JP5205277B2 - 永久磁石及び永久磁石の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、永久磁石及び永久磁石の製造方法に関し、特に、Nd−Fe−B系の焼結磁石の結晶粒界相にDyやTbを拡散させてなる高磁気特性の永久磁石及びこの永久磁石の製造方法に関する。
Nd−Fe−B系の焼結磁石(所謂、ネオジム磁石)は、鉄と、安価であって資源的に豊富で安定供給が可能なNd、Bの元素の組み合わせからなることで安価に製造できると共に、高磁気特性(最大エネルギー積はフェライト系磁石の10倍程度)を有することから、電子機器など種々の製品に利用され、近年では、ハイブリッドカー用のモーターや発電機への採用も進んでいる。
他方、上記焼結磁石のキュリー温度は、約300℃と低いことから、採用する製品の使用状況によっては所定温度を超えて昇温する場合があり、所定温度を超えると、熱により減磁するという問題がある。また、上記焼結磁石を所望の製品に利用するに際しては、焼結磁石を所定形状に加工する場合があり、この加工によって焼結磁石の結晶粒に欠陥(クラック等)や歪などが生じて磁気特性が著しく劣化するという問題がある。
このため、Nd−Fe−B系の焼結磁石を得る際に、Ndより大きい4f電子の磁気異方性を有し、Ndと同じく負のスティーブンス因子を持つことで、主相の結晶磁気異方性を大きく向上させるDyやTbを添加することが考えられるものの、Dy、Tbは主相結晶格子中でNdと逆向きのスピン配列をするフェリ磁性構造を取ることから磁界強度、ひいては、磁気特性を示す最大エネルギー積が大きく低下する。
このことから、Nd−Fe−B系の焼結磁石の表面全体に亘って、DyやTbを所定膜厚(磁石の体積に依存して3μm以上の膜厚で形成される)で成膜し、次いで、所定温度下で熱処理を施して、表面に成膜されたDyやTbを磁石の結晶粒界相に拡散させて均一に行き渡らせることが提案されている(非特許文献1参照)。
上記方法で製作した永久磁石は、結晶粒界相に拡散したDyやTbが、各結晶粒表面の結晶磁気異方性を高めることで、ニュークリエーション型の保磁力発生機構を強化し、その結果、保磁力を飛躍的に向上させると共に、最大エネルギー積がほとんど損なわれないという利点がある(例えば残留磁束密度:14.5kG(1.45T)、最大エネルギー積:50MG0e(400kJ/m)で、保磁力:23k0e(3MA/m)の性能の磁石ができることが非特許文献1に報告されている)。
Improvement of coercivity on thin Nd2Fe14B sintered permanent magnets(薄型Nd2Fe14B系焼結磁石における保磁力の向上)/ 朴起兌、東北大学 博士論文 平成12年3月23日)
ところで、成膜材料であるDy金属やTb金属としては、高品質であることが求められることから、乾式法や湿式法などの公知の方法でDy、Tbのフッ化物を先ず製造し、次いで、塩素、酸素等の不純物が少なくかつ磁気特性向上が望めるフッ化物溶融塩浴酸化物投入電解法により生産することが一般的であるが、このような工程を経て得られたDy金属やTb金属は非常に高価であるという問題があった。この場合、高価であると共に、資源的に乏しく、安定供給が望めないDyやTbを用いるため、焼結磁石の表面へのDyやTbの成膜や結晶粒界相への拡散を効率よく行って生産性を向上させ、低コスト化を図る必要がある。他方で、例えば保磁力をさらに高めれば、永久磁石の厚みの薄くしても強い磁力を持ったものが得られるので、この種の永久磁石利用製品自体の小型、軽量化や小電力化を図るためには、上記従来技術と比較して一層高い保磁力を有し、高磁気特性の永久磁石の開発が望まれる。
そこで、上記点に鑑み、本発明の第一の目的は、極めて高い保磁力を有し、高磁気特性の永久磁石を提供することにある。また、本発明の第二の目的は、極めて高い保磁力を有し、高磁気特性の永久磁石を、高い生産性でかつ低いコストで作製できる永久磁石の製造方法を提供することにある。
上記課題を解決するために、請求項1記載の永久磁石の製造方法は、処理室内に鉄−ホウ素−希土類系の焼結磁石を配置して所定温度に加熱すると共に、同一または他の処理室内に配置したDy及びTbの少なくとも一方を含有するフッ化物からなる蒸発材料を蒸発させ、この蒸発した蒸発材料を焼結磁石表面に付着させ、この付着した蒸発材料のDy、Tbの金属原子を焼結磁石の結晶粒界相に拡散させることを特徴とする。
本発明によれば、蒸発したDyやTbの少なくとも一方を含有するフッ化物(分子)が、所定温度(例えば最適な拡散速度が得られる温度)に加熱された焼結磁石表面に供給されて付着し、この付着した蒸発材料のDy、Tbの金属原子が、焼結磁石の結晶粒界相に順次拡散されて行く。即ち、焼結磁石表面への蒸発材料の供給とDy、Tbの焼結磁石の結晶粒界相への拡散とが一度の処理(真空蒸気処理)で行われる。この場合、蒸発材料としてDy及びTbのフッ化物を用いたため、鉱石からDy金属やTb金属を製造する過程で生成される中間生成物(Dy及びTbのフッ化物)を蒸発材料にでき、その価格が低いことから、Dy金属やTb金属を蒸発材料とする場合と比較して永久磁石の製造コストを低くできる。また、多元共晶効果によりNdリッチ相(Dy、Tbを5〜80%の範囲で含む相)の融点が下がることで、蒸発材料のDyやTbの金属原子の拡散速度がさらに速くなる。つまり、結晶粒界相への拡散の際に、Nd−F−O−Dy(Tb)などの複雑な共晶を作る。この場合、結晶粒界近傍にあるNdリッチ相の共晶点は、Dy(Tb)−Feの2元系の共晶点と比較して多元系のものの方が低いため、DyやTbの金属原子の拡散速度がより速くなり、拡散時間を短縮して高い生産性が達成される。
