JP5205265B2 - Iii族窒化物結晶の転位低減方法およびエピタキシャル成長用基板 - Google Patents
Iii族窒化物結晶の転位低減方法およびエピタキシャル成長用基板 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5205265B2 JP5205265B2 JP2008525896A JP2008525896A JP5205265B2 JP 5205265 B2 JP5205265 B2 JP 5205265B2 JP 2008525896 A JP2008525896 A JP 2008525896A JP 2008525896 A JP2008525896 A JP 2008525896A JP 5205265 B2 JP5205265 B2 JP 5205265B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group iii
- iii nitride
- nitride crystal
- substrate
- upper layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 132
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims description 91
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 88
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 65
- 230000009467 reduction Effects 0.000 title claims description 25
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 94
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 25
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 24
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 113
- 239000000463 material Substances 0.000 description 36
- 239000010408 film Substances 0.000 description 31
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 17
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 15
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 6
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 6
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 6
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000089 atomic force micrograph Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 238000003877 atomic layer epitaxy Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004581 coalescence Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- WGPCGCOKHWGKJJ-UHFFFAOYSA-N sulfanylidenezinc Chemical group [Zn]=S WGPCGCOKHWGKJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
- H01L21/3247—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering for altering the shape, e.g. smoothing the surface
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/403—AIII-nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B33/02—Heat treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/0242—Crystalline insulating materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/02433—Crystal orientation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02488—Insulating materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/0254—Nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02656—Special treatments
- H01L21/02664—Aftertreatments
- H01L21/02694—Controlling the interface between substrate and epitaxial layer, e.g. by ion implantation followed by annealing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
第7の態様では、所定の単結晶基材と、前記単結晶基材の上にエピタキシャル形成された、III族窒化物結晶からなる上部層と、を備えるエピタキシャル成長用基板において、前記単結晶基材と前記上部層との間に、前記単結晶基材と前記III族窒化物結晶との反応生成物からなる界面層、をさらに備え、前記界面層は、前記上部層を、1700度以上の加熱温度および前記反応生成物が前記III族窒化物結晶の表面に形成されない範囲の加熱時間で加熱処理することによって形成されてなるようにした。
III族窒化物半導体材料を用いた半導体素子は、その機能層である半導体素子層を、III族窒化物結晶を表面層として有するエピタキシャル基板の上にエピタキシャル形成させることによって得られるが、その結晶品質を向上させるためには、エピタキシャル基板を構成するIII族窒化物結晶を高品質化させることが有効である。以下に説明する、本発明の実施の形態に係る転位低減方法は、係るIII族窒化物結晶の高品質化を実現するための方法である。
