JP5207436B2 - 撮像素子およびその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 78
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 34
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 15
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims description 14
- YQDBXZVRLZUHQK-UHFFFAOYSA-N ac1n5wkz Chemical compound [Zn+2].[N-]1C(N=C2C3=CC=C(C=C3C(N=C3C4=CC=C(C=C4C(=N4)[N-]3)[N+]([O-])=O)=N2)[N+]([O-])=O)=C(C=C(C=C2)[N+]([O-])=O)C2=C1N=C1C2=CC([N+](=O)[O-])=CC=C2C4=N1 YQDBXZVRLZUHQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 claims description 12
- -1 9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl Chemical group 0.000 claims description 7
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VYXSBFYARXAAKO-WTKGSRSZSA-N chembl402140 Chemical compound Cl.C1=2C=C(C)C(NCC)=CC=2OC2=C\C(=N/CC)C(C)=CC2=C1C1=CC=CC=C1C(=O)OCC VYXSBFYARXAAKO-WTKGSRSZSA-N 0.000 claims description 6
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical class C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 claims description 5
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 claims description 5
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 claims description 4
- KTWCTKOXHMZBHO-UHFFFAOYSA-N (2-methylphenyl)silicon Chemical compound CC1=CC=CC=C1[Si] KTWCTKOXHMZBHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RXACYPFGPNTUNV-UHFFFAOYSA-N 9,9-dioctylfluorene Chemical compound C1=CC=C2C(CCCCCCCC)(CCCCCCCC)C3=CC=CC=C3C2=C1 RXACYPFGPNTUNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical class N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 3
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 claims description 3
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 21
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000001819 mass spectrum Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N Zinc dication Chemical compound [Zn+2] PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- CWNPOQFCIIFQDM-UHFFFAOYSA-N 3-nitrobenzyl alcohol Chemical group OCC1=CC=CC([N+]([O-])=O)=C1 CWNPOQFCIIFQDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000002143 fast-atom bombardment mass spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- KKFHAJHLJHVUDM-UHFFFAOYSA-N n-vinylcarbazole Chemical compound C1=CC=C2N(C=C)C3=CC=CC=C3C2=C1 KKFHAJHLJHVUDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229940048181 sodium sulfide nonahydrate Drugs 0.000 description 1
- WMDLZMCDBSJMTM-UHFFFAOYSA-M sodium;sulfanide;nonahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.O.O.O.[Na+].[SH-] WMDLZMCDBSJMTM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000000527 sonication Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000009849 vacuum degassing Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