前記蒸発材料は、Nd及びPrの少なくとも一方を含有するフッ化物さらに含むものであれば、DyやTbが結晶粒のNdと置換されて結晶磁気異方性を向上させることに加えて、結晶粒界の歪や欠陥が修復され、一層高い保磁力を有し、その上、Nd及びPrがDyやTbと異なり、Feと同じ向きに磁化するスピン配列を取ることから、残留磁束密度及び最大エネルギー積が高くなり、その結果、従来のものと比較して一層高い磁気特性を有する永久磁石が得られる。また、多元共晶効果によりNdリッチ相の融点が下がることで、DyやTbの金属原子の拡散速度をより速くできる。
また、前記蒸発材料は、Al、Ag、B、Ba、Be、C、Ca、Ce、Co、Cr、Cs、Cu、Dy、Er、Eu、Fe、Ga、Gd、Ge、Hf、Ho、In、K、La、Li、Lu、Mg、Mn、Mo、Na,Nb、Nd、Ni、P、Pd、Pr、Ru、S、Sb、Si、Sm、Sn、Sr、Ta、Tb、Tm、Ti、V、W、Y、Yb、Zn及びZrの中から選択された少なくとも1種を含むものであれば、上記と同様の効果が得られる。つまり、拡散の際、Al、CuやGaの元素がNdリッチ相に入り込み、Dy(Tb)−Nd(Pr)−Fe−Al(Cu、Ga)などの複雑な共晶を作る。この場合、結晶粒界近傍にあるNdリッチ相の共晶点は、Dy−Fe(Tb−Fe)の2元系の共晶点と比較して多元系のものの方が低いため、Dy、Tbの金属原子の拡散速度がより速くなる。
前記焼結磁石と蒸発材料とを離間して配置しておけば、蒸発材料を蒸発させたとき、溶けた蒸発材料が直接焼結磁石に付着することが防止できてよい。
また、前記処理室内に配置される前記蒸発材料の比表面積を変化させて一定温度下における蒸発量を増減し、蒸発した蒸発材料の焼結磁石表面への供給量を調節することが好ましい。この場合、例えば蒸発材料の薄膜(層)を形成されないように焼結磁石表面への蒸発材料の供給量を調節すれば、永久磁石の表面状態は、上記処理を実施する前の状態と略同一であり、作製した永久磁石表面が劣化する(表面粗さが悪くなる)ことが防止され、また、特に焼結磁石表面に近い粒界内にDyやTbが過剰に拡散することが抑制され、別段の後工程が不要となって高い生産性を達成できる。また、例えば蒸発材料の焼結磁石表面への供給量を増減する別個の部品を処理室内に設ける等、装置の構成を変えることなく、簡単に焼結磁石表面への供給量の調節ができる。
DyやTb等の金属原子を結晶粒界相に拡散させる前に焼結磁石表面に吸着した汚れ、ガスや水分を除去するために、前記焼結磁石を収納した処理室の加熱に先立って、処理室内を所定圧力に減圧して保持することが好ましい。
この場合、表面に吸着した汚れ、ガスや水分の除去を促進するために、前記処理室を所定圧力に減圧した後、処理室内を所定温度に加熱して保持することが好ましい。
他方、DyやTb等の金属原子を結晶粒界相に拡散させる前に焼結磁石表面の酸化膜を除去すべく、前記焼結磁石を収納した処理室の加熱に先立って、プラズマによる前記焼結磁石表面のクリーニングを行うことが好ましい。
また、前記焼結磁石の結晶粒界相にDyやTb等の金属原子を拡散させた後、上記温度より低い所定温度下で永久磁石の歪を除去する熱処理を施すようにすれば、磁化および保磁力がさらに向上または回復した高磁気特性の永久磁石が得られる。
また、前記焼結磁石の結晶粒界相に前記金属原子を拡散させた後、磁場配向方向に直角な方向で所定の厚さに切断するようにすればよい。これにより、所定寸法を有するブロック状の焼結磁石を複数個の薄片に切断し、この状態で処理室に並べて収納した後、上記真空蒸気処理を施す場合と比較して、例えば処理室への焼結磁石の出し入れが短時間で行うことができ、上記真空蒸気処理を施す前準備が容易になって生産性を向上できる。
この場合、ワイヤーカッタ等により所望形状に切断すると、焼結磁石表面の主相である結晶粒にクラックが生じて磁気特性が著しく劣化する場合があるが、上記真空蒸気処理を施すと、結晶粒界相にDyリッチ相を有し、さらには結晶粒の表面付近にのみDyが拡散しているため、後工程で複数個の薄片に切断して永久磁石を得ても磁気特定が劣化することが防止され、仕上げ加工が不要なことと相俟って生産性に優れた永久磁石が得られる。
さらに、上記課題を解決するために、請求項11記載の永久磁石は、鉄−ホウ素−希土類系の焼結磁石を有し、この焼結磁石を処理室内に配置して所定温度に加熱すると共に、同一または他の処理室内に配置したDy及びTbの少なくとも一方を含有するフッ化物からなる蒸発材料を蒸発させ、この蒸発した蒸発材料を焼結磁石表面に付着させ、この付着した蒸発材料のDy、Tbの金属原子を、焼結磁石の結晶粒界相に拡散させてなることを特徴とする。
この場合、前記蒸発材料は、Nd及びPrの少なくとも一方を含有するフッ化物をさらに含むことが好ましい。
また、前記蒸発材料は、Al、Ag、B、Ba、Be、C、Ca、Ce、Co、Cr、Cs、Cu、Dy、Er、Eu、Fe、Ga、Gd、Ge、Hf、Ho、In、K、La、Li、Lu、Mg、Mn、Mo、Na,Nb、Nd、Ni、P、Pd、Pr、Ru、S、Sb、Si、Sm、Sn、Sr、Ta、Tb、Tm、Ti、V、W、Y、Yb、Zn及びZrの中から選択された少なくとも1種を含むものであってもよい。
さらに、前記焼結磁石の結晶粒界相にDy及びTbの少なくとも一方を拡散させた後、磁場配向方向に直角な方向で所定の厚さに切断してなることが好ましい。
以上説明したように、本発明の永久磁石は、従来技術のものと比較して一層高い保磁力を有し、高磁気特性のものであり、また、本発明の永久磁石の製造方法では、一層高い保磁力を有し、高磁気特性の永久磁石を、高い生産性でかつ低いコストで作製できるという効果を奏する。
