JP5166469B2 - 固体撮像装置 - Google Patents

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Description

本発明は、例えばイメージセンサに適用される固体撮像装置に関する。
イメージセンサ回路において、フォトダイオードから入射された光を光電変換し、これによって得られたアナログ信号をデジタル信号に変える際、画像信号からノイズを取り除く必要がある(特許文献1参照)。
しかし、デジタル信号に変換する際、参照信号のゲインの大きさに起因して、アナログ信号のうち画像信号の基準電圧とされるリセット信号がデジタル変換されなく、全体的に黒く沈んだ映像となるという問題がある。
米国特許第6,803,958号公報
本発明は、VOB領域のリセット信号とランプ波の参照信号(VREF)とを比較し、リセット信号がAD変換の入力レンジから外れたどうかの比較結果に応じて自動的に1H中のクランプイネーブルパルスのH期間を設定出来ることから、縦筋の抑制など、特に暗時における特性を改善させる固体撮像装置を提供する。
実施形態の固体撮像装置によれば、リセット信号を垂直信号線に出力するVOB領域と、画像信号の基準レベルとなるリセット信号、及び前記画像信号をそれぞれ垂直信号線に出力する有効画素部と、前記VOB領域から前記垂直信号線を介して転送された前記リセット信号と参照信号とを比較し、前記VOB領域から出力された前記リセット信号が、A/D変換が出来る最大のカウント値であるデジタルレベルレンジ内において、前記比較結果が反転したか否かの判定を行う比較部と、前記比較部の判定結果に応じて第1結果または第2結果のいずれかの値を保持可能とする保持部と、前記有効画素部からリセット信号を前記垂直信号線へ読み出す際、前記保持部の保持する前記値に応じて、前記垂直信号線の電圧をクランプする期間を可変とし、クランプパルスタイミング期間を自動的に設定する駆動制御部とを具備する。
本発明によれば、VOB領域のリセット信号とランプ波の参照信号(VREF)とを比較し、リセット信号がAD変換の入力レンジから外れたどうかの比較結果に応じて自動的に1H中のクランプイネーブルパルスのH期間を設定出来ることから、縦筋の抑制など、特に暗時における特性を改善させる固体撮像装置を提供できる。
この発明の第1の実施形態に係る固体撮像装置のブロック図。 この発明の第1の実施形態に係る固体撮像装置の1カラム分に相当するブロック図。 この発明の第1の実施形態に係る参照信号VREFのゲインとカウントクロックとの関係を示した概念図。 この発明の第1の実施形態に係る駆動制御部の動作を示すフローチャートである。 この発明の第1の実施形態に係る固体撮像装置の、明時の場合における動作を示すタイムチャート及び電位図である。 この発明の第1の実施形態に係る固体撮像装置の、暗時の場合における、動作を示すタイムチャート及び電位図である。 この発明の第1の実施形態に係る固体撮像装置においてデジタル変換可能領域を示した概念図。 この発明の第2の実施形態に係る固体撮像装置の1カラム分に相当するブロック図。 この発明の第3の実施形態に係る固体撮像装置の1カラム分に相当するブロック図。 この発明の第3の実施形態に係るカウンターのブロック図。
以下、この発明の実施形態につき図面を参照して説明する。この説明に際し、全図にわたり、共通する部分には共通する参照符号を付す。
本実施形態に係る固体撮像装置について図1〜図5を用いて説明する。本実施形態に係る固体撮像装置は、有効撮像領域に設けられた単位画素からリセット信号を読み出す際、VOB中の単位画素3から読み出したリセット信号がデジタルレベルレンジ内か否かに応じて、垂直信号線VSLの電圧をクランプ(リセット電圧よりも大きな電圧で固定)する期間を自動的に設定し、例えば表示画面上の縦筋を抑制することで、特に暗時特性を改善するものである。
<1.構成例>
まず、図1を用いて本実施形態に係る固体撮像装置1の構成例について説明する。図1は、本実施形態に係る固体撮像装置1のブロック図である。図示するように、固体撮像装置1は、撮像部2、行走査回路4、バイアス回路5、リセット信号制御回路6(図中、RSと表記)、参照信号生成部7、駆動制御部8、列走査回路9、及びカラムAD変換回路10(以下、ADC部10と呼ぶ)を備える。
<撮像部2について>
まず、撮像部2から説明する。撮像部2は補正撮像領域(以下、VOB領域と呼ぶことがある)と有効撮像領域とを備える。
有効撮像領域は、k×m個からなるマトリクス状に配置された複数の単位画素3(以下、(以下、PIXEL3またはピクセル3と呼ぶことがある)を備える。VOB(補正撮像)領域は、t×m個からなるマトリクス状に配置された複数の単位画素3を備え、この領域は遮光された領域である。また、これら有効撮像領域とVOB領域とにそれぞれ配置された単位画素3は、同一の構成である。
行走査回路4により選択された行の単位画素3からはそれぞれ、入射された光の量に応じたアナログ信号Vsig(図中、信号Vsig1〜信号Vsigm)が垂直信号線VSL毎(図中、VSL1〜VSLm)に出力される。なお、アナログ信号Vsig1〜Vsigmを区別しない場合には、単にアナログ信号Vsigと呼ぶ。また更に、垂直信号線VSL1〜VSLmを区別しない場合には、単に垂直信号線VSLと呼ぶ。
<行走査回路4について>
行走査回路4は、駆動制御部8からの制御信号により、信号LS(k+t)〜LS(k+1)、及び信号LSk〜LS1を撮像部2に出力し、単位画素3を行毎に選択する選択部として機能する。なお、信号LS1〜LSk、及び信号LS(k+1)〜LS(k+t)を区別しない場合には、単に信号LSを呼ぶ。この信号LSは、例えば、信号RESET、及び信号READである。つまり、行走査回路4が、信号LSを画素単位3に出力すると、単位画素3からの読み出し動作により、リセット信号及び映像信号が読み出される。なお本実施形態では、補正撮像領域(VOB)の単位画素3からは、リセット信号及び映像信号、又はリセット信号のみが垂直信号線VSLに読み出されるものとする。
