JP5151636B2 - トレンチゲートを有する横型半導体装置とその製造方法 - Google Patents
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Description
さらに、上記横型半導体装置では、第1コンタクト領域、第1半導体領域、第2コンタクト領域、第2半導体領域が、半導体層の表層部を一方向に沿ってこの順で並んでいる。第1半導体領域と第2半導体領域を結ぶ方向は、電流の導通方向である。即ち、第1コンタクト領域と第2コンタクト領域が、その導通方向において、第1半導体領域の両側に配置されている。導通方向に沿って第1コンタクト領域と第2コンタクト領域が配置されているので、インパクトイオン化現象によって発生したキャリアを、第1コンタクト領域及び/又は第2コンタクト領域にスムーズに排出することができる。
上記横型半導体装置は、(1)第1半導体領域と第2半導体領域を深く設けたこと、(2)第1コンタクト領域と第2コンタクト領域を第1半導体領域の両側に設けたこと、この両者を組合せたことを特徴としている。(1)の形態を採用すると、オン抵抗を低減化することができるものの、電流経路が広くなることから、インパクトイオン化現象が半導体層内の様々な場所で起こり得るようになる。しかしながら、(2)の形態を同時に採用することによって、半導体層内のどこでインパクトイオン化現象が発生したとしても、発生した正孔をスムーズに第1コンタクト領域及び/又は第2コンタクト領域に排出することができる。上記(1)の形態を採用したときに、上記(2)の有用性が顕著に発揮される。上記(1)及び(2)を組合せることによって得られる相乗効果は、極めて有用なものである。
さらに、第1コンタクト領域が設けられている位置は、電流の導通経路を妨げるものではない。したがって、第1コンタクト領域を深く形成すれば、オン抵抗に影響を与えることなく、ESD耐量を改善することができる。
(第1特徴) ソース領域及びドレイン領域は、第2ボディコンタクト領域よりも深い位置にまで形成されている。好ましくは、ソース領域及びドレイン領域の深さは、第2ボディコンタクト領域の深さの2倍以上である。
(第2特徴) 第1ボディコンタクト領域は、第2ボディコンタクト領域よりも深い位置にまで形成されている。好ましくは、第1ボディコンタクト領域の深さは、第2ボディコンタクト領域の深さの2倍以上である。
(第3特徴) トレンチゲートは、半導体層の表面から深部に向けて伸びている。好ましくは、トレンチゲートの深さは、第2ボディコンタクト領域の深さの2倍以上である。
(第4特徴) 横型半導体装置は、SOI基板の活性層に形成されている。
図6に、変形例の横型半導体装置11を示す。横型半導体装置11は、ソース領域123がトレンチゲート40よりも深い位置まで形成されていることを特徴としている。また、横型半導体装置11では、ソース領域123とドレイン領域26が同一の深さを有している。この形態は、ソース領域123とドレイン領域26が共通の製造工程で作成されたことを表している。その製造工程は、後述する。
図7に、変形例の横型半導体装置12を示す。横型半導体装置12は、第1ボディコンタクト領域121が第2ボディコンタクト領域24よりも深い位置まで形成されていることを特徴としている。この例では、第1ボディコンタクト領域121とソース領域123が同一の深さを有している。第1ボディコンタクト領域121は、ソース領域123とドレイン領域26の間に設けられていないので、電流の導通経路を妨げるものではない。したがって、第1ボディコンタクト領域121を深く形成しても、オン抵抗に影響を与えることはない。その一方で、第1ボディコンタクト領域121を深く形成すれば、インパクトイオン化現象によって発生した正孔が、より短い距離で第1ボディコンタクト領域121から排出される。第1ボディコンタクト領域121を深く形成すれば、オン抵抗に影響を与えることなく、ESD耐量をさらに改善することができる。
図8に、本実施例のドレイン領域26を製造する工程を示す。本実施例のドレイン領域26は、従来技術のものよりも深い。以下に説明する技術を利用するのが好ましい。
ドレイン領域26は、図9に示す製造工程でも形成するこができる。まず、図9(A)に示すように、半導体層20の表面に開口を有するマスク57を形成する。次にプラズマエッチング技術を利用して、その開口から露出する半導体層20を除去し、トレンチ54を形成する。
図10に、本実施例のソース領域23を製造する工程を示す。本実施例のソース領域23は、従来技術のものよりも深い。深いソース領域23は、多段のイオン注入技術を利用するのが好ましい。
図11に、前述した横型半導体装置10,11,12のソース領域23及びボディ領域22を同時に製造する工程を示す。
まず、図11(A)に示すように、半導体層20の表層部にトレンチ72を形成する。トレンチ72は、例えば、ドライエッチング技術を利用して形成することができる。
図14A〜14Dに、前述した横型半導体装置10,11,12のソース領域22とボディ領域22とドレイン領域26を同時に製造する工程を示す。
また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
21,121:第1ボディコンタクト領域
22:ボディ領域
23,123:ソース領域
24:第2ボディコンタクト領域
