JP5167620B2 - デュアルインターフェースカードの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、各種証明証や電子決済システム、ドアの開閉システム等に使用される接触式と非接触式の通信手段を有するデュアルインターフェースカードの製造方法に関するものである。

ＩＣカードは、接続端子を介してデータの通信を行う接触型ＩＣカードと、コイルを通じて電磁誘導により通信を行う非接触型ＩＣカードに分類され、主に、接触型ＩＣカードは、決済用途、非接触型ＩＣカードは、交通システム等のゲートアクセス管理に用いられている。

近年、接触型ＩＣカードの機能と非接触型ＩＣカードの機能とを１つのＩＣチップで併せ持つＩＣモジュール（以下、デュアルインターフェースモジュールと称す）を用いた接触型非接触型共用ＩＣカード（以下、デュアルインターフェースカードと称す）が開発されている。
このようなデュアルインターフェースカードの一例として、ＩＣモジュールのアンテナ接続端子と、カード基体に形成されたアンテナ接続端子とを電気的に接続してなるデュアルインターフェースカードにおいて、カード基体に形成されたアンテナコイル接続端子と、ＩＣモジュールのアンテナコイル接続端子との接合を導電性接着材料のみ、または導電性接着材料と絶縁性材料とを用いて行っているデュアルインターフェースカードが提案されている（例えば、特許文献１参照）。

これは、図６（ａ）及び（ｂ）に示すように、コアシート１２１とオーバーシート１２３、１２４とで構成されたカード基体１２０の所定位置にモジュール装着するための凹部１８が形成され、アンテナコイル接続端子４４が露出し、アンテナコイル接続端子４４上に導電性接着剤１９が形成されている。
一方、外部接装置続端子１１２の下面にＩＣ側アンテナコイル接続端子１１４が形成されたＩＣモジュールを、カード基体１２０の凹部１８に装着し、加熱プレスすることにより、導電性接着剤１９を介して基体側アンテナコイル接続端子４４と接続してデュアルインターフェースカードを作製する。

上記デュアルインターフェースカードのＩＣモジュールのＩＣ側アンテナ接続端子１１４とカード基体１２０に形成されたアンテナ接続端子４４との接合は、導電性接着材料、または導電性接着材料と絶縁性材料とを用いて行っているので、接続端子の接着強度と導電性は確保できるが、アンテナ接続端子の面積が大きくなることから高密度実装タイプのデュアルインターフェースモジュールを用いてデュアルインターフェースカードを作製する場合接続端子の設計上の問題が発生する。
特開２０００−１８２０１７号公報

本発明は上記問題点に鑑みなされたものであり、ＲＦ端子が形成されたデュアルインターフェースモジュールとアンテナコイルとアンテナ端子が内蔵されたアンテナ内蔵カードとを用いて作製されるデュアルインターフェースカードの製造方法において、デュアルインターフェースモジュールのＲＦ端子とアンテナ内蔵カードのアンテナ端子との電気的接続が限られたサイズの接続端子領域でも接合信頼性が得られるデュアルインターフェース
カードの製造方法を提供することを目的とする。

また、請求項１においては、絶縁基板の一方の面に外部接続端子が、他方の面にＲＦ（Radio Frequency）端子が形成され、ＩＣチップが実装されたデュアルインターフェースモジュールとアンテナコイルとアンテナ端子が内蔵されたアンテナ内蔵カードとを用いて作製されるデュアルインターフェースカードの製造方法において、
少なくとも以下の工程を具備することを特徴とするデュアルインターフェースカードの製造方法。
（ａ）オーバーレイ（１１）の一方の面にデザイン絵柄（３１）を、他方の面に接着樹脂層（２１）を形成した加工シート（１０）を作製する工程、
（ｂ）耐熱性シート（１２）の所定位置にアンテナコイル（４２）と、アンテナ端子（４１）とを形成したアンテナシート（２０）を作製する工程、
（ｃ）アンテナシート（２０）の両面に加工シート（１０）を積層し、熱プレス加工してアンテナ内蔵ブロックシート（３０）を作製する工程、
（ｄ）アンテナ内蔵ブロックシート（３０）をカード形状に加工してアンテナ内蔵カード（４０）を作製する工程、
（ｅ）アンテナ内蔵カード（４０）の所定位置をザグリ加工（ミーリング加工）してデュアルインターフェースモジュールを装着するためのキャビティー（５５）を形成し、アンテナ端子（４１）を露出して、キャビティーが形成されたアンテナ内蔵カード（５０）を作製する工程、
（ｆ）絶縁基材（１３）の一方の面に外部接続端子（７１）が、他方の面にＲＦ端子（６１）が形成され、ＩＣチップ（５１）が実装されたデュアルインターフェースモジュール（６０）を作製する工程、
（ｇ）デュアルインターフェースモジュール（６０）のＲＦ端子（６１）上にクリームハンダ層（８６）を形成し、ＲＦ端子（６１）上にクリームハンダ層（８６）が形成されたデュアルインターフェースモジュール（６０ｂ）を作製する工程、
（ｈ）キャビティーが形成されたアンテナ内蔵カード（５０）のアンテナ端子（４１）上にプレハンダ（８２）を形成し、アンテナ端子（４１）上にプレハンダ（８２）が形成されたアンテナ内蔵カード（５０ａ）を作製する工程、
（ｉ）アンテナ端子（４１）上にプレハンダ（８２）が形成されたアンテナ内蔵カード（５０ａ）のキャビティー（５５）にデュアルインターフェースモジュール（６０ｂ）を位置合わせして装着し、プレヒートされたデュアルインターフェースモジュール（６０ａ）をデュアルインターフェースモジュール（６０）のＲＦ端子（６１）上に形成されたプレハンダ上部で停止させることにより熱を伝え、プレスヘッド（９１）にて熱プレスしてＲＦ端子（６１）とアンテナ端子（４１）とをハンダ接合し、ホットメルトシートにてデュアルインターフェースモジュール６０ｂをキャビティーに埋設固定し、デュアルインターフェースモジュールとアンテナとが電気的に接続されたデュアルインターフェースカード（２００）を作製する工程。

また、請求項２においては、絶縁基板の一方の面に外部接続端子が、他方の面にＲＦ（Radio Frequency）端子が形成され、ＩＣチップが実装されたデュアルインターフェースモジュールとアンテナコイルとアンテナ端子が内蔵されたアンテナ内蔵カードとを用いて作製されるデュアルインターフェースカードの製造方法において、
少なくとも以下の工程を具備することを特徴とするデュアルインターフェースカードの製造方法。
（ａ）オーバーレイ（１１）の一方の面にデザイン絵柄（３１）を、他方の面に接着樹脂層（２１）を形成した加工シート（１０）を作製する工程、
（ｂ）耐熱性シート（１２）の所定位置にアンテナコイル（４２）と、アンテナ端子（４１）とを形成したアンテナシート（２０）を作製する工程。
（ｃ）アンテナシート（２０）の両側に加工シート（３０）を積層し、熱プレス加工してアンテナ内蔵ブロックシート（３０）を作製する工程、
（ｄ）アンテナ内蔵ブロックシート（３０）をカード形状に加工してアンテナ内蔵カード（４０）を作製する工程、
（ｅ）アンテナ内蔵カード（４０）の所定位置をザグリ加工（ミーリング加工）してデュアルインターフェースモジュールを装着するためのキャビティー（５５）を形成し、アンテナ端子（４１）を露出して、キャビティーが形成されたアンテナ内蔵カード（５０）を作製する工程、
（ｆ）絶縁基材（１３）の一方の面に外部接続端子（７１）が、他方の面にＲＦ端子（６１）が形成され、ＩＣチップ（５１）が実装されたデュアルインターフェースモジュール（６０）を作製する工程、
（ｇ）デュアルインターフェースモジュール（６０）のＲＦ端子（６１）上にプレハンダ（８１）を形成し、ＲＦ端子（６１）上にプレハンダ（８２）が形成されたデュアルインターフェースモジュール（６０ａ）を作製する工程、
（ｈ）キャビティーが形成されたアンテナ内蔵カード（５０）のアンテナ端子（４１）上にプレハンダ（８２）を形成し、ＲＦ端子（６１）上にプレハンダ（８２）が形成されたアンテナ内蔵カード（５０ａ）を作製する工程、
（ｉ）プレハンダ（８２）が形成されたアンテナ内蔵カード（５０ａ）のキャビティー（５５）にデュアルインターフェースモジュール（６０ａ）を位置合わせして装着し、プレヒートされたデュアルインターフェースモジュール（６０ａ）をデュアルインターフェースモジュール（６０）のＲＦ端子（６１）上に形成されたプレハンダ上部で停止させることにより熱を伝え、プレスヘッド（９１）にて熱プレスしてＲＦ端子（６１）とアンテナ端子（４１）とをハンダ接合し、ホットメルトシートにてデュアルインターフェースモジュール６０ｂをキャビティーに埋設固定し、デュアルインターフェースモジュールとアンテナとが電気的に接続されたデュアルインターフェースカード（３００）を作製する工程。

本発明のデュアルインターフェースカードの製造方法では、デュアルインターフェースモジュール６０のＲＦ端子６１上、もしくはアンテナ内蔵カード５０のアンテナ端子４１上にプレハンダを形成し、クリームハンダ層を介してデュアルインターフェースモジュール６０のＲＦ端子６１とアンテナ内蔵カード５０のアンテナ端子４１とをハンダ接合するため、限られた面積の接続端子領域上でも接合信頼性に優れたデュアルインターフェースカードを得ることができ、高密度デュアルインターフェースモジュールを用いたデュアルインターフェースカードの場合でも端子設計の裕度を持たせることができる。

以下、本発明の実施の形態につき説明する。
本発明のデュアルインターフェースカードの製造方法について説明する。
図１（ａ）〜（ｄ）、図２（ｅ）〜（ｈ）及び図３（ｉ）〜（ｊ）は、本発明の請求項１に係るデュアルインターフェースカードの製造方法の一例を工程順に示す説明図である。まず、ＰＥＴ−Ｇ基材もしくは塩化ビニールシート等からなるオーバーレイ１１の一方の面にオフセット印刷、スクリーン印刷等にてパターン、絵柄を印刷して、デザイン絵柄３１を形成する。さらに、熱可塑性樹脂溶液をグラビア印刷等にて塗工して塗膜を形成し、乾燥して接着樹脂層２１を形成した加工シート１０を作製する（図１（ａ）参照）。
ここで、接着樹脂層２１としては、エチレンビニルアルコール（ＥＶＡ）、ポリエステル、ポリウレタン、アクリル系の単体若しくは混合によるホットメルト型シート形態の接着剤、２液反応型エポキシ樹脂、ウレタン系樹脂、ＵＶ及びカチオン重合、嫌気、湿気等の併用硬化により完全硬化する樹脂の単独、或いは混合物を用いることが出来る。

ＰＥＴ−Ｇシート等からなるコアシート１２の所定位置にアンテナコイル４２及びアンテナ接続端子４１を形成したアンテナシート２０を作製する（図１（ｂ）及び（ｃ）参照）。
ここで、図１（ｂ）は、アンテナシート２０の模式平面図、図１（ｃ）は、図１（ｂ）をＡ−Ａ’線で切断したアンテナシート２０の模式構成断面図を示す。
アンテナコイル４２及びアンテナ接続端子４１は、コアシート１２に銅箔が積層された銅箔付きコアシートの銅箔をフォトエッチングプロセスでパターニング処理して形成するか、コアシート１２上に導電ペーストをスクリーン印刷等でパターン印刷して、乾燥硬化して形成する等の方法で形成する。
さらに、アンテナ接続端子４１上には、スズめっきあるいはハンダめっきを施す。

次に、アンテナシート２０の両面に、オーバーレイ１１の一方の面にデザイン絵柄３１が、他方の面に接着樹脂層２１が形成された加工シート１０を積層し(図１（ｄ）参照)、所定の温度、圧力で熱プレス加工することにより、アンテナコイル４２及びアンテナ接続端子４１が多面付けされたアンテナ内蔵ブロックシート３０を作製する（図２（ｅ）参照）。

次に、上記アンテナ内蔵ブロックシート３０を所定のカード寸法にパンチャーで打ち抜き加工し、アンテナ内蔵カード４０を作製する（図２（ｆ）参照）。

次に、アンテナ内蔵カード４０の所定位置をザグリ加工（ミーリング加工）してデュアルインターフェースモジュールを装着するためのキャビティー５５を形成し、アンテナ端子４１を露出して、キャビティーが形成されたアンテナ内蔵カード５０を作製する（図２（ｇ）参照）。

