JP5164266B2 - 半導体装置 - Google Patents

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Description

本発明は、半導体装置および半導体装置のテスト方法に係り、特に、動作周波数が異なる複数のクロックドメインを有する半導体装置およびこの半導体装置のテスト方法に係る。
半導体装置のスキャンパステストの分野において、半導体プロセスの微細化に伴い、長年使われてきた単一縮退故障だけでは十分な品質を維持することが出来なくなってきた。
半導体装置の十分な品質を維持するためには、遷移遅延故障やパス遅延故障をも考慮することが不可欠になっている。また、ブリッジ故障やSDQM(Statistical Delay Quality Model)など、新たな故障の考慮も必要になってきている。
これらの付加的なテストを用いることにより、品質の確保は出来るが、その一方で、テストコストが大幅に増大している。
テストコストの削減は必須の課題である。その解決手段として、多並列テストの実施に伴い、単一縮退故障テスト、および、実動作周波数のディレイテストを、より少ないテスト端子で実施する必要性が高まってきた。
上記に関連して、特許文献1(特開2006−38743号公報)には、半導体集積回路装置及びその試験装置に係る記載が開示されている。この従来技術について説明する。
図1は、特許文献1に開示された従来技術による半導体装置(LSI:Large Scale Integrated circuit)2と、この半導体装置にスキャンパス法によるディレイテストを行うためのテストボード1との構造を説明するための概略図である。
このテストボード1は、クロック発振器3を具備する。この半導体装置2は、PLL(Phase−Locked Loop)回路4と、パルス発生回路5と、スキャンクロック信号入力部SCKと、マルチプレクサ回路6と、スキャンパステスト回路7とを具備する。パルス発生回路5は、パルス数制御回路8と、パルス選択回路9とを具備する。
パルス発生回路5は、スキャンクロックSCKに基づいたパルス数のディレイテスト用クロックSCK0を生成する。スキャンパステスト回路7は、ディレイテスト用クロックSCK0によって、半導体装置の集積回路をテストする。
図1の例では、テストボード1が周波数の低いクロック信号しか生成出来なかったとしても、ディレイテストに必要な高い周波数のクロック信号をLSI2内部で生成することが出来る。
スキャンテストのキャプチャ動作について説明する。スキャンクロック信号入力部SCKは、スキャンパステスト回路7のキャプチャ動作に必要な数のクロックパルスを入力する。
次いで、パルス発生回路5を用いて、スキャンクロックSCKから入力されるクロックパルスをもとに、同じ数のパルスをPLL4によって逓倍されたPLLクロックからディレイテスト用クロックSCK0を抽出する。次いで、ディレイテスト用クロックSCK0を用いてスキャンパステスト回路7のキャプチャ動作を行う。
したがって、スキャンクロックSCKの周波数に関係なく、PLLクロック動作周波数に基づくディレイテストが可能である。
図1の半導体集積回路装置に用いられている各回路の機能を以下に説明する。
クロック発振器3は、所定の周期のテストクロック信号を生成して出力する回路である。クロック発振器3が生成するテストクロック信号は、LSI2に向けて出力される。
PLL4は、クロック発振器3によって生成されたテストクロックを入力し、周波数を逓倍したり、波形を整形したりした後、PLLクロック信号(PLL_CLK)として出力する回路である。
図2は、パルス発生回路5の詳細な構成を説明するための回路図である。パルス発生回路5は、パルス数制御回路8と、パルス選択回路9とを具備する。パルス発生回路5の動作を、パルス数制御回路8の動作と、パルス選択回路9の動作とに分けて説明する。
パルス数制御回路8は、Control信号と、スキャンクロック信号SCKとを入力し、パルス発生回路5が出力すべきクロックパルス数を記憶する回路である。パルス数制御回路8は、外部からの制御信号であるControl信号に応じて、スキャンクロック信号SCKのパルス数をカウントする。
パルス選択回路9は、PLL4によって逓倍されたPLLクロック信号(PLL_CLK)から、ディレイテスト用クロック信号SCK0を抽出する回路である。パルス選択回路9は、外部から入力される制御信号であるSTART_PULSEに応じて、ディレイテスト用クロックSCK0の出力を開始し、パルス数制御回路8にラッチされているクロック信号を選択し出力する。例えば、START_PLUSEが0から1に変化した後、パルス数制御回路8に設定済みのパルス数分、ディレイテスト用クロックSCK0を出力する。
マルチプレクサ6は、2入力1出力の選択回路である。この図において、マルチプレクサ6は、スキャンクロックSCKと、ディレイテスト用クロックSCK0とを入力し、いずれか一方を選択してスキャンパステスト回路7に向けて出力する。なお、マルチプレクサ6は、外部から入力される制御信号に応じて選択する信号を切替える。