イメージセンサの基礎と応用、木内雄二、日刊工業新聞社、1991
2つの電極の間に設けられた緑(G)領域の波長選択吸収性の有機受光層および
2つの電極の間に設けられた青(B)領域の波長選択吸収性の有機受光層
の順不同積層体を含む撮像素子に関する。
(1)6つの電極の全て、または、光の入射側から5つの電極は、可視光透過性の電極である。
(2)各受光層の2つの電極は、略直交するストライプ状の電極である。
(3)赤(R)領域の波長選択吸収性の有機受光層が590nm以上、750nm以下の範囲に吸収ピークを有し、
緑(G)領域の波長選択吸収性の有機受光層が500 nm以上、590nm未満の範囲に吸収ピークを有し、
青(B)領域の波長選択吸収性の有機受光層が380 nm以上、500nm未満の範囲に吸収ピークを有する。
(4)赤(R)領域の波長選択吸収性の有機受光層が、赤(R)領域に波長選択吸収性を有する有機物質としてZnTPC(Zinc(II)-tetranitrophthalocyanine)、 Zinc-tetraaminophthalocyanine、これらのアルキル誘導体、およびこれらのアミド誘導体から成る群から選ばれる少なくとも1種を含有する。赤(R)領域に波長選択吸収性を有する有機物質の含有量と受光層の層厚は、赤領域の受光層の吸光度が0.6以上になるように設定される。
(5)緑(G)領域の波長選択吸収性の有機受光層が、緑(G)領域に波長選択吸収性を有する有機物質としてR6G(ローダミン6G)、キナクリドン誘導体(DEQ)、およびルブレンから成る群から選ばれる少なくとも1種を含有する。緑(G)領域に波長選択吸収性を有する有機物質の含有量と受光層の層厚は、緑領域の受光層の吸光度が0.6以上になるように設定される。
(6)青(B)領域の波長選択吸収性の有機受光層が、青(B)領域に波長選択吸収性を有する有機物質としてpoly[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-(1,4-benzo-[2,1',3]-thiadiazole)](F8BT)、クマリン6、およびジアミン誘導体(TPB)から成る群から選ばれる少なくとも1種を含有する。青(B)領域に波長選択吸収性を有する有機物質の含有量と受光層の層厚は、青領域の受光層の吸光度が0.6以上になるように設定される。
(7)有機受光層が、さらに導電性高分子を含有する。導電性高分子が、Poly[methylphenyl]silane(PMPS)、ポリフルオレンpoly[(9,9- dioctylfluorene] (PFO)、ポリフルオレン誘導体、poly[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)- co-(1,4-benzo-[2,1',3]-thiadiazole)](F8BT)、ポリパラフェニレンビニレン(PPV)、PPV誘導体、ポリチオフェン、ポリアニリン、ビニル高分子、カルバゾール、およびポリビニルカルバゾール(PVK)から成る群から選ばれる少なくとも1種である。
(8)光の入射側にガラス基板を有する。ガラス基板に、青(B)領域の波長選択吸収性の有機受光層、緑(G)領域の波長選択吸収性の有機受光層および赤(R)領域の波長選択吸収性の有機受光層をこの順に有する。
緑(G)領域に波長選択吸収性を有する有機物質を含む溶液を、一方の電極表面に塗布して、緑(G)領域の波長選択吸収性の有機受光層を形成し、次いで有機受光層の上に他方の電極を形成する工程、
青(B)領域に波長選択吸収性を有する有機物質を含む溶液を、一方の電極表面に塗布して、青(B)領域波長選択吸収性の有機受光層を形成し、次いで有機受光層の上に他方の電極を形成する工程、および
上記3つの有機受光層を積層する工程
を含む撮像素子の製造方法にも関する。
本発明の撮像素子は、
2つの電極の間に設けられた赤(R)領域の波長選択吸収性の有機受光層、
2つの電極の間に設けられた緑(G)領域の波長選択吸収性の有機受光層および
2つの電極の間に設けられた青(B)領域の波長選択吸収性の有機受光層
の順不同積層体を含む。
赤(R)領域に波長選択吸収性を有する有機物質を含む溶液を、一方の電極表面に塗布し、必要に応じて乾燥した後、赤(R)領域の波長選択吸収性の有機受光層を形成し、次いで有機受光層の上に他方の電極を形成する工程、
緑(G)領域に波長選択吸収性を有する有機物質を含む溶液を、一方の電極表面に塗布し、必要に応じて乾燥した後、緑(G)領域の波長選択吸収性の有機受光層を形成し、次いで有機受光層の上に他方の電極を形成する工程、
青(B)領域に波長選択吸収性を有する有機物質を含む溶液を、一方の電極表面に塗布し、必要に応じて乾燥した後、青(B)領域波長選択吸収性の有機受光層を形成し、次いで有機受光層の上に他方の電極を形成する工程、および
上記3つの有機受光層を積層する工程
を含む方法により製造される。
(1)Si基板(p-Si),上に窒化膜(Si3N4)をCVDでパターン形成し、それをマスクと してn+拡散を行う。
(2)拡散部分に酸化膜(SiO2)を形成する。
(3)ゲート部分に酸化膜(30nm)、ポリシリコン膜(500nm)を形成し、それをマスクと してp+(ソース、ドレイン)拡散を行う。
(4)全体に酸化膜(500nm)を形成し、ソース、ドレイン電極取り出し用のコンタクトホ ールを開ける。
(5)電極金属を蒸着してコンタクトをとる。
(6)ソース電極の上部に酸化膜を形成する。
(7)有機光電変換薄膜(有機受光層)を塗布してドレイン電極と接触させる。
(8)全面に透明電極(ITOまたは極薄金属膜または塗布型導電物質膜)を形成する。
(9)全面電極上に封止膜を形成し、その最上部を平坦化する。(図示せず)