次に、ガラスエポキシ、ポリイミド等の絶縁基材１３の両面に銅箔が積層された両面銅貼り積層板をフォトエッチングプロセス等でパターニング処理、ビア加工処理して、絶縁基材１３の一方の面に外部接続端子７１が、他方の面にＲＦ端子６１を形成し、外部接続
端子７１にはニッケル、金メッキを、ＲＦ端子６１には、スズめっきあるいはハンダめっきを施す。
さらに、ＩＣチップ５１をフェースダウンボンディング等で実装して、ＩＣチップ５１が実装されたデュアルインターフェースモジュール６０を作製する（図２（ｈ）参照）。
ここで、外部接続端子７１とＲＦ端子６１とはフィルドビア及び配線層（特に、図示せず）にてＩＣチップ５１の電極とそれぞれ電気的に接続されている。
さらに、必要に応じてＩＣチップ５１周辺部をエポキシ系樹脂を用いて封止する。

次に、デュアルインターフェースモジュール６０のＲＦ端子６１上にプレハンダ８１を形成し、ＲＦ端子６１上にプレハンダ８１が形成されたデュアルインターフェースモジュール６０ａを作製する（図３（ｉ）参照）。

次に、キャビティー５５が形成されたアンテナ内蔵カード５０のアンテナ端子４１上にクリームハンダを塗布してクリームハンダ層８５を形成し、アンテナ端子４１上にクリームハンダ層８５が形成されたアンテナ内蔵カード５０ｂを作製する（図３（ｉ）参照）。

次に、アンテナ内蔵カード５０ｂのキャビティー５５にデュアルインターフェースモジュール６０ａを位置合わせして装着し（図５（ｉ）参照）、１８０〜２２０℃に加熱されたプレスヘッド９１にて１秒間ほど熱プレスして、ＲＦ端子６１とアンテナ端子４１とをハンダ接合し、ホットメルトシートにてデュアルインターフェースモジュール６０ａをキャビティーに埋設固定し、デュアルインターフェースモジュールとアンテナとが電気的に接続されたデュアルインターフェースカード１００を作製する（図３（ｊ）参照）。

図１（ａ）〜（ｄ）、図２（ｅ）〜（ｈ）及び図４（ｉ）〜（ｊ）は、本発明の請求項２に係るデュアルインターフェースカードの製造方法の一例を工程順に示す説明図である。
まず、上記と同じ製造工程にて、加工シート１０（図１（ａ）参照）、アンテナシート２０（図１（ｂ）及び（ｃ）参照）、アンテナ内蔵ブロックシート３０（図２（ｅ）参照）、アンテナ内蔵カード４０（図２（ｆ）参照）、キャビティーが形成されたアンテナ内蔵カード５０（図２（ｇ）参照）、デュアルインターフェースモジュール６０（図２（ｈ）参照）をそれぞれ作製する。

次に、デュアルインターフェースモジュール６０のＲＦ端子６１上にクリームハンダを塗布してクリームハンダ層８６を形成し、ＲＦ端子６１上にクリームハンダ層８６が形成されたデュアルインターフェースモジュール６０ｂを作製する（図４（ｉ）参照）。

次に、キャビティー５５が形成されたアンテナ内蔵カード５０のアンテナ端子４１上にプレハンダ８２を形成し、アンテナ端子４１上にプレハンダ８２が形成されたアンテナ内蔵カード５０ａを作製する（図４（ｉ）参照）。

次に、１８０〜２２０℃に加熱されたホットプレスでデュアルインターフェースモジュール６０ｂをプレヒートして、アンテナ内蔵カード５０ｂのキャビティー５５に位置合わせして装着し（図４（ｉ）参照）、プレハンダ上部でプレスヘッド９１を1秒ほど停止させてプレハンダに熱を伝え、熱プレスしてＲＦ端子６１とアンテナ端子４１とをハンダ接合し、ホットメルトシートにてデュアルインターフェースモジュール６０ｂをキャビティーに埋設固定し、デュアルインターフェースモジュールとアンテナとが電気的に接続されたデュアルインターフェースカード２００を作製する（図４（ｊ）参照）。

図１（ａ）〜（ｄ）、図２（ｅ）〜（ｈ）及び図５（ｉ）〜（ｊ）は、本発明の請求項３に係るデュアルインターフェースカードの製造方法の一例を工程順に示す説明図である
。
まず、上記と同じ製造工程にて、加工シート１０（図１（ａ）参照）、アンテナシート２０（図１（ｂ）及び（ｃ）参照）、アンテナ内蔵ブロックシート３０（図２（ｅ）参照）、アンテナ内蔵カード４０（図２（ｆ）参照）、キャビティーが形成されたアンテナ内蔵カード５０（図２（ｇ）参照）、デュアルインターフェースモジュール６０（図２（ｈ）参照）をそれぞれ作製する。

次に、デュアルインターフェースモジュール６０のＲＦ端子６１上にプレハンダ８１を形成し、ＲＦ端子６１上にプレハンダ８１が形成されたデュアルインターフェースモジュール６０ａを作製する（図５（ｉ）参照）。

次に、キャビティー５５が形成されたアンテナ内蔵カード５０のアンテナ端子４１上にプレハンダ８２を形成し、アンテナ端子４１上にプレハンダ８２が形成されたアンテナ内蔵カード５０ａを作製する（図５（ｉ）参照）。

次に、アンテナ内蔵カード５０ａのキャビティー５５にデュアルインターフェースモジュール６０ａを位置合わせして装着し（図５（ｉ）参照）、１８０〜２２０℃に加熱されたプレスヘッド９１にて１秒ほど熱プレスして、ＲＦ端子６１とアンテナ端子４１とをハンダ接合し、ホットメルトシートにてデュアルインターフェースモジュール６０ａをキャビティーに埋設固定し、デュアルインターフェースモジュールとアンテナとが電気的に接続されたデュアルインターフェースカード３００を作製する（図５（ｊ）参照）。

本発明の製造方法にて作製されたデュアルインターフェースカードは、プレハンダとクリームハンダ層にてＲＦ端子６１とアンテナ端子４１とをハンダ接合するため、限られた面積の接続端子領域上でも接合信頼性に優れたデュアルインターフェースカードを得ることができ、高密度デュアルインターフェースモジュールを用いた場合でも端子設計の裕度を持たせることができる。

以下実施例により本発明を詳細に説明する。
まず、０．３ｍｍ厚のＰＥＴ−Ｇ基材からなるオーバーレイ１１の一方の面にオフセット印刷、スクリーン印刷等にてパターン、絵柄を印刷して、デザイン絵柄３１を形成した。さらに、オーバーレイ１１の他方の面にポリエステル樹脂溶液をグラビアコーターにて塗工して塗膜を形成し、乾燥して２〜３μｍ厚の接着樹脂層２１を形成した加工シート１０を作製した（図１（ａ）参照）。

次に、０．２ｍｍ厚のＰＥＴ−Ｇ基材からなるコアシート１２の両面に銅箔が積層された両面銅張り積層板の銅箔をフォトエッチングプロセスにてパターニング処理し、コアシート１２の所定位置にアンテナコイル４２及びアンテナ接続端子４１を形成し、アンテナ接続端子４１上にハンダめっき層（特に、図示せず）を形成したアンテナシート２０を作製した（図１（ｂ）及び（ｃ）参照）
次に、アンテナシート２０の両面に、オーバーレイ１１の一方の面にデザイン絵柄３１が、他方の面に接着樹脂層２１が形成された加工シート１０を積層し(図１（ｄ）参照)、温度１２０℃、圧力１５ｋｇ／ｃｍ²で２０分間熱プレス加工することにより、アンテナコイル４２及びアンテナ接続端子４１が多面付けされたアンテナ内蔵ブロックシート３０を作製した（図２（ｅ）参照）。

次に、上記アンテナ内蔵ブロックシート３０を所定のカード寸法にパンチャーで打ち抜き加工し、アンテナ内蔵カード４０を作製した（図２（ｆ）参照）。

次に、アンテナ内蔵カード４０の所定位置をザグリ加工（ミーリング加工）してデュアルインターフェースモジュールを装着するためのキャビティー５５を形成し、アンテナ端子４１を露出して、キャビティーが形成されたアンテナ内蔵カード５０を作製した（図２（ｇ）参照）。

次に、ガラスエポキシ樹脂からなる絶縁基材１３の両面に銅箔を積層した両面銅貼り積層板をフォトエッチングプロセス等でパターニング処理、ビア加工処理して、外部接続端子７１、ＲＦ端子６１、配線層及びフィルドビアを形成し、外部接続端子７１上に２μｍ厚のニッケル層及び０．３μｍ厚の金層（特に、図示せず）を、ＲＦ端子６１上に１０μｍ厚のハンダめっき層（特に、図示せず）を形成した。
さらに、ＩＣチップ５１をフェースダウンボンディングで実装して、絶縁基材１３の一方の面に外部接続端子７１が、他方の面にＲＦ端子６１が形成され、ＩＣチップ５１が実装されたデュアルインターフェースモジュール６０を作製した（図２（ｈ）参照）。

次に、デュアルインターフェースモジュール６０のＲＦ端子６１上にディスペンサーにてプレハンダ８１を形成し、ＲＦ端子６１上にプレハンダ８１が形成されたデュアルインターフェースモジュール６０ａを作製した（図３（ｉ）参照）。

次に、キャビティー５５が形成されたアンテナ内蔵カード５０のアンテナ端子４１上にクリームハンダを塗布してクリームハンダ層８５を形成し、アンテナ端子４１上にクリームハンダ層８５が形成されたアンテナ内蔵カード５０ｂを作製した（図３（ｉ）参照）。

次に、アンテナ内蔵カード５０ｂのキャビティー５５にデュアルインターフェースモジュール６０ａを位置合わせして装着し（図５（ｉ）参照）、２００℃に加熱されたプレスヘッド９１にて１秒間熱プレスして、ＲＦ端子６１とアンテナ端子４１とをハンダ接合し、ホットメルトシートにてデュアルインターフェースモジュール６０ａをキャビティーに埋設固定し、デュアルインターフェースモジュールとアンテナとが電気的に接続されたデュアルインターフェースカード１００を作製した（図３（ｊ）参照）。

まず、実施例１と同様な工程で、加工シート１０（図１（ａ）参照）、アンテナシート２０（図１（ｂ）及び（ｃ）参照）、アンテナ内蔵ブロックシート３０（図２（ｅ）参照）、アンテナ内蔵カード４０（図２（ｆ）参照）、キャビティーが形成されたアンテナ内蔵カード５０（図２（ｇ）参照）、デュアルインターフェースモジュール６０（図２（ｈ）参照）をそれぞれ作製した。

次に、デュアルインターフェースモジュール６０のＲＦ端子６１上にクリームハンダを塗布してクリームハンダ層８６を形成し、ＲＦ端子６１上にクリームハンダ層８６が形成されたデュアルインターフェースモジュール６０ｂを作製した（図４（ｉ）参照）。

次に、キャビティー５５が形成されたアンテナ内蔵カード５０のアンテナ端子４１上にディスペンサーにてプレハンダ８２を形成し、アンテナ端子４１上にプレハンダ８２が形成されたアンテナ内蔵カード５０ａを作製した（図４（ｉ）参照）。

次に、２００℃に加熱されたホットプレスを用いてデュアルインターフェースモジュール６０ｂをプレヒートして、アンテナ内蔵カード５０ｂのキャビティー５５に位置合わせして装着し（図４（ｉ）参照）、プレハンダ上部でプレスヘッド９１を1秒程停止させてプレハンダに熱を伝え、熱プレスしてＲＦ端子６１とアンテナ端子４１とをハンダ接合し、ホットメルトシートにてデュアルインターフェースモジュール６０ｂをキャビティーに埋設固定し、デュアルインターフェースモジュールとアンテナとが電気的に接続されたデ
ュアルインターフェースカード２００を作製した（図４（ｊ）参照）。

まず、実施例１と同様な工程で、加工シート１０（図１（ａ）参照）、アンテナシート２０（図１（ｂ）及び（ｃ）参照）、アンテナ内蔵ブロックシート３０（図２（ｅ）参照）、アンテナ内蔵カード４０（図２（ｆ）参照）、キャビティーが形成されたアンテナ内蔵カード５０（図２（ｇ）参照）、デュアルインターフェースモジュール６０（図２（ｈ）参照）をそれぞれ作製した。

次に、デュアルインターフェースモジュール６０のＲＦ端子６１上にディスペンサーにてプレハンダ８１を形成し、ＲＦ端子６１上にプレハンダ８１が形成されたデュアルインターフェースモジュール６０ａを作製した（図５（ｉ）参照）。

次に、キャビティー５５が形成されたアンテナ内蔵カード５０のアンテナ端子４１上にディスペンサーにてプレハンダ８２を形成し、アンテナ端子４１上にプレハンダ８２が形成されたアンテナ内蔵カード５０ａを作製した（図５（ｉ）参照）。

次に、アンテナ内蔵カード５０ａのキャビティー５５にデュアルインターフェースモジュール６０ａを位置合わせして装着し（図５（ｉ）参照）、２００℃に加熱されたプレスヘッド９１にて１秒間熱プレスして、ＲＦ端子６１とアンテナ端子４１とをハンダ接合し、ホットメルトシートにてデュアルインターフェースモジュール６０ａをキャビティーに埋設固定し、デュアルインターフェースモジュールとアンテナとが電気的に接続されたデュアルインターフェースカード３００を作製した（図５（ｊ）参照）。

（ａ）〜（ｄ）は、本発明のデュアルインターフェースカードの製造方法の製造工程の一部を示す説明図である。 （ｅ）〜（ｈ）は、本発明のデュアルインターフェースカードの製造方法の製造工程の一部を示す説明図である。 （ｉ）〜（ｊ）は、本発明のデュアルインターフェースカードの請求項１に係わる製造方法の製造工程の一部を示す説明図である。 （ｉ）〜（ｊ）は、本発明のデュアルインターフェースカードの請求項２に係わる製造方法の製造工程の一部を示す説明図である。 （ｉ）〜（ｊ）は、本発明のデュアルインターフェースカードの請求項３に係わる製造方法の製造工程の一部を示す説明図である。 （ａ）〜（ｂ）は、デュアルインターフェースカードの構成の一例を示す説明図である。

符号の説明

１０……加工シート
１１……オーバーレイ
１２……コアシート
１３……絶縁基材
１８……凹部
１９……導電性接着剤
２０……アンテナシート
２１……接着樹脂層
３３……アンテナ内蔵ブロックシート
３１……デザイン絵柄
４０……アンテナ内蔵カード
４１……アンテナ接続端子
４２、４３……アンテナコイル
４４……アンテナコイル接続端子
５０……キャビティーが形成されたアンテナ内蔵カード
５０ａ……アンテナ端子上にプレハンダが形成されたアンテナ内蔵カード
５０ｂ……アンテナ端子上にクリームハンダ層が形成されたアンテナ内蔵カード
５１……ＩＣチップ
５５……キャビティー
６０……デュアルインターフェースモジュール
６０ａ……ＲＦ端子上にプレハンダが形成されたデュアルインターフェースモジュール
６０ｂ……ＲＦ端子上にクリームハンダ層が形成されたデュアルインターフェースモジュール
６１……ＲＦ端子
７１……外部接続端子
８１、８２……プレハンダ
８５、８６……クリームハンダ層
９１……プレスヘッド
１１２……外部装置接続端子
１１４……ＩＣ側アンテナコイル端子
１１５……モールド樹脂
１２０……カード基体
１２１……コアシート
１２３、１２４……オーバーシート

Claims (2)

1. 絶縁基板の一方の面に外部接続端子が、他方の面にＲＦ（Radio Frequency）端子が形成され、ＩＣチップが実装されたデュアルインターフェースモジュールとアンテナコイルとアンテナ端子が内蔵されたアンテナ内蔵カードとを用いて作製されるデュアルインターフェースカードの製造方法において、
   少なくとも以下の工程を具備することを特徴とするデュアルインターフェースカードの製造方法。
   （ａ）オーバーレイ（１１）の一方の面にデザイン絵柄（３１）を、他方の面に接着樹脂層（２１）を形成した加工シート（１０）を作製する工程、
   （ｂ）耐熱性シート（１２）の所定位置にアンテナコイル（４２）と、アンテナ端子（４１）とを形成したアンテナシート（２０）を作製する工程、
   （ｃ）アンテナシート（２０）の両面に加工シート（１０）を積層し、熱プレス加工してアンテナ内蔵ブロックシート（３０）を作製する工程、
   （ｄ）アンテナ内蔵ブロックシート（３０）をカード形状に加工してアンテナ内蔵カード（４０）を作製する工程、
   （ｅ）アンテナ内蔵カード（４０）の所定位置をザグリ加工（ミーリング加工）してデュアルインターフェースモジュールを装着するためのキャビティー（５５）を形成し、アンテナ端子（４１）を露出して、キャビティーが形成されたアンテナ内蔵カード（５０）を作製する工程、
   （ｆ）絶縁基材（１３）の一方の面に外部接続端子（７１）が、他方の面にＲＦ端子（６１）が形成され、ＩＣチップ（５１）が実装されたデュアルインターフェースモジュール（６０）を作製する工程、
   （ｇ）デュアルインターフェースモジュール（６０）のＲＦ端子（６１）上にクリームハンダ層（８６）を形成し、ＲＦ端子（６１）上にクリームハンダ層（８６）が形成されたデュアルインターフェースモジュール（６０ｂ）を作製する工程、
   （ｈ）キャビティーが形成されたアンテナ内蔵カード（５０）のアンテナ端子（４１）上にプレハンダ（８２）を形成し、アンテナ端子（４１）上にプレハンダ（８２）が形成されたアンテナ内蔵カード（５０ａ）を作製する工程、
   （ｉ）アンテナ端子（４１）上にプレハンダ（８２）が形成されたアンテナ内蔵カード（５０ａ）のキャビティー（５５）にデュアルインターフェースモジュール（６０ｂ）を位置合わせして装着し、プレヒートされたデュアルインターフェースモジュール（６０ａ）をデュアルインターフェースモジュール（６０）のＲＦ端子（６１）上に形成されたプレハンダ上部で停止させることにより熱を伝え、プレスヘッド（９１）にて熱プレスしてＲＦ端子（６１）とアンテナ端子（４１）とをハンダ接合し、ホットメルトシートにてデュアルインターフェースモジュール６０ｂをキャビティーに埋設固定し、デュアルインターフェースモジュールとアンテナとが電気的に接続されたデュアルインターフェースカード（２００）を作製する工程。
2. 絶縁基板の一方の面に外部接続端子が、他方の面にＲＦ（Radio Frequency）端子が形成され、ＩＣチップが実装されたデュアルインターフェースモジュールとアンテナコイルとアンテナ端子が内蔵されたアンテナ内蔵カードとを用いて作製されるデュアルインターフェースカードの製造方法において、
   少なくとも以下の工程を具備することを特徴とするデュアルインターフェースカードの製造方法。
   （ａ）オーバーレイ（１１）の一方の面にデザイン絵柄（３１）を、他方の面に接着樹脂層（２１）を形成した加工シート（１０）を作製する工程、
   （ｂ）耐熱性シート（１２）の所定位置にアンテナコイル（４２）と、アンテナ端子（４１）とを形成したアンテナシート（２０）を作製する工程、
   （ｃ）アンテナシート（２０）の両側に加工シート（３０）を積層し、熱プレス加工してアンテナ内蔵ブロックシート（３０）を作製する工程、
   （ｄ）アンテナ内蔵ブロックシート（３０）をカード形状に加工してアンテナ内蔵カード（４０）を作製する工程、
   （ｅ）アンテナ内蔵カード（４０）の所定位置をザグリ加工（ミーリング加工）してデュアルインターフェースモジュールを装着するためのキャビティー（５５）を形成し、アンテナ端子（４１）を露出して、キャビティーが形成されたアンテナ内蔵カード（５０）を作製する工程、
   （ｆ）絶縁基材（１３）の一方の面に外部接続端子（７１）が、他方の面にＲＦ端子（６１）が形成され、ＩＣチップ（５１）が実装されたデュアルインターフェースモジュール（６０）を作製する工程、
   （ｇ）デュアルインターフェースモジュール（６０）のＲＦ端子（６１）上にプレハンダ（８１）を形成し、ＲＦ端子（６１）上にプレハンダ（８２）が形成されたデュアルインターフェースモジュール（６０ａ）を作製する工程、
   （ｈ）キャビティーが形成されたアンテナ内蔵カード（５０）のアンテナ端子（４１）上にプレハンダ（８２）を形成し、ＲＦ端子（６１）上にプレハンダ（８２）が形成されたアンテナ内蔵カード（５０ａ）を作製する工程、
   （ｉ）プレハンダ（８２）が形成されたアンテナ内蔵カード（５０ａ）のキャビティー（５５）にデュアルインターフェースモジュール（６０ａ）を位置合わせして装着し、プレヒートされたデュアルインターフェースモジュール（６０ａ）をデュアルインターフェースモジュール（６０）のＲＦ端子（６１）上に形成されたプレハンダ上部で停止させることにより熱を伝え、プレスヘッド（９１）にて熱プレスしてＲＦ端子（６１）とアンテナ端子（４１）とをハンダ接合し、ホットメルトシートにてデュアルインターフェースモジュール６０ｂをキャビティーに埋設固定し、デュアルインターフェースモジュールとアンテナとが電気的に接続されたデュアルインターフェースカード（３００）を作製する工程。