JP5171010B2 - 電源装置およびそれを用いたマイクロ波発生装置およびコンピュータプログラム - Google Patents
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Description
トランジスタ技術 2004年6月号 228〜235ページ
図3は、高電圧電源11を詳細に示す回路図である。図3(a)に示すように、200V3相交流がまず安全回路13を経てAC/DC変換部14に至る。安全回路13は、ブレーカー50と、ノイズフィルタ51と、マグネティックコンタクタ52とを有しており、これを経た交流電流が整流回路21により直流に変換され、その直流電流がコンデンサ22aを有する平滑回路22により平滑化されて、280Vの直流とされる。
このマグネトロン23は、真空に保持された例えば金属製のケース61内に陰極としてのフィラメント26と、これに対向するように配置された陽極27とが配置された構成となっている。実際には、フィラメント26は円筒状に成形され、その周囲を囲むようにして陽極27が同軸円筒状に配置して成形されているが、図4ではマグネトロン23の構造を模式的に記載している。陽極27のフィラメント26に対向する面には、複数の空洞共振器62が設けられている。
まず、外部インターフェース49の設定部において、高電圧電源のパワー等の各種設定を行う。そして、プラズマ処理部3のチャンバ39内に図示しない搬入出口から被処理基板Sを搬入し、ガス供給部42からガス導入部材43を介して所定の処理ガスをチャンバ39内に導入し、マイクロ波発生装置1によりマイクロ波を発生させ、マイクロ波伝送部2を経てチャンバ39内にマイクロ波を放射させる。これにより、チャンバ39内で処理ガスがプラズマ化され、このマイクロ波プラズマにより所定のプラズマ処理が実行される。
上記実施形態においては、全てのスイッチングトランジスタを全てオフにするオールオフタイムを設けたが、この場合には1サイクル当たりのスイッチング動作が2回増加することになるので、出力電圧のデューティー比を大きくして大電力を供給する場合にはスイッチングロスによりかえってトータルのロスが大きくなるおそれがある。
上記スイッチング回路15においては、極力高い効率を維持すべく、上述のように共振コンデンサCr/2と共振インダクタLrを挿入して共振回路を構成しており、トランスの銅損を低下させて全体のロスを少なくする目的で各スイッチングトランジスタのスイッチング周波数(ゲート信号の周波数)を例えば10〜500kHzに設定する。しかしながら、このように高い周波数において、ゲート信号のデューティー比が小さい場合であってかつトランジスタのOFF時に、複数次(高次)の共振が起こることがある。図10はその時の様子を示したもので、ゲート電圧は正常であっても、トランジスタのOFF時にトランス一次側に共振電流が流れてしまっている。このためトランス二次側においても電圧が出力され、正常なフェーズシフト型PWM制御が行われていない。このパワー制御性の悪化を防止するため、共振周波数を低めに設定する必要がある。共振周波数frは、fr=1/(2π(LrCr)1/2)なので、Lr,Crを大きめに設定する必要がある。しかしCrを大きくすると、既述のように、これが充電していない時にこれと直列に接続されているトランジスタに大きな突入電流が流れ発熱を起こすので好ましくない。そこでLrを大きくすると、ゲート電圧波形のデューティー比が大きい大電力モード(高パワーモード)において、トランス16に直列に接続された共振インダクタの影響により、十分なパワーが得られないおそれがある。
本実施形態は、従前の実施形態を組み合わせたものであり、例えば、図14に示すように、デューティー比が所定値よりも小さい低デューティー比においては上述のような全てのスイッチングトランジスタをオフにするタイミングを設ける制御を行い、この所定のデューティー比以上においては通常のフェーズシフト型制御に切り替えるとともに、周波数を低下させる制御方式を挙げることができる。この場合には、図14の(a)に示すように、デューティー比が所定値以上において、周波数を一定値に低下させてもよいし、図14の(b)に示すように、デューティー比に応じて周波数を変化させるようにしてもよい。また、デューティー比が所定値より小さいときに、デューティー比に応じて周波数を変化させるようにしてもよい。
