JP5186449B2 - パワー半導体モジュールを有する装置とその製造方法 - Google Patents
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Description
− 少なくとも1つのパワー半導体素子を有している基板を備えるステップと、
− ヒートシンクに対向しているハウジングの下面に配された、ハウジングのカットアウト部に基板を挿入するステップと、
− 少なくとも1つの保持要素を付設している、ハウジングの下面の凹部に少なくとも1つの保持要素を取り入れて、基板の動きをハウジングの下面の方向に制限するステップと、
− ハウジングの下面が配されたヒートシンクにハウジングを取り付けるステップ。
2 基板
20 パワー半導体素子
3 ヒートシンク
30 ヒートシンク3の凹部
4 ハウジング
40 ハウジング4の下面
41 基板2を保持するための、ハウジング4のカットアウト部
42 ハウジング4の凹部
43 ハウジング4のフレーム
44 固定くぼみ
45 固定穴
46 ハウジング4の上面
5 保持要素
51 保持要素5のヒートシンク3に対向している部分
52 保持要素5の凹部42に噛合している部分
53 保持要素5の固定フィンガー
54 保持要素5の突起部
6 熱伝導層
Claims (17)
- 少なくとも1つのパワー半導体素子(20)を有している基板(2)とハウジング(4)とを備えているパワー半導体モジュール(1)と、少なくとも1つのパワー半導体素子(20)からの余熱を放散させるためのヒートシンクとを有している装置であって、ハウジング(4)が、基板(2)を保持するために、ヒートシンク(3)に対向しているハウジング(4)の下面(40)に配されたカットアウト部(41)を有している装置において、
パワー半導体モジュール(1)が少なくとも1つの保持要素(5)を有し、この少なくとも1つの保持要素(5)に付設している、ハウジング(4)の下面(40)の凹部(42)に噛合している保持要素(5)がハウジング(4)の下面(40)の方向に基板(2)の動きを制限するように形成されていることを特徴とする装置。 - ハウジング(4)がヒートシンク(3)に取り付けられるときに、ハウジング(4)をヒートシンク(3)に位置決めするために、少なくとも1つの保持要素(5)がヒートシンク(3)に付設されている凹部(30)に噛合するように形成されていることを特徴とする、請求項1に記載の装置。
- 少なくとも1つの保持要素(5)に付設されている、ヒートシンク(3)の凹部(30)と、保持要素(5)の、ヒートシンク(3)に対向し且つ前記凹部(30)に噛合している部分(51)とが、互いに対応する形状を有していることを特徴とする、請求項2に記載の装置。
- 少なくとも1つの保持要素(5)の、ヒートシンク(3)に対向している部分(51)が、円柱状であることを特徴とする、請求項1〜3のうちの1項に記載の装置。
- 少なくとも1つの保持要素(5)が、基板(2)を保持するためにカットアウト部(41)に突出しており且つハウジング(4)の下面(40)の方向に基板(2)の動きを制限している突起部(54)を有していることを特徴とする、請求項1〜4のうちの1項に記載の装置。
- ハウジング(4)が、保持要素(5)が噛合している凹部(42)が配された、周りを囲んでいるハウジングフレーム(43)を有していることを特徴とする、請求項1〜5のうちの1項に記載の装置。
- ハウジング(4)の下面(40)のハウジング凹部(42)が、ハウジング(4)の下面(40)の方へ開いていて且つハウジング(4)の下面(40)からの少なくとも1つの保持要素(5)が噛合しているめくら穴の形成をしていることを特徴とする、請求項1〜6のうちの1項に記載の装置。
- 少なくとも1つの保持要素(5)が固定・センタリング・保持器として形成されていることを特徴とする、請求項1〜7のうちの1項に記載の装置。
- 少なくとも1つの保持要素(5)が、取り外し可能な接続部を用いてハウジング(4)に対して接続されていることを特徴とする、請求項1〜8のうちの1項に記載の装置。
- ハウジング凹部(42)に噛合している部分(52)に保持要素(5)がおねじを有し、且つ、ハウジング凹部(42)が前記おねじに対応しているめねじを有していることを特徴とする、請求項9に記載の装置。
- ハウジング凹部(42)に噛合している部分(52)に保持要素(5)が少なくとも1つの弾性的な固定フィンガー(53)を有し、且つ、ハウジング凹部(42)が固定フィンガー(53)に付設されている固定くぼみ(44)を有していることを特徴とする、請求項9に記載の装置。
- 少なくとも1つの保持要素(5)が粘着性をもった接続部を用い、付設されているハウジング凹部(42)に固定されていることを特徴とする、請求項1〜11のうちの1項に記載の装置。
- パワー半導体モジュール(1)が、少なくとも2つの、好ましくは少なくとも3つの保持要素(5)を備えていることを特徴とする、請求項1〜12のうちの1項に記載の装置。
- パワー半導体モジュール(1)が、基板(2)とヒートシンク(3)との間に熱伝導ペーストによって形成されている熱伝導層(6)を有していることを特徴とする、請求項1〜10のうちの1項に記載の装置。
- パワー半導体モジュール(1)を有する装置、特に請求項1〜14のうちの1項に記載の装置の製造方法であって、
少なくとも1つのパワー半導体素子(20)を有している基板(2)を備えるステップと、
ヒートシンク(3)に対向しているハウジング(4)の下面(40)に配されたハウジング(4)のカットアウト部(41)に基板(2)を挿入するステップと、
ハウジング(4)の下面(40)の方向に基板(2)の動きを制限するために、少なくとも1つの保持要素(5)に付設されている、ハウジング(4)の下面(40)の凹部(42)に、少なくとも1つの保持要素(5)を取り入れるステップと、