図1は、本発明の実施の形態に係る転位低減方法の適用対象であるIII族窒化物結晶を上部層2として含む、エピタキシャル基板10の断面模式図である。なお、図示の都合上、図1の図面における各層の厚みの比率および縦横の比率は、実際の比率を反映したものではない。
本実施の形態においては、係るエピタキシャル基板10を所定の処理装置によって加熱する熱処理を行うことによって、上部層2を構成するIII族窒化物結晶の転位の低減が実現される。例えば、転位密度は、おおよそ1/10以下にまで減少する。特に、刃状転位を効果的に合体消失させることができる。なお、係る熱処理は、表面におけるピットの解消に対しても一定の効果を奏する。
上述の実施の形態においては、基材1としてサファイアを用いたエピタキシャル基板10を対象として熱処理を行う態様について説明している。しかしながら、一般的なエピタキシャル基板の形成に際して、基材1は、その上に形成する上部層2の組成や構造、あるいはさらにその上に形成される層を含む各層の形成手法に応じて適宜に選択される。例えば、SiC(炭化ケイ素)や、あるいは、MgOのような各種酸化物材料から、適宜選択されて用いられる。
本実施例においては、(0001)面サファイアを基材1とし、MOCVD法によって、1200℃で、上部層2として(0001)面AlN層を膜厚1μmで形成することにより、2つのエピタキシャル基板10を得た。本AlN層と基材の間には、基材窒化層が挿入されている。AlN層の結晶性を評価したところ、X線ロッキングカーブの(0002)面の半値幅が70秒、(10−12)面の半値幅が1100秒であった。転位密度は、2×1010/cm2であった。なお、X線ロッキングカーブ測定は、オープンスリットを用い、ωスキャン法により行い、(0002)面を用いた場合は、AlNのc軸方向からの結晶ゆらぎの傾き成分を、(10−12)面を用いた場合は、AlNのc軸を中心とした結晶揺らぎの主に回転成分を測定するものである。AFMにより計測された5μm□の表面粗さ(ra)は3Å以下であり、AFM像においては、原子レベルのステップが観察されるものの、表面に多くのピットが観察された。
本比較例においては、実施例に用いたものと同様のエピタキシャル基板を用意し、加熱温度1900℃で30時間の熱処理を行った。熱処理後のエピタキシャル基板においては、表面にALON層とAlN結晶層が混在することが確認された。また、原子ステップが観察されないほどに、表面の平坦性が劣化していることも確認された。
実施例と比較例1の結果より、上部層を構成するIII族窒化物結晶と単結晶サファイアからなる基材との反応生成物が生成しうる加熱温度での加熱を、該反応生成物がエピタキシャル基板の表面つまりは上部層の表面に形成されない短時間での加熱時間で行った場合には、仮に上部層の一部が該反応生成物になってしまったとしても、上部層において転位が低減されてなり、良好な表面平坦性を有するエピタキシャル基板を得ることができるといえる。
本比較例においては、(0001)面サファイアを基材とするエピタキシャル基板を2つ用意し、実施例1の(a)、(b)と同様の加熱処理を行った。いずれも、熱処理後の基板においては、ALON層が主に界面側に存在し、表面側にAlNとALONが混在することが確認された。AFMにより計測された5μm□の表面粗さ(ra)は500Å程度で、表面にはグレイン状の凹凸が観察された。また、結晶方位を評価したところ、一方向にそろっておらず、多結晶であることが確認された。
実施例と比較例2の結果より、エピタキシャル基板10を用いることにより、サファイア基材を用いた場合と比較して表面平坦性と結晶品質の優れたAlN層を、γ−ALON層を介して実現できたといえる。
Claims (7)
- 所定の単結晶基材の上にエピタキシャル形成されてなるIII族窒化物結晶の転位低減方法であって、
前記III族窒化物結晶を1700℃以上の加熱温度で加熱して前記単結晶基材と前記III族窒化物結晶との間に前記単結晶基材と前記III族窒化物結晶との反応生成物からなる界面層を形成する加熱工程、
を備え、
前記加熱工程においては、前記加熱温度での加熱を、前記反応生成物が前記III族窒化物結晶の表面に形成されない範囲の加熱時間で行う、
ことを特徴とするIII族窒化物結晶の転位低減方法。 - 請求項1に記載の転位低減方法であって、
前記単結晶基材がサファイア単結晶である、
ことを特徴とするIII族窒化物結晶の転位低減方法。 - 請求項2に記載の転位低減方法であって、
前記単結晶基材がC面サファイア単結晶である、
ことを特徴とするIII族窒化物結晶の転位低減方法。 - 請求項2に記載の転位低減方法であって、
前記III族窒化物結晶において全III族元素におけるAlの割合が80モル%以上である、
ことを特徴とするIII族窒化物結晶の転位低減方法。 - 請求項4に記載の転位低減方法であって、
前記III族窒化物結晶がAlNである、
ことを特徴とするIII族窒化物結晶の転位低減方法。 - 請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の転位低減方法であって、
前記加熱温度が1800℃以上である、
ことを特徴とするIII族窒化物結晶の転位低減方法。 - 所定の単結晶基材と、
前記単結晶基材の上にエピタキシャル形成された、III族窒化物結晶からなる上部層と、
を備えるエピタキシャル成長用基板であって、
前記単結晶基材と前記上部層との間に、前記単結晶基材と前記III族窒化物結晶との反応生成物からなる界面層、
をさらに備え、
前記界面層は、前記上部層を、1700度以上の加熱温度および前記反応生成物が前記III族窒化物結晶の表面に形成されない範囲の加熱時間で加熱処理することによって形成されてなる、
ことを特徴とするエピタキシャル成長用基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008525896A JP5205265B2 (ja) | 2006-07-19 | 2007-07-19 | Iii族窒化物結晶の転位低減方法およびエピタキシャル成長用基板 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006196528 | 2006-07-19 | ||
JP2006196528 | 2006-07-19 | ||
JP2008525896A JP5205265B2 (ja) | 2006-07-19 | 2007-07-19 | Iii族窒化物結晶の転位低減方法およびエピタキシャル成長用基板 |
PCT/JP2007/064227 WO2008010541A1 (fr) | 2006-07-19 | 2007-07-19 | Procédé de réduction de dislocation dans un cristal de nitrure de groupe iii et substrat pour croissance épitaxiale |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2008010541A1 JPWO2008010541A1 (ja) | 2009-12-17 |
