JPH0794774A - 半導体光検出装置およびイメージセンサ - Google Patents
半導体光検出装置およびイメージセンサInfo
- Publication number
- JPH0794774A JPH0794774A JP5236489A JP23648993A JPH0794774A JP H0794774 A JPH0794774 A JP H0794774A JP 5236489 A JP5236489 A JP 5236489A JP 23648993 A JP23648993 A JP 23648993A JP H0794774 A JPH0794774 A JP H0794774A
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- Japan
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- effect transistor
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- semiconductor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高感度で高集積化に対応できる半導体光検出
装置、ならびに、高感度で高解像度のイメージセンサを
提供する。 【構成】 半導体光検出装置１は、赤外線等の光検出部
としてのダイオード１０と、信号読み出し用スイッチと
してのショットキゲート型の電界効果トランジスタ２０
とから構成される。ダイオード１０は、ｎ型ＧａＡｓ基
板１１、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超格子赤外線吸収層１
２およびｎ＋型ＧａＡｓ層１３からなり、ｎ型ＧａＡｓ
基板１１とｎ＋型ＧａＡｓ層１３がダイオード１０の電
極として作用する。電界効果トランジスタ２０は、ｎ型
ＧａＡｓソース２１、ｎ型ＧａＡｓドレイン２２、ｎ型
ＧａＡｓチャネル２３、ソース電極２４、ドレイン電極
２５、ゲート電極２６およびｐ型ＧａＡｓ層２７からな
る。この電界効果トランジスタ２０は、赤外線検出部で
あるダイオード１０の上に積層して形成している。
装置、ならびに、高感度で高解像度のイメージセンサを
提供する。 【構成】 半導体光検出装置１は、赤外線等の光検出部
としてのダイオード１０と、信号読み出し用スイッチと
してのショットキゲート型の電界効果トランジスタ２０
とから構成される。ダイオード１０は、ｎ型ＧａＡｓ基
板１１、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超格子赤外線吸収層１
２およびｎ＋型ＧａＡｓ層１３からなり、ｎ型ＧａＡｓ
基板１１とｎ＋型ＧａＡｓ層１３がダイオード１０の電
極として作用する。電界効果トランジスタ２０は、ｎ型
ＧａＡｓソース２１、ｎ型ＧａＡｓドレイン２２、ｎ型
ＧａＡｓチャネル２３、ソース電極２４、ドレイン電極
２５、ゲート電極２６およびｐ型ＧａＡｓ層２７からな
る。この電界効果トランジスタ２０は、赤外線検出部で
あるダイオード１０の上に積層して形成している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、超格子構造を備え赤
外線を含む光を検出する半導体光検出装置、および、同
半導体光検出装置を用いたイメージセンサに関する。
外線を含む光を検出する半導体光検出装置、および、同
半導体光検出装置を用いたイメージセンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】赤外線等の光検出器として、従来から焦
電型センサと半導体型センサが知られている。焦電型セ
ンサは低感度でありまた集積化が難しいことから単体セ
ンサとして利用されており、半導体型センサは主にイメ
ージセンサとして用いられている。
電型センサと半導体型センサが知られている。焦電型セ
ンサは低感度でありまた集積化が難しいことから単体セ
ンサとして利用されており、半導体型センサは主にイメ
ージセンサとして用いられている。
【０００３】半導体型センサは、シリコンのショットキ