<バイアス回路5について>
バイアス回路5は、所定の電圧をリセット信号制御回路6に供給する。
<リセット信号制御回路6について>
リセット信号制御回路6は、駆動制御部8から供給される信号クランプイネーブル(以下、信号CE)に応じて、垂直信号線VSLを所定の電圧でクランプ(固定)する期間(以下、センサタイミングとも呼ぶ)を切り替える。つまり、リセット信号制御回路6は、ゲートに与えられる信号CEが‘H’レベルとされると、オン状態とされ、クランプ電圧を垂直信号線VSLに供給するMOSトランジスタを備える。
リセット信号制御回路6が垂直信号線VSLを所定の電圧でクランプする期間は、有効画素領域の単位画素3の画素信号の基準電圧を設定するオートゼロ期間またはこのオートゼロ期間と画素単位3からリセット信号を読み出す期間(以下、リセット信号検出期間と呼ぶ)との両方の期間のいずれかである。
また、このリセット信号制御回路6にはバイアス回路5から所定の電圧が供給される。なお、リセット信号制御回路6が垂直信号線VSLをクランプする電圧は、有効撮像領域における単位画素3から読みだされるリセット信号よりも少なくとも大きな値である。これは、過大な光が入射した際、画素単位3から読み出されるリセット信号が低下することから防止するためである。換言すれば、リセット信号が低下すると、画素信号とオートゼロ期間で取得した画素信号の基準電位とのダイナミックレンジが十分に取れなく、得られた映像に全体的に黒く沈んだ模様が発生することから防止するために、垂直信号線VSLの電位をクランプしている。
<参照信号生成部7について>
参照信号生成部7は、駆動制御部8から供給される制御信号に基づいて、ADC部10に参照信号VREFを出力する。この参照信号生成部7は、参照信号VREFを、期間(以下、オートゼロ期間、リセット信号検出期間、画素信号検出期間)に応じて第1参照信号〜第3参照信号として出力する。これら参照信号はハイレベルの電圧からローレベルの電圧へと一定の傾きで減少する。
第1参照信号VREF1は、リセット信号及び映像信号の基準電圧を設定するためのオートゼロ期間にADC部10(比較器20)に出力される。
そして、第2参照信号VREF2は、単位画素3から読み出されたリセット信号をデジタル変換するためのリセット信号検出期間にADC部10(比較器20)に出力される。
更に、第3参照信号VREF3は、単位画素3から読み出された画素信号をデジタル変換するための映像信号検出期間にADC部10(比較器20)に出力される。なお、参照信号VREF1〜VREF3を区別しない場合には、単に参照信号VREFと呼ぶ。
<駆動制御部8について>
駆動制御部8は、ラッチ回路21から供給された判定フラグに応じてリセット信号制御回路6に信号CEを供給する。つまり、VOB中の単位画素3から読み出したリセット信号からデジタル値を取得できるか否かに応じて信号CEをリセット信号制御回路6に供給する。信号CEとは、上記説明したように、有効撮像領域の単位画素3からリセット信号を垂直信号線VSLに読み出す際、この垂直信号線VSLを所定の電位でクランプする期間(オートゼロ期間、またはこのオートゼロ期間及びリセット信号検出期間のいずれか期間)を設定する制御信号である。
本実施形態では、判定フラグが‘L’であれば、オートゼロ期間のみ信号CEを‘H’レベルとし、判定フラグが‘H’レベルであれば、オートゼロ期間及びリセット信号検出期間の間、信号CEを‘H’レベルとする。
なお、本実施形態において上記判定フラグは、1つの単位画素3を用いて判定してもよいが、なるべくは複数の単位画素3を用いた方がよい。これは、リセット信号のレベルがADレンジ内に収まらないことを、1つの判定フラグで判断した場合にクランプイネーブル信号パルスタイミングを変化させるとすると、アナログゲインの低い場合にノードN1に白傷が存在する画素も誤検知してしまう場合も考えられるからである。
そこで、VOB中の画素単位3は複数画素(t×m個)存在することから、これらVOB中の単位画素3から得られたリセット信号のA/D変換結果により、判定フラグが立った単位画素3の個数に応じて‘H’レベルとする信号CEの期間を変化させる。
つまり、駆動制御部8に、個数判定のプログラム回路を搭載しておく事により、精度良くアナログゲインに最適なセンサタイミングを、有効画素読み出し期間に送信する事ができる。
この駆動制御部8は、リセット信号制御回路6が垂直信号線VSLの電圧をある所定の電圧にクランプするタイミングを制御する。
<列走査回路9について>
列走査回路9は、ADC回路10から供給されたデジタル信号を、例えば映像処理部(図示せぬ)などへ供給する。
<ADC部10について>
ADC部10は、比較器20、ラッチ回路21、EDGE検出器22、及びCOUNTER23(以下、カウンター23と呼ぶ)を備え、これら構成によって、単位画素3から読み出されたリセット信号及び画素信号のデジタル変換が行われる。
まず、比較器20から説明する。比較器20は、補正撮像領域(VOB)及び有効撮像領域の単位画素3からそれぞれ転送されたアナログ信号Vsig(リセット信号、または画素信号)と参照信号VREFとを比較する。比較器20は、その比較結果に応じた値(‘H’または‘L’レベル)を出力する。具体的には、参照信号VREFの値を正入力端子に入力し、反転入力端子に垂直信号線VSLの電位を入力する。つまり、参照信号VREFの値が、垂直信号線VSLの電位よりも大きければ、‘H’レベルを出力し、その反対であれば、‘L’レベルを出力する。
