JP6698697B2 - 絶縁ゲートパワー半導体デバイスおよびそのデバイスの製造方法 - Google Patents
絶縁ゲートパワー半導体デバイスおよびそのデバイスの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6698697B2 JP6698697B2 JP2017557253A JP2017557253A JP6698697B2 JP 6698697 B2 JP6698697 B2 JP 6698697B2 JP 2017557253 A JP2017557253 A JP 2017557253A JP 2017557253 A JP2017557253 A JP 2017557253A JP 6698697 B2 JP6698697 B2 JP 6698697B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- doping concentration
- trench
- depth
- conductivity type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 27
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 24
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 89
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 246
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 18
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 229910000789 Aluminium-silicon alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 239000002784 hot electron Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000036470 plasma concentration Effects 0.000 description 1
- 230000002028 premature Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
- H01L21/225—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer
- H01L21/2251—Diffusion into or out of group IV semiconductors
- H01L21/2252—Diffusion into or out of group IV semiconductors using predeposition of impurities into the semiconductor surface, e.g. from a gaseous phase
- H01L21/2253—Diffusion into or out of group IV semiconductors using predeposition of impurities into the semiconductor surface, e.g. from a gaseous phase by ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
- H01L29/0607—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
- H01L29/0611—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices
- H01L29/0615—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE]
- H01L29/0619—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE] with a supplementary region doped oppositely to or in rectifying contact with the semiconductor containing or contacting region, e.g. guard rings with PN or Schottky junction
- H01L29/0623—Buried supplementary region, e.g. buried guard ring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/083—Anode or cathode regions of thyristors or gated bipolar-mode devices
- H01L29/0834—Anode regions of thyristors or gated bipolar-mode devices, e.g. supplementary regions surrounding anode regions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66234—Bipolar junction transistors [BJT]
- H01L29/66325—Bipolar junction transistors [BJT] controlled by field-effect, e.g. insulated gate bipolar transistors [IGBT]
- H01L29/66333—Vertical insulated gate bipolar transistors
- H01L29/66348—Vertical insulated gate bipolar transistors with a recessed gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