25:ドリフト領域
26:ドレイン領域
27:半導体領域
32:フィールドプレート電極
34:フィールド酸化膜
40:トレンチゲート
42:ゲート電極
44:ゲート絶縁膜
Claims (7)
- トレンチゲートを有する横型半導体装置であって、
半導体層の表層部に設けられている第1導電型の第1ウェル領域と、
半導体層の表層部に設けられており、第1ウェル領域に隣接する第2導電型の第2ウェル領域と、
半導体層の表層部に設けられており、第1ウェル領域によって第2ウェル領域から隔てられており、第1主電極に接続している第2導電型の第1半導体領域と、
半導体層の表層部に設けられており、第2ウェル領域によって第1ウェル領域から隔てられており、第2主電極に接続しているとともに第2ウェル領域よりも不純物濃度が高濃度な第2導電型の第2半導体領域と、
半導体層の表層部であって第1ウェル領域内に設けられており、第1主電極に接続しているとともに第1ウェル領域よりも不純物濃度が高濃度な第1導電型のコンタクト領域と、を備えており、
前記トレンチゲートは、ゲート絶縁膜と、そのゲート絶縁膜で被覆されたゲート電極を有しており、第1半導体領域と第2ウェル領域を隔てている第1ウェル領域に対向しており、
前記コンタクト領域は、少なくとも第1コンタクト領域と第2コンタクト領域を有しており、
第1コンタクト領域、第1半導体領域、第2コンタクト領域、第2半導体領域が、半導体層の表層部を一方向に沿ってこの順で並んでおり、
第1コンタクト領域と第1半導体領域と第2半導体領域が、第2コンタクト領域よりも深い位置にまで形成されている横型半導体装置。 - 前記第1半導体領域と前記第2半導体領域の深さが、前記トレンチゲートの深さ以上であることを特徴とする請求項1に記載の横型半導体装置。
- 第1半導体領域と第2半導体領域が、同一の深さを有していることを特徴とする請求項1又は2に記載の横型半導体装置。
- トレンチゲートを有する横型半導体装置を製造する方法であって、
横型半導体装置は、
半導体層の表層部に設けられている第1導電型の第1ウェル領域と、
半導体層の表層部に設けられており、第1ウェル領域に隣接する第2導電型の第2ウェル領域と、
半導体層の表層部に設けられており、第1ウェル領域によって第2ウェル領域から隔てられており、第1主電極に接続している第2導電型の第1半導体領域と、
半導体層の表層部に設けられており、第2ウェル領域によって第1ウェル領域から隔てられており、第2主電極に接続しているとともに第2ウェル領域よりも不純物濃度が高濃度な第2導電型の第2半導体領域と、
半導体層の表層部であって第1ウェル領域内に設けられており、第1主電極に接続しているとともに第1ウェル領域よりも不純物濃度が高濃度な第1導電型のコンタクト領域と、を備えており、
前記トレンチゲートは、ゲート絶縁膜と、そのゲート絶縁膜で被覆されたゲート電極を有しており、第1半導体領域と第2ウェル領域を隔てている第1ウェル領域に対向しており、
前記コンタクト領域は、少なくとも第1コンタクト領域と第2コンタクト領域を有しており、
第1コンタクト領域、第1半導体領域、第2コンタクト領域、第2半導体領域が、半導体層の表層部を一方向に沿ってこの順で並んでおり、
第1半導体領域と第2半導体領域が、第2コンタクト領域よりも深い位置にまで形成されており、
製造方法は、
半導体層の表層部に第1トレンチを形成するトレンチ形成工程と、
第1導電型の第1不純物と第2導電型の第2不純物を含む不純物供給部を前記第1トレンチ内に充填する充填工程と、
半導体層を熱処理する熱処理工程と、を備えており、
第1不純物の拡散係数が第2不純物の拡散係数よりも大きく、これにより、熱処理工程を実施すると、前記半導体層の表層部に第1不純物を含む第1ウェル領域と第2不純物を含む第1半導体領域が形成され、第1ウェル領域は前記第1トレンチから遠い位置に形成され、前記第1半導体領域が前記第1トレンチから近い位置に形成される製造方法。 - 前記不純物供給部は、第1不純物を含む第1不純物供給部と第2不純物を含む第2不純物供給部を有しており、
前記充填工程では、前記第1不純物供給部又は前記第2不純物供給部のいずれか一方で前記第1トレンチの内壁を被覆した後に、他方を前記第1トレンチ内に充填することを特徴とする請求項4に記載の製造方法。 - 前記充填工程では、前記第1不純物供給部で前記第1トレンチの内壁を被覆した後に、前記第1トレンチの底面を被覆している前記第1不純物供給部の一部を除去して前記半導体層を前記第1トレンチの底面において露出させ、その後に前記第2不純物供給部を前記第1トレンチ内に充填することを特徴とする請求項5に記載の製造方法。
- 請求項5又は6に記載の製造方法であって、
前記トレンチ形成工程では、前記半導体層の表層部であって前記第1トレンチから離反した位置に、前記第1トレンチよりも幅狭な第2トレンチも形成しており、
前記充填工程では、前記第1不純物供給部で前記第1トレンチの内壁を被覆するとともに前記第2トレンチ内に第1不純物供給部を充填した後に、前記第2不純物供給部を前記第1トレンチ内に充填しており、
熱処理工程を実施すると、前記半導体層の表層部に第2不純物を含む第2ウェル領域が前記第2トレンチの周囲に形成されることを特徴とする製造方法。
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