本実施形態では、図15に示すように、第1のデューティー比Aよりも小さい低デューティー比においてスイッチングトランジスタをオフにするタイミングを設ける制御を行い、第1のデューティー比A以上で第2のデューティー比Bより小さい中デューティー比において通常のフェーズシフト型制御を行い、第2のデューティー比B以上の高デューティー比においては中デューティー比の時よりも周波数を小さくする制御を加えることにより、よりきめの細かい制御を行うことができる。この場合の第2のデューティー比以上における周波数の変化は、図15ではデューティー比に応じて周波数を変化させているが、周波数を一定値に低下させてもよい。また、第1のデューティー比以上で第2のデューティー比よりも小さい領域において、第1のデューティー比よりも小さい領域における周波数よりも小さい周波数に制御してもよい。第1のデューティー比以上で第2のデューティー比よりも小さい領域において、デューティー比が大きくなるにつれて周波数を低下するようにしてもよく、この場合に、第1のデューティー比より小さい領域においてデューティー比が大きくなるにつれて周波数を低下するようにしてもよい。
2;マイクロ波伝送部
3;プラズマ処理部
4;全体制御部
11;高電圧電源
12;マイクロ波発振部
14;AC/DC変換部
15;スイッチング回路
16;高耐圧昇圧トランス
18;高電圧電源コントローラ
23;マグネトロン
24;フィラメント電源
25;マイクロ波発振部コントローラ
34;パワーセンサ
35;チューナ
38;パワーモニタ
100:マイクロ波プラズマ処理装置
Q1〜Q4;スイッチングコンデンサ
S;被処理基板
Claims (18)
- 交流電流を直流に変換する交流/直流変換部と、
複数のスイッチング素子を有し、前記変換された直流電圧が入力され、前記各スイッチング素子にオン・オフサイクルを生じさせ、これら各スイッチング素子の組み合わせにより所定のパルス状電圧を出力するスイッチング回路と、
前記各スイッチング素子のオン・オフサイクルの位相を変化させることにより前記スイッチング回路から出力されるパルス状電圧のパルス幅を制御するフェーズシフト型PWM制御を行う制御部と
を具備し、
前記スイッチング回路は、前記スイッチング素子を4個有し、これらがフルブリッジ回路を構成しており、
前記制御部は、前記スイッチング素子のオン・オフサイクルにおいて、負荷に電流を流す直前に、前記複数のスイッチング素子が全てオフとなるタイミングを挿入することを特徴とする電源装置。 - 交流電流を直流に変換する交流/直流変換部と、
複数のスイッチング素子を有し、前記変換された直流電圧が入力され、前記各スイッチング素子にオン・オフサイクルを生じさせ、これら各スイッチング素子の組み合わせにより所定のパルス状電圧を出力するスイッチング回路と、
前記各スイッチング素子のオン・オフサイクルの位相を変化させることにより前記スイッチング回路から出力される電圧のパルス幅を制御するフェーズシフト型PWM制御を行う制御部と
を具備し、
前記スイッチング回路は、前記スイッチング素子を4個有し、これらがフルブリッジ回路を構成しており、
前記制御部は、前記スイッチング回路から出力されるパルス状電圧のデューティー比が所定値よりも小さい場合に、前記スイッチング素子のオン・オフサイクルにおいて、負荷に電流を流す直前に、前記複数のスイッチング素子が全てオフとなるタイミングを挿入し、前記デューティー比が前記所定値以上の場合に、前記複数のスイッチング素子が全てオフとなるタイミングを挿入しないことを特徴とする電源装置。 - 交流電流を直流に変換する交流/直流変換部と、
複数のスイッチング素子を有し、前記変換された直流電圧が入力され、前記各スイッチング素子にオン・オフサイクルを生じさせ、これら各スイッチング素子の組み合わせにより所定のパルス状電圧を出力するスイッチング回路と、
前記各スイッチング素子のオン・オフサイクルの位相を変化させることにより前記スイッチング回路から出力される電圧のパルス幅を制御するフェーズシフト型PWM制御を行う制御部と
を具備し、
前記スイッチング回路は、前記スイッチング素子を4個有し、これらがフルブリッジ回路を構成しており、
前記制御部は、前記スイッチング回路から出力されるパルス状電圧のデューティー比が所定値よりも小さい場合に、前記スイッチング素子のオン・オフサイクルにおいて、負荷に電流を流す直前に、前記複数のスイッチング素子が全てオフとなるタイミングを挿入し、前記デューティー比が前記所定値以上の場合に、前記複数のスイッチング素子が全てオフとなるタイミングを挿入せず、かつ前記オン・オフサイクルの周波数を前記デューティー比が前記所定値よりも小さい場合の周波数よりも低くなるようにすることを特徴とする電源装置。 - 前記制御部は、前記デューティー比が前記所定値以上の場合に、前記デューティー比が大きくなるにつれて前記オン・オフサイクルの周波数が小さくなるように制御することを特徴とする請求項3に記載の電源装置。
- 前記制御部は、前記デューティー比が前記所定値よりも小さい場合に、前記デューティー比が大きくなるにつれて前記オン・オフサイクルの周波数が小さくなるように制御することを特徴とする請求項4に記載の電源装置。
- 交流電流を直流に変換する交流/直流変換部と、
複数のスイッチング素子を有し、前記変換された直流電圧が入力され、前記各スイッチング素子にオン・オフサイクルを生じさせ、これら各スイッチング素子の組み合わせにより所定のパルス状電圧を出力するスイッチング回路と、
前記各スイッチング素子のオン・オフサイクルの位相を変化させることにより前記スイッチング回路から出力される電圧のパルス幅を制御するフェーズシフト型PWM制御を行う制御部と
を具備し、
前記スイッチング回路は、前記スイッチング素子を4個有し、これらがフルブリッジ回路を構成しており、
前記制御部は、前記スイッチング回路から出力されるパルス状電圧のデューティー比が第1の値よりも小さい場合に、前記スイッチング素子のオン・オフサイクルにおいて、負荷に電流を流す直前に、前記複数のスイッチング素子が全てオフとなるタイミングを挿入し、前記デューティー比が前記第1の値以上で前記第1の値よりも大きい第2の値より小さい場合に、前記複数のスイッチング素子が全てオフとなるタイミングを挿入せず、前記デューティー比が前記第2の値以上の場合に、前記複数のスイッチング素子が全てオフとなるタイミングを挿入せず、かつ前記オン・オフサイクルの周波数を前記デューティー比が前記第2の値よりも小さい場合の周波数よりも低くすることを特徴とする電源装置。 - 前記制御部は、前記デューティー比が前記第2の値以上の場合に、前記デューティー比が大きくなるにつれて前記オン・オフサイクルの周波数が小さくなるように制御することを特徴とする請求項6に記載の電源装置。
- 前記制御部は、前記デューティー比が前記第1の値以上で前記第2の値よりも小さい場合に、前記デューティー比が大きくなるにつれて前記オン・オフサイクルの周波数が小さくなるように制御することを特徴とする請求項7に記載の電源装置。
- 前記制御部は、前記デューティー比が前記第1の値よりも小さい場合に、前記デューティー比が大きくなるにつれて前記オン・オフサイクルの周波数が小さくなるように制御することを特徴とする請求項8に記載の電源装置。
- 前記4個のスイッチング素子のオン・オフサイクルのデューティー比が同じであることを特徴とする請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の電源装置。
- 前記スイッチング素子は、MOS FETあるいはIGBTであることを特徴とする請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の電源装置。
- 前記スイッチング回路から出力された電圧を昇圧させる昇圧トランスをさらに具備することを特徴とする請求項1から請求項11のいずれか1項に記載の電源装置。
- 請求項1から請求項12のいずれかの電源装置と、
前記電源装置から給電されてマイクロ波を発振させるマイクロ波発振部と
を具備することを特徴とするマイクロ波発生装置。 - 前記マイクロ波発振部は、真空に保持されるチャンバと、前記チャンバ内に配置された熱電子を放出させる、陰極として機能するフィラメントと、前記チャンバ内に前記フィラメントに対向して設けられ、前記電源装置から給電された際に前記フィラメントとの間に電界を形成するための陽極と、前記チャンバの外側に前記電界に直交する磁場を印加するための磁場発生手段とを有するマグネトロンを備えることを特徴とする請求項13に記載のマイクロ波発生装置。
- 交流電流を直流に変換する交流/直流変換部と、複数のスイッチング素子を有し、前記変換された直流電圧が入力され、前記各スイッチング素子にオン・オフサイクルを生じさせ、これら各スイッチング素子の組み合わせにより所定のパルス状電圧を出力するスイッチング回路とを具備し、前記スイッチング回路は、前記スイッチング素子を4個有し、これらがフルブリッジ回路を構成する電源装置において、前記スイッチング回路を制御するためにコンピュータを機能させるコンピュータプログラムであって、
前記コンピュータを、前記各スイッチング素子のオン・オフサイクルの位相を変化させることにより前記スイッチング回路から出力されるパルス状電圧のパルス幅を制御するフェーズシフト型PWM制御を行わせる手段と、
前記スイッチング素子のオン・オフサイクルにおいて、負荷に電流を流す直前に、前記複数のスイッチング素子が全てオフとなるタイミングを挿入する手段として機能させることを特徴とするコンピュータプログラム。 - 交流電流を直流に変換する交流/直流変換部と、複数のスイッチング素子を有し、前記変換された直流電圧が入力され、前記各スイッチング素子にオン・オフサイクルを生じさせ、これら各スイッチング素子の組み合わせにより所定のパルス状電圧を出力するスイッチング回路とを具備し、前記スイッチング回路は、前記スイッチング素子を4個有し、これらがフルブリッジ回路を構成する電源装置において、前記スイッチング回路を制御するためにコンピュータを機能させるコンピュータプログラムであって、
前記コンピュータを、前記各スイッチング素子のオン・オフサイクルの位相を変化させることにより前記スイッチング回路から出力される電圧のパルス幅を制御するフェーズシフト型PWM制御を行わせる手段と、
前記スイッチング回路から出力されるパルス状電圧のデューティー比が所定値よりも小さい場合に、前記スイッチング素子のオン・オフサイクルにおいて、負荷に電流を流す直前に、前記複数のスイッチング素子が全てオフとなるタイミングを挿入し、前記デューティー比が前記所定値以上の場合に、前記複数のスイッチング素子が全てオフとなるタイミングを挿入しない手段として機能させることを特徴とするコンピュータプログラム。 - 交流電流を直流に変換する交流/直流変換部と、複数のスイッチング素子を有し、前記変換された直流電圧が入力され、前記各スイッチング素子にオン・オフサイクルを生じさせ、これら各スイッチング素子の組み合わせにより所定のパルス状電圧を出力するスイッチング回路とを具備し、前記スイッチング回路は、前記スイッチング素子を4個有し、これらがフルブリッジ回路を構成する電源装置において、前記スイッチング回路を制御するためにコンピュータを機能させるコンピュータプログラムであって、
前記コンピュータを、前記各スイッチング素子のオン・オフサイクルの位相を変化させることにより前記スイッチング回路から出力される電圧のパルス幅を制御するフェーズシフト型PWM制御を行わせる手段と、
前記スイッチング回路から出力されるパルス状電圧のデューティー比が所定値よりも小さい場合に、前記スイッチング素子のオン・オフサイクルにおいて、負荷に電流を流す直前に、前記複数のスイッチング素子が全てオフとなるタイミングを挿入し、前記デューティー比が前記所定値以上の場合に、前記複数のスイッチング素子が全てオフとなるタイミングを挿入せず、かつ前記オン・オフサイクルの周波数を前記デューティー比が前記所定値よりも小さい場合の周波数よりも低くする手段として機能させることを特徴とするコンピュータプログラム。 - 交流電流を直流に変換する交流/直流変換部と、複数のスイッチング素子を有し、前記変換された直流電圧が入力され、前記各スイッチング素子にオン・オフサイクルを生じさせ、これら各スイッチング素子の組み合わせにより所定のパルス状電圧を出力するスイッチング回路とを具備し、前記スイッチング回路は、前記スイッチング素子を4個有し、これらがフルブリッジ回路を構成する電源装置において、前記スイッチング回路を制御するためにコンピュータを機能させるコンピュータプログラムであって、
前記コンピュータを、前記各スイッチング素子のオン・オフサイクルの位相を変化させることにより前記スイッチング回路から出力される電圧のパルス幅を制御するフェーズシフト型PWM制御を行わせる手段と、
前記スイッチング回路から出力されるパルス状電圧のデューティー比が第1の値よりも小さい場合に、前記スイッチング素子のオン・オフサイクルにおいて、負荷に電流を流す直前に、前記複数のスイッチング素子が全てオフとなるタイミングを挿入し、前記デューティー比が前記第1の値以上で前記第1の値よりも大きい第2の値より小さい場合に、前記複数のスイッチング素子が全てオフとなるタイミングを挿入せず、前記デューティー比が前記第2の値以上の場合に、前記複数のスイッチング素子が全てオフとなるタイミングを挿入せず、かつ前記オン・オフサイクルの周波数を前記デューティー比が前記第2の値よりも小さい場合の周波数よりも低くする手段として機能させることを特徴とするコンピュータプログラム。
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JP5532794B2 (ja) | 2009-09-28 | 2014-06-25 | 富士電機株式会社 | 同期整流制御装置及び制御方法並びに絶縁型スイッチング電源 |
DE102010008777A1 (de) * | 2010-02-22 | 2011-08-25 | Siemens Aktiengesellschaft, 80333 | Hochfrequenzversorgung einer Last ohne Impedanzanpassung |
JP5226753B2 (ja) * | 2010-10-04 | 2013-07-03 | レノボ・シンガポール・プライベート・リミテッド | 充電システムおよび充電方法 |
WO2012059983A1 (ja) * | 2010-11-02 | 2012-05-10 | 三菱電機株式会社 | 電源装置およびプログラマブルコントローラ |