- H01L29/7393—Insulated gate bipolar mode transistors, i.e. IGBT; IGT; COMFET
- H01L29/7395—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT
- H01L29/7396—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT with a non planar surface, e.g. with a non planar gate or with a trench or recess or pillar in the surface of the emitter, base or collector region for improving current density or short circuiting the emitter and base regions
- H01L29/7397—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT with a non planar surface, e.g. with a non planar gate or with a trench or recess or pillar in the surface of the emitter, base or collector region for improving current density or short circuiting the emitter and base regions and a gate structure lying on a slanted or vertical surface or formed in a groove, e.g. trench gate IGBT
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Thyristors (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
本発明の目的は、従来のデバイスに比べて、低いオン状態損失および高い破壊電圧を同時に有するパワー半導体デバイスを提供することである。
エミッタ側とコレクタ側との間に配置された第1導電型のドリフト層を有し、
第1導電型とは異なる第2導電型のベース層を有し、ベース層は、ドリフト層とエミッタ側との間に配置され、ベース層は、エミッタ電極に接触し、
エミッタ側に配置され、ベース層によってドリフト層から分離され、エミッタ電極に接触するソース層を有し、
導電型ゲート層および第1電気絶縁層を含み、ゲート層を取り囲むことでドリフト層、ベース層、およびソース層から分離させる、トレンチゲート電極を有し、トレンチゲート電極は、トレンチ底部およびトレンチ側面を有し、トレンチゲート電極は、トレンチ深さにまでエミッタ側から延び、
トレンチ底部を覆う第2導電型の第1保護ピローを有し、
ドリフト層よりも高いドーピング濃度を有し、トレンチ側面でトレンチゲート電極を取り囲む、第1導電型の第2保護ピローを有し、第2保護ピローは、トレンチ深さの少なくとも半分である第1深さにおいて最大ドーピング濃度を有し、第2保護ピローのドーピング濃度は、エミッタ側に向かって、最大ドーピング濃度から第2保護ピローの最大ドーピング濃度の半分以下の値まで減少し、
ドリフト層よりも高いドーピング濃度を有し、ドリフト層からベース層を分離する、第1導電型のエンハンス層を有し、エンハンス層は、第1深さよりも浅い第2深さにおいて最大ドーピング濃度を有し、ドーピング濃度は、第2深さと第1深さとの間で局所的なドーピング濃度の最小値を有する、本発明のパワー半導体デバイスを提供することによって、この目的は達成される。
Claims (15)
- 絶縁ゲートパワー半導体デバイス(1)の製造方法であって、
(a) 第1側(23)と、当該第1側(23)に対向する第2側(28)とを有する第1導電型の基板(10)を設け、前記基板(10)の一部は、ドリフト層(5)を形成する最終デバイスにおいて不変のドーピング濃度を有し、前記第1側(23)は、エミッタ側(22)を形成し、前記第2側(28)は、コレクタ側(27)を形成するステップと、
(b) 前記第1側(23)上において、第1深さ(90)にまで前記基板(10)に凹部(80)を形成し、前記凹部(80)は、側面(83)および第1底部(84)を有し、トレンチ深さ(77)の少なくとも半分であるステップと、
(c) 前記第1底部(84)において前記第1導電型のドーパントを適用するステップと、
(d) 第1導電型ドーピング濃度が前記第1側(23)に向かって、最大ドーピング濃度から当該最大ドーピング濃度の半分以下の値まで減少するように、前記基板(10)において前記第1導電型のドーパントが拡散するために加熱を行うステップと、
(e) 前記凹部(80)の深さが前記トレンチ深さ(77)にまで増加するように、前記凹部(80)において前記基板(10)から材料を取り除き、前記凹部は、第2底部(85)を有し、前記凹部(80)の前記側面(83)は、トレンチ側面(75)を形成し、前記第2底部(85)は、トレンチ底部(76)を形成するステップとを備え、
ステップ(d)において、前記第1導電型の前記ドーパントが拡散されている残りの領域は、第2保護ピロー(9)を形成し、
(f) ステップ(e)の後の前記第2底部(85)において、前記第1導電型とは異なる第2導電型のドーパントを適用するステップと、
(g) 第1保護ピロー(8)が前記第2底部(85)を覆うように、前記第2導電型のドーパントを拡散させて前記第1保護ピロー(8)を形成するステップと、
(h) 前記第1側(23)上において、前記第2導電型のベース層(4)および前記第1導電型のソース層(3)を形成するステップと、
(i) ステップ(g)の後、前記凹部(80)内に第1電気絶縁ゲート層(72)を形成し、前記凹部(80)を導電性材料で満たして導電型ゲート層(70)を形成し、トレンチゲート電極(7)は、前記導電性ゲート層(70)および前記第1電気絶縁ゲート層(72)を含むステップと、
(j) 前記第1側(23)上に前記ベース層(4)および前記ソース層(3)に接触するエミッタ電極(2)、および前記第2側(28)上にコレクタ電極(25)を形成するステップと、