次に、ラッチ回路21について説明する。ラッチ回路21は、比較器20がリセット信号に対し反転したか否かの情報に応じて‘L’レベルまたは‘H’レベルいずれかの論理レベルを保持する。具体的には、補正撮像領域の単位画素3から読み出されたリセット信号のA/D変換レベル、つまりリセットカウントが、フルカウントレンジまでいったらラッチ信号(判定フラグ)を駆動制御部8に供給する。ここで、参照信号VREFのランプ波を、例えば10ビットの1024のレベルでスライスした際の最小単位を1LSB(1/1024)とする。
次に、EDGE検出部22は、アナログ信号Vsig(リセット信号、または画素信号)と参照信号VREFとの比較結果が、どのレベル(LSB)で反転するかを検出する。つまり、EDGE検出部22は、比較器21から供給される信号が‘H’レベルから‘L’レベルに反転すると、その検出結果をカウンター23に供給する。
最後にカウンター23について説明する。カウンター23は、EDGE検出部22から供給される検出結果(‘H’レベル→‘L’レベル)が得られるまで、リセット信号及び(リセット信号+映像信号)のデジタル値をそれぞれカウントする。この、カウンター23は、リセット信号のデジタル値と(画素信号+リセット信号)のデジタル値との差分を、画素信号のデジタル値として列走査回路9へと供給する。換言すれば、カウンター23は、画素信号と参照信号VREF3との大小関係が反転する時間量をデジタル値として、列走査回路9に出力する。
<2.単位画素3の構成例について>
次に、上記説明した単位画素3の構成例について図2を用いて説明する。図2は、s行目(1≦s≦t)に配置され、例えば垂直信号線VSL1に接続された単位画素3の回路の一例を示したものである。図示するように、単位画素3は、MOSトランジスタRST、READ、AMP、及びフォトダイオードPDを備える。
MOSトランジスタRSTのゲートには行走査回路4から信号LSとして信号RESETsが与えられ、ドレイン端には電圧VDDが供給され、ソース端は接続ノードN1に接続されている。このMOSトランジスタRSTはリセットトランジスタとして機能する。つまり、MOSトランジスタRSTがオン状態とされることで、ノードN1(ディフュージョン:検出部)の電位をリセット状態とする。
MOSトランジスタREADのゲートには行走査回路4から供給された信号READsが与えられ、ドレイン端は接続ノードN1に接続され、ソース端は、フォトダイオードPDのカソードが接続されている。このMOSトランジスタREADは、信号電荷読み出し用トランジスタとして機能する。またフォトダイオードPDのアノードは接地されている。
MOSトランジスタAMPのゲートには接続ノードN1が接続され、ドレイン端は電圧VDDが供給され、ソース端は垂直信号線VSL1に接続されている。すなわち、MOSトランジスタAMPのゲートと、MOSトランジスタRSTのソース端と、MOSトランジスタREADのドレイン端とが接続ノードN1で共通接続されている。つまり、MOSトランジスタAMPは、ノードN1における信号を増幅して、垂直信号線VSL1に出力するように構成されている。また、図2は、1カラム分に相当するブロック図を示しており、この画素信号がリセット信号制御回路6を通してコンパレータに入り、参照電圧VREFと比較される。
なお、信号RESETs、及び信号READsをそれぞれ伝達する信号線は、垂直信号線VSLに直交する水平方向の第sライン上に配置された単位画素3で共通接続されている。すなわち、信号線は、垂直信号線VSLに直交する水平方向の第sラインであって、垂直信号線VSL1〜垂直信号線VSLmのそれぞれに接続された単位画素3に対しそれぞれ共通接続されている。
また、同一列に配置された上記単位画素3は、MOSトランジスタAMPのソース端を介して、垂直信号線VSL1〜垂直信号線VSLmのいずれかに共通接続される。
また、同一行にある単位画素3には、信号RESET1〜信号RESET(k+t)、信号READ1〜信号READ(k+t)のいずれかの信号が共通に与えられる。以下、信号RESET1〜信号RESET(k+t)、信号READ1〜信号READ(k+t)に関しても、区別しない場合には、単に信号RESET、信号READと呼ぶ。
<3.参照信号VREFのゲインが変化した場合のリセット信号のカウンター値について>
次に、アナログ信号Vsig(リセット信号)をアナログ/デジタル変換した際、カウンター23が出力するカウント値(デジタル信号)について図3を用いて説明する。図3は、上記説明した参照信号生成部7が生成する参照信号VREFのゲインとカウンター23が出力するカウントクロックとの関係を示した概念図である。
図示するように、参照信号生成部7が生成する参照信号VREFは、例えばパターン1〜パターン3の傾きを持つ。本実施形態に係る固体撮像装置は、これら参照信号VREFの傾きが異なった場合であっても、カウンター23が出力するカウント値を、目的とした値(デジタルターゲット値)に合わせることが出来る。これは、1LSBの電圧ではなく、カウントしたデジタル値で判断するからである。
このリセット信号のデジタルターゲット値に対し、単位画素3のMOSトランジスタAMPのノイズや、比較器20のオフセット、遅延を考慮して、このリセット信号のカウント時間に相当するリセットフルカウント値内にばらつき分が収まる様にリセットフルカウント数を決める様にする。つまり、図示するようにパターン1のような参照信号VREFであると、パターン3に比べ傾きが小さい。この場合、リセット信号を比較器20で比較すると、そのカウント値(デジタル値)がバラつく傾向がある(場合によっては、リセット信号がA/D変換のレンジ内に収まらず、フルカウント値をオーバーすることがある)。そこで、オートゼロ期間及びリセット信号検出期間において、信号CEを‘H’レベルとする。これにより、ゲインがパターン1のような参照信号VREFであっても、すなわちカウント値がバラついた場合であってもリセット信号のデジタル信号を取得することが出来る。