ダイオードをセンサとするモノリシック型と、インジウ
ム・アンチモン（ＩｎＳｂ）や水銀・カドミウム・テル
ル（ＨｇＣｄＴｅ）をセンサとし走査回路はシリコンＣ
ＣＤ等を用いるハイブリッド型とに大別される。モノリ
シック型はシリコンＬＳＩ技術が応用できるために集積
化が容易であるが、ショットキダイオードで光を検出す
るために検出感度が低く、また、分光感度設計の自由度
も少ない。一方、ハイブリッド型は高感度ではあるが、
インジウム・アンチモン（ＩｎＳｂ）や水銀・カドミウ
ム・テルル（ＨｇＣｄＴｅ）の集積化技術に課題があ
る。
ダイオードをセンサとするモノリシック型と、インジウ
ム・アンチモン（ＩｎＳｂ）や水銀・カドミウム・テル
ル（ＨｇＣｄＴｅ）をセンサとし走査回路はシリコンＣ
ＣＤ等を用いるハイブリッド型とに大別される。モノリ
シック型はシリコンＬＳＩ技術が応用できるために集積
化が容易であるが、ショットキダイオードで光を検出す
るために検出感度が低く、また、分光感度設計の自由度
も少ない。一方、ハイブリッド型は高感度ではあるが、
インジウム・アンチモン（ＩｎＳｂ）や水銀・カドミウ
ム・テルル（ＨｇＣｄＴｅ）の集積化技術に課題があ
る。
【０００４】そこで、インジウム・アンチモン（ＩｎＳ
ｂ）や水銀・カドミウム・テルル（ＨｇＣｄＴｅ）より
も集積技術の発達したガリウム・砒素（ＧａＡｓ）系化
合物を用いた超格子構造の赤外線検出器が、特開昭６３
−２４６６２６号公報で提案されている。
ｂ）や水銀・カドミウム・テルル（ＨｇＣｄＴｅ）より
も集積技術の発達したガリウム・砒素（ＧａＡｓ）系化
合物を用いた超格子構造の赤外線検出器が、特開昭６３
−２４６６２６号公報で提案されている。
【０００５】図４は従来のＧａＡｓ系超格子型赤外線検
出器の模式構造断面図である。図４（ａ）は従来のＧａ
Ａｓ系超格子型赤外線検出器の全体構造を示す。従来の
ＧａＡｓ系超格子型赤外線検出器４０は、半導体基板４
１の上にｎ型半導体電極層４２を形成し、その上に赤外
線を吸収するＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超格子層４３を形
成している。符号４４はｎ型半導体電極層である。各ｎ
型半導体電極層４２，４４上に金属電極４５，４６をそ
れぞれ形成し、これらの金属電極４５，４６間に電圧を
印加する。半導体基板４１は、超格子層４３での赤外線
吸収効率を上げるために傾斜加工している。
出器の模式構造断面図である。図４（ａ）は従来のＧａ
Ａｓ系超格子型赤外線検出器の全体構造を示す。従来の
ＧａＡｓ系超格子型赤外線検出器４０は、半導体基板４
１の上にｎ型半導体電極層４２を形成し、その上に赤外
線を吸収するＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超格子層４３を形
成している。符号４４はｎ型半導体電極層である。各ｎ
型半導体電極層４２，４４上に金属電極４５，４６をそ
れぞれ形成し、これらの金属電極４５，４６間に電圧を
印加する。半導体基板４１は、超格子層４３での赤外線
吸収効率を上げるために傾斜加工している。
【０００６】図４（ｂ）は超格子層の詳細構造を示す。
ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超格子層４３には、井戸層４７
と障壁層４８が交互に形成されている。通常、井戸層４
７は数１０層設けられている。
ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超格子層４３には、井戸層４７
と障壁層４８が交互に形成されている。通常、井戸層４
７は数１０層設けられている。
【０００７】図５は超格子層の伝導帯のエネルギ構造の
説明図であり、約３周期分のエネルギ構造の示したもの
である。図５中で符号５１は伝導帯のエネルギレベル、
符号５２は井戸内で量子化されたエネルギレベル、符号
５３は伝導帯の連続的エネルギレベルである。超格子層
４３に入射した赤外線のうち連続的エネルギレベル５３
と量子化されたエネルギレベル５２との差に対応した赤
外線が吸収される。吸収したエネルギのよって量子化レ
ベル５２にある電子は連続的エネルギレベル５３に励起
され、外部電界によって電流として取り出される。
説明図であり、約３周期分のエネルギ構造の示したもの
である。図５中で符号５１は伝導帯のエネルギレベル、
符号５２は井戸内で量子化されたエネルギレベル、符号
５３は伝導帯の連続的エネルギレベルである。超格子層
４３に入射した赤外線のうち連続的エネルギレベル５３
と量子化されたエネルギレベル５２との差に対応した赤
外線が吸収される。吸収したエネルギのよって量子化レ
ベル５２にある電子は連続的エネルギレベル５３に励起
され、外部電界によって電流として取り出される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来技術にあ
ってはＧａＡｓ系超格子型赤外線検出器単体については
示されているが、これだけでは信号を順次読み取る動作
は実現できない。このため、同検出器で検出した赤外線
等の強度（光量）に応じた電流等の信号を効率良く取り
出すとともに、高集積化に対応できる半導体光検出装置
ならびにそれを用いたイメージセンサが要望されてい
た。
ってはＧａＡｓ系超格子型赤外線検出器単体については
示されているが、これだけでは信号を順次読み取る動作
は実現できない。このため、同検出器で検出した赤外線
等の強度（光量）に応じた電流等の信号を効率良く取り
出すとともに、高集積化に対応できる半導体光検出装置
ならびにそれを用いたイメージセンサが要望されてい
た。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
請求項１に係る半導体光検出装置は、半導体基板上に超
格子構造の光検出部を設け、この光検出部上に電界効果
トランジスタを積層したことを特徴とする。
請求項１に係る半導体光検出装置は、半導体基板上に超
格子構造の光検出部を設け、この光検出部上に電界効果
トランジスタを積層したことを特徴とする。
【００１０】請求項２に係るイメージセンサは、請求項
１記載の半導体光検出装置を同一半導体基板上に複数個
アレイ状に配設したことを特徴とする。
１記載の半導体光検出装置を同一半導体基板上に複数個
アレイ状に配設したことを特徴とする。
【００１１】
【作用】請求項１に係る半導体光検出装置は、電界効果
トランジスタにゲート電圧を印加することによって、超
格子構造の光検出部に入射した光の強度（光量）に応じ
た信号を取り出すことができる。電界効果トランジスタ
は光検出部の上に形成しているので、光検出部を設ける
ために基板の平面方向に新たな領域を必要とせず、光検
出部の高密度配置が可能である。
トランジスタにゲート電圧を印加することによって、超
格子構造の光検出部に入射した光の強度（光量）に応じ
た信号を取り出すことができる。電界効果トランジスタ
は光検出部の上に形成しているので、光検出部を設ける
ために基板の平面方向に新たな領域を必要とせず、光検
出部の高密度配置が可能である。
【００１２】また、請求項１記載の半導体光検出装置を
同一半導体基板上に複数個アレイ状に配設することで、
高感度高解像度のイメージセンサを提供することができ
る。
同一半導体基板上に複数個アレイ状に配設することで、
高感度高解像度のイメージセンサを提供することができ
る。
【００１３】
【実施例】以下この発明の実施例を添付図面に基づいて
説明する。図１はこの発明に係る半導体光検出装置の一
例を示す模式構造断面図である。この半導体光検出装置
１は赤外線検出用のものであって、赤外線検出部として
のダイオード１０と、信号読み出し用スイッチとしての
ショットキゲート型の電界効果トランジスタ２０とから
構成される。
説明する。図１はこの発明に係る半導体光検出装置の一
例を示す模式構造断面図である。この半導体光検出装置
１は赤外線検出用のものであって、赤外線検出部として
のダイオード１０と、信号読み出し用スイッチとしての
ショットキゲート型の電界効果トランジスタ２０とから
構成される。
【００１４】赤外線検出部であるダイオード１０は、ｎ
型ＧａＡｓ基板１１、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超格子赤
外線吸収層１２およびｎ＋型ＧａＡｓ層１３からなり、
ｎ型ＧａＡｓ基板１１とｎ＋型ＧａＡｓ層１３がダイオ