(k) ステップ(h)またはその前に、前記最終デバイスにおいて前記ドリフト層(5)から前記ベース層(4)を分離させる前記第1導電型のエンハンス層(95)を形成し、前記エンハンス層(95)は、前記第1深さ(90)よりも浅い第2深さ(97)において最大ドーピング濃度を有し、前記エンハンス層(95)から前記第2保護ピロー(9)までの深さ方向に沿った前記第1導電型のドーピング濃度は、前記第2深さ(97)と前記第1深さ(90)との間で局所的なドーピング濃度の最小値を有するステップとを備えることを特徴とする、絶縁ゲートパワー半導体デバイスの製造方法。 - 前記第2保護ピロー(9)の最大ドーピング濃度は、前記最終デバイスにおける前記エンハンス層(95)の最大ドーピング濃度よりも高いことを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記第2保護ピロー(9)の最大ドーピング濃度は、前記エンハンス層(95)の最大ドーピング濃度の少なくとも2倍高いことを特徴とする、請求項2に記載の方法。
- 前記最終デバイスにおいて、前記局所的なドーピング濃度の最小値は、最大でも、前記エンハンス層(95)の最大ドーピング濃度の半分であることを特徴とする、請求項1〜請求項3のいずれかに記載の方法。
- ステップ(g)の後にステップ(h)を行うことを特徴とする、請求項1〜請求項4のいずれかに記載の方法。
- 前記絶縁ゲートパワー半導体デバイスは、MOSFET、IGBT、または逆導通IGBTのうちの1つであることを特徴とする、請求項1〜請求項5のいずれかに記載の方法。
- エミッタ側(22)におけるエミッタ電極(2)、および前記エミッタ側(22)に対向して配置されたコレクタ側(27)におけるコレクタ電極(25)を有し、
前記エミッタ側(22)と前記コレクタ側(27)との間に配置された第1導電型のドリフト層(5)を有し、
前記第1導電型とは異なる第2導電型のベース層(4)を有し、前記ベース層(4)は、前記ドリフト層(5)と前記エミッタ側(22)との間に配置され、前記ベース層(4)は、前記エミッタ電極(2)に接触し、
前記エミッタ側(22)に配置され、前記ベース層(4)によって前記ドリフト層(5)から分離され、前記エミッタ電極(2)に接触するソース層(3)を有し、
導電型ゲート層(70)および第1電気絶縁層(72)を含み、前記導電型ゲート層(70)を取り囲むことで前記ドリフト層(5),前記ベース層(4)および前記ソース層(3)から分離させる、トレンチゲート電極(7)を有し、前記トレンチゲート電極(7)は、トレンチ底部(76)およびトレンチ側面(75)を有し、前記トレンチゲート電極(7)は、トレンチ深さ(77)にまで前記エミッタ側(22)から延び、
前記トレンチ底部(76)を覆う前記第2導電型の第1保護ピロー(8)を有し、
前記ドリフト層(5)よりも高いドーピング濃度を有し、トレンチ側面(75)でトレンチゲート電極(7)を取り囲む、前記第1導電型の第2保護ピロー(9)を有し、前記第2保護ピロー(9)は、前記トレンチ深さ(77)の少なくとも半分である第1深さ(90)において最大ドーピング濃度を有し、
前記第2保護ピロー(9)のドーピング濃度は、前記エミッタ側(22)に向かって、最大ドーピング濃度から前記第2保護ピロー(9)の最大ドーピング濃度の半分以下の値まで減少することを特徴とし、
前記ドリフト層(5)よりも高いドーピング濃度を有し、前記ドリフト層(5)から前記ベース層(4)を分離する、前記第1導電型のエンハンス層(95)を有し、前記エンハンス層(95)は、前記第1深さ(90)よりも浅い第2深さ(97)において最大ドーピング濃度を有し、前記エンハンス層(95)から前記第2保護ピロー(9)までの深さ方向に沿った前記第1導電型のドーピング濃度は、前記第2深さ(97)と前記第1深さ(90)との間で局所的なドーピング濃度の最小値を有する、絶縁ゲートパワー半導体デバイス。 - 前記第2保護ピロー(9)の最大ドーピング濃度は、前記エンハンス層(95)の最大ドーピング濃度よりも高いことを特徴とする、請求項7に記載の絶縁ゲートパワー半導体デバイス。
- 前記第2保護ピロー(9)の最大ドーピング濃度は、前記エンハンス層(95)の最大ドーピング濃度の少なくとも2倍高いことを特徴とする、請求項8に記載の絶縁ゲートパワー半導体デバイス。
- 前記エンハンス層(95)は、3*1016cm−3よりも低い、または2.5*1016cm−3もしくは2*1016cm−3よりも低い最大ドーピング濃度を有することを特徴とする、請求項7〜請求項9のいずれかに記載の絶縁ゲートパワー半導体デバイス。
- 前記第2保護ピロー(9)のドーピング濃度は、前記エミッタ側(22)に向かって、前記エンハンス層(95)の最大ドーピング濃度の半分以下の値まで減少することを特徴とする、請求項7〜請求項10のいずれかに記載の絶縁ゲートパワー半導体デバイス。
- 前記エンハンス層(95)は、3μm未満、または2μm未満、または1.5μm未満の厚みを有することを特徴とする、請求項7〜請求項11のいずれかに記載の絶縁ゲートパワー半導体デバイス。
- 前記絶縁ゲートパワー半導体デバイスは、MOSFETであることを特徴とする、請求項7〜請求項12のいずれかに記載の絶縁ゲートパワー半導体デバイス。
- 前記絶縁ゲートパワー半導体デバイスは、IGBTであることを特徴とする、請求項7〜請求項12のいずれかに記載の絶縁ゲートパワー半導体デバイス。
- 前記絶縁ゲートパワー半導体デバイスは、逆導通IGBTであることを特徴とする、請求項7〜請求項12のいずれかに記載の絶縁ゲートパワー半導体デバイス。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP15152658.9 | 2015-01-27 | ||
EP15152658 | 2015-01-27 | ||
EP15156536 | 2015-02-25 | ||
EP15156536.3 | 2015-02-25 | ||
PCT/EP2016/050425 WO2016120053A1 (en) | 2015-01-27 | 2016-01-12 | Insulated gate power semiconductor device and method for manufacturing such a device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018503268A JP2018503268A (ja) | 2018-02-01 |