図3は、パルス発生回路5において、2PULSEを発生させる場合におけるタイミングチャートである。図3を用いて、PLLクロックを利用したディレイテストにおけるパルス発生回路の動作について説明する。
所望のディレイテスト用クロックSCK0を発生させる場合、まず、PLL4の初期化(Initialize)を行う。その後、クロック発振器3から入力されたテストクロックをPLL4が逓倍して高速なクロックPLL_CLKを生成する。
次いで、パルス発生回路5のControl信号を「1」から「0」に変更し、LSI2の動作モードをカウンタモードに切替える(図3中(a))。次いで、スキャンクロックSCKのパルスを入力し、パルス数制御回路8でシフト動作する。
このことにより、入力されたパルス数がカウントされ、パルス数制御回路8に設定される(図3中(b))。すなわち、スキャンクロックSCKの1パルス目に従ってPULSE_ONが「1」となり、スキャンクロックSCKの2パルス目に従って2PULSEが「1」となる。この設定されたパルスの数が、ディレイテスト用クロックSCK0のパルス数となる。
特開2006−38743号公報
上記の従来技術では、複数のクロックドメインに対して実動作周波数のディレイテストを実施するためには、クロックドメインと同数またはそれ以上のスキャンクロック端子が必要である。言い換えれば、スキャンクロック端子の数が、クロックドメイン毎に異なる周波数の数より少なければ、ディレイテストが実施できない。特に、スキャンクロック端子を1つしか設けることが出来ない半導体集積回路装置では、上記の従来技術では、複数クロックドメインに対して実動作周波数のディレイテストが実施できない、という問題がある。
一般的に、この問題が発生する理由は、半導体集積回路内部には、動作周波数が異なる複数のクロックドメインが存在することにある。
複数のクロックドメインが存在する半導体集積回路において、実動作周波数のディレイテストを実施する場合には、クロックドメイン毎にパルス発生回路が必要である。同様に、スキャンクロック端子もクロックドメインの数だけ必要になる。このため、1つのスキャンクロック端子でディレイテストを実現出来ない。
もっとも、1つのスキャンクロック端子から、複数のパルス発生回路にスキャンクロックを供給することは、不可能ではない。しかし、この場合は、複数のクロックドメインが同時に動作することになる。その結果、異なるクロックドメイン間でのデータの受け渡しが発生し、セットアップ・タイム、および、ホールド・タイムの保証が出来ないパスが動作し、期待値不一致が生じてしまう。
このように、従来技術による半導体装置において、スキャンクロック端子が1つだけでは、ディレイテストの実施が出来ない。
以下に、(発明を実施するための最良の形態)で使用される番号を用いて、課題を解決するための手段を説明する。これらの番号は、(特許請求の範囲)の記載と(発明を実施するための最良の形態)との対応関係を明らかにするために付加されたものである。ただし、それらの番号を、(特許請求の範囲)に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。
本発明による半導体装置は、複数のスキャンチェイン(271〜278)と、クロック発振器(23)と、スキャンクロック信号入力部(215)と、パルス発生回路部(25)と、クロック制御回路部(22)と、クロック制御信号生成部(21)とを具備する。ここで、複数のスキャンチェイン(271〜278)は、動作周波数が異なる複数のクロックドメインをそれぞれテストするためのものである。複数のスキャンチェインのそれぞれは、複数のフリップフロップ回路(271〜278)を具備する。クロック発振器(23)は、複数のクロックドメインをテストするため使用するそれぞれの動作周波数に対応するクロック信号を生成するものである。スキャンクロック信号入力部(215)は、複数のスキャンチェイン(271〜278)に供給されるスキャンクロック信号を外部から入力するためのものである。パルス発生回路部(25)は、クロック信号と、スキャンクロック信号とに基づいて、テストで使用するクロックパルス信号を生成するものである。パルス発生回路部(25)は、それぞれの動作周波数に対応するパルス発生回路(251〜254)を具備する。クロック制御回路部(22)は、パルス発生回路部(25)においてパルス発生回路(251〜254)の一部を選択的にアクティブにするためのものである。クロック制御回路部(22)は、複数のスキャンチェインにそれぞれ対応する複数の論理回路(225〜228)を具備する。クロック制御信号生成部(21)は、スキャンクロック信号に基づいて、クロック制御回路部(22)を制御するためのクロック制御信号を生成するものである。スキャンクロック信号入力部(215)の数は、複数のクロックドメインの数よりも少ない。