(1)PMPS/クマリン6青色受光素子
ポリシランとしてポリメチルフェニルシラン(クロロフォルム溶液20g/l)、有機色素としてクマリン6(20mol%)を混合し、ガラス基板上のITO透明電極の上にスピンコートした(1,000rpm、60s、300nm)。真空乾燥後、その上部にLiF(5nm)/Al(100nm)電極を真空蒸着し青受光素子を作製した。
ポリシランとしてポリメチルフェニルシラン(クロロフォルム溶液20g/l)、有機色素としてZinc(II) tetranitrophthalocyanine ( ZnTNPc)(アセトン溶液2mol%)を1:1で混合した。この結果混合溶液ではPMPSが10g/l、ZnTNPcが1mol%となった。この混合溶液をガラス基板上のITO透明電極の上にスピンコートした(800rpm、60s、200nm)。真空乾燥後、その上部にLiF(5nm)/Al(100nm)電極を真空蒸着し赤色受光素子を作製した。
青色領域に吸収帯をもつ導電性高分子であるpoly[(9,9-dioctylfluorenyl- 2,7-diyl)-co-(1,4-benzo-[2,1',3]-thiadiazole)](F8BT)(クロロフォルム溶液15g/l)を、ガラス基板上のITO透明電極の上にスピンコートした(1,000rpm、60s)。真空脱気後、125℃10分間加熱処理し、その上部にLiF(5nm)/Al(100nm)電極を真空蒸着し青受光素子を作製した。
亜鉛テトラアミノフタロシアニン(Zinc-tetraaminophthalocyanine)の合成
Claims (14)
- 2つの電極の間に設けられた、赤(R)領域に波長選択吸収性を有する有機物質としてZnTPC(Zinc(II)-tetranitrophthalocyanine)、Zinc-tetraaminophthalocyanine、これらのアルキル誘導体、およびこれらのアミド誘導体から成る群から選ばれる少なくとも1種を含有する赤(R)領域の波長選択吸収性の有機受光層、
2つの電極の間に設けられた緑(G)領域の波長選択吸収性の有機受光層および
2つの電極の間に設けられた青(B)領域の波長選択吸収性の有機受光層
の順不同積層体を含み、
6つの電極の全て、または、光の入射側から5つの電極は、可視光透過性の電極であり、
各受光層の2つの電極は、略直交する複数のストライプ状の電極であり、前記電極の直交位置に光検出素子を有する撮像素子。 - 赤(R)領域の波長選択吸収性の有機受光層が590nm以上、750nm以下の範囲に吸収ピークを有し、
緑(G)領域の波長選択吸収性の有機受光層が500 nm以上、590nm未満の範囲に吸収ピークを有し、
青(B)領域の波長選択吸収性の有機受光層が380 nm以上、500nm未満の範囲に吸収ピークを有する
請求項1に記載の撮像素子。 - 赤(R)領域の波長選択吸収性の有機受光層が、赤(R)領域に波長選択吸収性を有する有機物質としてZnTPC(Zinc(II)-tetranitrophthalocyanine)またはZinc-tetraaminophthalocyanineを含有する請求項1または2に記載の撮像素子。
- 赤(R)領域に波長選択吸収性を有する有機物質の含有量と受光層の層厚は、赤領域の受光層の吸光度が0.6以上になるように設定される請求項3に記載の撮像素子。
- 緑(G)領域の波長選択吸収性の有機受光層が、緑(G)領域に波長選択吸収性を有する有機物質としてR6G(ローダミン6G)、キナクリドン誘導体(DEQ)、およびルブレンから成る群から選ばれる少なくとも1種を含有する請求項1〜4のいずれか1項に記載の撮像素子。
- 緑(G)領域に波長選択吸収性を有する有機物質の含有量と受光層の層厚は、緑領域の受光層の吸光度が0.6以上になるように設定される請求項5に記載の撮像素子。
- 青(B)領域の波長選択吸収性の有機受光層が、青(B)領域に波長選択吸収性を有する有機物質としてpoly[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-(1,4-benzo-[2,1',3]-thiadiazole)](F8BT)、クマリン6、およびジアミン誘導体(TPB)から成る群から選ばれる少なくとも1種を含有する請求項1〜6のいずれか1項に記載の撮像素子。
- 青(B)領域に波長選択吸収性を有する有機物質の含有量と受光層の層厚は、青領域の受光層の吸光度が0.6以上になるように設定される請求項7に記載の撮像素子。
- 有機受光層が、さらに導電性高分子を含有する請求項1〜8のいずれか1項に記載の撮像素子。
- 導電性高分子が、Poly[methylphenyl]silane(PMPS)、ポリフルオレンpoly[(9,9- dioctylfluorene](PFO)、ポリフルオレン誘導体、poly[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-(1,4-benzo-[2,1',3]-thiadiazole)](F8BT)、ポリパラフェニレンビニレン(PPV)、PPV誘導体、ポリチオフェン、ポリアニリン、ビニル高分子、カルバゾール、およびポリビニルカルバゾール(PVK)から成る群から選ばれる少なくとも1種である請求項9に記載の撮像素子。
- 光の入射側にガラス基板を有する請求項1〜10のいずれか1項に記載の撮像素子。
- ガラス基板に、青(B)領域の波長選択吸収性の有機受光層、緑(G)領域の波長選択吸収性の有機受光層および赤(R)領域の波長選択吸収性の有機受光層をこの順に有する、請求項11に記載の撮像素子。
- ZnTPC(Zinc(II)-tetranitrophthalocyanine)、Zinc-tetraaminophthalocyanine、これらのアルキル誘導体、およびこれらのアミド誘導体から成る群から選ばれる少なくとも1種を含有する赤(R)領域に波長選択吸収性を有する有機物質を含む溶液を、一方の電極表面に塗布して、赤(R)領域の波長選択吸収性の有機受光層を形成し、次いで有機受光層の上に他方の電極を形成する工程、