JP6698697B2 true JP6698697B2 (ja) | 2020-05-27 |
Family
ID=55077537
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017557253A Active JP6698697B2 (ja) | 2015-01-27 | 2016-01-12 | 絶縁ゲートパワー半導体デバイスおよびそのデバイスの製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10128361B2 (ja) |
EP (1) | EP3251153B1 (ja) |
JP (1) | JP6698697B2 (ja) |
CN (1) | CN107251198B (ja) |
WO (1) | WO2016120053A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6560141B2 (ja) * | 2016-02-26 | 2019-08-14 | トヨタ自動車株式会社 | スイッチング素子 |
JP6560142B2 (ja) * | 2016-02-26 | 2019-08-14 | トヨタ自動車株式会社 | スイッチング素子 |
WO2017178494A1 (en) | 2016-04-11 | 2017-10-19 | Abb Schweiz Ag | Insulated gate power semiconductor device and method for manufacturing such a device |
CN106653828A (zh) * | 2016-12-29 | 2017-05-10 | 江苏中科君芯科技有限公司 | Igbt正面结构及制备方法 |
CN106683989A (zh) * | 2016-12-29 | 2017-05-17 | 江苏中科君芯科技有限公司 | 沟槽igbt器件及其制造方法 |
JP7068916B2 (ja) * | 2018-05-09 | 2022-05-17 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置、電力変換装置、および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
EP3659180B1 (en) * | 2018-10-18 | 2020-12-02 | ABB Power Grids Switzerland AG | Insulated gate power semiconductor device and method for manufacturing such device |
US20220293786A1 (en) * | 2021-03-10 | 2022-09-15 | Nami MOS CO., LTD. | An improved shielded gate trench mosfet with low on-resistance |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3288218B2 (ja) * | 1995-03-14 | 2002-06-04 | 三菱電機株式会社 | 絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法 |
US6040599A (en) * | 1996-03-12 | 2000-03-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Insulated trench semiconductor device with particular layer structure |
JP5054255B2 (ja) * | 1997-02-07 | 2012-10-24 | クーパー,ジェームズ・アルバート,ジュニアー | シリコン・カーバイド・パワー・トランジスタの最大電圧を増大させるための構造 |
US6570185B1 (en) * | 1997-02-07 | 2003-05-27 | Purdue Research Foundation | Structure to reduce the on-resistance of power transistors |
JP4538211B2 (ja) * | 2003-10-08 | 2010-09-08 | トヨタ自動車株式会社 | 絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法 |
DE102007029121B3 (de) | 2007-06-25 | 2008-11-20 | Infineon Technologies Austria Ag | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, sowie Halbleiterbauelement |
JP5707681B2 (ja) | 2009-03-04 | 2015-04-30 | 富士電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP5985624B2 (ja) * | 2011-07-07 | 2016-09-06 | アーベーベー・テヒノロギー・アーゲー | 絶縁ゲート型トランジスタおよびその製造方法 |
KR101933244B1 (ko) * | 2011-07-14 | 2018-12-27 | 에이비비 슈바이쯔 아게 | 절연형 게이트 바이폴라 트랜지스터 |
US8803251B2 (en) * | 2011-07-19 | 2014-08-12 | Alpha And Omega Semiconductor Incorporated | Termination of high voltage (HV) devices with new configurations and methods |
JP5706275B2 (ja) * | 2011-08-31 | 2015-04-22 | 株式会社豊田中央研究所 | ダイオード、半導体装置およびmosfet |
CN103377888A (zh) * | 2012-04-13 | 2013-10-30 | 南亚科技股份有限公司 | 掺杂区的制作方法 |