これを例えば図3で説明する。図示するように、本実施形態では、リセット信号検出期間におけるカウンター23の出力は、リセット信号の出力ターゲット値を、例えば128LSBとし、リセット信号のフルカウントレンジを256LSBとすれば、リセット信号の出力ターゲット値からのバラつきを考慮しても、カウントレンジ内に収まる。
なお、このゲインの大きさが大小変化するのは、例えばイメージセンサの撮影シーンによるものである。つまり、暗闇で撮影する場合などは、ゲインをげ、これに対し明るいシーンなどではゲインをげる。このように、基準電圧VREFのゲインは変化するものとされる。
<2−1.駆動制御部8の動作について>
次に、上記説明した駆動制御部8の動作について、図4Aを用いて説明する。図4Aは、駆動制御部8が、VOB領域から出力されたリセット電位に応じてクランプ期間を設定するフローチャートである。まず駆動制御部8は、初期値として信号CEをオートゼロ期間中のみ“H”レベルに設定する(ステップS1)。次に、駆動制御部8は、ラッチ回路21から供給されたラッチ信号(判定信号)を検知する(S2)。ステップS2の結果、リセット信号のデジタル変換結果が、リセットフルカウント値内、すなわち変換結果が“L”レベルに反転したら(S3、YES)、信号CEはオートゼロ期間のみ“H”レベルとするよう制御する(S4)。これに対し、ステップS3において、変換結果が“L”レベルに反転せず、“H”レベルのままであったら、(S3、NO)、駆動制御部8は信号CEをオートゼロ期間に加え、リセット期間の間、“H”レベルとするよう制御する(S5)。
<2−2明時における固体撮像装置1の読み出し動作について>
次に、上記説明した固体撮像装置1の読み出し動作について図4を用いて説明する。図4は、明時の場合において、VOB領域における単位画素3から読み出されたリセット信号のデジタル変換結果に応じて、‘H’レベルとする信号CEの期間を変化させたタイムチャート及び電位図である。具体的には、図4Aで説明したVOB領域の単位画素3から読み出されたリセット信号のデジタル変換結果に応じて、信号CEを‘H’レベルとする期間をオートゼロ期間(図中、AZ期間またはAZと表記)、またはオートゼロ期間及びリセット期間(図中、AZ+RST期間と表記)のいずれかに設定するものである。なお、VOB領域の単位画素3から読み出されたリセット信号を読む際、信号CEを‘H’レベルとする期間のデフォルト(初期設定)は、オートゼロ期間(AZ期間)のみである。
図示するように、縦軸にCE信号(AZ)、CE信号(AZ+RST)、信号RESET、信号READ、AZスイッチ、比較器20の出力(AZ:ゲインがい時)、及び出力2(AZ+RST:ゲインがい時)、結果ラッチ、及び比較器20に入力される信号(参照信号VREF、垂直信号線VSLの電圧Vsig)を取り、横軸に時間を取る。なお、CE信号(AZ)と比較器20の出力(AZ)と比較器20に入力される電圧(AZ)とがそれぞれ対応し、CE信号(AZ+RST)と比較器20の出力(AZ+RST)と比較器20に入力される電圧(AZ+RST)とがそれぞれ対応する。なお、タイムチャートを理解しやすくするため、アナログゲインが高い場合にも関わらず、駆動制御部8が信号CEを“H”レベルとする期間をAZ期間のみとした場合についての動作も併せて説明する(タイムチャート内、下から2番目に示す図)。
時刻t0において、信号RESETが‘H’レベルとされる。これにより、有効撮像領域の単位画素3から読み出されたリセット信号が垂直信号線VSLに読み出される。その後、信号RESETが‘L’レベルになり、時刻t1から垂直信号線VSLの電位が減少する。
そして時刻t2において、信号CEが‘H’レベルとされる。これにより、リセット信号制御回路6がこの垂直信号線VSLに所定の電圧(>リセット電圧)を供給する。従って、減少していた垂直信号線VSLの電位は、時刻t2においてV2(<電圧V1)で固定される。もし、過大な光が入射された場合、リセット信号制御回路6がこの垂直信号線VSLをクランプしないと、リセット信号の電位は低下する。つまり、後に得られる映像信号の基準電位が低く設定されてしまう。このため、映像信号のダイナミックレンジが小さくなってしまう。
次に、時刻t3〜時刻t4の期間において、参照信号生成部7が参照信号VREFを電圧V3から一定の傾きで減少させる。その後、VREF信号値にオートゼロ信号値が固定され、比較器20の基準電位を取得する。
また、時刻t5において、CDS期間が‘L’レベルとされる。すなわち、デジタル変換が時刻t5から開始される。すなわち、時刻t5以降、比較器20から‘H’または‘L’レベルの信号が出力される。
以下、この時刻t5以降のタイムチャートをゲインが低い場合と高い場合とに分けて説明する。
<参照信号VREFのゲインが低い場合>
クランプ信号CEのデフォルト設定はオートゼロ期間のみ“H”レベルであるので、時刻t5において、信号CEが‘L’レベルとされる。すなわち、電圧V2で固定されていた垂直信号線VSLの電位が、この時刻t5から減少する。また、同時刻t5において、参照信号生成部7は、電圧V2から電圧V3に切り替え、この電圧V3を比較器20に供給する。前述の通り、電圧V3>電圧V2であるため、比較器20は‘H’レベルの信号を出力する。
そして時刻t6〜時刻t9の期間において、参照信号生成部7が参照信号VREF2を電圧V3から一定の傾きで減少させる。この時刻t6からカウンター23は‘H’レベルの期間、クロック信号CLKをカウントする。これにより、リセット信号のカウント値が得られる。
参照信号VREFのゲインが低い場合には参照信号VREFの傾きが大きいので、この間の時刻t7において、垂直信号線VSLの電位と同電位となり、比較器20が反転する確立が高い。この時刻に、カウンター23はリセット信号のカウントを終了し、その時点で比較器20は‘L’レベルになる。