図1及び図2を参照して説明すれば、本発明の永久磁石Mは、所定形状に加工されたNd−Fe−B系の焼結磁石Sの表面に、後述する蒸発材料Vを蒸発させ、この蒸発した蒸発材料を付着させる第一工程と、焼結磁石S表面に付着した蒸発材料のうちDy、Tbの金属原子を結晶粒界相に拡散させて均一に行き渡らせる第二工程との一連の処理を同時に行って作製される(真空蒸気処理)。
出発材料であるNd−Fe−B系の焼結磁石Sは、公知の方法で次のように作製されている。即ち、Fe、B、Ndを所定の組成比で配合して、公知のストリップキャスト法により0.05mm〜0.5mmの合金を先ず作製する。他方で、公知の遠心鋳造法で5mm程度の厚さの合金を作製するようにしてもよい。また、配合の際、Cu、Zr、Dy、Tb、AlやGaを少量添加してもよい。次いで、作製した合金を、公知の水素粉砕工程により一旦粉砕し、引き続き、ジェットミル微粉砕工程により微粉砕して合金原料粉末を得る。次いで、公知の圧縮成形機によって、合金原料粉末を磁界配向して金型で直方体や円柱など所定形状に成形した後、所定の条件下で焼結させて上記焼結磁石が作製される。
合金原料粉末を圧縮成形する際に、合金原料粉末に公知の潤滑剤を添加している場合には、焼結磁石Sの作製の各工程において条件をそれぞれ最適化し、焼結磁石Sの平均結晶粒径が4μm〜8μmの範囲にすることが好ましい。これにより、焼結磁石内部に残留する炭素の影響を受けずに、焼結磁石表面に付着したDyやTbが結晶粒界相に効率よく拡散でき、高い生産性が達成される。
この場合、平均結晶粒径が4μmより小さいと、DyやTbが結晶粒界相に拡散したことで、高い保磁力を有する永久磁石となるが、磁界中での圧縮成形時に流動性を確保し配向性を向上させるという合金原料粉末への潤滑剤添加の効果が薄れ、焼結磁石の配向度が悪くなり、その結果、磁気特性を示す残留磁束密度及び最大エネルギー積が低下する。他方で、平均結晶粒径が8μmより大きいと、結晶が大きいため保磁力が低下し、その上、結晶粒界の表面積が少なくなることで、結晶粒界付近の残留炭素の濃度比が高くなり、保磁力がさらに大きく低下する。また、残留炭素がDyやTbと反応し、Dyの結晶粒界相への拡散が妨げられ、拡散時間が長くなって生産性が悪い。
図2に示すように、上記処理を実施する真空蒸気処理装置1は、ターボ分子ポンプ、クライオポンプ、拡散ポンプなどの真空排気手段11を介して所定圧力(例えば1×10−5Pa)まで減圧して保持できる真空チャンバ12を有する。真空チャンバ内12には、上面を開口した直方体形状の箱部21と、開口した箱部21の上面に着脱自在な蓋部22とからなる箱体2が設置される。
蓋部22の外周縁部には下方に屈曲させたフランジ22aがその全周に亘って形成され、箱部21の上面に蓋部22を装着すると、フランジ22aが箱部21の外壁に嵌合して(この場合、メタルシールなどの真空シールは設けていない)、真空チャンバ11と隔絶された処理室20が画成される。そして、真空排気手段11を介して真空チャンバ12を所定圧力(例えば、1×10−5Pa)まで減圧すると、処理室20が真空チャンバ12より略半桁高い圧力(例えば、5×10−4Pa)まで減圧されるようになっている。
処理室20の容積は、蒸発材料Vの平均自由行程を考慮して蒸気雰囲気中の蒸発材料V(分子)が直接または衝突を繰返して複数の方向から焼結磁石Sに供給されるように設定されている。また、箱部21及び蓋部22の壁面の肉厚は、後述する加熱手段によって加熱されたとき、熱変形しないように設定され、蒸発材料Vと反応しない材料から構成されている。
即ち、蒸発材料Vが、例えばフッ化ジスプロシウムであるとき、一般の真空装置でよく用いられるAlを用いると、蒸気雰囲気中のDyやNdがAlが反応してその表面に反応生成物を形成すると共に、Al原子がDyやTbの蒸気雰囲気中に侵入する虞がある。このため、箱体2を、例えば、Mo、W、V、Taまたはこれらの合金(希土類添加型Mo合金、Ti添加型Mo合金などを含む)やCaO、Y、或いは希土類酸化物から作製するか、またはこれらの材料を他の断熱材の表面に内張膜として成膜したものから構成している。また、処理室20内で底面から所定の高さ位置には、例えばMo製の複数本の線材(例えばφ0.1〜10mm)を格子状に配置することで載置部21aが形成され、この載置部21aに複数個の焼結磁石Sを並べて載置できるようになっている。他方、蒸発材料Vは、処理室20の底面、側面または上面等に適宜配置される。
蒸発材料Vとしては、主相の結晶磁気異方性を大きく向上させるDyやTbを含むフッ化物、フッ化ジスプロシウムやフッ化テリビウムが用いられる。フッ化ジスプロシウムやフッ化テリビウムは、公知の方法で製造され、製造方法としては、例えば、Dy、Tbの酸化物と無水フッ化水素気流とを高温状態下(例えば750℃)で反応させる乾式法、Dy、Tbの酸化物と酸性フッ化アンモニウムとを混合し、比較的低温(例えば300℃)にて反応させる方法、または塩化物等のDy、Tbの化合物の水溶液にフッ化水素酸を添加し、それらを反応させて、沈殿物を得た後、得られた沈殿物を洗浄し、濾過し、更に乾燥し、焙焼する湿式法が用いられる。これにより、鉱石からDy金属やTb金属を製造する過程で生成される中間生成物(フッ化ジスプロシウムやフッ化テリビウム)を蒸発材料Vにでき、その価格が低いことから、Dy金属やTb金属を蒸発材料Vとする場合と比較して永久磁石の製造コストを低くできる。
また、真空蒸気処理を行う際に、フッ化ジスプロシウムやフッ化テリビウムを用いると、多元共晶効果によりNdリッチ相(Dy、Tbを5〜80%の範囲で含む相)の融点が下がることで、DyやTbの金属原子の拡散速度がさらに速くなる。つまり、結晶粒界相への拡散の際に、Nd−F−O−Dy(Tb)のなどの複雑な共晶を作る。この場合、結晶粒界近傍にあるNdリッチ相の共晶点は、Dy(Tb)−Feの2元系の共晶点と比較して多元系のものの方が低いため、蒸発材料VのうちDyやTbの金属原子の結晶粒界相への拡散速度がより速くなり、拡散時間を短縮して高い生産性が達成される。
この場合、蒸発材料Vとして、フッ化ジスプロシウムやフッ化テルビウムに、Nd及びPrの少なくとも一方(この場合、NdとPrとの合金であるジジムを用いてもよい)を含む合金またはこれらのフッ化物を用いてもよい。この場合、蒸発材料Vは、所定の混合割合で配合し、例えばアーク溶解炉を用いてバルク状の合金を得て、処理室20内の所定位置に配置される。尚、バルク状または顆粒状のフッ化ジスプロシウムやフッ化テルビウムと、Nd、Prまたはこれらの合金やNd、Prの少なくとも一方を含有するフッ化物とを所定の重量比で処理室20内にそれぞれ別個に配置するようにしてもよい。
これにより、真空蒸気処理を行うと、DyやTbが結晶粒のNdと置換されて結晶磁気異方性を向上させることに加えて、結晶粒界の歪や欠陥が修復され、一層高い保磁力を有し、その上、Nd等がDyやTbと異なり、Feと同じ向きに磁化するスピン配列を取ることから、残留磁束密度及び最大エネルギー積が高くなり、その結果、従来のものと比較して一層高い磁気特性を有する永久磁石が得られる。また、多元共晶効果によりNdリッチ相の融点が下がることで、DyやTbの金属原子の拡散速度をより速くできる。
また、蒸発材料Vは、Nd、Prまたはこれらの合金やNd、Prの少なくとも一方を含有するフッ化物にかえてまたは加えて、Al、Ag、B、Ba、Be、C、Ca、Ce、Co、Cr、Cs、Cu、Dy、Er、Eu、Fe、Ga、Gd、Ge、Hf、Ho、In、K、La、Li、Lu、Mg、Mn、Mo、Na,Nb、Nd、Ni、P、Pd、Pr、Ru、S、Sb、Si、Sm、Sn、Sr、Ta、Tb、Ti、Tm、V、W、Y、Yb、Zn及びZr(以下、「A元素」という)の中から選択された少なくとも1種を含むものであってもよい。これにより、結晶粒界相への拡散の際、Al、CuやGaの元素がNdリッチ相に入り込み、Dy(Tb)−Nd(Pr)−Fe−Al(Cu、Ga)などの複雑な共晶を作る。この場合、結晶粒界近傍にあるNdリッチ相の共晶点は、Dy−Fe(Tb−Fe)の2元系の共晶点と比較して多元系のものの方が低いため、Dy、Tbの金属原子の拡散速度がより一層速くなる。
また、真空チャンバ12には加熱手段3が設けられている。加熱手段3は、箱体21と同様に蒸発材料Vと反応しない材料製であり、例えば、箱体21の周囲を囲うように設けられ、内側に反射面を備えたMo製の断熱材と、その内側に配置され、Mo製のフィラメントを有する電気加熱ヒータとから構成される。そして、減圧下で箱体21を加熱手段3で加熱し、箱体21を介して間接的に処理室20内を加熱することで、処理室20内を略均等に加熱できる。
次に、上記真空蒸気処理装置1を用いた永久磁石Mの製造について説明する。先ず、箱部21の載置部21aに上記方法で作製した焼結磁石Sを載置すると共に、箱部21の底面に蒸発材料Vであるフッ化ジスプロシウムを設置する(これにより、処理室20内で焼結磁石Sと蒸発材料Vが離間して配置される)。そして、箱部21の開口した上面に蓋部22を装着した後、真空チャンバ12内で加熱手段3によって周囲を囲まれる所定位置に箱体2を設置する(図2参照)。そして、真空排気手段11を介して真空チャンバ12を所定圧力(例えば、1×10−4Pa)に達するまで真空排気して減圧し、(処理室20は略半桁高い圧力まで真空排気される)、真空チャンバ12が所定圧力に達すると、加熱手段3を作動させて処理室20を加熱する。
減圧下で処理室20内の温度が所定温度に達すると、処理室20の底面に設置したフッ化ジスプロシウムが、処理室20と略同温まで加熱されて蒸発を開始し、処理室20内に蒸気雰囲気が形成される。フッ化ジスプロシウムが蒸発を開始した場合、焼結磁石Sとフッ化ジスプロシウムとを離間して配置したため、溶けたフッ化ジスプロシウムは、表面Ndリッチ相が溶けた焼結磁石Sに直接付着することはない。そして、蒸気雰囲気中のフッ化ジスプロシウム(分子)が、直接または衝突を繰返して複数の方向から、蒸発材料Vと同温まで加熱された焼結磁石S表面に向かって供給されて付着し、蒸発材料VのうちDyが焼結磁石Sの結晶粒界相に拡散されて永久磁石Mが得られる。
ところで、図3に示すように、蒸発材料Vからなる層(薄膜)L1が形成されるように、蒸気雰囲気中の蒸発材料Vが焼結磁石Sの表面に供給されると、焼結磁石S表面で付着して堆積した蒸発材料Vが再結晶したとき、永久磁石M表面を著しく劣化させ(表面粗さが悪くなる)、また、処理中に略同温まで加熱されている焼結磁石S表面に付着して堆積した蒸発材料Vが溶解して焼結磁石S表面に近い領域R1における粒界内にDyが過剰に拡散し、磁気特性を効果的に向上または回復させることができない。
つまり、焼結磁石S表面に蒸発材料Vからなる薄膜が一度形成されると、薄膜に隣接した焼結磁石表面Sの平均組成はDyリッチ組成となり、Dyリッチ組成になると、液相温度が下がり、焼結磁石S表面が溶けるようになる(即ち、主相が溶けて液相の量が増加する)。その結果、焼結磁石S表面付近が溶けて崩れ、凹凸が増加することとなる。その上、Dyが多量の液相と共に結晶粒内に過剰に侵入し、磁気特性を示す最大エネルギー積及び残留磁束密度がさらに低下する。
