09-12 2008-09-10 Resist composition, method of forming resist pattern, novel compound and method of producing the same, and acid generator

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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI471298B (zh) * 2009-05-28 2015-02-01 Sumitomo Chemical Co 鹽及含有該鹽之光阻組成物
TWI407252B (zh) * 2009-06-22 2013-09-01 羅門哈斯電子材料有限公司 光酸產生劑及包含該光酸產生劑的光阻組成物
JP5689253B2 (ja) 2009-06-24 2015-03-25 住友化学株式会社 化学増幅型フォトレジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
CN102225924B (zh) * 2009-12-10 2015-04-01 罗门哈斯电子材料有限公司 光酸发生剂和包含该光酸发生剂的光致抗蚀剂
TWI530478B (zh) * 2010-02-18 2016-04-21 住友化學股份有限公司 鹽及包含該鹽之光阻組成物
JP5969171B2 (ja) * 2010-03-31 2016-08-17 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ 光酸発生剤およびこれを含むフォトレジスト
JP5879834B2 (ja) * 2010-11-15 2016-03-08 住友化学株式会社 塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
EP2527918A2 (en) 2011-05-27 2012-11-28 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Photoresist composition
JP5977595B2 (ja) * 2011-07-19 2016-08-24 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5977594B2 (ja) * 2011-07-19 2016-08-24 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6205156B2 (ja) * 2012-04-10 2017-09-27 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6134562B2 (ja) * 2012-04-27 2017-05-24 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6174363B2 (ja) * 2012-05-14 2017-08-02 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6343467B2 (ja) * 2013-03-27 2018-06-13 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、及びレジストパターン形成方法
JP7076207B2 (ja) * 2017-12-28 2022-05-27 東京応化工業株式会社 レジストパターン形成方法
KR20200115508A (ko) * 2018-01-31 2020-10-07 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 조성물, 그리고, 레지스트 패턴의 형성방법 및 절연막의 형성방법

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4494060B2 (ja) * 2004-03-30 2010-06-30 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物
US7579497B2 (en) * 2005-03-30 2009-08-25 Sumitomo Chemical Company, Limited Salt suitable for an acid generator and a chemically amplified resist composition containing the same
JP5070801B2 (ja) * 2005-10-28 2012-11-14 住友化学株式会社 化学増幅型レジスト組成物の酸発生剤用の塩
CN1955846B (zh) * 2005-10-28 2011-12-07 住友化学株式会社 适合于酸生成剂的盐和含有该盐的化学放大型抗蚀剂组合物
CN1971421B (zh) * 2005-11-21 2012-05-30 住友化学株式会社 适合于酸生成剂的盐和含有该盐的化学放大型抗蚀剂组合物
CN101211113B (zh) * 2006-12-27 2012-01-11 住友化学株式会社 化学放大型抗蚀剂组合物
JP4866780B2 (ja) * 2007-04-24 2012-02-01 富士フイルム株式会社 ポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP5145776B2 (ja) * 2007-05-31 2013-02-20 セントラル硝子株式会社 新規スルホン酸塩、スルホン酸オニウム塩及びスルホン酸誘導体とその製造方法
JP5019071B2 (ja) * 2007-09-05 2012-09-05 信越化学工業株式会社 新規光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法

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