本発明による半導体テスト方法は、動作周波数が異なる複数のクロックドメインを具備する半導体装置をテストする方法である。この半導体テスト方法は、(a)複数のクロックドメインのそれぞれに対応する動作周波数のクロック信号を生成するステップと、(b)複数のクロックドメインのうち、テストする対象を指定するためのスキャンクロック信号を、外部から入力するステップと、(c)スキャンクロック信号に基づいて、テストに使用するクロック信号を指定するためのクロック制御信号を生成するステップと、(d)クロック制御信号に基づいて、クロック制御回路部(22)を制御するステップと、(e)クロック制御回路部(22)の状態に応じて、パルス発生回路(251〜254)の一部を選択的にアクティブにするステップと、(f)クロック信号と、スキャンクロック信号とに基づいて、テストで使用するクロックパルス信号を生成するステップと、(g)クロックパルス信号を使用して、アクティブなパルス発生回路(251〜254)に対応するクロックドメインをテストするステップとを具備する。スキャンクロック信号の数は、複数のクロックドメインの数よりも少ない。
本発明では、複数存在するユーザモードの各クロックラインにクロック制御用のテスト回路を挿入する。こうすることで、スキャンパステストを用いてテスト回路内部に存在するレジスタの値を制御する。このレジスタの値によってテスト対象クロックドメインを制御する。
本発明では、スキャンパステスト用の複数のテストクロック端子を設けることが出来ない半導体集積回路において、上記のようにすることで、複数のクロックドメインをそれぞれの周波数で、個別にテストするパタン生成を可能とした。
添付図面を参照して、本発明による半導体装置および半導体装置テスト方法を実施するための最良の形態を以下に説明する。
(第1の実施形態)
図4Aは、本発明の第1の実施形態による半導体装置の、テスト回路部の構成を説明するための回路図である。
このテスト回路部は、クロック制御信号生成部21と、クロック制御回路部22と、クロック発振器23と、パルス発生回路部25と、マルチプレクサ部26と、スキャンパステスト回路27とを具備する。
クロック制御信号生成部21は、デコード回路211と、2つのフリップフロップ212、213とを具備する。なお、フリップフロップの数はあくまでも一例であって、2つに限定されない。
クロック制御回路部22は、4つのリタイミング回路221〜224と、4つのAND回路225〜228とを具備する。ここで、4つのリタイミング回路221〜224のそれぞれは、ラッチ回路であっても良い。なお、リタイミング回路とAND回路との数はあくまでも一例であって、4つに限定されない。
パルス発生回路部25は、4つのパルス発生回路251〜254と、4つのマルチプレクサ255〜258と、クロック切替信号入力部259とを具備する。なお、パルス発生回路と、マルチプレクサとの数はあくまでも一例であって、4つに限定されない。
マルチプレクサ部26は、4つのマルチプレクサ261〜264と、AMC信号入力部265とを具備する。なお、マルチプレクサの数はあくまでも一例であって、4つに限定されない。
スキャンパステスト回路27は、8つのフリップフロップ271〜278を具備する。ここで、2つのフリップフロップ271および272、2つのフリップフロップ273および274、2つのフリップフロップ275および276、2つのフリップフロップ277および278は、それぞれ対をなしている。すなわち、スキャンパステスト回路27は、合計4つのスキャンチェインを具備している。なお、1つのスキャンチェインにおけるフリップフロップの数は、あくまでも一例であって、2つに限定されない。
スキャンクロック信号入力部215は、2つのフリップフロップ212、213のそれぞれにおける第1の入力部と、4つのリタイミング回路221〜224のそれぞれにおける第1の入力部と、4つのAND回路225〜228のそれぞれにおける第1の入力部とに接続されている。
フリップフロップ212の第2の入力部には、マルチプレクサの出力部が接続されている。このマルチプレクサの第1の入力部には、フリップフロップ212の出力部が接続されている。このマルチプレクサの切替信号入力部には、SMC(Scan Mode Control)信号入力部214が接続されている。
フリップフロップ213は、フリップフロップ212と同様に、別のマルチプレクサとループ状に接続されている。また、この別のマルチプレクサの切替信号入力部にもSMC信号入力部214が接続されている。
2つのフリップフロップ212、213のそれぞれの出力部は、デコード回路211の第1および第2の入力部に接続されている。デコード回路211の切替信号入力部には、SMC信号入力部214が接続されている。デコード回路211の4つの出力部は、それぞれ、4つのリタイミング回路221〜224のそれぞれにおける第2の入力部に接続されている。
4つのリタイミング回路221〜224のそれぞれにおける出力部は、4つのAND回路225〜228のそれぞれにおける第2の入力部に接続されている。4つのAND回路225〜228のそれぞれにおける出力部は、4つのパルス発生回路251〜254のそれぞれにおける第1の入力部と、4つのマルチプレクサ255〜258のそれぞれにおける第1の入力部とに接続されている。
クロック発振器23の各出力部は、4つのパルス発生回路251〜254のそれぞれにおける第2の入力部に接続されている。なお、図4Aの例では、2つのパルス発生回路251および252は同じ周波数のクロック信号を用いるので、クロック発振器23の同じ出力部に接続されている。
4つのパルス発生回路251〜254のそれぞれにおける出力部は、4つのマルチプレクサ255〜258における第2の入力部に接続されている。4つのマルチプレクサ255〜258における出力部は、4つのマルチプレクサ261〜264のそれぞれにおける第1の入力部に接続されている。クロック切替信号入力部259は、4つのマルチプレクサ255〜258のそれぞれにおける切替信号入力部に接続されている。
4つのマルチプレクサ261〜264のそれぞれにおける第2の入力部には、4つのユーザクロック入力部がそれぞれ接続されている。4つのマルチプレクサ261〜264のそれぞれにおける出力部は、スキャンパステスト回路27における8つのフリップフロップ271〜278のそれぞれにおける入力部に接続されている。すなわち、マルチプレクサ261の出力部は、2つのフリップフロップ271、272のそれぞれにおける入力部に接続されている。マルチプレクサ262の出力部は、2つのフリップフロップ273、274のそれぞれにおける入力部に接続されている。マルチプレクサ263の出力部は、2つのフリップフロップ275、276のそれぞれにおける入力部に接続されている。マルチプレクサ264の出力部は、2つのフリップフロップ277、278のそれぞれにおける入力部に接続されている。4つのマルチプレクサ261〜264のそれぞれにおける切替信号入力部には、AMC信号入力部265が接続されている。
スキャンパステスト回路27における8つのフリップフロップ271〜278のそれぞれにおける出力部は、図示されない4つのスキャンチェインにおける入力部に接続されている。
図5は、本発明による半導体装置の動作、すなわち本発明による半導体装置テスト方法について説明するためのタイミングチャートである。
このタイミングチャートの横軸は、時間の経過を表しており、シフト期間とキャプチャ期間とが交互に配置されている。
このタイミングチャートの縦軸は、各信号の強度を表しており、上から順に、スキャンクロック入力部215が入力するスキャンクロック信号、SMC信号入力部214の信号、クロック制御信号生成部21におけるフリップフロップ212、213が出力するデコード回路入力信号、クロック制御信号生成部21におけるデコード回路211が出力するクロック制御信号、クロック回路部22における4つAND回路225〜228のそれぞれからの出力信号、クロック発振器23の出力信号、パルス発生回路部25における4つのマルチプレクサ255〜258のそれぞれからの出力信号、クロック切替信号入力部259の信号およびAMC信号入力部265の信号を表す。
シフト期間について説明する。シフト動作として、図示されない外部端子であるスキャンデータ入力部から、フリップフロップ212、213からなるクロック制御回路部スキャンチェインに、クロック制御回路部22を制御するためのスキャンデータ入力信号が格納される。これは、従来技術による半導体装置のテスト回路部における内部ロジックのスキャンチェインのシフト動作と同様の動作である。この例では、クロック制御信号生成部フリップフロップに対して信号「11」が供給されている。
キャプチャ期間について説明する。キャプチャ動作として、まず、2つのフリップフロップ212、213が、格納された値に基づいてデコード回路入力信号を出力し、このデコード回路入力信号が、デコード回路211に供給される。デコード回路211は、デコード回路入力信号に応じて、クロック制御回路部22に供給するためのクロック制御信号を生成する。クロック制御信号は、4つのリタイミング回路221〜224のそれぞれにおける第2の入力部に供給される。
デコード回路211は、基本的な構成として、キャプチャ期間においては、1出力のみがアクティブに、その他の出力はインアクティブになる。ただし、これは一度に1つのクロックドメインだけをテストするための設定であって、一度に複数のクロックドメインをテストすることが可能な場合は、一度に複数の出力がアクティブになっても良い。また、シフト期間においては、全ての出力がアクティブになる。
デコード回路211から供給されたクロック制御信号がアクティブ値であったクロック制御回路のみがアクティブとなり、その他のクロック制御回路はインアクティブとなる。