KR101388706B1 (ko) * | 2012-08-30 | 2014-04-24 | 삼성전기주식회사 | 전력 반도체 소자 및 그 제조방법 |
US9245986B2 (en) * | 2012-11-29 | 2016-01-26 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Power semiconductor device and method of manufacturing the same |
TWI458097B (zh) * | 2012-12-12 | 2014-10-21 | Beyond Innovation Tech Co Ltd | 溝渠式閘極金氧半場效電晶體及其製造方法 |
US9105717B2 (en) * | 2013-12-04 | 2015-08-11 | Infineon Technologies Austria Ag | Manufacturing a semiconductor device using electrochemical etching, semiconductor device and super junction semiconductor device |
-
2016
- 2016-01-12 EP EP16700234.4A patent/EP3251153B1/en active Active
- 2016-01-12 WO PCT/EP2016/050425 patent/WO2016120053A1/en active Application Filing
- 2016-01-12 JP JP2017557253A patent/JP6698697B2/ja active Active
- 2016-01-12 CN CN201680007485.4A patent/CN107251198B/zh active Active
-
2017
- 2017-07-27 US US15/661,631 patent/US10128361B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107251198A (zh) | 2017-10-13 |
US10128361B2 (en) | 2018-11-13 |
EP3251153A1 (en) | 2017-12-06 |
CN107251198B (zh) | 2020-08-14 |
US20170323959A1 (en) | 2017-11-09 |
EP3251153B1 (en) | 2018-06-20 |
JP2018503268A (ja) | 2018-02-01 |
WO2016120053A1 (en) | 2016-08-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6698697B2 (ja) | 絶縁ゲートパワー半導体デバイスおよびそのデバイスの製造方法 | |
US11430784B2 (en) | Semiconductor device | |
JP6311723B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
US10109725B2 (en) | Reverse-conducting semiconductor device | |
US11075285B2 (en) | Insulated gate power semiconductor device and method for manufacturing such a device | |
JP7272775B2 (ja) | 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ | |
JP2008103683A (ja) | 省スペース型のエッジ構造を有する半導体素子 | |
US11189688B2 (en) | Insulated gate power semiconductor device and method for manufacturing such device | |
JP2008294214A (ja) | 半導体装置 | |
JP6454447B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2010219361A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2018537858A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
CN112054059A (zh) | 半导体装置以及半导体装置的制造方法 | |
US10600867B2 (en) | Semiconductor device having an emitter region and a contact region inside a mesa portion | |
JP2019125625A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2015153988A (ja) | 半導体装置 | |
JP2014060345A (ja) | 電力用半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190108 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20191125 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191203 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200226 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200407 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200428 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6698697 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |