JP5175155B2 - 液晶表示装置及び電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、液晶表示装置及び電子機器に関するものである。

近年、液晶層の液晶分子を駆動するための一対の電極として、同一基板上に画素電極と
共通電極とを形成し、これら画素電極と共通電極との間に電圧を印加し、基板に略平行な
電界を発生させ、液晶分子を基板面に平行な面内で駆動するＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉ
ｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式の液晶表示装置の開発が盛んに行われている。例えば
、特許文献１に記載のように、ＦＦＳ方式の液晶表示装置の構造は、同一基板上に画素電
極と共通電極とを備えている。このＦＦＳ方式は、従来のＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍ
ａｔｉｃ）方式に比べて、広い視野角を得られるメリットがある。

一般に、液晶表示装置の実装端子部はＴＦＴアレイ基板に設けられている。ＦＦＳ方式
の液晶表示装置の場合、実装端子部を構成する下地導電パターンはソース電極やドレイン
電極と同一の層からなっており、この下地導電パターンの上に平坦化膜が形成されている
。また、平坦化膜を下地導電パターンの表面に達するまで開口させた開口部が形成されて
おり、この開口部の内面に沿うように、ＦＦＳ絶縁膜が形成されている。また、ＦＦＳ絶
縁膜を下地導電パターンの表面に達するまで開口させた開口部が形成されており、この開
口部を介して、画素電極や共通電極と同一の層からなる導電パターンが、下地導電パター
ンと電気的に接続するように設けられている。
特開２００８−１１６４８４号公報

しかしながら、表示領域に比べて大きい下地導電パターンを有する実装端子部では、Ｔ
ＦＴアレイ基板の形成及び形成後の所定の熱処理工程において、平坦化膜やＦＦＳ絶縁膜
の剥がれが発生する場合がある。この問題は実装端子部に限った問題ではなく、表示領域
に比べて大きい下地導電パターンを有する周辺回路部でも生じる場合がある。

その結果、表示領域の周辺に設けられた端子部や配線部の保護が不十分になったり絶縁
性の確保が不十分になり、下地導電パターンの腐食が発生して信頼性が低下する等の問題
が生じる惧れがある。

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、ＦＦＳ方式の液晶表示装置に
おいて平坦化膜やＦＦＳ絶縁膜の剥がれを防止することができ、信頼性に優れた高品質な
液晶表示装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するための本発明の一側面によれば、液晶層を挟持する一対の基板を有し、該一対の基板のうち一方の基板に設けられた第１電極と第２電極の間に生じる電界によって液晶層を構成する液晶分子を駆動させる液晶表示装置において、画素をマトリクス状に複数配置した表示領域と、該表示領域の外に位置する非表示領域と、を有し、一方の基板には、画素毎に設けられたスイッチング素子と、該スイッチング素子に電気的に接続された配線部と、スイッチング素子及び配線部を覆う平坦化膜と、該平坦化膜上に形成された第１電極と、該第１電極を少なくとも覆う絶縁膜と、該絶縁膜上に設けられた第２電極と、が設けられ、非表示領域における一方の基板には、下地導電パターンと、平坦化膜を下地導電パターンの表面に達するまで開口させた開口部と、第１電極と同一の層からなり、開口部の内面の少なくとも一部を覆う第１導電パターンと、該第１導電パターンの少なくとも一部を覆う絶縁膜と、第２電極と同一の層からなり、下地導電パターンの上面において第１導電パターンを少なくとも覆う第２導電パターンと、を備えたコンタクト部が設けられ、該コンタクト部において、第１導電パターンが、下地導電パターン上の平坦化膜の縁部を覆うように形成されるとともに、絶縁膜の縁部が、下層側の第１導電パターンと上層側の第２導電パターンとで挟持されており、第１導電パターンが、下地導電パターンの上面に開口部を有している液晶表示装置が提供される。

また、上記課題を解決するための本発明の他の一側面によれば、液晶層を挟持する一対の基板を有し、該一対の基板のうち一方の基板に設けられた第１電極と第２電極の間に生じる電界によって液晶層を構成する液晶分子を駆動させる液晶表示装置において、画素をマトリクス状に複数配置した表示領域と、該表示領域の外に位置する非表示領域と、を有し、一方の基板には、画素毎に設けられたスイッチング素子と、該スイッチング素子に電気的に接続された配線部と、スイッチング素子及び配線部を覆う平坦化膜と、該平坦化膜上に形成された第１電極と、該第１電極を少なくとも覆う絶縁膜と、該絶縁膜上に設けられた第２電極と、が設けられ、非表示領域における一方の基板には、下地導電パターンと、平坦化膜を下地導電パターンの表面に達するまで開口させた開口部と、第１電極と同一の層からなり、開口部の内面の少なくとも一部を覆う第１導電パターンと、該第１導電パターンの少なくとも一部を覆う絶縁膜と、第２電極と同一の層からなり、下地導電パターンの上面において第１導電パターンを少なくとも覆う第２導電パターンと、を備えたコンタクト部が設けられ、該コンタクト部において、第１導電パターンが、下地導電パターン上の平坦化膜の縁部を覆うように形成されるとともに、絶縁膜の縁部が、下層側の第１導電パターンと上層側の第２導電パターンとで挟持されており、コンタクト部における絶縁膜の縁部が平坦化膜の上面に位置しており、開口部の内面において第１導電パターンと第２導電パターンとが直接接している液晶表示装置が提供される。