そして、この時刻t7以降t9まで、参照信号VREF2<垂直信号線VSL(Vsig)となるので、比較器20は、この間、‘L’レベルの信号を出力する。なお、時刻t9における参照信号VREF2を電圧V5(<V4)とする。
そして、リセットフルカウント直前t8において、比較器20が反転したかの判断を行う。比較器20が反転‘L’レベルであれば、ラッチ信号判定パルスを出力し、比較器20が反転しない(‘L’レベルにならない)場合は、ラッチ信号が出力されない。このラッチ信号は、駆動制御部8へ送られる。
また、比較器20が反転した時点で、つまり、EDGE検出器22が‘L’レベルを検出した時点でカウント値が確定し、カウンター23にリセット信号のデジタル値が格納(ラッチ)される。
以上により、カウンター23によるクロック信号CLKの計数が完了する。その後、カウンター23は、リセット信号のデジタル値が確定後、参照信号VREFを電圧V3に戻して比較器20を元の反転していない状態に戻す。
そして、カウンター23の全ビットの信号を反転させ、リセットカウントをマイナスのリセットカウント値とし、このカウント値をカウント初期値とする。
また時刻t9において、有効撮像領域の単位画素3には‘H’レベルの信号READが入力される。これにより、垂直信号線VSLには、リセット信号+画素信号に相当する電圧が読み出される。この結果、時刻t9において、この画素信号が垂直信号線VSLに読み出されると、この垂直信号線VSLの電位が減少する。
また同時刻t9において、参照信号生成部7は、参照信号VREFとして電圧V3の参照信号VREF3を比較器20に供給する。時刻t9において、電圧V3>電圧V4であることから、比較器20は、‘H’レベルを出力する。
そして時刻t10〜時刻t13の期間において、参照信号生成部7が参照信号VREF3を電圧V3から一定の傾きで減少させる。この時刻t10からカウンター23は‘H’レベルの期間、クロック信号CLKをカウントする。これにより、(リセット信号+映像信号)のデジタル値を得ることができる。
そして、時刻t11になると、単位画素3に入力されていた信号READが’L’レベルとされる。これにより、単位画素3から垂直信号線VSLへの読み出しが完了し、垂直信号線VSLの電位がV6(<電圧V5)とされる。
そして、時刻t12になると、比較器20に入力される電圧が、垂直信号線VSLの電位と同電位となる。すなわち、比較器20に入力される電圧が、垂直信号線VSLの電位と同電位となる時刻がある。この時刻に、カウンター23は(リセット信号+映像信号)のカウントを終了し、その時点で比較器20は‘L’レベルになる。
そして、カウンター23は、得られたリセット信号のカウント値と(リセット信号+映像信号)のカウント値との差分をとることで、正味の映像信号のデジタル信号を得ることが出来る。つまり、これによりCDSが完了する。
そして、この時刻t12以降t13まで、参照信号VREF3<垂直信号線VSL(Vsig)となるので、比較器20は、この間、‘L’レベルの信号を出力する。
図4Cは、暗時の場合における、第1の実施態様に係る固体撮像装置の動作を示すタイムチャート及び電位図である。
時の場合であっても、画素信号が微小という点(時刻t9以降であっても画素信号の電圧=リセット信号の電圧)以外の動作は明時の際の読み出し動作と同様であることから説明を省略する。
<参照信号VREFのゲインが高い場合>
次に図4Bに戻って参照信号VREFのゲインが高い場合について説明する。なお、上記ゲインが低い場合と動作が同一である場合には、その説明を省略する。
まず、クランプ信号CEをデフォルト(オートゼロ期間のみ)にして、HOB画素のリセット電位を読み出す。この時、参照信号VREFのゲインが高い場合には、ゲインが低い場合と比較して参照信号VREFの傾きが小さいので、下から2段目の図に示すように、垂直信号線VSLの電位が参照信号VREFの電位よりも小さくならない、すわなち、比較器20が反転せず、フルカウントする確率が高い。
この場合、リセットレベル信号がデジタルレベルレンジ内に収まらなかった事を意味する。そして、比較器20が反転しなかったという情報がラッチ回路22に保持されている場合、有効画素読み出し前に、“H”レベルとされるクランプ信号CEの期間をオートゼロ期間から、オートゼロ期間及びリセット信号検出期間中に変更する。換言すれば、参照信号VREFのゲインが高い場合であると、ゲインが低い場合と比較して参照信号VREFの傾きが小さいことから、‘H’レベルとする信号CEの期間を、上記場合よりも長くする。すなわち、信号CE時刻t2〜t9の期間において‘H’レベルとする。すると一番下の図に示すように、オートゼロ取得時の電位がリセット信号の電位となる。つまり、アナログゲインが高い場合でも、必ず垂直信号線VSLの電位と参照信号VREFの電位が同電位となる時刻が存在し、その時点で比較器20は‘L’レベルになり、リセットカウント値が確定できる。つまり、リセットカウント値、及び画素カウント値が確定する為、AD変換ができるようになる。つまり、HOB画素のリセットレベルの信号に応じて垂直信号線VSLの電圧をクランプする期間が自動的に設定され、リセットカウント値が確定する。
具体的には、時刻t5以降、参照信号VREF2(=電圧V7)>垂直信号線VSLの電位であることから、比較器20は‘H’レベルを出力し続ける。そして、時刻t7において、比較器20に入力される電圧が、垂直信号線VSLの電位と同電位となる時刻がある。この時刻に、カウンター23はリセット信号のカウントを終了し、その時点で比較器20は‘L’レベルになる。
そして、この時刻t7以降t9まで、参照信号VREF2<垂直信号線VSL(Vsig)となるので、比較器20は、この時刻t8、t9において、‘L’レベルの信号を出力する。なお、時刻t8における参照信号VREF2を電圧V8(<電圧V2)とする。
また、時刻t9以降において、参照信号VREF3(=電圧V7)>画素信号とされることから、時刻t9〜t13の期間、比較器20は‘H’レベルを出力する。
<リセット信号制御回路6のクランプ動作について>
次に、上記図4Bを用いて上記したリセット信号制御回路6が垂直信号線VSLをクランプしなかった場合について説明する。上述したようにリセット信号制御回路6は、映像に全体的に黒く沈んだ模様が発生する現象を防止するために、垂直信号線VSLの電位をクランプしている。
強力過大光が入射した場合、リセット信号制御回路6が、AZ期間中に得られたリセット信号をクランプしないと、リセット信号が低下してしまう。従って、画素信号とオートゼロ期間で取得した画素信号の基準電位とのダイナミックレンジが十分に取れない。このため得られた映像に全体的に黒く沈んだ模様が発生する。
<縦筋発生マージンについて>
次に、‘H’レベルとされる信号CEの期間に応じて発生する縦筋の閾値について図5を用いて説明する。図5は、参照信号VREFのゲインの大小に応じて、リセット信号及び画素信号をデジタル変換できるか否かを、信号CEの期間で示した概念図である。
図示するように、縦軸にクランプ電圧(垂直信号線VSLの電位)を取り、横軸に参照信号VREFのゲインを取る。また、アナログゲインが小さい領域(図中、リセットレベルがレンジ内と記載)とアナログゲインが大きい領域(図中、リセットレベルがレンジ外と記載)との境界のゲインの値をゲインGthとする。
まず、アナログゲインが小さい領域(図中、リセットレベルがレンジ内と記載)から説明する。
アナログゲインがゲインGthよりも小さな値(図中、ゲインGthよりも左側の領域)であると、参照信号VREFの振幅大きくなる。この場合、オートゼロの期間のみ信号CEを‘H’レベルとしても、リセット信号検出期間において、リセット信号をデジタル変換することが出来る。つまり、参照信号VREFの傾きが大きい(ゲイン小)ことから、上記図4Aで説明したように、リセット信号検出期間において、ゲインが大きい場合に比してリセット信号のアナログ値を多く取得することができ、クランプされない本来のリセット電位を取得する事が出来る。つまり、リセット信号のデジタル値と(リセット信号+画素信号)のデジタル値との差分をとるデジタルCDSを行った際、リセット電位取得時にクランプされない本来のリセット電位を取得しているので、正確なリセット電位キャンセルができるため、縦筋が発生しにくくなる。
特に暗時の場合、図4Cに示すように単位画素3から画素信号が出力されないことから、垂直信号線VSLの電位は、リセット信号=画素信号とされる。つまり、暗時の場合、リセット信号検出期間にクランプされない本来のリセット電位を取得し、画素信号検出期間においても、ほぼ同等のリセット信号を取得するので、正確なリセット電位のCDSキャンセルがなされる事により、縦筋が発生しにくくなり、暗時ノイズが減る。
このことから、左側に行くにつれ縦筋発生NGラインが上昇する(図中、太線で示す)。このため、リセットクランプ電圧に対して、クランプ電圧のマージン(縦筋発生マージン)を大きくすることが出来る(図中、(c)と記載)。
次に、アナログゲインが大きい領域(図中、リセットレベルがレンジ外と記載)について説明する。
アナログゲインがゲインGthよりも大きな値(図中、ゲインG1よりも右側の領域)であると、上記場合に比べ参照信号VREFの振幅が小さくなり、リセット信号のデジタル変換ができない場合が多い領域となる。
そこで、オートゼロの期間及びリセット信号検出期間の両方において信号CEを‘H’レベルとする。この結果、上記場合に比べリセットクランプ電圧に対して、クランプ電圧のマージン(縦筋発生マージン)は小さくなるが(図中、(d)と表記)、リセット信号検出期間において、リセット信号をデジタル変換することが出来る。つまり、参照信号VREFの傾きが小さいが、信号CEの‘H’レベルとされる期間を上記場合よりも長くすることで、リセット信号検出期間において、リセット信号をデジタル変換することが出来る。つまり、この場合であってもデジタルCDSを行った際、縦筋が発生しにくくなる。
なお、クランプ設定電圧(図中、クランプ設定電圧範囲と記載)は、以下条件を満たす電圧に設定する必要がある。設定電圧を低くすると、特に明時の場合、比較器20の基準電位(画素信号にとって、基準とされる電位)と画素信号とのダイナミックレンジが狭くなってしまう。これを回避しようとクランプ電圧を高い電圧に設定すると、本来のリセット電位からの誤差が大きくなり、リセット電位取得時のクランプされたリセットレベルと、画素電位取得時の本来のリセットレベルとの差分が発生する。このことから、クランプ設定電圧は上記条件を満たす最適な電圧に設定する必要がある。
<本実施形態に係る効果>
本実施形態に係る固体撮像装置であると、以下効果(1)を奏することが出来る。
(1)縦筋の発生を抑制し、特に暗時における特性を改善させることが出来る
本実施形態に係る固体撮像装置であると、ラッチ回路22と、このラッチ回路22から供給された判定フラグに応じて信号CEの長さを設定する駆動制御部8とを備える。つまり、前述したようにラッチ回路22は補正撮像領域(VOB)の単位画素3から読み出されたリセット信号がデジタル変換されるか否かの判定フラグで、信号CEを‘H’レベルとする期間を設定する。これにより、参照信号VREFのゲインに連動させて、有効撮像領域の単位画素3からアナログ信号(リセット信号、画素信号)を読み出す際、‘H’レベルとする信号CEの期間を自動的に調整することが出来る。換言すれば、参照信号VREFに最適な期間(オートゼロ期間のみまたはオードゼロ期間及びリセット期間)を設定することが出来る。
これにより、デジタルCDSが出来る領域と、それが出来ない領域(図5参照)とを補正撮像領域の単位画素3のリセット信号で判断し、最適な信号CEの期間を設定出来、縦筋が抑制され、特に暗時特性が改善される。