ード１０の電極として作用する。
型ＧａＡｓ基板１１、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超格子赤
外線吸収層１２およびｎ＋型ＧａＡｓ層１３からなり、
ｎ型ＧａＡｓ基板１１とｎ＋型ＧａＡｓ層１３がダイオ
ード１０の電極として作用する。
【００１５】信号読み出し用の電界効果トランジスタ２
０は、ｎ型ＧａＡｓソース２１、ｎ型ＧａＡｓドレイン
２２、ｎ型ＧａＡｓチャネル２３、ソース電極２４、ド
レイン電極２５、ゲート電極２６およびｐ型ＧａＡｓ層
２７からなる。この電界効果トランジスタ２０は、赤外
線検出部であるダイオード１０の上に積層して形成して
いる。
０は、ｎ型ＧａＡｓソース２１、ｎ型ＧａＡｓドレイン
２２、ｎ型ＧａＡｓチャネル２３、ソース電極２４、ド
レイン電極２５、ゲート電極２６およびｐ型ＧａＡｓ層
２７からなる。この電界効果トランジスタ２０は、赤外
線検出部であるダイオード１０の上に積層して形成して
いる。
【００１６】この半導体光検出装置１は、赤外線ｈνを
基板１１側から入射させる構造であり、超格子赤外線吸
収層１２に入射する成分を増加させて赤外線吸収効率を
上げるために、基板１１にグレーティング構造を設けて
いる。
基板１１側から入射させる構造であり、超格子赤外線吸
収層１２に入射する成分を増加させて赤外線吸収効率を
上げるために、基板１１にグレーティング構造を設けて
いる。
【００１７】電界効果トランジスタ２０のソース２１を
接地し、ドレイン２２には負荷抵抗ＲＬを介して電圧Ｖ
Ｄを供給し、基板１１には負電圧ＶＢを供給している。
そして、読み出し制御端子２８からゲート電極２６に読
み出し信号を加えることで、出力端子２９に赤外線ｈν
の強度に応じた出力電圧を得る。入射する赤外線ｈνの
強度に対応して赤外線吸収層１２の抵抗値が変化し、そ
の結果、電界効果トランジスタ２０のゲート直下に加わ
るバイアス電位が変化するため、赤外線ｈνの強度に応
じたドレイン電流が流れ、負荷抵抗ＲＬ端に赤外線ｈν
の強度に応じた出力電圧を得ることができる。
接地し、ドレイン２２には負荷抵抗ＲＬを介して電圧Ｖ
Ｄを供給し、基板１１には負電圧ＶＢを供給している。
そして、読み出し制御端子２８からゲート電極２６に読
み出し信号を加えることで、出力端子２９に赤外線ｈν
の強度に応じた出力電圧を得る。入射する赤外線ｈνの
強度に対応して赤外線吸収層１２の抵抗値が変化し、そ
の結果、電界効果トランジスタ２０のゲート直下に加わ
るバイアス電位が変化するため、赤外線ｈνの強度に応
じたドレイン電流が流れ、負荷抵抗ＲＬ端に赤外線ｈν
の強度に応じた出力電圧を得ることができる。
【００１８】赤外線検出部であるダイオード１０の上
に、超格子赤外線吸収層１２側がバックゲートとなる電
界効果トランジスタ２０を縦方向に形成する構造とした
ので、全ての層は一連のエピタキシャル成長で形成で
き、製造プロセスを簡略化できる。
に、超格子赤外線吸収層１２側がバックゲートとなる電
界効果トランジスタ２０を縦方向に形成する構造とした
ので、全ての層は一連のエピタキシャル成長で形成で
き、製造プロセスを簡略化できる。
【００１９】図２はこの発明に係る半導体光検出装置の
伝導帯および価電子帯のエネルギ構造を示す説明図であ
る。実線は赤外線が入射していない状態、点線は赤外線
が入射した状態でのポテンシャル図を示している。赤外
線が入射していない状態では、超格子赤外線吸収層１２
は比較的高抵抗であり、電界効果トランジスタ２０のチ
ャンネルには基板バイアスが加わらないため電界効果ト
ランジスタ２０には電流が流れる。一方、赤外線が入射
すると、超格子赤外線吸収層１２は赤外線の強度に応じ
て低抵抗となり、基板バイアスが電界効果トランジスタ
２０のチャンネルに加わり、電流が減少される。赤外線
の強度が極めて大きい場合は電流が遮断される。このよ
うに、入射赤外線の強弱の情報が電界効果トランジスタ
２０の電流により検出される。
伝導帯および価電子帯のエネルギ構造を示す説明図であ
る。実線は赤外線が入射していない状態、点線は赤外線
が入射した状態でのポテンシャル図を示している。赤外
線が入射していない状態では、超格子赤外線吸収層１２
は比較的高抵抗であり、電界効果トランジスタ２０のチ
ャンネルには基板バイアスが加わらないため電界効果ト
ランジスタ２０には電流が流れる。一方、赤外線が入射
すると、超格子赤外線吸収層１２は赤外線の強度に応じ
て低抵抗となり、基板バイアスが電界効果トランジスタ
２０のチャンネルに加わり、電流が減少される。赤外線
の強度が極めて大きい場合は電流が遮断される。このよ
うに、入射赤外線の強弱の情報が電界効果トランジスタ
２０の電流により検出される。
【００２０】図３は請求項２に係るイメージセンサの等
価回路構成図である。請求項２に係るイメージセンサ３
０は、図１に示した半導体光検出装置１を同一基板上に
ｎ×ｍ個アレイ状に配設し、さらにｍ個の水平方向の信
号読み出し用電界効果トランジスタ３１ａ〜３１ｍを配
列し、各行毎にドレイン電圧を供給するとともに、各列
毎に半導体光検出装置の電界効果トランジスタにゲート
電圧を印加することで、特定の１個の画素（半導体光検
出装置）の信号を読み出す（Ｘ−Ｙアドレス方式）構成
としている。
価回路構成図である。請求項２に係るイメージセンサ３
０は、図１に示した半導体光検出装置１を同一基板上に
ｎ×ｍ個アレイ状に配設し、さらにｍ個の水平方向の信
号読み出し用電界効果トランジスタ３１ａ〜３１ｍを配
列し、各行毎にドレイン電圧を供給するとともに、各列
毎に半導体光検出装置の電界効果トランジスタにゲート
電圧を印加することで、特定の１個の画素（半導体光検
出装置）の信号を読み出す（Ｘ−Ｙアドレス方式）構成
としている。
【００２１】各画素は赤外線検出部であるダイオード１
０と、信号読み出し用の電界効果トランジスタ２０で構
成され、すべてのダイオード１０は全画素に共通の外部
電位ＶＢにバイアスされている。符号φＨ１〜φＨｍは
水平方向の信号読み出し用電界効果トランジスタ３１ａ
〜３１ｍにゲート電圧を供給するための行指定端子、符
号φＶ１〜φＶｎは各列毎に半導体光検出装置の電界効
果トランジスタにゲート電圧を印加するための列指定端
子である。
０と、信号読み出し用の電界効果トランジスタ２０で構
成され、すべてのダイオード１０は全画素に共通の外部
電位ＶＢにバイアスされている。符号φＨ１〜φＨｍは
水平方向の信号読み出し用電界効果トランジスタ３１ａ
〜３１ｍにゲート電圧を供給するための行指定端子、符
号φＶ１〜φＶｎは各列毎に半導体光検出装置の電界効
果トランジスタにゲート電圧を印加するための列指定端
子である。
【００２２】以上の構成であるから、行指定端子および
列指定端子のゲート電圧を印加することによって、Ｘ−
Ｙアドレスで指定された画素に入射された光の強度（光
量）を出力端子ＯＵＴから取り出すことができる。請求
項２に係るイメージセンサ３０は、赤外線等の光検出部
であるダイオード１０と、信号読み出し部である電界効
果トランジスタ２０が縦方向に形成しているので、面積
効率が高く高感度高解像度を得ることができる。
列指定端子のゲート電圧を印加することによって、Ｘ−
Ｙアドレスで指定された画素に入射された光の強度（光
量）を出力端子ＯＵＴから取り出すことができる。請求
項２に係るイメージセンサ３０は、赤外線等の光検出部
であるダイオード１０と、信号読み出し部である電界効
果トランジスタ２０が縦方向に形成しているので、面積
効率が高く高感度高解像度を得ることができる。
【００２３】なお、本実施例では赤外線の検出を例に説
明したが、本発明はそれに限らず可視光等にも応用でき
る。また、材料も、ＩｎＧａＡｓ等の化合物半導体を適
用できる。
明したが、本発明はそれに限らず可視光等にも応用でき
る。また、材料も、ＩｎＧａＡｓ等の化合物半導体を適
用できる。
【００２４】
【発明の効果】以上に説明したように請求項１に係る半
導体光検出装置は、半導体基板上に超格子構造の光検出
部を設け、この光検出部上に電界効果トランジスタを積
層したので、面積効率が高く高感度の光センサを得るこ
とができる。
導体光検出装置は、半導体基板上に超格子構造の光検出
部を設け、この光検出部上に電界効果トランジスタを積
層したので、面積効率が高く高感度の光センサを得るこ
とができる。
【００２５】請求項２に係るイメージセンサは、請求項
１に係る半導体光検出装置を同一基板上に複数個アレイ
状に配設したので、面積効率が高く高感度高解像度を得
ることができる。
１に係る半導体光検出装置を同一基板上に複数個アレイ
状に配設したので、面積効率が高く高感度高解像度を得
ることができる。
【図１】この発明に係る半導体光検出装置の一例を示す
模式断面構造図
模式断面構造図
【図２】この発明に係る半導体光検出装置の伝導帯およ
び価電子帯のエネルギ構造を示す説明図
び価電子帯のエネルギ構造を示す説明図
【図３】請求項２に係るイメージセンサの等価回路構成
図
図
【図４】従来のＧａＡｓ系超格子型赤外線検出器の模式
構造断面図
構造断面図
【図５】超格子層の伝導帯のエネルギ構造の説明図
１０ 赤外線検出部を構成するダイオード １１ 基板 １２ 超格子構造赤外線吸収層 ２０ 電界効果トランジスタ ２１ ソース ２２ ドレイン ２３ チャネル ２４ ゲート電極 ３０ イメージセンサ ３１ 水平方向の信号読み出し用電界効果トランジスタ
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板上に超格子構造の光検出部を
設け、この光検出部上に電界効果トランジスタを積層し
たことを特徴とする半導体光検出装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体光検出装置を同一
半導体基板上に複数個アレイ状に配設したことを特徴と
するイメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5236489A JPH0794774A (ja) | 1993-09-22 | 1993-09-22 | 半導体光検出装置およびイメージセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5236489A JPH0794774A (ja) | 1993-09-22 | 1993-09-22 | 半導体光検出装置およびイメージセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0794774A true JPH0794774A (ja) | 1995-04-07 |
Family
ID=17001493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5236489A Withdrawn JPH0794774A (ja) | 1993-09-22 | 1993-09-22 | 半導体光検出装置およびイメージセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0794774A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100290858B1 (ko) * | 1999-03-13 | 2001-05-15 | 구자홍 | 양자점 원적외선 수광소자 및 그 제조방법 |
| US7768048B2 (en) | 2003-09-09 | 2010-08-03 | Asahi Kasei Emd Corporation | Infrared sensor IC, and infrared sensor and manufacturing method thereof |
-
1993
- 1993-09-22 JP JP5236489A patent/JPH0794774A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100290858B1 (ko) * | 1999-03-13 | 2001-05-15 | 구자홍 | 양자점 원적외선 수광소자 및 그 제조방법 |
| US7768048B2 (en) | 2003-09-09 | 2010-08-03 | Asahi Kasei Emd Corporation | Infrared sensor IC, and infrared sensor and manufacturing method thereof |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001128 |