したがって、クロック制御回路がアクティブなクロックドメイン以外にクロック信号が印加されることはない。ただし、お互いに独立した、すなわちお互いを接続するパスの無い、複数のクロックドメインなら、同時にテストすることが可能である。これは、テスト時間短縮の観点から有効である。そのためには、デコード回路211の出力信号を共通にして、対応する複数のクロック制御回路部22に供給し、複数のクロックドメインに同時にクロック信号を印加すれば良い。
パルス発生回路部25には、外部端子であるスキャンクロック信号入力部215から供給されたスキャンクロック信号が、クロック制御回路部22を介して供給される。より厳密には、パルス発生回路部25のうち、クロック信号が印加されてアクティブになったクロック制御回路に対応するリタイミング回路およびAND回路だけが、上記のスキャンクロック信号を入力する。
パルス発生回路部25におけるパルス発生回路251〜254のそれぞれは、外部端子であるスキャンクロック信号入力部215から供給されたスキャンクロック信号と同数のパルス信号を、クロック発振器23から供給されるクロックから切り出して、スキャンパステスト回路27に向けて出力する。
ここで、パルス発生回路251〜254のそれぞれは、例えば、特許文献1に開示された、図2と同じ構成であっても良い。前述したように、図2のパルス発生回路5は、パルス数制御回路8と、パルス選択回路9とを具備する。パルス発生回路251〜254の動作を説明するために、パルス発生回路5の動作を、パルス数制御回路8の動作と、パルス選択回路9の動作とに分けて再度説明する。
パルス数制御回路8は、Control信号と、スキャンクロック信号SCKとを入力し、パルス発生回路5が出力すべきクロックパルス数を記憶する回路である。パルス数制御回路8は、外部からの制御信号であるControl信号に応じて、スキャンクロック信号SCKのパルス数をカウントする。
パルス選択回路9は、PLL4によって逓倍されたPLLクロック信号(PLL_CLK)から、ディレイテスト用クロック信号SCK0を抽出する回路である。パルス選択回路9は、外部から入力される制御信号であるSTART_PULSEに応じて、ディレイテスト用クロックSCK0の出力を開始し、パルス数制御回路8にラッチされているクロック信号を選択し出力する。例えば、START_PLUSEが0から1に変化した後、パルス数制御回路8に設定済みのパルス数分、ディレイテスト用クロックSCK0を出力する。
ディレイテストでは、一般的に2パルスが必要とされる。その場合、本発明では、外部端子であるスキャンクロック信号入力部215から供給された2パルスのスキャンクロック信号が、クロック制御回路部22を介して、パルス発生回路部25に供給される。
パルス発生回路部25は、外部端子であるスキャンクロック信号入力部215から供給された2パルスクロックをもとに、クロック発振器23から供給される高速なクロックから2パルスを抽出してスキャンパステスト回路27に向けて出力する。
クロック切替信号入力部259に接続される4つのマルチプレクサ255〜258は、パルス発生回路部25へ供給されるスキャンクロック信号と、パルス発生回路部25から出力されるクロック信号とのいずれかを、切り替えて出力する機能を持つ。
実動作周波数のクロック信号が必要なディレイテストのキャプチャ期間では、4つのマルチプレクサ255〜258は、パルス発生回路部25から出力されるクロックパルス信号を出力する。シフト期間、および、低速なクロックでよい単一縮退故障テストのキャプチャ期間では、4つのマルチプレクサ255〜258は、パルス発生回路部25へ供給されるスキャンクロック信号を出力する。
AMC信号入力部265に接続される4つのマルチプレクサ261〜264は、ユーザクロック信号と、スキャンテスト用のテストクロック信号とのいずれかを、切り替えて出力する機能を持つ。スキャンテスト時には、4つのマルチプレクサ261〜264がスキャンテスト用のテストクロックを出力するように、AMC信号をHigh状態またはLow状態に固定する。
図6は、本発明による半導体装置の動作、すなわち本発明による半導体装置テスト方法について説明するための別のタイミングチャートである。このタイミングチャートは、クロック制御信号生成部フリップフロップに対して信号「01」が供給され、その結果第3のクロックドメインがアクティブになっている以外は、図5と同じであるので、詳細な説明を省略する。
上記に説明したように、本発明によれば、シフト動作において、各クロックドメインの動作を制御するクロック制御信号生成部21におけるフリップフロップ212〜213に対して値を設定する。この設定された値をもとに、キャプチャ動作において、デコード回路211でキャプチャ動作を有効とするクロックドメインを選択する。このクロックドメインに対応するクロック制御回路がアクティブになることによって、スキャンパステスト回路27のフリップフロップ271〜278へクロックパルス信号が供給される。なお、単一縮退故障テスト時には、スキャンクロック信号入力部215から供給されるスキャンクロック信号を、スキャンパステスト回路27のフリップフロップ271〜278へ供給する。また、ディレイテスト時には、スキャンクロック信号入力部215端子から供給される指定のパルスクロックをトリガとして、クロック発振器23から供給されるクロック信号から指定パルスのクロックをパルス発生回路部25が抽出し、スキャンパステスト回路27のフリップフロップ271〜278へ供給する。
図7は、従来技術による半導体装置におけるテスト回路部を、あえて本発明に合わせて表した場合の回路図である。このように、従来技術では、動作周波数が異なる複数のクロックドメインと同数のスキャンクロック入力部SCK1〜SCK4が必要となっている。
しかし、本発明によれば、スキャンクロック信号入力部215が1つだけであっても、複数のクロックドメインに対する実動作周波数のディレイテストが実施可能である。
(第2の実施形態)
図4Bは、本発明の第2の実施形態における半導体装置の、テスト回路部の構成を説明するための回路図である。本実施形態における半導体装置の構成は、本発明の第1の実施形態における半導体装置の構成とほぼ同じであり、違いはクロック制御回路部22だけである。すなわち、本実施形態による半導体装置は、第1の実施形態による半導体装置から、リタイミング回路221〜224を省略したものに等しい。クロック制御回路部22の各段の役割は、任意の入力信号を出力するかどうかを別の入力信号で制御出来れば十分であるので、この省略が可能である。
なお、本実施形態による半導体装置の、AND回路225〜228のそれぞれにおける第1の入力部には、スキャンクロック信号入力部215が接続されている。また、AND回路225〜228のそれぞれにおける第2の入力部には、デコード回路211の4つの出力部がそれぞれ接続されている。
本実施形態による半導体装置の、その他の構成および接続関係は、第1の実施形態による半導体装置と同じであるので、詳細な説明を省略する。
また、リタイミング回路221〜224は省略されているものの、本実施形態による半導体装置の動作は、第1の実施形態の場合と同じであるので、詳細な説明を省略する。ただし、本実施形態では、第1の実施形態とは違い、デコード回路211の出力するクロック制御信号がクロック制御回路部22でラッチされない。この点においてのみ、デコード回路211の出力動作を第1の実施形態の場合から変更する必要がある。
(第3の実施形態)
図4Cは、本発明の第3の実施形態における半導体装置の、テスト回路部の構成を説明するための回路図である。
本実施形態における半導体装置の構成は、本発明の第1の実施形態における半導体装置の構成とほぼ同じであり、違いはクロック制御回路部22とパルス発生回路部25との位置関係だけである。すなわち、第1の実施形態においては、クロック制御回路部22の後段にパルス発生回路部25が接続されているが、本実施形態では反対に、パルス発生回路部25がクロック制御回路部22の前段に接続されている。
本実施形態における、パルス発生回路部25およびクロック制御回路部22の入出力に係る接続関係を説明する。スキャンクロック信号入力部215は、パルス発生回路251〜254のそれぞれにおける、第1の入力部に接続されている。クロック発振器23の複数の出力部は、それぞれ、パルス発生回路251〜254のそれぞれにおける、第2の入力部に接続されている。
パルス発生回路251〜254のそれぞれにおける出力部は、マルチプレクサ255〜258のそれぞれにおける、第1の入力部に接続されている。マルチプレクサ255〜258のそれぞれにおける、第2の入力部には、スキャンクロック信号入力部215が接続されている。マルチプレクサ255〜258のそれぞれにおける出力部は、AND回路225〜228のそれぞれにおける第1の入力部と、リタイミング回路221〜224のそれぞれにおける第1の入力部とに接続されている。
リタイミング回路221〜224のそれぞれにおける第2の入力部は、デコード回路211のそれぞれの出力部に接続されている。リタイミング回路221〜224のそれぞれにおける出力部は、AND回路225〜228のそれぞれにおける第2の入力部に接続されている。AND回路225〜228のそれぞれにおける出力部は、マルチプレクサ261〜264のそれぞれにおける第1の入力部に接続されている。
マルチプレクサ261〜264のそれぞれにおける第2の入力部は、4つのユーザークロック信号入力部にそれぞれ接続されている。マルチプレクサ261〜264のそれぞれにおける出力部は、スキャンパステスト回路27における8つのフリップフロップ271〜278の入力部にそれぞれ接続されている。
本実施形態による半導体装置の、その他の構成、接続関係および動作は、第1の実施形態による半導体装置と同じであるので、詳細な説明を省略する。
(第4の実施形態)
図4Dは、本発明の第4の実施形態における半導体装置の、テスト回路部の構成を説明するための回路図である。
本実施形態における半導体装置の構成は、本発明の第3の実施形態における半導体装置の構成とほぼ同じであり、違いはパルス発生回路251が省略されていることだけである。第3の実施形態では、2つのパルス発生回路251および252はどちらも同じ周波数のパルスを発生させている。そこで、本実施形態では、パルス発生回路252がパルス発生回路251の役割をも演じることによって、パルス発生回路251が省略可能となっている。なお、パルス発生回路252が出力するパルスがどのクロックドメインに送られるのかは、クロック制御回路部22が制御する。
本実施形態における、パルス発生回路252の入出力に係る接続関係を説明する。パルス発生回路252の後段に接続されたマルチプレクサ256の出力部は、リタイミング回路222における第1の入力部およびAND回路226における第1の入力部に接続されている。パルス発生回路252の後段に接続されたマルチプレクサ256の出力部は、さらに、リタイミング回路221における第1の入力部およびAND回路226における第1の入力部にも接続されている。
本実施形態による半導体装置の、その他の構成、接続関係および動作は、第3の実施形態による半導体装置と同じであるので、詳細な説明を省略する。
以上に説明した本発明の各実施形態は、技術的に矛盾しない範囲で、自由に組み合わせることが可能である。例えば、第2の実施形態における、リタイミング回路221〜224を省略する構成は、第3または第4の実施形態にも適用可能である。
また、本発明の半導体装置におけるテスト回路部は、複数であっても良い。その結果、本発明の半導体装置におけるスキャンクロック信号入力部215の数は、必ずしも1つとは限らないが、それでもクロックドメインの数よりも少ないことに変わりは無い。
図1は、従来技術による半導体装置と、この半導体装置にスキャンパス法によるディレイテストを行うためのテストボードとの構造を説明するための概略図である。 図2は、従来技術によるパルス発生回路の詳細な構成を説明するための回路図である。 図3は、従来技術によるパルス発生回路において、2PULSEを発生させる場合におけるタイミングチャートである。 図4Aは、本発明の第1の実施形態による半導体装置の、テスト回路部の構成を説明するための回路図である。 図4Bは、本発明の第2の実施形態における半導体装置の、テスト回路部の構成を説明するための回路図である。 図4Cは、本発明の第3の実施形態における半導体装置の、テスト回路部の構成を説明するための回路図である。 図4Dは、本発明の第4の実施形態における半導体装置の、テスト回路部の構成を説明するための回路図である。 図5は、本発明による半導体装置の動作、すなわち本発明による半導体装置テスト方法について説明するためのタイミングチャートである。 図6は、本発明による半導体装置の動作、すなわち本発明による半導体装置テスト方法について説明するための別のタイミングチャートである。 図7は、従来技術による半導体装置におけるテスト回路部を、あえて本発明に合わせて表した場合の回路図である。
符号の説明
1 テストボード
2 LSI
3 クロック発振器
4 PLL
5 パルス発生回路
6 マルチプレクサ
7 スキャンパステスト回路
8 パルス数制御回路
9 パルス選択回路
301 インバータ
302〜304 フリップフロップ
310 タイミング調整回路
311a〜311e フリップフロップ
320 出力期間検出回路
321〜324 フリップフロップ
325〜327 AND回路
328 OR回路
329 AND回路
330 クロック出力回路
331 フリップフロップ
332 AND回路
10 テストボード
11 クロック発振器
20 LSI
21 クロック制御信号生成部
211 デコード回路
212〜213 フリップフロップ
214 SMC(Scan Mode Control)信号入力部
215 スキャンクロック信号入力部
22 クロック制御回路部
221〜224 リタイミング回路
225〜228 AND回路
23 クロック発振器
24 PLL
25 パルス発生回路部
251〜254 パルス発生回路
255〜258 マルチプレクサ
259 クロック切替信号入力部
26 マルチプレクサ部
261〜264 マルチプレクサ
265 AMC信号入力部
27 スキャンパステスト回路
271〜278 フリップフロップ
SCK1〜SCK4 ユーザクロック信号入力部

Claims (12)

  1. 動作周波数が異なる複数のクロックドメインをそれぞれテストするための複数のスキャンチェインと、前記複数のスキャンチェインのそれぞれは、複数のフリップフロップ回路を具備し、
    前記複数のクロックドメインをテストするため使用するそれぞれの動作周波数に対応するクロック信号を生成するクロック発振器と、
    前記複数のスキャンチェインに供給されるスキャンクロック信号を外部から入力するためのスキャンクロック信号入力部と、
    前記クロック信号と、前記スキャンクロック信号とに基づいて、前記テストで使用するクロックパルス信号を生成するパルス発生回路部と、前記パルス発生回路部は、前記それぞれの動作周波数に対応するパルス発生回路を具備し、
    前記パルス発生回路部において前記パルス発生回路の一部を選択的にアクティブにするためのクロック制御回路部と、前記クロック制御回路部は、前記複数のスキャンチェインにそれぞれ対応する複数の論理回路を具備し、
    前記スキャンクロック信号に基づいて、前記クロック制御回路部を制御するためのクロック制御信号を生成するクロック制御信号生成部と
    を具備し、
    前記スキャンクロック信号入力部の数は、前記複数のクロックドメインの数よりも少ない
    半導体装置。
  2. 請求項1に記載の半導体装置において、
    前記クロック制御信号生成部は、
    シフト動作に用いるために外部から供給されるスキャンデータ入力信号をデコード回路入力信号に変換するための複数のフリップフロップ回路を有するクロック制御信号生成部スキャンチェインと、
    前記デコード回路入力信号に基づいて、前記クロック制御信号を生成するデコード回路と
    を具備する
    半導体装置。
  3. 請求項1または2に記載の半導体装置において、
    前記スキャンクロック信号入力部の数は、1つである
    半導体装置。
  4. 請求項1〜3のいずれかに記載の半導体装置において、
    前記クロック制御回路部は、
    前記複数の論理回路の前段にそれぞれ接続された複数のクロック制御回路
    をさらに具備する
    半導体装置。
  5. 請求項4に記載の半導体装置において、
    前記複数のクロック制御回路のそれぞれは、
    ラッチ回路
    を具備する
    半導体装置。
  6. 請求項1〜5のいずれかに記載の半導体装置において、
    前記クロック制御回路部は、前記パルス発生回路部の前段に接続されている
    半導体装置。
  7. 請求項1〜5のいずれかに記載の半導体装置において、
    前記クロック制御回路部は、前記パルス発生回路部の後段に接続されている
    半導体装置。
  8. 請求項7に記載の半導体装置において、
    前記複数のクロックドメインのうち、2つのクロックドメインの動作周波数が同一であった場合に、前記複数のスキャンチェインのうち、前記2つのクロックドメインに対応する2つのスキャンチェインは、前記パルス発生回路部における、同一のパルス発生回路の後段に接続されている
    半導体装置。
  9. 動作周波数が異なる複数のクロックドメインを具備する半導体装置をテストする方法であって、
    (a)前記複数のクロックドメインのそれぞれに対応する動作周波数のクロック信号を生成するステップと、
    (b)前記複数のクロックドメインのうち、テストする対象を指定するためのスキャンクロック信号を、外部から入力するステップと、
    (c)前記スキャンクロック信号に基づいて、前記テストに使用するクロック信号を指定するためのクロック制御信号を生成するステップと、
    (d)前記クロック制御信号に基づいて、クロック制御回路部を制御するステップと、
    (e)前記クロック制御回路部の状態に応じて、パルス発生回路の一部を選択的にアクティブにするステップと、
    (f)前記クロック信号と、前記スキャンクロック信号とに基づいて、前記テストで使用するクロックパルス信号を生成するステップと、
    (g)前記クロックパルス信号を使用して、前記アクティブなパルス発生回路に対応するクロックドメインをテストするステップと
    を具備し、
    前記スキャンクロック信号の数は、前記複数のクロックドメインの数よりも少ない
    半導体装置テスト方法。
  10. 請求項9に記載の半導体装置テスト方法において、
    前記スキャンクロック信号の数は、1つである
    半導体装置テスト方法。
  11. 請求項9または10に記載の半導体装置テスト方法において、
    前記ステップ(g)は、
    (g−1)前記複数のクロックドメインのうち、2つのクロックドメインの動作周波数が同一であった場合に、同一のクロックパルス信号を使用するステップ
    を具備する
    半導体装置テスト方法。
  12. 請求項9〜11のいずれかに記載の半導体装置テスト方法において、
    前記ステップ(c)は、
    (c−1)シフト動作に用いるために外部から供給されるスキャンデータ入力信号をデコード回路入力信号に変換するステップと、
    (c−2)前記デコード回路入力信号に基づいて、前記クロック制御信号を生成するステップと
    を具備する
    半導体装置テスト方法。
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