また、上記課題を解決するための本発明の他の一側面によれば、液晶層を挟持する一対の基板を有し、該一対の基板のうち一方の基板に設けられた第１電極と第２電極の間に生じる電界によって液晶層を構成する液晶分子を駆動させる液晶表示装置において、画素をマトリクス状に複数配置した表示領域と、該表示領域の外に位置する非表示領域と、を有し、一方の基板には、画素毎に設けられたスイッチング素子と、該スイッチング素子に電気的に接続された配線部と、スイッチング素子及び配線部を覆う平坦化膜と、該平坦化膜上に形成された第１電極と、該第１電極を少なくとも覆う絶縁膜と、該絶縁膜上に設けられた第２電極と、が設けられ、非表示領域における一方の基板には、下地導電パターンと、平坦化膜を下地導電パターンの表面に達するまで開口させた開口部と、第１電極と同一の層からなり、開口部の内面の少なくとも一部を覆う第１導電パターンと、該第１導電パターンの少なくとも一部を覆う絶縁膜と、第２電極と同一の層からなり、下地導電パターンの上面において第１導電パターンを少なくとも覆う第２導電パターンと、を備えたコンタクト部が設けられ、該コンタクト部において、第１導電パターンが、下地導電パターン上の平坦化膜の縁部を覆うように形成されるとともに、絶縁膜の縁部が、下層側の第１導電パターンと上層側の第２導電パターンとで挟持されており、コンタクト部が一方の基板におけるシール材の外側に位置しており、第１導電パターンがコンタクト部からシール材に至る位置まで延在している液晶表示装置が提供される。

また、上記課題を解決するための本発明の他の一側面によれば、上記の液晶表示装置を備えている電子機器が提供される。

かかる構成によれば、下地導電パターンの上面に位置する平坦化膜の縁部、言い換えると、下地導電パターンと平坦化膜とが接する境界部分が、第１導電パターンによってカバーされ、かつ、絶縁膜の縁部が、第１導電パターンと第２導電パターンとで上下から挟み込まれているため、下地導電パターンからの平坦化膜の剥離、及び絶縁膜の剥離が防止できる。すなわち、平坦化膜の剥がれの起点となる平坦化膜の縁部が第１導電パターンによって保護され、かつ、絶縁膜の剥がれの起点となる絶縁膜の縁部が第２導電パターンによって保護されるので、所定の熱処理工程を経ても、平坦化膜の剥離、及び絶縁膜の剥離が生じることがない。また、第１導電パターンが絶縁膜の下地として配置されることにより、熱処理時の絶縁膜の膜応力が緩和されるとともに絶縁膜の密着性が改善されるので、絶縁膜は剥がれ難くなる。したがって、平坦化膜及び絶縁膜の剥離を防止することができ、端子部や配線部の信頼性が確保できる高品質な液晶表示装置及びこれを備えた電子機器が提供できる。

以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。かかる実施の形態は、
本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思
想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の図面においては、各構成をわかりやす
くするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等が異なっている。

（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置の概略構成を示した平面図である。
なお、液晶表示装置の各構成部材における液晶層側を内側と呼び、その反対側を外側と呼
ぶことにする。

図１に示すように、本実施形態の液晶表示装置１００は、ＴＦＴアレイ基板（一方の基
板）１０と対向基板２０とがシール材５２によって貼り合わされている。このシール材５
２によって区画された領域内に液晶層５０が封入されている。シール材５２の一部には液
晶を注入する注入口５４が設けられている。注入口５４は封止材５５により封止されてい
る。シール材５２の形成領域の内側の領域には、遮光性材料からなる遮光膜（周辺見切り
）５３が形成されている。遮光膜５３の内側の領域は、画像や動画等を表示する表示領域
９になっている。表示領域９には、複数の画素Ｇがマトリクス状に設けられている。なお
、表示領域９の外側の領域は、非表示領域８になっている。

ＴＦＴアレイ基板１０の周縁部は、対向基板２０から張り出した張出領域となっている
。この張出領域のうち図中下辺側には、データ線駆動回路２０１と、図示略のフレキシブ
ル基板に形成された電源回路に接続するための端子部（外部接続端子）２０２がＴＦＴア
レイ基板１０の一辺に沿って形成されている。この一辺に隣接する二辺に沿って走査線駆
動回路１０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺（図中上辺側）には、
表示領域９の両側に設けられた走査線駆動回路１０４の間を接続するための複数の引き回
し配線（配線部）１０５が設けられている。

図２は、本実施形態の液晶表示装置１００の各画素Ｇを拡大して示した平面図である。
液晶表示装置１００の表示領域９内には、複数の画素Ｇがマトリクス状に配置されている
。図２に示すように、走査線（配線部）１が水平方向（図示横方向）に延在するとともに
、データ線（配線部）３が縦方向（図示縦方向）に延在し、これら走査線１とデータ線３
とに四方を囲まれた領域が１つの画素領域を構成している。

画素Ｇの周囲の領域、具体的には、走査線１、データ線３及び後述するＴＦＴ（Ｔｈｉ
ｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）（スイッチング素子）１３に平面視で重なる領域
には、ブラックマトリクス４３が形成されている。このブラックマトリクス４３に覆われ
た領域が遮光領域となっている。