ハウジング(4)の下面(40)がヒートシンク(3)に配されているようにハウジング(4)をヒートシンク(3)に取り付けるステップと
を含んでいる方法。 - 少なくとも1つの保持要素(5)がヒートシンク(3)の付設されている凹部(30)に噛合するように、ヒートシンク(3)にハウジング(4)を位置決めするステップをさらに含んでいる方法を特徴とする、請求項15に記載の方法。
- 少なくとも1つの保持要素(5)がハウジング(4)の凹部(42)に取り入れられる前に、ヒートシンク(3)に対向している基板(2)の面に、熱伝導ペーストによって形成されている熱伝導層(6)を塗布するステップをさらに含んでいる方法を特徴とする、請求項15又は16のいずれか1項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102008033852.4 | 2008-07-19 | ||
DE102008033852A DE102008033852B3 (de) | 2008-07-19 | 2008-07-19 | Anordnung mit einem Leistungshalbleitermodul und Verfahren zu deren Herstellung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010028117A JP2010028117A (ja) | 2010-02-04 |
JP5186449B2 true JP5186449B2 (ja) | 2013-04-17 |
Family
ID=40936599
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009167693A Expired - Fee Related JP5186449B2 (ja) | 2008-07-19 | 2009-07-16 | パワー半導体モジュールを有する装置とその製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7965516B2 (ja) |
EP (1) | EP2146373A3 (ja) |
JP (1) | JP5186449B2 (ja) |
KR (1) | KR101595127B1 (ja) |
CN (1) | CN101630663B (ja) |
DE (1) | DE102008033852B3 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102008033852B3 (de) | 2008-07-19 | 2009-09-10 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Anordnung mit einem Leistungshalbleitermodul und Verfahren zu deren Herstellung |
JP5623463B2 (ja) | 2012-06-25 | 2014-11-12 | 三菱電機株式会社 | 半導体モジュール |
US9258878B2 (en) * | 2013-02-13 | 2016-02-09 | Gerald Ho Kim | Isolation of thermal ground for multiple heat-generating devices on a substrate |
US10276957B2 (en) * | 2013-08-27 | 2019-04-30 | Continental Automotive Systems, Inc. | Grounding method for baseplate sealed enclosures |
US20230027138A1 (en) * | 2021-07-22 | 2023-01-26 | Semiconductor Components Industries, Llc | Power module |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3505086A1 (de) * | 1985-02-14 | 1986-08-28 | Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim | Leistungshalbleitermodul mit einem kunststoffgehaeuse |
DE3604882A1 (de) * | 1986-02-15 | 1987-08-20 | Bbc Brown Boveri & Cie | Leistungshalbleitermodul und verfahren zur herstellung des moduls |
JP3225457B2 (ja) * | 1995-02-28 | 2001-11-05 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
DE19530264A1 (de) * | 1995-08-17 | 1997-02-20 | Abb Management Ag | Leistungshalbleitermodul |
DE19533298A1 (de) * | 1995-09-08 | 1997-03-13 | Siemens Ag | Elektronisches Modul mit Leistungsbauelementen |
JPH1093016A (ja) * | 1996-09-19 | 1998-04-10 | Hitachi Ltd | パワー半導体装置 |
JPH1187610A (ja) * | 1997-09-05 | 1999-03-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