また駆動制御部8は複数の単位画素3から供給されたラッチ結果を用いて、信号CEの長さを設定することが出来る。つまり、駆動制御部8に、個数判定のプログラム回路を搭載しておく事により、精度良くアナログゲインに最適なセンサタイミングを、有効画素読み出し期間に送信する事ができる。
[第2の実施形態]
次に本発明の第2の実施形態に係る固体撮像装置1について説明する。第1の実施形態では、比較器20が反転するか否かで判断を行うことに対し、第2の実施形態では、カウンター23から出力されたカウント値(A/D変換値)が、カウンター値判定回路24で予め設定した閾値内にあるか否かで判断するものである。具体的には、補正撮像領域の単位画素3から読み出されたリセット信号のA/D変換レベルをカウンター値判定回路24に予め保持させておき、リセット信号がこのレベルに達したか、否かで、‘H’レベルとする信号CEの期間を設定するものである。以下、本実施形態に係る固体撮像装置1の構成について説明する。なお、上記第1の実施形態と同一の構成については、同一の参照符号を付す。
<1.構成例>
図6に本実施形態に係る固体撮像装置1のブロック図を示す。図6は、上記図1において、ある垂直信号線VSLのs行目に接続された単位画素3に着目したブロック図である。本実施形態に係る固体撮像装置1は、カウンター23の後段にカウンター値判定回路24を設け、上記第1の実施形態において比較器20の後段に設けられていたラッチ回路21をカウンター値判定回路24の後段に移動させた構成をとる。
カウンター値判定回路24は、補正撮像領域の単位画素3から読み出されたリセット信号のカウント値(デジタル値)を、カウンター23から受け取る。そして、カウンター値判定回路24は、このカウント値、すなわちA/D変換レベル(LSB)が自身の保持する閾値に達しているか否かを判断する。
そしてこの判断フラグをカウンター値判定回路24は後段のラッチ回路21に供給する。ラッチ回路21は、このカウンター値判定回路24から受け取った判断フラグに応じて、‘H’または‘L’レベルいずれかの論理レベルを保持する。駆動制御部8は、このラッチ回路21の保持する論理レベルに応じて信号CEの期間を設定する制御信号をリセット信号制御回路6に出力する。
つまり、リセット信号の出力ターゲット値を128LSB、リセット信号のフルカウントレンジを256LSBとする。この場合、カウンター判定回路24の閾値を220LSBと設定しておき、VOB中の補正画素のリセット信号のAD変換値が220LSBを越えるか越えないかを判定する。その判定結果を補正期間中に駆動制御部にフィードバックさせ、有効撮像領域の単位画素3の読み出し時の信号CEのパルスタイミングを変化させるかどうかの判断を行なう。
<本実施形態に係る効果>
本実施形態に係る固体撮像装置であっても、上記(1)の効果に加え下記(2)の効果を奏することができる。
(2)CDSが可能か否かの判断をリセットフルカウントの手前で判断する事が出来、必ずCDSが出来る。
本実施形態に係る固体撮像装置であると、カウンター判定回路24にリセット信号がCDS出来るか否かの閾値(例えば220LSB)を保持させる。これは、上記第1の実施形態に比して、CDSが可能か否かの判断をリセット積分期間の途中の時刻で行う事になる。つまり、フルカウントの手前で判断する事が出来る。フルカウントでラッチ判定をするとCDS出来る画素と出来ない画素が混在するが、第2の実施形態では必ずCDSが出来、精度よく有効撮像領域における単位画素3から読み出したアナログ信号Vsigをデジタル変換することが出来る。
[第3の実施形態]
次に本発明の第3の実施形態に係る固体撮像装置1について説明する。本実施形態に係る固体撮像装置1は、上記第2の実施形態において、カウンター値判定回路24を廃し、またカウンター23からある位のビット値を出力させた構成をとる。すなわち、本実施形態に係る固体撮像装置1は、カウンター23が計数したカウント値において、ある位のビット値が、例えば‘0’から‘1’に反転するか否かを信号CEの期間を設定する判断基準とするものである。
<1.構成例>
図7に示すようにカウンター23は、ある位のビット値をラッチ回路21に出力する。そして、ラッチ回路21は、カウンター23から供給されたある位のビット値を受け取り、その結果に応じて‘L’または‘H’レベルのラッチ信号を駆動制御部8に出力する。つまり、監視しているある位のビット値が‘0’から‘1’に切り替わると、ラッチ回路21は、ラッチ信号(判定フラグ)を駆動制御部8に出力する。このラッチ信号を受け取った際、駆動制御部8は、オートゼロ期間のみ‘H’レベルとする信号CEをリセット信号制御回路6に出力する。
図8に本実施形態に係るカウンター23の具体的な構成例を示す。図示するように、カウンター23は例えば8ビットの情報を保持可能とする。また、LSBはカウンター23の保持する最下位ビットの値を示し、MSBはカウンター23の保持する最上位ビットの値を示す。なお、カウンター23は、8ビットに限らず、それ以上の情報を保持可能な構成であってもよい。
そして、本実施形態に係る固体撮像装置において、例えばカウンター23の下位から6ビット目の値(図中、B3と表記)をラッチ判定ビットとする。ラッチ回路21は、このB3における値が‘0’から‘1’に反転すると、それに応じた判定フラグを駆動制御部8に出力する。
<本実施形態に係る効果>
本実施形態に係る固体撮像装置であると、上記(1)、(2)の効果に加え、下記(3)の効果を奏することが出来る。
(3)回路規模を小さく出来る。
本実施形態に係る固体撮像装置であると、カウンター値判定回路24を廃し、カウンター23の後段にラッチ回路21を備えた構成をとる。そして、このラッチ回路21にはカウンター23から出力されたある位のビット数が供給される構成をとる。