本実施の形態では、焼結磁石の1〜10重量%の割合で、単位体積当たりの表面積(比表面積)が小さいバルク状(略球状)のフッ化ジスプロシウムを処理室20の底面に配置し、一定温度下における蒸発量を減少させるようにした。それに加えて、蒸発材料Vがフッ化ジスプロシウムであるとき、加熱手段3を制御して処理室20内の温度を800℃〜1050℃、好ましくは900℃〜1000℃の範囲に設定することとした。
処理室20内の温度(ひいては、焼結磁石Sの加熱温度)が800℃より低いと、焼結磁石S表面に付着した蒸発材料VのDy原子の結晶粒界層への拡散速度が遅くなり、焼結磁石S表面に薄膜が形成される前に焼結磁石の結晶粒界相に拡散させて均一に行き渡らせることができない。他方、1050℃を超えた温度では、蒸気圧が高くなって蒸気雰囲気中のフッ化ジスプロシウム分子が焼結磁石S表面に過剰に供給される。また、Dyが結晶粒内に拡散する虞があり、Dyが結晶粒内に拡散すると、結晶粒内の磁化を大きく下げるため、最大エネルギー積及び残留磁束密度がさらに低下することになる。
焼結磁石S表面に蒸発材料Vからなる薄膜が形成される前にDyをその結晶粒界相に拡散させるために、処理室20の載置部21aに設置した焼結磁石Sの表面積の総和に対する処理室20の底面に設置したバルク状の蒸発材料Vの表面積の総和の比率が、1×10−4〜2×10の範囲になるように設定する。1×10−4〜2×10の範囲以外の比率では、焼結磁石S表面に薄膜が形成される場合があり、また、高い磁気特性の永久磁石が得られない。この場合、上記比率が1×10−3から1×10の範囲が好ましく、また、上記比率が1×10−2から1×10の範囲がより好ましい。
これにより、蒸気圧を低くすると共に蒸発材料Vの蒸発量を減少させることで、焼結磁石Sへの蒸発材料Vの供給量が抑制されることと、焼結磁石Sの平均結晶粒径を所定範囲に揃えつつ焼結磁石Sを所定温度範囲で加熱すると共に、蒸発材料Vとしてフッ化ジスプロシウムを用いることで拡散速度が早くなることとが相俟って、蒸発材料Vが焼結磁石S表面で堆積して薄膜を形成する前に、Dy原子を焼結磁石Sの結晶粒界相に効率よく拡散させて均一に行き渡らせることができる(図1参照)。その結果、永久磁石M表面が劣化することが防止され、また、焼結磁石表面に近い領域の粒界内にDyが過剰に拡散することが抑制され、結晶粒界相にDyリッチ相(Dyを5〜80%の範囲で含む相)を有し、さらには結晶粒の表面付近にのみDyが拡散することで、磁化および保磁力が効果的に向上し、その上、仕上げ加工が不要な生産性に優れた永久磁石Mが得られる。
ところで、図4に示すように、上記焼結磁石Sを作製した後、ワイヤーカッタ等により所望形状に加工すると、焼結磁石表面の主相である結晶粒にクラックが生じて磁気特性が著しく劣化する場合があるが(図4(a)参照)、上記真空蒸気処理を施すと、表面付近の結晶粒のクラックの内側にDyリッチ相が形成されて(図4(b)参照)、磁化および保磁力が回復する。他方で、上記真空蒸気処理を施すと、結晶粒界相にDyリッチ相を有し、さらには結晶粒の表面付近にのみDyが拡散しているため、ブロック状の焼結磁石に上記真空蒸気処理を施した後、後工程としてワイヤカッタ等により複数個の薄片に切断して永久磁石を得ても、この永久磁石の磁気特定は劣化し難い。これにより、所定寸法を有するブロック状の焼結磁石を複数個の薄片に切断し、この状態で処理室に並べて収納した後、上記真空蒸気処理を施す場合と比較して、例えば処理室への焼結磁石の出し入れが短時間で行うことができ、上記真空蒸気処理を施す前準備が容易になり、仕上げ加工が不要なことと相俟って高い生産性が達成される。
また、従来のネオジム磁石では防錆対策が必要になることからCoを添加していたが、Ndと比較して極めて高い耐食性、耐候性を有するDyのリッチ相が表面付近の結晶粒のクラックの内側や結晶粒界相に存することで、Coを用いることなく、極めて強い耐食性、耐候性を有する永久磁石となる。尚、Dy(Tb)が拡散するとき、焼結磁石Sの結晶粒界にCoを含む金属間化合物がないため、Dy(Tb)の金属原子はさらに効率よく拡散される。
最後に、上記処理を所定時間(例えば、1〜72時間)だけ実施した後、加熱手段3の作動を停止させると共に、図示しないガス導入手段を介して処理室20内に10kPaのArガスを導入し、蒸発材料Vの蒸発を停止させ、処理室20内の温度を例えば500℃まで一旦下げる。引き続き、加熱手段3を再度作動させ、処理室20内の温度を450℃〜650℃の範囲に設定し、一層保磁力を向上または回復させるために、永久磁石の歪を除去する熱処理を施す。最後に、略室温まで急冷し、箱体2を取り出す。
尚、本実施の形態では、蒸発材料Vとしてフッ化ジスプロシウムを用いるものを例として説明したが、拡散速度を早くできる焼結磁石Sの加熱温度範囲(900℃〜1000℃の範囲)で、蒸気圧が低いフッ化テルビウムを用いることができ、またはこれらの合金を用いてもよい。また、一定温度下における蒸発量を減少させるために比表面積が小さいバルク状の蒸発材料Vを用いることとしたが、これに限定されるものではなく、例えば、箱部21内に断面凹状の受皿を設置し、受皿内に顆粒状またはバルク状の蒸発材料Vを収納することで比表面積を減少させるようにしてもよく、さらに、受皿に蒸発材料Vを収納した後、複数の開口を設けた蓋(図示せず)を装着するようにしてもよい。
また、本実施の形態では、処理室20内に焼結磁石Sと蒸発材料Vとを配置したものについて説明したが、焼結磁石Sと蒸発材料Vとを異なる温度で加熱できるように、例えば、真空チャンバ12内に、処理室20とは別個に蒸発室(他の処理室:図示せず)を設けると共に蒸発室を加熱する他の加熱手段を設け、蒸発室で蒸発材料Vを蒸発させた後、処理室20と蒸発室とを連通する連通路を介して、処理室20内の焼結磁石に、蒸気雰囲気中の蒸発材料Vが供給されるようにしてもよい。