US6104614A (en) * | 1998-04-09 | 2000-08-15 | Hon Hai Precision Ind. Co., Ltd. | Fastening device for tight attachment between two plates |
JP2002184921A (ja) * | 2000-12-18 | 2002-06-28 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体装置とヒートシンクの結合構造 |
DE10064194B4 (de) * | 2000-12-22 | 2006-12-07 | Infineon Technologies Ag | Leistungshalbleiter-Modul und Kühlkörper zur Aufnahme des Leistungshalbleiter-Moduls |
DE10117797C2 (de) * | 2001-04-10 | 2003-04-17 | Bosch Gmbh Robert | Montagevorrichtung und Verfahren zum Aufbau eines elektronischen Bauteils |
DE10149886A1 (de) * | 2001-10-10 | 2003-04-30 | Eupec Gmbh & Co Kg | Leistunghalbleitermodul |
DE10326176A1 (de) * | 2003-06-10 | 2005-01-05 | eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH | Leistungshalbleitermodul |
US7477518B2 (en) * | 2004-09-06 | 2009-01-13 | Infineon Technologies Ag | Sub-assembly |
ATE535018T1 (de) * | 2004-12-17 | 2011-12-15 | Siemens Ag | Halbleiterschaltmodul |
JP4232770B2 (ja) * | 2005-09-22 | 2009-03-04 | 株式会社デンソー | 電子制御装置 |
DE102006008807B4 (de) * | 2006-02-25 | 2010-10-14 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Anordnung mit einem Leistungshalbleitermodul und einem Kühlbauteil |
DE102008033852B3 (de) | 2008-07-19 | 2009-09-10 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Anordnung mit einem Leistungshalbleitermodul und Verfahren zu deren Herstellung |
-
2008
- 2008-07-19 DE DE102008033852A patent/DE102008033852B3/de active Active
-
2009
- 2009-07-03 EP EP09008704A patent/EP2146373A3/de not_active Withdrawn
- 2009-07-16 JP JP2009167693A patent/JP5186449B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-07-16 KR KR1020090064891A patent/KR101595127B1/ko active IP Right Grant
- 2009-07-17 CN CN2009101399658A patent/CN101630663B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-07-20 US US12/505,950 patent/US7965516B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20100009621A (ko) | 2010-01-28 |
JP2010028117A (ja) | 2010-02-04 |
DE102008033852B3 (de) | 2009-09-10 |
US20100039774A1 (en) | 2010-02-18 |
KR101595127B1 (ko) | 2016-02-26 |
US7965516B2 (en) | 2011-06-21 |
EP2146373A2 (de) | 2010-01-20 |
EP2146373A3 (de) | 2011-05-04 |
CN101630663B (zh) | 2013-08-14 |
CN101630663A (zh) | 2010-01-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120413 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121225 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130115 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5186449 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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