つまり、本実施形態に係る固体撮像装置であっても、ラッチ回路21が、カウンター23からの情報(ここでは、ビット数)に応じて駆動制御部8を制御可能な構成をとる。換言すれば、本実施形態に係る固体撮像装置であると、大きなマージンをもちつつ、駆動制御部8により垂直信号線VSLの電圧をクランプする期間を自動的に設定することが出来、更に回路規模を小さくすることが出来る。すなわち(1)、(2)の効果に加え、更なる効果を奏することが出来る。したがって、縦筋が抑制され、また暗時における特性を改善させることが出来る。
なお、上記第1の実施形態において、ラッチ回路21が保持する判定フラグは、VOB中の補正画素のリセット信号のみで信号CEの期間の判定(オートゼロ期間、またはオートゼロ期間及びリセット信号検出期間)を行なう為、VOB中の画素信号はA/D変換を行なっても行なわなくても良い。
なお、本願発明は上記実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。更に、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出されうる。例えば、実施形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出されうる。
1…固体撮像装置、2…撮像部、3…単位画素、4…行走査回路、5…バイアス回路、6…リセット信号制御回路、7…参照信号生成部、8…駆動制御部、9…列走査回路、10…AD変換回路、20…比較器、21…ラッチ回路、22…EDGE検出器、23…COUNTER、24…カウンター値判定回路

Claims (6)

  1. リセット信号を垂直信号線に出力するVOB領域と、
    画像信号の基準レベルとなるリセット信号、及び前記画像信号をそれぞれ垂直信号線に出力する有効画素部と、
    前記VOB領域から前記垂直信号線を介して転送された前記リセット信号と参照信号とを比較し、前記VOB領域から出力された前記リセット信号が、A/D変換が出来る最大のカウント値であるデジタルレベルレンジ内において、前記比較結果が反転したか否かの判定を行う比較部と、
    前記比較部の判定結果に応じて第1結果または第2結果のいずれかの値を保持可能とする保持部と、
    前記有効画素部からリセット信号を前記垂直信号線へ読み出す際、前記保持部の保持する前記値に応じて、前記垂直信号線の電圧をクランプする期間を可変とし、クランプパルスタイミング期間を自動的に設定する駆動制御部と
    を具備することを特徴とする固体撮像装置。
  2. 前記駆動制御部によって垂直信号線の電圧をクランプする前記クランプパルスタイミング期間は、VOB画素のリセット信号読み出し時はオートゼロ期間に設定しておき、有効画素読み出し時には、
    前記オートゼロ期間またはこのオートゼロ期間よりも長い(オートゼロ+リセット)期間のいずれかに設定する
    ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
  3. 前記VOB領域はt本(t:1以上の自然数)の行選択線に各々が接続され、前記リセット信号を前記垂直信号線に各々が出力するm個の画素部を更に備え、
    前記第1結果は、前記比較部の出力が反転したことを示す結果であり、前記第2結果は、前記比較部の出力が反転しなかったことを示す結果であり、
    前記駆動制御部は、前記VOB領域を含む、m個の前記画素部の内、前記リセット信号が前記比較部で前記第2結果とされた個数に応じて、クランプする前記クランプパルスタイミング期間を(オートゼロ+リセット)期間に設定する
    ことを特徴とする請求項2記載の固体撮像装置。
  4. 前記オートゼロ期間は、前記比較部の基準電位とされる電位を取得する期間であり、
    前記(オートゼロ+リセット)期間は、前記オートゼロ期間を含み、
    前記垂直信号線に前記リセット信号を読み出し、前記画像信号を読み出す直前の期間までである
    ことを特徴とする請求項2記載の固体撮像装置。
  5. 一定の間隔でクロックが入力され、前記比較部から比較信号が出力されるまで前記リセット信号の前記クロックを計数するカウンターと、
    前記比較部が比較した結果得られる前記VOB画素のリセット信号のA/D変換レベルに対応する値として予め保持し、前記カウンターからの計数の結果が前記値に達したか否かを判定する判定回路と
    を更に備え、
    前記保持部は、前記判定回路の判定に応じて前記第1結果または前記第2結果を保持可能とし、
    前記第1結果は、前記判定回路から出力される前記計数の前記結果が前記A/D変換レベルに対応する値に達したことを示す結果であり、前記第2結果は、前記計数の前記結果が前記A/D変換レベルに対応する値よりも小さな値であることを示す結果であり、
    前記駆動制御部は、前記保持部が前記第2結果を保持すると、前記クランプパルスタイミング期間を前記(オートゼロ+リセット)期間に設定する
    ことを特徴とする請求項2記載の固体撮像装置。
  6. 一定の間隔でクロックが入力され、前記比較部が出力するまで前記リセット信号の前記クロックを計数し、この計数の結果に応じたビット数を保持するh(h:1以上の自然数)ビットのカウンターを更に備え、
    前記保持部は、前記カウンターのiビット目(h>i)から出力される信号が、初期値から反転したか否かに応じた結果を前記第1結果または前記第2結果として保持し、
    前記駆動制御部は、前記保持部が前記第2結果を保持すると、前記クランプパルスタイミング期間を前記(オートゼロ+リセット)期間に設定する
    ことを特徴とする請求項2記載の固体撮像装置。
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