JP5205265B2 true JP5205265B2 (ja) | 2013-06-05 |
Family
ID=38956873
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008525896A Active JP5205265B2 (ja) | 2006-07-19 | 2007-07-19 | Iii族窒化物結晶の転位低減方法およびエピタキシャル成長用基板 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7771849B2 (ja) |
EP (1) | EP2045835A4 (ja) |
JP (1) | JP5205265B2 (ja) |
WO (1) | WO2008010541A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102884644B (zh) * | 2010-03-01 | 2016-02-17 | 夏普株式会社 | 氮化物半导体元件的制造方法、氮化物半导体发光元件及发光装置 |
US9356192B2 (en) * | 2011-08-09 | 2016-05-31 | Soko Kagaku Co., Ltd. | Nitride semiconductor ultraviolet light-emitting element |
WO2015198492A1 (ja) * | 2014-06-25 | 2015-12-30 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハ |
US9614124B2 (en) | 2015-02-27 | 2017-04-04 | Tohoku University | Substrate having annealed aluminum nitride layer formed thereon and method for manufacturing the same |
CN105762065B (zh) * | 2016-02-06 | 2019-12-13 | 上海新傲科技股份有限公司 | 一种高晶体质量的氮化物外延生长的方法 |
CN106876250B (zh) * | 2017-03-03 | 2019-12-13 | 上海新傲科技股份有限公司 | 氮化镓薄膜材料外延生长的方法 |
JP7290952B2 (ja) * | 2019-02-06 | 2023-06-14 | 大陽日酸株式会社 | 窒化物半導体基板のアニール方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02141495A (ja) * | 1988-11-21 | 1990-05-30 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 窒化アルミニウム単結晶薄膜を有する積層単結晶基板及びその製造方法 |
JP2004137142A (ja) * | 2002-03-14 | 2004-05-13 | Rikogaku Shinkokai | 単結晶窒化アルミニウム膜およびその形成方法、iii族窒化物膜用下地基板、発光素子、並びに表面弾性波デバイス |
EP1614775A2 (en) * | 2004-06-29 | 2006-01-11 | Ngk Insulators, Ltd. | Method of improving surface flatness of group-III nitride crystal, substrate for epitaxial growth, and semiconductor device |
JP2007073975A (ja) * | 2004-06-29 | 2007-03-22 | Ngk Insulators Ltd | Iii族窒化物結晶の品質改善方法、エピタキシャル成長用基板、および半導体素子 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2545777B2 (ja) * | 1985-05-15 | 1996-10-23 | ソニー株式会社 | 絶縁物層の界面改質方法 |
US20030019423A1 (en) * | 2001-07-25 | 2003-01-30 | Motorola, Inc. | Structure and method for fabricating semiconductor structures and devices utilizing the formation of a compliant gallium nitride substrate |
US6744076B2 (en) | 2002-03-14 | 2004-06-01 | The Circle For The Promotion Of Science And Engineering | Single crystalline aluminum nitride film, method of forming the same, base substrate for group III element nitride film, light emitting device and surface acoustic wave device |
JP4481118B2 (ja) | 2003-09-12 | 2010-06-16 | 株式会社トクヤマ | 高結晶性窒化アルミニウム積層基板の製造方法 |
US7338555B2 (en) | 2003-09-12 | 2008-03-04 | Tokuyama Corporation | Highly crystalline aluminum nitride multi-layered substrate and production process thereof |
JP5274785B2 (ja) * | 2007-03-29 | 2013-08-28 | 日本碍子株式会社 | AlGaN結晶層の形成方法 |
-
2007
- 2007-07-19 EP EP07790981A patent/EP2045835A4/en not_active Withdrawn
- 2007-07-19 WO PCT/JP2007/064227 patent/WO2008010541A1/ja active Application Filing
- 2007-07-19 JP JP2008525896A patent/JP5205265B2/ja active Active
-
2009