データ線３と走査線１の交差点の近傍には、半導体層４が略Ｕ字状に形成されている。
半導体層４の両端にはコンタクトホール５，６が形成されている。一方のコンタクトホー
ル５はデータ線３と半導体層４のソース領域４ｓ（図３参照）とを電気的に接続するソー
スコンタクトホールであり、他方のコンタクトホール６は半導体層４のドレイン領域４ｄ
（図３参照）とドレイン電極７（図３参照）とを電気的に接続するドレインコンタクトホ
ールである。ドレイン電極７上のドレインコンタクトホール６が設けられた側と反対側に
は、ドレイン電極７と後述する画素電極１７とを電気的に接続するための画素コンタクト
ホール１２が形成されている。すなわち、上記ドレイン電極７及び画素コンタクトホール
１２は、画素Ｇ毎に設けられている。

本実施形態におけるＴＦＴ１３は、略Ｕ字状の半導体層４が走査線１と交差しており、
半導体層４と走査線１とが２箇所で交差しているため、１つの半導体層上に２つのゲート
を有するＴＦＴ、いわゆるデュアルゲート型ＴＦＴを構成している。

共通電極（第１電極）１１は、下部電極を構成し、例えばＩＴＯにより形成され、複数
の画素Ｇがマトリクス状に配置された表示領域９全体に亘って形成されている。また、画
素電極（第２電極）１７もＩＴＯ等の透明電極により形成され、１つの画素Ｇに対応して
フリンジ状のスリット１７ａを有した透明電極がパターニングされている。また、画素電
極１７は、上部電極を構成し、共通電極１１との重なり部分においてスリット１７ａを有
しており、隣接するスリット１７ａとスリット１７ａとの間が帯状の電極部１７ｂを構成
する。そして、スリット１７ａを介して共通電極１１と画素電極１７との間で印加される
電界によって液晶分子を駆動可能としている。

図３は、図２のＡ−Ａ線に沿う液晶表示装置１００の断面図である。液晶表示装置１０
０は、ガラス等の透明基板２１からなるＴＦＴアレイ基板１０（図示下側基板）と、ガラ
ス等の透明基板２２からなる対向基板２０（図示上側基板）とを有し、これら基板間に液
晶層５０を挟持している。

ＴＦＴアレイ基板１０を構成する透明基板２１上に半導体層４が設けられ、この半導体
層４を覆うようにゲート絶縁膜２３が形成されている。半導体層４は各画素電極１７をス
イッチング制御するＴＦＴ１３を構成し、ＴＦＴ１３は、走査線１で構成されるゲート電
極と、当該ゲート電極からの電界によりチャネルが形成される半導体層４と、ゲート電極
と半導体層４とを絶縁するゲート絶縁膜２３と、データ線３の一部により構成されるソー
ス電極と、ドレイン電極７と、を備えている。

また、ＴＦＴアレイ基板１０上には、半導体層４におけるソース領域４ｓへ通じるソー
スコンタクトホール５、ドレイン領域４ｄへ通じるドレインコンタクトホール６が各々形
成された層間絶縁膜２４が形成されている。つまり、データ線３（ソース電極）は層間絶
縁膜２４を貫通するソースコンタクトホール５を介して半導体層４のソース領域４ｓに電
気的に接続されており、ドレイン電極７は、層間絶縁膜２４を貫通するドレインコンタク
トホール６を介して半導体層４のドレイン領域４ｄに電気的に接続されている。ドレイン
電極７は、データ線３と同一材料、例えばアルミニウム（Ａｌ）等の金属材料からなり、
層間絶縁膜２４上に形成されている。更に、ドレイン電極７へ通じる画素コンタクトホー
ル１２が形成された平坦化膜２５が順次形成されている。平坦化膜２５は、例えばアクリ
ル等の有機系のものや、また無機系のものからなる絶縁性透明樹脂から構成されている。

平坦化膜２５上には、ＩＴＯ等の透明導電膜からなる共通電極１１が形成されている。
また、共通電極１１上にはＦＦＳ絶縁膜（絶縁膜）２７が設けられている。そして、ＦＦ
Ｓ絶縁膜２７上に、画素電極１７がフリンジ状のスリット１７ａを有して形成されている
。以上の構成により、画素電極１７は、画素コンタクトホール１２を介し、ドレイン電極
７を中継層として半導体層４のドレイン領域４ｄと電気的に接続されることになる。ＴＦ
Ｔアレイ基板１０の最上層で液晶層５０に接する面には、配向膜２８が設けられている。
なお、ＦＦＳ絶縁膜２７は、例えば低温ＳｉＮ等の透明絶縁材料から構成されている。

一方、対向基板２０は、透明基板２２上にカラーフィルタを構成する赤（Ｒ）、緑（Ｇ
）、青（Ｂ）のいずれかの色材層３１が画素Ｇ（図２参照）毎に形成されている。各色材
層３１の周囲には、画素Ｇ周辺の光漏れを防止するために、ブラックマトリクス４３が形
成されている。なお、このブラックマトリクス４３により覆われた領域が遮光領域を構成
している。また、色材層３１を保護するとともに色材層３１による段差を平坦化するため
のオーバーコート層３２が形成され、オーバーコート層３２上にＴＦＴアレイ基板１０側
と同様の配向膜３３が形成されラビング処理が施されている。ＴＦＴアレイ基板１０の外
面側には、偏光板６１が配置されている。また、対向基板２０の外面側には、偏光板６２
が配置されている。

このように、同一基板である透明基板２１上に、ＦＦＳ絶縁膜２７を介して下部電極で
ある共通電極１１と上部電極である画素電極１７を形成し、上部電極である画素電極１７
にスリット１７ａを形成して、下部電極である共通電極１１との間に電圧を印加し、基板
面に対し主に平行な横電界を発生させて配向膜２８を介して液晶分子を駆動することがで
きる。

