JP5168868B2 - 量子井戸型光検知器 - Google Patents
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量子井戸型光検知器に必要な光結合器を作製するため、図3を用いて説明した第1のMQW層51、中間層52、第2のMQW層53を含むウェーハの表面に回折構造(凹凸)を形成する。
各n型GaAsコンタクト層36、34、32に対し電極を接触させる為のコンタクト穴A、B、Cを形成する。この場合、InGaP層(図3参照)をエッチングストッパとし、ドライエッチング法を適用してGaAs層/AlGaAs層を加工する。
コンタクト穴A〜C内壁も含めて全面にSiON保護膜55を形成し、次いで、ドライエッチング法を適用してオーミック電極形成予定領域のSiON保護膜55を除去し、次いで、リフトオフ法を適用してAuGe/Auからなる電極42、41、40、39を形成する。
ドライエッチング法を適用し、回折構造54を覆っているSiON保護膜55を除去してから、リフトオフ法を適用し、TiW/Auからなるミラー電極56を形成する。
表面全体をSiON保護膜57で覆い、ドライエッチング法を適用して電極42〜39と導通をとるのに必要な箇所に在るSiON保護膜57を除去してコンタクト穴を表出させる。
スパッタリング法を適用することに依り、全面にTi/Pt膜を形成してから配線パターンのマスクを形成し、イオンミリング法を適用して不要な部分を除去することに依って電極42〜39から各コンタクト穴を介して表面に至る配線62、61、60、59を形成する。尚、配線62と配線59とは、図に現れていない箇所で共通接続されている。
ドライエッチング法を適用することに依り、多数の画素を分離する為の分離溝を形成する予定領域に於けるSiON保護膜55を除去し、次いで、下地になっていた第2のMQW層53、中間層52、第1のMQW層51などの諸半導体層のエッチングを行って最下層のn型GaAsコンタクト層32を分断する素子分離溝63を形成する。尚、この際、エッチングストッパであるInGaP層でドライエッチングが停止した場合には、図5の工程で説明した方法と同じ方法を採って、HClをエッチャントにするウェットエッチング法を併用しつつドライエッチングを行うようにする。
再度、全面をSiON保護膜58で覆ってから、読出し回路と接続する為に必要となるInバンプ電極59を形成する。その為には、Inバンプ電極形成予定部分に在るSiON保護膜58を除去してから、リフトオフ法を適用して作製すれば良い。
上下一導電型コンタクト層で挟まれ所要波長の光を吸収する多重量子井戸からなる第1の多重量子井戸層、及び、上下を一導電型コンタクト層で挟まれ第1の多重量子井戸層が吸収する光の波長と異なる波長の光を吸収する多重量子井戸からなる第2の多重量子井戸層を前記コンタクト層と反対導電型の半導体層を介して積層した構成を含んでなること
を特徴とする量子井戸型光検知器。
第1の多重量子井戸層に於ける基板側一導電型コンタクト層及び第2の多重量子井戸層に於ける表面側一導電型コンタクト層に形成され同じバイアス電源に接続される電極と、 第1の多重量子井戸層に於ける表面側一導電型コンタクト層及び第2の多重量子井戸層に於ける基板側一導電型コンタクト層に形成され何れか一方が前記バイアス電源と異なる電位に接続され、且つ、他方が前記電位から開放されている電極と
を備えてなることを特徴とする(付記1)記載の量子井戸型光検知器。
積層された第1の多重量子井戸層及び第2の量子井戸層を含む画素が多数配列されたアレイ、及び、画素からの光電流信号を読み出す読み出し回路の接続構成に於いて、
アレイに於ける第1の多重量子井戸層の表面側コンタクト層に於ける各電極を共通に結ぶ配線、及び、アレイに於ける第2の多重量子井戸層の基板側コンタクト層に於ける各電極を共通に結ぶ配線が設けられ、前記各配線の何れか一方の配線が読み出し回路に接続されてなること
を特徴とする(付記1)或いは(付記2)記載の量子井戸型光検知器。
各共通配線と読み出し回路との間に介在して前記共通配線の何れかを読み出し回路に接続するスイッチ
を備えてなることを特徴とする(付記1)乃至(付記3)の何れか1記載の量子井戸型光検知器。
多重量子井戸層に於ける量子井戸及び障壁がGaAs、InAs、AlAs、InP、GaP、AlP及びこれ等の混晶から選択された材料からなること
を特徴とする(付記1)乃至(付記4)の何れか1記載の量子井戸型光検知器。
(付記1)乃至(付記5)の量子井戸型光検知器を製造する場合に於いて、
第1の多重量子井戸層及び第2多重量子井戸層の何れかを読み出し回路に接続する際、予め各多重量子井戸層の分光応答特性を測定して適切な多重量子井戸層を選択する工程
が含まれてなることを特徴とする量子井戸型光検知器の製造方法。
33 第1のMQW層
34 n型GaAsコンタクト層
35 p型GaAs中間層
36 n型GaAsコンタクト層
37 第2のMQW層
38 n型GaAsコンタクト層
39 正側電極
40及び41 負側(接地側)電極
42 正側電極
43及び44 スイッチ
Claims (5)
- 上下を一導電型コンタクト層で挟まれ所要波長の光を吸収する多重量子井戸層を複数備えた量子井戸型光検知器に於いて、
最下層より第1の下部コンタクト層、第1の多重量子井戸層、第1の上部コンタクト層、前記コンタクト層とは導電型が異なる反対導電型層、第2の下部コンタクト層、第1の多重量子井戸層とは吸収波長が異なる第2の多重量子井戸層、第2の上部コンタクト層が順に積層された積層構造と、
第1の下部コンタクト層と第2の上部コンタクト層に形成され同じバイアス電源に接続される電極と、
第1の上部コンタクト層と第2の下部コンタクト層に形成され前記バイアス電源とは異なる電位にそれぞれスイッチを介して接続される電極と
を備えてなることを特徴とする量子井戸型光検知器。 - 前記スイッチは、前記第1の上部コンタクト層に形成された電極及び前記第2の下部コンタクト層に形成された電極の2つの電極のうち、何れか一方がバイアス電位に接続された際、他方の電極がバイアス電位から開放されるように切り換えられるものであること
を特徴とする請求項1記載の量子井戸型光検知器。 - 積層された第1の多重量子井戸層及び第2の多重量子井戸層を含む画素が多数配列されたアレイ、及び、画素からの光電流信号を読み出す読み出し回路の接続構成に於いて、
前記アレイに於ける第1の多重量子井戸層の第1の上部コンタクト層に於ける各電極を共通に結ぶ配線、及び、前記アレイに於ける第2の多重量子井戸層の第2の下部コンタクト層に於ける各電極を共通に結ぶ配線が設けられ、前記各配線の何れか一方の配線が前記読み出し回路に接続されてなること
を特徴とする請求項1或いは請求項2記載の量子井戸型光検知器。 - 前記各共通配線と前記読み出し回路との間に介在して前記共通配線の何れかを前記読み出し回路に接続するスイッチ
を備えてなることを特徴とする請求項3記載の量子井戸型光検知器。 - 多重量子井戸層に於ける量子井戸及び障壁がGaAs、InAs、AlAs、InP、GaP、AlP及びこれ等の混晶から選択された材料からなること
を特徴とする請求項1乃至請求項4の何れか1記載の量子井戸型光検知器。
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