US20120114009A1 (en) * | 2010-11-04 | 2012-05-10 | Jeffrey Melvin | Forward-flyback power supply using an inductor in the transformer primary and method of using same |
JP6072462B2 (ja) * | 2012-08-07 | 2017-02-01 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置およびマイクロ波出力装置 |
TWI649806B (zh) * | 2017-09-29 | 2019-02-01 | 財團法人工業技術研究院 | 微波加熱裝置的操作方法及使用該方法之微波退火製程 |
US10692742B2 (en) | 2015-11-05 | 2020-06-23 | Industrial Technology Research Institute | Operating method of microwave heating device and microwave annealing process using the same |
TWI680367B (zh) * | 2016-07-05 | 2019-12-21 | 台達電子工業股份有限公司 | 具功率因數校正之微波產生裝置及其適用之控制方法 |
JP6986910B2 (ja) * | 2017-09-12 | 2021-12-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 電圧印加装置および出力電圧波形の形成方法 |
US10555412B2 (en) | 2018-05-10 | 2020-02-04 | Applied Materials, Inc. | Method of controlling ion energy distribution using a pulse generator with a current-return output stage |
US11476145B2 (en) | 2018-11-20 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Automatic ESC bias compensation when using pulsed DC bias |
KR20210107716A (ko) | 2019-01-22 | 2021-09-01 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 펄스 전압 파형을 제어하기 위한 피드백 루프 |
US11508554B2 (en) | 2019-01-24 | 2022-11-22 | Applied Materials, Inc. | High voltage filter assembly |
US11462388B2 (en) | 2020-07-31 | 2022-10-04 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing assembly using pulsed-voltage and radio-frequency power |
US11798790B2 (en) | 2020-11-16 | 2023-10-24 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for controlling ion energy distribution |
US11901157B2 (en) | 2020-11-16 | 2024-02-13 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for controlling ion energy distribution |
US11495470B1 (en) | 2021-04-16 | 2022-11-08 | Applied Materials, Inc. | Method of enhancing etching selectivity using a pulsed plasma |
US11791138B2 (en) | 2021-05-12 | 2023-10-17 | Applied Materials, Inc. | Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing |
US11948780B2 (en) | 2021-05-12 | 2024-04-02 | Applied Materials, Inc. | Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing |
US11967483B2 (en) | 2021-06-02 | 2024-04-23 | Applied Materials, Inc. | Plasma excitation with ion energy control |
US11984306B2 (en) | 2021-06-09 | 2024-05-14 | Applied Materials, Inc. | Plasma chamber and chamber component cleaning methods |
US11810760B2 (en) | 2021-06-16 | 2023-11-07 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method of ion current compensation |
US11569066B2 (en) | 2021-06-23 | 2023-01-31 | Applied Materials, Inc. | Pulsed voltage source for plasma processing applications |
US11476090B1 (en) | 2021-08-24 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Voltage pulse time-domain multiplexing |
US11694876B2 (en) | 2021-12-08 | 2023-07-04 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for delivering a plurality of waveform signals during plasma processing |
US11972924B2 (en) | 2022-06-08 | 2024-04-30 | Applied Materials, Inc. | Pulsed voltage source for plasma processing applications |
Family Cites Families (12)
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---|---|---|---|---|
JPH01309234A (ja) * | 1988-06-07 | 1989-12-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マグネトロン |
CN2102584U (zh) * | 1991-08-25 | 1992-04-22 | 魏殿忠 | 移相控制式直流逆变器 |
JPH0622551A (ja) * | 1992-07-07 | 1994-01-28 | Hitachi Medical Corp | 共振型dc−dcコンバータ |
JP3550972B2 (ja) * | 1997-09-29 | 2004-08-04 | 株式会社日立製作所 | 電源装置 |
JP3890184B2 (ja) * | 2000-05-15 | 2007-03-07 | Necパーソナルプロダクツ株式会社 | 電源装置及びその電力制御方法、情報処理機器 |
JP2002238257A (ja) * | 2001-02-06 | 2002-08-23 | Toshiba Corp | 共振型dc−dcコンバータの制御方法 |
JP2002325458A (ja) * | 2001-02-26 | 2002-11-08 | Shinei Sangyo Kk | 定電流装置 |
JP3694256B2 (ja) * | 2001-06-29 | 2005-09-14 | Tdk株式会社 | スイッチング電源装置及びこれに用いられる制御回路 |
US7269217B2 (en) * | 2002-10-04 | 2007-09-11 | Intersil Americas Inc. | PWM controller with integrated PLL |
TWI245150B (en) * | 2002-11-07 | 2005-12-11 | Chang-Yong Chen | Programmable distributed multiple lamps CCFL inverter system |
JP2006149016A (ja) * | 2004-11-17 | 2006-06-08 | Sony Corp | スイッチング電源回路 |
CN100514537C (zh) * | 2004-12-27 | 2009-07-15 | 乐金电子(天津)电器有限公司 | 磁控管的磁极构造 |
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