ところで、一般的な液晶表示装置は、ＴＦＴアレイ基板の形成及び形成後の所定の熱処
理工程において、表示領域に比べて大きい下地導電パターンを有する端子部で平坦化膜や
ＦＦＳ絶縁膜の剥がれが発生する場合がある。この問題は端子部に限った問題ではなく、
表示領域に比べて大きい下地導電パターンを有する配線部でも生じる場合がる。

次に、従来のＦＦＳ方式の液晶表示装置の端子部を一例に挙げて説明する。図９は、従
来のＦＦＳ方式の液晶表示装置１１００の端子部１２０２の構造を示す模式図である。端
子部１２０２は、ＴＦＴアレイ基板１０１０に設けられ、透光性基板１０２１と、ゲート
絶縁膜１０２３と、層間絶縁膜１０２４と、下地導電パターン１０７０と、平坦化膜１０
２５と、ＦＦＳ絶縁膜１０２７と、導電パターン１０７２とを含んで構成される。ＦＦＳ
絶縁膜１０２７は、平坦化膜１０２５を下地導電パターン１０７０の表面に達するまで開
口させたコンタクトホール１０２５ａに沿うように設けられている。導電パターン１０７
２は、ＦＦＳ絶縁膜１０２７を下地導電パターン１０７０の表面に達するまで開口させた
コンタクトホール１０２７ａを介して、下地導電パターン１０７０と電気的に接続するよ
うに設けられている。

本願発明者は、ＴＦＴアレイ基板１０１０の形成に係る所定の熱処理工程において、表
示領域に比べて大きい下地導電パターン１０７０を有する端子部１２０２で、平坦化膜１
０２５やＦＦＳ絶縁膜１０２７が剥がれる不良の発生原因を調べた結果、下地導電パター
ン１０７０の熱容量が大きいことにより、所定の熱処理毎に平坦化膜１０２５及びＦＦＳ
絶縁膜１０２７に対する熱履歴が増大して、平坦化膜１０２５及びＦＦＳ絶縁膜１０２７
の膜応力が増大することに起因していることを見出した。また、本願発明者は、他の原因
としては、平坦化膜１０２５の下地導電パターン１０７０に対する密着性や平坦化膜１０
２５とＦＦＳ絶縁膜１０２７との密着性が考えられ、これらが組み合わさって平坦化膜１
０２５やＦＦＳ絶縁膜１０２７の剥がれが発生すると推測している。

その結果、表示領域の周辺に設けられた端子部１２０２の保護が不十分になったり絶縁
性の確保が不十分になり、下地導電パターン１０７０の腐食が発生して信頼性が低下する
等の問題が生じる可能性が高い。

このような問題を解消すべく、本実施形態に係る液晶表示装置１００においては、図４
に示すように、非表示領域８における平坦化膜２５の膜の剥がれの起点となる下地導電パ
ターン７０の上面に位置する平坦化膜の縁部２５ｂが、第１導電パターン７１によってカ
バーされ、かつ、ＦＦＳ絶縁膜２７の剥がれの起点となるＦＦＳ絶縁膜２７の縁部２７ｂ
が、第１導電パターン７１と第２導電パターン７２とで上下から挟み込まれ、コンタクト
部２００を構成している。

図４（ａ）は、本実施形態の液晶表示装置１００の非表示領域８に設けられたコンタク
ト部２００（端子部２０２）を拡大して示した平面図である。端子部２０２は、ＴＦＴア
レイ基板１０の一辺に沿って複数設けられている。本図は、複数の端子部２０２のうちの
一つを拡大して示している。端子部２０２は、図示上下方向に延在する下地導電パターン
７０（図示２点鎖線部）を有して構成されている。

また、端子部２０２には、下地導電パターン７０に重なるように平面視矩形状の第１導
電パターン７１（図示点線部）が設けられている。第１導電パターン７１は、下地導電パ
ターン７０の領域よりも大きく形成されている。また、端子部２０２の中央部には、第１
導電パターン７１を下地導電パターン７０の表面に達するまで開口させた平面視矩形状の
第３コンタクトホール（開口部）７１ａが設けられている。

また、端子部２０２には、ＦＦＳ絶縁膜２７を第１導電パターン７１の表面に達するま
で開口させた平面視矩形状の第２コンタクトホール２７ａ（図示１点鎖線部）が設けられ
ている。第２コンタクトホール２７ａは、第３コンタクトホール７１ａよりも大きく形成
されている。

また、端子部２０２には、平坦化膜２５を下地導電パターン７０の表面に達するまで開
口させた平面視矩形状の第１コンタクトホール２５ａ（図示破線部）が設けられている。
第１コンタクトホール２５ａは、第２コンタクトホール２７ａよりも大きく形成されてい
る。

また、端子部２０２には、下地導電パターン７０に重なるように平面視矩形状の第２導
電パターン７２が設けられている。第２導電パターン７２の幅（図示左右方向の長さ）は
、第１導電パターン７１の幅と同じ長さになっている。第２導電パターン７２の周囲には
、ＦＦＳ絶縁膜２７が形成されている。

図４（ｂ）は、図４（ａ）のＢ−Ｂ線に沿う端子部２０２の断面図である。ＴＦＴアレ
イ基板１０を構成する透明基板２１上には、ゲート絶縁膜２３が形成されている。ゲート
絶縁膜２３の上には、層間絶縁膜２４が形成されている。層間絶縁膜２４の上には、下地
導電パターン７０が形成されている。この下地導電パターン７０の形成材料は、上述した
ドレイン電極７、ソース電極、またはゲート電極と同一材料を用いることができる。すな
わち、下地導電パターン７０は、上述したドレイン電極７、ソース電極、またはゲート電
極と同一工程で形成することができる。

また、層間絶縁膜２４上には、平坦化膜２５が形成され、この平坦化膜２５に下地導電
パターン７０へ通じる第１コンタクトホール（開口部）２５ａが設けられている。この第
１コンタクトホール２５ａの底面の一部を除いて、第１コンタクトホール２５ａに面する
平坦化膜２５の縁部２５ｂを覆うように、第１導電パターン７１が形成されている。第１
導電パターン７１は、上述した下部電極としての共通電極１１、具体的にはＦＦＳ絶縁膜
２７の下に形成される電極と同一材料、例えばＩＴＯからなり、第３コンタクトホール７
１ａを有している。すなわち、第１導電パターン７１は、ＦＦＳ絶縁膜２７の下に形成さ
れる電極と同一工程で形成することができる。

第１導電パターン７１上には、平坦化膜２５を覆うようにＦＦＳ絶縁膜２７が形成され
ている。ＦＦＳ絶縁膜２７は、第１導電パターン７１を介して、下地導電パターン７０と
平坦化膜２５の縁部２５ｂとを跨ぐように形成された屈曲部２７ｃを有している。すなわ
ち、屈曲部２７ｃは、第１導電パターン７１に直に接するように形成されている。

ＦＦＳ絶縁膜２７上には、下地導電パターン７０と接するように、第２導電パターン７
２が形成されている。つまり、第３コンタクトホール７１ａは、下地導電パターン７０と
第２導電パターン７２とを電気的に接続するコンタクトホールである。第２導電パターン
７２は、第２コンタクトホール２７ａに面するＦＦＳ絶縁膜２７の縁部２７ｂを覆うよう
に形成されている。また、第２導電パターン７２は、上部電極としての画素電極１７、具
体的にはＦＦＳ絶縁膜２７の上に形成される電極と同一材料からなり、凹部を有している
。すなわち、第２導電パターン７２は、ＦＦＳ絶縁膜２７の上に形成される電極と同一工
程で形成することができる。

本実施形態の液晶表示装置１００によれば、下地導電パターン７０の上面に位置する平
坦化膜２５の縁部２５ｂ、言い換えると、下地導電パターン７０と平坦化膜２５とが接す
る境界部分が、第１導電パターン７１によってカバーされ、かつ、ＦＦＳ絶縁膜２７の縁
部２７ｂが、第１導電パターン７１と第２導電パターン７２とで上下から挟み込まれてい
るため、下地導電パターン７０からの平坦化膜２５の剥離、及びＦＦＳ絶縁膜２７の剥離
が防止できる。すなわち、平坦化膜２５の剥がれの起点となる平坦化膜２５の縁部２５ｂ
が第１導電パターン７１によって保護され、かつ、ＦＦＳ絶縁膜２７の剥がれの起点とな
るＦＦＳ絶縁膜２７の縁部２７ｂが第２導電パターン７２によって保護されるので、所定
の熱処理工程を経ても、平坦化膜２５の剥離、及びＦＦＳ絶縁膜２７の剥離が生じること
がない。また、第１導電パターン７１がＦＦＳ絶縁膜２７の下地として配置されることに
より、熱処理時のＦＦＳ絶縁膜２７の膜応力が緩和されるとともにＦＦＳ絶縁膜２７の密
着性が改善されるので、ＦＦＳ絶縁膜２７は剥がれ難くなる。したがって、平坦化膜２５
及びＦＦＳ絶縁膜２７の剥離を防止することができ、端子部２０２や配線部１０５の信頼
性が確保できる高品質な液晶表示装置１００が提供できる。

また、この構成によれば、開口部７１ａの部分では、第２導電パターン７２が下地導電
パターン７０と直に接して電気的に接続されるので、第２導電パターン７２が、第２導電
パターン７２と下地導電パターン７０との間に第１導電パターン７１を介して電気的に接
続される場合に比べて、コンタクト抵抗を下げることが可能となり、低抵抗化を図ること
ができる。したがって、信号の遅延等の問題が解消され、表示品質が向上できる。

また、この構成によれば、コンタクト部２００が複数の端子部２０２の各々に設けられ
ており、平坦化膜２５やＦＦＳ絶縁膜２７の剥がれを防止することができる構造を有して
いるので、端子部２０２の信頼性が向上する。

（第２実施形態）
図５は、本発明の液晶表示装置１００の第２実施形態に係るコンタクト部２００Ａの概
略構成を示す模式図である。図５（ａ）は、図４（ａ）に対応した、液晶表示装置１００
の第２実施形態の端子部２０２Ａ（コンタクト部２００Ａ）の平面構成を示す図となって
いる。図４（ａ）と同様の要素には同一の記号を付し、詳細な説明を省略する。

本実施形態の端子部２０２Ａの中央部には、ＦＦＳ絶縁膜２７を第１導電パターン７１
の表面に達するまで開口させた平面視矩形状の第２コンタクトホール２７ａが最も内側に
設けられている。すなわち、端子部２０２Ａの中央部には、上述した第３コンタクトホー
ル７１ａ（図４参照）が設けられていない。第３コンタクトホール７１ａが設けられてい
ないことを除いた構成は、第１実施形態の構成と同じである。

図５（ｂ）は、図５（ａ）のＣ−Ｃ線に沿う端子部２０２Ａの断面図である。本図は、
図４（ｂ）に対応した、液晶表示装置１００の第２実施形態の端子部２０２Ａの断面構成
を示す図となっている。図４（ｂ）と同様の要素には同一の記号を付し、詳細な説明を省
略する。

第１導電パターン７１は、下地導電パターン７０の上面において、途中で途切れること
なく連接して形成されている。すなわち、第１導電パターン７１は、第３コンタクトホー
ル７１ａを有していない。

ＦＦＳ絶縁膜２７上には、第１導電パターン７１と接するように、第２導電パターン７
２が形成されている。つまり、第２コンタクトホール２７ａは、第１導電パターン７１と
第２導電パターン７２とを電気的に接続するコンタクトホールである。

本実施形態によれば、第１導電パターン７１と下地導電パターン７０との導通部の合わ
せ精度を緩和できる効果がある。具体的には、前述の第１実施形態で示したように、第１
導電パターン７１が下地導電パターン７０の上面に開口部７１ａを有している場合、第１
導電パターン７１をパターニングする際のマスクのアライメントずれが大きいと、平坦化
膜２５の剥離の起点となる平坦化膜２５の端部２５ｂがむき出しになり、平坦化膜２５の
剥離が防止できない惧れがある。これに対して、本実施形態では、第１導電パターン７１
が下地導電パターン７０の上面にベタ状に形成されているので、ずれが生じても剥離の起
点がむき出しになることがない。そのため、第１導電パターン７１をパターニングする際
のマスクのアライメントずれに注意する必要がないとともに、コンタクト領域が小さい場
合においても好適に導通させることができる。また、下地導電パターン７０が希フッ酸処
理等の洗浄処理に弱く水洗処理のみしかできない場合でも、上層の第１導電パターン７１
に全面を覆われるので、表面の酸化や荒れを懸念する必要がない。

（第３実施形態）
図６は、本発明の液晶表示装置１００の第３実施形態に係るコンタクト部２００Ｂの概
略構成を示す模式図である。図６（ａ）は、図５（ａ）に対応した、液晶表示装置１００
の第３実施形態の端子部２０２Ｂ（コンタクト部２００Ｂ）の平面構成を示す図となって
いる。図５（ａ）と同様の要素には同一の記号を付し、詳細な説明を省略する。

本実施形態の端子部２０２Ｂの中央部には、平坦化膜２５を下地導電パターン７０の表
面に達するまで開口させた平面視矩形状の第１コンタクトホール２５ａが最も内側に設け
られている。また、端子部２０２には、ＦＦＳ絶縁膜２７を第１導電パターン７１の表面
に達するまで開口させた平面視矩形状の第２コンタクトホール２７ａ（図示１破線部）が
設けられている。第２コンタクトホール２７ａの幅は、下地導電パターン７０の幅よりも
大きく形成されている。すなわち、第２コンタクトホール２７ａは、下地導電パターン７
０と第２導電パターン７２の間の領域にその周辺部（ＦＦＳ絶縁膜２７の縁部２７ｂ）が
位置するように形成されている。第２コンタクトホール２７ａが、下地導電パターン７０
と第２導電パターン７２の間の領域にその周辺部が位置するように形成され、図４で示し
た屈曲部２７ｃを有していないことを除いた構成は、第２実施形態の構成と同じである。

図６（ｂ）は、図６（ａ）のＤ−Ｄ線に沿う端子部２０２Ｂの断面図である。本図は、
図５（ｂ）に対応した、液晶表示装置１００の第３実施形態の端子部２０２Ｂの断面構成
を示す図となっている。図５（ｂ）と同様の要素には同一の記号を付し、詳細な説明を省
略する。

ＦＦＳ絶縁膜２７は、平坦化膜２５上に、第１導電パターン７１の端部を覆うように形
成されている。このＦＦＳ絶縁膜２７の第１導電パターン７１の端部を覆う部分が、ＦＦ
Ｓ絶縁膜２７の縁部２７ｂとなっている。すなわち、ＦＦＳ絶縁膜２７は、上述した屈曲
部２７ｃ（図４参照）を有していない。

第２導電パターン７２は、平坦化膜２５上で、ＦＦＳ絶縁膜２７の縁部２７ｂを覆うよ
うに形成されている。また、第２導電パターン７２は、平坦化膜２５上で、第１導電パタ
ーン７１と電気的に接続するように設けられている。

本実施形態によれば、ＦＦＳ絶縁膜２７の剥がれの起点となるＦＦＳ絶縁膜２７の縁部
２７ｂが、平坦化膜２５の比較的平らな部分で、下地となる第１導電パターン７１と上層
の第２導電パターン７２との間に挟まれて保護されるので、所定の熱処理工程を経ても、
ＦＦＳ絶縁膜２７の剥がれが生じることがない。また、ＦＦＳ絶縁膜２７の剥がれの起点
となるところは、ＦＦＳ絶縁膜２７の縁部２７ｂのみであり、ＦＦＳ絶縁膜２７が下地導
電パターン７０と平坦化膜２５の縁部２５ｂとを跨ぐ場合のように屈曲部２７ｃを有して
ないので、ＦＦＳ絶縁膜２７の剥がれの起点となる段差部に相当する部分が無く、ＦＦＳ
絶縁膜２７の剥離を格段に防止することができる。

（第４実施形態）
図７は、本発明の液晶表示装置１００の第４実施形態に係るコンタクト部２００Ｃの概
略構成を示す模式図である。上記第１〜３実施形態では、端子部２０２,２０２Ａ,２０２
Ｂの例を示したが、本実施形態では、配線部１０５Ａの例を示している。本図は、図６（
ｂ）に対応した、液晶表示装置１００の引き回し配線１０５Ａの断面構成を示す図となっ
ている。図６（ｂ）と同様の要素には同一の記号を付し、詳細な説明を省略する。

平坦化膜２５上には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０（図１参照）とを固定する
ためのシール材５２が設けられている。また、平坦化膜２５上には、第１導電パターン７
１がシール材５２が設けられた領域に一部重なるように延在して形成されている。ＦＦＳ
絶縁膜２７は、第１導電パターン７１の延在した端部を覆うように形成されている。すな
わち、シール材５２は、平坦化膜２５上において第１導電パターン７１の延在した端部、
及びこの延在した端部の上に設けられたＦＦＳ絶縁膜２７を覆うように形成されている。
シール材５２が、平坦化膜２５上において第１導電パターン７１の延在した端部、及びこ
の延在した端部の上に設けられたＦＦＳ絶縁膜２７を覆うように形成されていることを除
いた構成は、第３実施形態の構成と同じである。

本実施形態によれば、コンタクト部２００Ｃのみならず、例えばコンタクト部２００Ｃ
に続く配線部１０５Ａのシール材５２の外側に露出する部分についても、平坦化膜２５が
第１導電パターン７１によってシール材５２に至る位置まで広範囲で保護されるので、平
坦化膜２５の剥がれを確実に防止することができ、配線部１０５Ａの信頼性が向上する。

なお、本発明に係る各実施形態のコンタクト部２００,２００Ａ,２００Ｂ,２００Ｃの
構成は、ＦＦＳ絶縁膜２７の縁部２７ｂが、第１導電パターン７１と第２導電パターン７
２とで上下から挟み込まれているが、これに限らず、下地導電パターン７０と平坦化膜２
５とが接する境界部分のみが、第１導電パターン７１によってカバーされていてもよい。
すなわち、少なくとも下地導電パターン７０と平坦化膜２５とが接する境界部分が、第１
導電パターン７１によってカバーされていれば、平坦化膜２５の剥離が防止されるので、
平坦化膜２５の上層のＦＦＳ絶縁膜２７が平坦化膜２５と同時に剥がれることを防ぐこと
ができる。

（電子機器）
次に、本実施形態に係る液晶表示装置１００を備えた電子機器について説明する。なお
、本実施形態では電子機器として携帯電話端末を例示して説明する。

図８は、本実施形態に係る携帯電話端末５００の外観図である。この図１０に示すよう
に、本実施形態に係る携帯電話端末５００は、折り畳み可能に連結された第１筐体５０１
と第２筐体５０２とから構成されており、第１筐体５０１には表示装置として上記の液晶
表示装置１００及び音声出力用のスピーカ５０３が設けられており、第２筐体５０２には
テンキーやファンクションキー、電源キー等の各種キーから成る操作キー５０４と、音声
入力用のマイク５０５が設けられている。

このように表示装置として液晶表示装置１００を備える携帯電話端末５００によると、
平坦化膜やＦＦＳ絶縁膜の剥がれを防止することができ、信頼性に優れた高品質なものを
得ることができる。

なお、本実施形態に係る電子機器として携帯電話端末５００を例示したが、本発明はこ
れに限定されず、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｄｉｇｉｔａｌ Ａｓｓｉｓｔａｎｔｓ）
やノートパソコン、腕時計等の携帯端末、その他の表示機能を有する各種の電子機器にも
適用することができる。例えば、表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファイ
ンダ、携帯型ＴＶ、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイなども含まれる。

本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置の概略構成を示した平面図である。 本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置の各画素の拡大平面図である。 図２のＡ−Ａ線に沿う液晶表示装置の断面図である。 非表示領域に設けられた第１実施形態に係るコンタクト部の拡大図である。 第２実施形態に係るコンタクト部を示した模式図である。 第３実施形態に係るコンタクト部を示した模式図である。 第４実施形態に係るコンタクト部を示した模式図である。 電子機器の一例である携帯電話端末の概略構成を示す模式図である。 従来のＦＦＳ方式の液晶表示装置の端子部の構造を示す模式図である。

符号の説明

１…走査線（配線部）、３…データ線（配線部）、８…非表示領域、９…表示領域、１０
…ＴＦＴアレイ基板（一方の基板）、１１…共通電極（第１電極）、１３…ＴＦＴ（スイ
ッチング素子）、１７…画素電極（第２電極）、２５…平坦化膜、２５ａ…第１コンタク
トホール（開口部）、２５ｂ…平坦化膜の縁部、２７…ＦＦＳ絶縁膜（絶縁膜）、２７ｂ
…絶縁膜の縁部、５２…シール材、７０…下地導電パターン、７１…第１導電パターン、
７１ａ…第３コンタクトホール（開口部）、７２…第２導電パターン、１００…液晶表示
装置、１０５,１０５Ａ…引き回し配線（配線部）、２００,２００Ａ,２００Ｂ,２００Ｃ
…コンタクト部、２０２,２０２Ａ,２０２Ｂ…端子部（外部接続端子）、５００…携帯電
話端末（電子機器）、Ｇ…画素

Claims (7)

1. 液晶層を挟持する一対の基板を有し、該一対の基板のうち一方の基板に設けられた第１電極と第２電極の間に生じる電界によって前記液晶層を構成する液晶分子を駆動させる液晶表示装置において、
   画素をマトリクス状に複数配置した表示領域と、該表示領域の外に位置する非表示領域と、を有し、
   前記一方の基板には、前記画素毎に設けられたスイッチング素子と、該スイッチング素子に電気的に接続された配線部と、前記スイッチング素子及び前記配線部を覆う平坦化膜と、該平坦化膜上に形成された前記第１電極と、該第１電極を少なくとも覆う絶縁膜と、該絶縁膜上に設けられた前記第２電極と、が設けられ、
   前記非表示領域における前記一方の基板には、下地導電パターンと、前記平坦化膜を前記下地導電パターンの表面に達するまで開口させた開口部と、前記第１電極と同一の層からなり、前記開口部の内面の少なくとも一部を覆う第１導電パターンと、該第１導電パターンの少なくとも一部を覆う前記絶縁膜と、前記第２電極と同一の層からなり、前記下地導電パターンの上面において前記第１導電パターンを少なくとも覆う第２導電パターンと、を備えたコンタクト部が設けられ、
   該コンタクト部において、前記第１導電パターンが、前記下地導電パターン上の前記平坦化膜の縁部を覆うように形成されるとともに、前記絶縁膜の縁部が、下層側の前記第１導電パターンと上層側の前記第２導電パターンとで挟持されており、
   前記第１導電パターンが、前記下地導電パターンの上面に開口部を有している
   液晶表示装置。
2. 液晶層を挟持する一対の基板を有し、該一対の基板のうち一方の基板に設けられた第１電極と第２電極の間に生じる電界によって前記液晶層を構成する液晶分子を駆動させる液晶表示装置において、
   画素をマトリクス状に複数配置した表示領域と、該表示領域の外に位置する非表示領域と、を有し、
   前記一方の基板には、前記画素毎に設けられたスイッチング素子と、該スイッチング素子に電気的に接続された配線部と、前記スイッチング素子及び前記配線部を覆う平坦化膜と、該平坦化膜上に形成された前記第１電極と、該第１電極を少なくとも覆う絶縁膜と、該絶縁膜上に設けられた前記第２電極と、が設けられ、
   前記非表示領域における前記一方の基板には、下地導電パターンと、前記平坦化膜を前記下地導電パターンの表面に達するまで開口させた開口部と、前記第１電極と同一の層からなり、前記開口部の内面の少なくとも一部を覆う第１導電パターンと、該第１導電パターンの少なくとも一部を覆う前記絶縁膜と、前記第２電極と同一の層からなり、前記下地導電パターンの上面において前記第１導電パターンを少なくとも覆う第２導電パターンと、を備えたコンタクト部が設けられ、
   該コンタクト部において、前記第１導電パターンが、前記下地導電パターン上の前記平坦化膜の縁部を覆うように形成されるとともに、前記絶縁膜の縁部が、下層側の前記第１導電パターンと上層側の前記第２導電パターンとで挟持されており、
   前記コンタクト部における前記絶縁膜の縁部が前記平坦化膜の上面に位置しており、前記開口部の内面において前記第１導電パターンと前記第２導電パターンとが直接接している
   液晶表示装置。
3. 前記コンタクト部における前記絶縁膜の縁部が前記平坦化膜の上面に位置しており、前記開口部の内面において前記第１導電パターンと前記第２導電パターンとが直接接している
   請求項１に記載の液晶表示装置。
4. 前記非表示領域に複数の外部接続端子が設けられ、前記コンタクト部が前記複数の外部接続端子の各々に設けられている
   請求項１〜３のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
5. 前記コンタクト部が前記一方の基板におけるシール材の外側に位置しており、前記第１導電パターンが前記コンタクト部から前記シール材に至る位置まで延在している
   請求項１〜４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
6. 液晶層を挟持する一対の基板を有し、該一対の基板のうち一方の基板に設けられた第１電極と第２電極の間に生じる電界によって前記液晶層を構成する液晶分子を駆動させる液晶表示装置において、
   画素をマトリクス状に複数配置した表示領域と、該表示領域の外に位置する非表示領域と、を有し、
   前記一方の基板には、前記画素毎に設けられたスイッチング素子と、該スイッチング素子に電気的に接続された配線部と、前記スイッチング素子及び前記配線部を覆う平坦化膜と、該平坦化膜上に形成された前記第１電極と、該第１電極を少なくとも覆う絶縁膜と、該絶縁膜上に設けられた前記第２電極と、が設けられ、
   前記非表示領域における前記一方の基板には、下地導電パターンと、前記平坦化膜を前記下地導電パターンの表面に達するまで開口させた開口部と、前記第１電極と同一の層からなり、前記開口部の内面の少なくとも一部を覆う第１導電パターンと、該第１導電パターンの少なくとも一部を覆う前記絶縁膜と、前記第２電極と同一の層からなり、前記下地導電パターンの上面において前記第１導電パターンを少なくとも覆う第２導電パターンと、を備えたコンタクト部が設けられ、
   該コンタクト部において、前記第１導電パターンが、前記下地導電パターン上の前記平坦化膜の縁部を覆うように形成されるとともに、前記絶縁膜の縁部が、下層側の前記第１導電パターンと上層側の前記第２導電パターンとで挟持されており、
   前記コンタクト部が前記一方の基板におけるシール材の外側に位置しており、前記第１導電パターンが前記コンタクト部から前記シール材に至る位置まで延在している
   液晶表示装置。
7. 請求項１〜６のいずれか１項に記載の液晶表示装置を備えている電子機器。

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