この場合、蒸発材料Vがフッ化ジスプロシウムである場合、蒸発室を700℃〜1050℃の範囲で加熱すればよい。700℃より低い温度では、結晶粒界相にDyが拡散されて均一に行き渡るように、焼結磁石S表面に蒸発材料Vを供給できる蒸気圧に達しない。他方、蒸発材料Vがフッ化テルビウムである場合、蒸発室を900℃〜1150℃の範囲で加熱すればよい。900℃より低い温度では、焼結磁石S表面に蒸発材料Vを供給できる蒸気圧に達しない。他方、1150℃を超えた温度では、Tbが結晶粒内に拡散してしまい、最大エネルギー積及び残留磁束密度を低下させる。
また、DyやTbを結晶粒界相に拡散させる前に焼結磁石S表面に吸着した汚れ、ガスや水分を除去するために、真空排気手段11を介して真空チャンバ12を所定圧力(例えば、1×10−5Pa)まで減圧し、処理室20が真空チャンバ12より略半桁高い圧力(例えば、5×10−4Pa)まで減圧した後、所定時間保持するようにしてもよい。その際、加熱手段3を作動させて処理室20内を例えば100℃に加熱し、所定時間保持するようにしてもよい。
他方、真空チャンバ12内で、ArまたはHeプラズマを発生させる公知構造のプラズマ発生装置(図示せず)を設け、真空チャンバ12内での処理に先だってプラズマによる焼結磁石S表面のクリーニングの前処理が行われるようにしてもよい。同一の処理室20内に焼結磁石Sと蒸発材料Vとを配置する場合、公知の搬送ロボットを真空チャンバ12内に設置し、真空チャンバ12内で蓋部22をクリーニング終了後に装着するようにすればよい。
さらに、本実施の形態では、箱部21の上面に蓋部22を装着して箱体2を構成するものについて説明したが、真空チャンバ12と隔絶されかつ真空チャンバ12を減圧するのに伴って処理室20が減圧されるものであれば、これに限定されるものではなく、例えば、箱部21に焼結磁石Sを収納した後、その上面開口を例えばMo製の箔で覆うようにしてもよい。他方、例えば、真空チャンバ12内で処理室20を密閉できるようにし、真空チャンバ12とは独立して所定圧力に保持できるように構成してもよい。
尚、焼結磁石Sとしては、酸素含有量が少ない程、DyやTbの結晶粒界相への拡散速度が早くなるため、焼結磁石S自体の酸素含有量が3000ppm以下、好ましくは2000ppm以下、より好ましくは1000ppm以下であればよい。
実施例1では、Nd−Fe−B系の焼結磁石として、組成が27Nd−3Dy−1B−0.1Cu−bal.Fe、焼結磁石S自体の酸素含有量が1500ppm及び平均結晶粒径が5μmで、20×10×5(厚さ)mmの形状に加工したものを用いた。この場合、焼成磁石Sの表面を10μm以下の表面荒さを有するように仕上加工した後、アセトンを用いて洗浄した。
次に、上記真空蒸気処理装置1を用い、上記真空蒸気処理によって永久磁石Mを得た。この場合、箱体21として、50×150×60mmの寸法を有するMo製のものを用い、載置部21a上に60個の焼結磁石Sを等間隔で配置することとした。また、蒸発材料Vとして、フッ化ジスプロシウム(99.5%、和光純薬株式会社製)またはフッ化テルビウム(99.5%、和光純薬株式会社製)を、100gの総量で処理室20の底面にそれぞれ配置した。
次いで、真空排気手段を作動させて真空チャンバを1×10−4Paまで一旦減圧する(処理室内の圧力は略5×10−3Pa)と共に、加熱手段3による処理室20の加熱温度を、蒸発材料Vがフッ化ジスプロシウムのとき850℃(実施例1a)に、また、蒸発材料Vがフッ化テルビウムのとき1000℃(実施例1a)に設定し、処理室20の温度が上記温度に達した後、この状態で1、10または18時間、上記真空蒸気処理を行った。次いで、永久磁石の歪を除去する熱処理を行った。この場合、処理温度を550℃、処理時間を60分に設定した。その後、ワイヤーカッタを用いてφ10×5mmの寸法に加工した。
図5及び図6は、上記により永久磁石を得たときの磁気特性の平均値を、蒸発材料として純度99.9%のバルク状のDyを用い(比較例1a)、また、蒸発材料として純度99.9%のバルク状のTbを用い(比較例1b)、実施例1a及び実施例1bと同条件で上記真空蒸気処理により永久磁石を得たときの磁気特性の平均値を併せて示す表である。これによれば、Dyを含む蒸発材料Vの場合、比較例1aでは、真空蒸気処理時間を長くなるのに従い、保磁力が高くなり、処理時間を18時間に設定すると、保磁力が約24k0eであった。それに対し、実施例1aでは、約10時間の真空蒸気処理を施すだけで、24k0e以上の保磁力が得られていることが判る(図5参照)。
他方で、Tbを含む蒸発材料の場合、比較例1bでは、真空蒸気処理時間を長くなるのに従い、保磁力が高くなり、処理時間を18時間に設定すると、保磁力が約28k0eであった。それに対し、実施例1bでは、約10時間の真空蒸気処理を施すだけで、28k0e以上の保磁力が得られていることが判る(図6参照)。以上より、処理時間、つまり、DyやTbの拡散時間を短縮できることが判る。
実施例2では、実施例1と同じNd−Fe−B系の焼結磁石を用いた。この場合、焼成磁石Sの表面を100μm以下の表面荒さを有するように仕上加工した後、イソピルアルコールを用いて洗浄した。
次に、上記真空蒸気処理装置1を用い、上記真空蒸気処理によって永久磁石Mを得た。この場合、箱体21として、200×170×60mmの寸法を有するMo製のものを用い、載置部21a上に120個の焼結磁石Sを等間隔で配置することとした。また、蒸発材料Vとして、DyF(99.5%、和光純薬株式会社製)またはTbF(99.5%、和光純薬株式会社製)と、NdFとを所定の混合割合で配合し、アーク溶解炉によって約φ1mmのバルク状の合金を得て、200gの総量で処理室20の底面に配置した。併せて、蒸発材料Vとして、50DyFまたは50TbFと、50PrFとの割合で配合し、アーク溶解炉によって約φ1mmのバルク状の合金を得て、200gの総量で処理室20の底面に配置できるようにした。
次いで、真空排気手段を作動させて真空チャンバを1×10−4Paまで一旦減圧する(処理室内の圧力は略5×10−3Pa)と共に、加熱手段3による処理室20の加熱温度を、蒸発材料VがDyFを含むとき850℃(実施例2a)に、また、蒸発材料VがDyFを含むとき1000℃(実施例2a)に設定し、処理室20の温度が上記温度に達した後、この状態で10時間、上記真空蒸気処理を行った。次いで、永久磁石の歪を除去する熱処理を行った。この場合、処理温度を550℃、処理時間を60分に設定した。その後、ワイヤーカッタを用いてφ10×5mmの寸法に加工した。
図7及び図8は、上記により永久磁石を得たときの磁気特性の平均値を、蒸発材料VとしてDy金属またはTb金属を用い、上記温度に達した後、この状態で5時間(比較例2a、比較例2c)、または10時間(比較例2b、比較例2d)、上記真空蒸気処理を行って永久磁石を得たときの磁気特性の平均値を併せて示す表である。これによれば、Dyを含む蒸発材料Vの場合(比較例2a、比較例2b)のとき、真空蒸気処理時間を長くなるのに従い保磁力が高くなり、保磁力が約24k0eであった。それに対し、実施例2aでは、蒸発材料VがDyF及びNdFの合金の場合、99重量%の割合でNdを配合しても、保磁力が26k0e以上となり、比較例2a、2bのものより高い保磁力を有し、高磁気特性の永久磁石が得られることが判る。また、蒸発材料VがDyF及びPrFの合金の場合でも、27.5k0eの高い保磁力が得られていることが判る(図7参照)。
他方で、Tbを含む蒸発材料の場合(比較例2c、比較例2d)のときもまた、真空蒸気処理時間を長くなるのに従い保磁力が高くなり、保磁力が約28k0eであった。それに対し、実施例2bでは、蒸発材料VがTbF及びNdFの合金の場合、10〜99重量%の割合でNdを配合しても、保磁力が32k0e以上となり、比較例2a、2bのものより高い保磁力を有し、高磁気特性の永久磁石が得られることが判る。また、蒸発材料VがTbF及びPrFの合金の場合でも、35.7k0eの高い保磁力が得られていることが判る(図8参照)。
実施例3では、Nd−Fe−B系の焼結磁石として、組成が27Nd−3Dy−1B−0.1Cu−bal.Fe、焼結磁石S自体の酸素含有量が1500ppm及び平均結晶粒径が5μmで、40×10×4(厚さ)mmの形状に加工したものを用いた。この場合、焼成磁石Sの表面を50μm以下の表面荒さを有するように粗加工後、硝酸を用いてケミカルエッチングを実施した。
次に、上記真空蒸気処理装置1を用い、上記真空蒸気処理によって永久磁石Mを得た。この場合、箱体21として、200×170×60mmの寸法を有するMo−Y製のものを用い、載置部21a上に60個の焼結磁石Sを等間隔で配置することとした。また、蒸発材料Vとして、フッ化ジスプロシウム(99.5%、和光純薬株式会社製)またはフッ化テルビウム(99.5%、和光純薬株式会社製)とA合金とを、90DyFまたは90TbF及び10A合金になるように秤量した後、アーク溶解炉によってバルク状の合金(約1mm)を得て、300gの総量で処理室20の底面に配置した。
次いで、真空排気手段を作動させて真空チャンバを1×10−4Paまで一旦減圧する(処理室内の圧力は略5×10−3Pa)と共に、加熱手段3による処理室20の加熱温度を、蒸発材料Vがフッ化ジスプロシウムを含むとき850℃(実施例3a)に、また、蒸発材料Vがフッ化テルビウムを含むとき1000℃(実施例3b)に設定し、処理室20の温度が上記温度に達した後、この状態で10時間、上記真空蒸気処理を行った。次いで、永久磁石の歪を除去する熱処理を行った。この場合、処理温度を550℃、処理時間を60分に設定した。その後、ワイヤーカッタを用いてφ10×5mmの寸法に加工した。
図9及び図10は、上記実施例3で得た永久磁石の磁気特性の平均値を、A元素を配合せずに実施例3と同様に永久磁石を得たときの磁気特性の平均値(比較例3a、3b)と共に示す表である。これによれば、比較例3aでは、保磁力が約24k0eであったのに対し、実施例3aでは、蒸発材料Vとして、フッ化ジスプロシウムにA元素を配合したことで、保磁力が26.4k0e以上、条件によっては28k0e以上の保磁力が得られており、保磁力が一層向上していることが判る(図9参照)。
他方で、比較例3bでは、保磁力が約28k0eであったのに対し、実施例3bでは、蒸発材料Vとして、フッ化テルビウムにA元素を配合したことで、保磁力が29.4k0e以上、条件によっては30k0eの保磁力が得られており、保磁力が一層向上していることが判る。
実施例4では、実施例1と同じNd−Fe−B系の焼結磁石を用いた。但し、実施例4では、焼結磁石S自体の酸素含有量が1500ppm及び平均結晶粒径が5μmで、10×10×10(厚さ)mmのブロック状に加工したものを用いた。 次に、上記真空蒸気処理装置1を用い、蒸発材料Vとして、実施例1と同様に作製したDyF(99.5%、和光純薬株式会社製)を用い、実施例1と同条件で真空蒸気処理を行った。この場合、処理室20の加熱温度が900℃に到達した後の処理時間を12時間とし、また、箱体13として、200×170×60mmの寸法を有するMo製のものを用い、載置部21上に30個の焼結磁石Sを等間隔で配置することとした。
次いで、永久磁石の歪を除去する熱処理を行った。この場合、処理温度を550℃、処理時間を60分に設定した。その後、ワイヤーカッタを用いて、磁場配向方向に直角な方向で1mmの厚さに切断し、厚さが1mmの永久磁石を作製した。
図11は、上記実施例4で得た永久磁石片の磁気特性の平均値を、ブロック状の焼結磁石(比較例4a)、この焼結磁石に真空蒸気処理を施さずに厚さが1mm厚さに切断したもの(比較例4b)、及び真空蒸気処理を施したブロック状の永久磁石(比較例4c)の磁気特性の平均値と共に示す表である。これによれば、真空蒸気処理を施すことで保磁力が一層向上し、その後に、切断しても、保磁力は低下せず、18.2k0eの保磁力が得られていることが判る。
本発明で作製した永久磁石の断面を模式的に説明する図。 本発明の処理を実施する真空処理装置を概略的に示す図。 従来技術により作製した永久磁石の断面を模式的に説明する図。 (a)は、焼結磁石表面の加工劣化を説明する図。(b)は、本発明の実施により作製した永久磁石の表面状態を説明する図。 実施例1aで作製した永久磁石の磁気特性の平均値を示す表。 実施例1bで作製した永久磁石の磁気特性の平均値を示す表。 実施例2aで作製した永久磁石の磁気特性の平均値を示す表。 実施例2bで作製した永久磁石の磁気特性の平均値を示す表。 実施例3aで作製した永久磁石の磁気特性の平均値を示す表。 実施例3bで作製した永久磁石の磁気特性の平均値を示す表。 実施例4で作製した永久磁石の磁気特性の平均値を示す表。
符号の説明
1 真空蒸気処理装置
12 真空チャンバ
2 箱体
21 箱部
22 蓋部
20 処理室
3 加熱手段
S 焼結磁石
M 永久磁石
V 蒸発材料

Claims (14)

  1. 処理室内に鉄−ホウ素−希土類系の焼結磁石を配置して所定温度に加熱すると共に、同一または他の処理室内に配置したDy及びTbの少なくとも一方を含有するフッ化物からなる蒸発材料を蒸発させ、この蒸発した蒸発材料を焼結磁石表面に付着させ、この付着した蒸発材料のDy、Tbの金属原子を焼結磁石の結晶粒界相に拡散させることを特徴とする永久磁石の製造方法。
  2. 前記蒸発材料は、Nd及びPrの少なくとも一方を含有するフッ化物をさらに含むことを特徴とする請求項1記載の永久磁石の製造方法。
  3. 前記蒸発材料は、Al、Ag、B、Ba、Be、C、Ca、Ce、Co、Cr、Cs、Cu、Dy、Er、Eu、Fe、Ga、Gd、Ge、Hf、Ho、In、K、La、Li、Lu、Mg、Mn、Mo、Na,Nb、Nd、Ni、P、Pd、Pr、Ru、S、Sb、Si、Sm、Sn、Sr、Ta、Tb、Tm、Ti、V、W、Y、Yb、Zn及びZrの中から選択された少なくとも1種を含むことを特徴とする請求項1または請求項2記載の永久磁石の製造方法。
  4. 前記焼結磁石と蒸発材料とを離間して配置したことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の永久磁石の製造方法。
  5. 前記処理室内に配置される前記蒸発材料の比表面積を変化させて一定温度下における蒸発量を増減し、蒸発した蒸発材料の焼結磁石表面への供給量を調節することを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の永久磁石の製造方法。
  6. 前記成膜工程に先立って、処理室内に焼結磁石を配置した後、この処理室内を所定圧力に減圧して保持することを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の永久磁石の製造方法。
  7. 前記処理室を所定圧力に減圧した後、処理室内を所定温度に加熱して保持することを特徴とする請求項6記載の永久磁石の製造方法。
  8. 前記成膜工程に先立って、プラズマによる前記焼結磁石表面のクリーニングを行うことを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれかに記載の永久磁石の製造方法。
  9. 前記焼結磁石の結晶粒界相に前記金属原子を拡散させた後、前記温度より低い所定温度で永久磁石の歪を除去する熱処理を施すことを特徴とする請求項1乃至請求項8のいずれかに記載の永久磁石の製造方法。
  10. 前記焼結磁石の結晶粒界相にDy及びTbの少なくとも一方を拡散させた後、磁場配向方向に直角な方向で所定の厚さに切断することを特徴とする請求項1乃至請求項9のいずれかに記載の永久磁石の製造方法。
  11. 鉄−ホウ素−希土類系の焼結磁石を有し、この焼結磁石を処理室内に配置して所定温度に加熱すると共に、同一または他の処理室内に配置したDy及びTbの少なくとも一方を含有するフッ化物からなる蒸発材料を蒸発させ、この蒸発した蒸発材料を焼結磁石表面に付着させ、この付着した蒸発材料のDy、Tbの金属原子を焼結磁石の結晶粒界相に拡散させてなることを特徴とする永久磁石。
  12. 前記蒸発材料は、Nd及びPrの少なくとも一方を含有するフッ化物をさらに含むことを特徴とする請求項11記載の永久磁石。
  13. 前記蒸発材料は、Al、Ag、B、Ba、Be、C、Ca、Ce、Co、Cr、Cs、Cu、Dy、Er、Eu、Fe、Ga、Gd、Ge、Hf、Ho、In、K、La、Li、Lu、Mg、Mn、Mo、Na,Nb、Nd、Ni、P、Pd、Pr、Ru、S、Sb、Si、Sm、Sn、Sr、Ta、Tb、Tm、Ti、V、W、Y、Yb、Zn及びZrの中から選択された少なくとも1種を含むことを特徴とする請求項11または請求項12記載の永久磁石。
  14. 前記焼結磁石の結晶粒界相にDy及びTbの少なくとも一方を拡散させた後、磁場配向方向に直角な方向で所定の厚さに切断してなることを特徴とする請求項11乃至請求項13のいずれかに記載の永久磁石。
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