- 2009-01-16 US US12/354,921 patent/US7771849B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02141495A (ja) * | 1988-11-21 | 1990-05-30 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 窒化アルミニウム単結晶薄膜を有する積層単結晶基板及びその製造方法 |
JP2004137142A (ja) * | 2002-03-14 | 2004-05-13 | Rikogaku Shinkokai | 単結晶窒化アルミニウム膜およびその形成方法、iii族窒化物膜用下地基板、発光素子、並びに表面弾性波デバイス |
EP1614775A2 (en) * | 2004-06-29 | 2006-01-11 | Ngk Insulators, Ltd. | Method of improving surface flatness of group-III nitride crystal, substrate for epitaxial growth, and semiconductor device |
JP2006332570A (ja) * | 2004-06-29 | 2006-12-07 | Ngk Insulators Ltd | Iii族窒化物結晶の表面平坦性改善方法、エピタキシャル成長用基板、および半導体素子 |
JP2007073975A (ja) * | 2004-06-29 | 2007-03-22 | Ngk Insulators Ltd | Iii族窒化物結晶の品質改善方法、エピタキシャル成長用基板、および半導体素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7771849B2 (en) | 2010-08-10 |
JPWO2008010541A1 (ja) | 2009-12-17 |
WO2008010541A1 (fr) | 2008-01-24 |
EP2045835A4 (en) | 2010-04-21 |
US20090136780A1 (en) | 2009-05-28 |
EP2045835A1 (en) | 2009-04-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4712450B2 (ja) | AlN結晶の表面平坦性改善方法 | |
JP5236148B2 (ja) | エピタキシャル基板、半導体素子、エピタキシャル基板の製造方法、半導体素子の製造方法、およびiii族窒化物結晶における転位偏在化方法 | |
JP4823856B2 (ja) | AlN系III族窒化物単結晶厚膜の作製方法 | |
JP5205265B2 (ja) | Iii族窒化物結晶の転位低減方法およびエピタキシャル成長用基板 | |
WO2016140074A1 (ja) | Iii族窒化物半導体結晶基板の製造方法 | |
JP5079361B2 (ja) | AlGaN結晶層の形成方法 | |
JP4943132B2 (ja) | AlN系III族窒化物エピタキシャル膜の転位低減方法 | |
JP2004502298A (ja) | オプトエレクトロニクスデバイスおよびエレクトロニクスデバイス用窒化アルミニウム、インジウム、ガリウム((Al,In,Ga)N)自立基板のエピタキシー品質(表面凹凸および欠陥密度)の改良を実現する方法 | |
US8039130B2 (en) | Method of forming group-III nitride crystal, layered structure and epitaxial substrate | |
JP2008094704A (ja) | 窒化物単結晶の育成方法、窒化物単結晶および窒化物単結晶基板 | |
TWI558862B (zh) | A1n單結晶塊之製造方法 | |
Shi et al. | Influence of buffer layer and 6H-SiC substrate polarity on the nucleation of AlN grown by the sublimation sandwich technique | |
JP5005266B2 (ja) | AlN結晶の作製方法およびAlN厚膜 | |
US7338555B2 (en) | Highly crystalline aluminum nitride multi-layered substrate and production process thereof | |
JP5085067B2 (ja) | Iii族窒化物結晶の結晶品質改善方法 | |
JP2007142003A (ja) | Iii族窒化物結晶の作製方法、エピタキシャル基板における反り低減方法、エピタキシャル基板、および半導体素子 | |
JP5254263B2 (ja) | Iii族窒化物結晶の形成方法、積層体、およびエピタキシャル基板 | |
JP2007073975A (ja) | Iii族窒化物結晶の品質改善方法、エピタキシャル成長用基板、および半導体素子 | |
JP3870259B2 (ja) | 窒化物半導体積層体及びその成長方法 | |
JP5047561B2 (ja) | 積層体からの基材層除去方法およびこれを用いてAlN系III族窒化物単結晶の自立基板を作製する方法 | |
JP2008254941A (ja) | サファイア単結晶基板及びその製造方法 | |
JP2006185962A (ja) | 半導体成長用基板および半導体膜の製造方法 | |
US20200032417A1 (en) | Nitride crystal | |
US20110215439A1 (en) | Epitaxial growth substrate, manufacturing method thereof, nitride-based compound semiconductor substrate, and nitride-based compound semiconductor self-supporting substrate |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100616 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121120 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130109 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130205 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130218 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5205265 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160222 Year of fee payment: 3 |