緑(G)領域に波長選択吸収性を有する有機物質を含む溶液を、一方の電極表面に塗布して、緑(G)領域の波長選択吸収性の有機受光層を形成し、次いで有機受光層の上に他方の電極を形成する工程、
青(B)領域に波長選択吸収性を有する有機物質を含む溶液を、一方の電極表面に塗布して、青(B)領域波長選択吸収性の有機受光層を形成し、次いで有機受光層の上に他方の電極を形成する工程、および
上記3つの有機受光層を積層する工程
を含む請求項1〜12のいずれか1項に記載の撮像素子の製造方法。 - 赤(R)領域に波長選択吸収性を有する有機物質がZnTPC(Zinc(II)-tetranitrophthalocyanine)またはZinc-tetraaminophthalocyanineである請求項13に記載の撮像素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007135468A JP5207436B2 (ja) | 2007-05-22 | 2007-05-22 | 撮像素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007135468A JP5207436B2 (ja) | 2007-05-22 | 2007-05-22 | 撮像素子およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008294058A JP2008294058A (ja) | 2008-12-04 |
JP5207436B2 true JP5207436B2 (ja) | 2013-06-12 |
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ID=40168507
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007135468A Expired - Fee Related JP5207436B2 (ja) | 2007-05-22 | 2007-05-22 | 撮像素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5207436B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101107003B1 (ko) * | 2009-04-09 | 2012-01-25 | 제일모직주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
KR101201831B1 (ko) | 2009-07-09 | 2012-11-15 | 제일모직주식회사 | 유-무기 하이브리드 조성물 및 이미지 센서 |
JP6221197B2 (ja) * | 2013-08-06 | 2017-11-01 | 株式会社東京精密 | レーザトラッカ |
FR3025052B1 (fr) * | 2014-08-19 | 2017-12-15 | Isorg | Dispositif de detection d'un rayonnement electromagnetique en materiaux organiques |
JP6511855B2 (ja) * | 2015-02-25 | 2019-05-15 | 株式会社リコー | 光電変換素子、画像読取装置及び画像形成装置 |
JP6693537B2 (ja) * | 2018-04-20 | 2020-05-13 | ソニー株式会社 | 撮像素子および撮像装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5120649A (en) * | 1990-05-15 | 1992-06-09 | New York Blood Center, Inc. | Photodynamic inactivation of viruses in blood cell-containing compositions |
EP1051752A2 (en) * | 1998-02-02 | 2000-11-15 | Uniax Corporation | Image sensors made from organic semiconductors |
JP2002217474A (ja) * | 2001-01-16 | 2002-08-02 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 光電変換膜及びそれを具えた固体撮像装置 |
NO316632B1 (no) * | 2001-11-16 | 2004-03-15 | Thin Film Electronics Asa | Matriseadresserbart optoelektronisk apparat og elektrodeanordning i samme |
JP2005268609A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | 多層積層型多画素撮像素子及びテレビカメラ |
-
2007
- 2007-05-22 JP JP2007135468A patent/JP5207436B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008294058A (ja) | 2008-12-04 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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A602 | Written permission of extension of time |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |