JP5151023B2 - 現像剤担持体、現像剤担持体の製造方法、現像装置及び画像形成装置 - Google Patents

Description

本発明は、現像剤担持体、現像剤担持体の製造方法、現像装置及び画像形成装置に関し、詳細には、電子写真技術を利用した複写機や印刷機で用いられる現像剤担持体、現像剤担持体の製造方法、現像装置及び画像形成装置に関する。

電子写真技術を利用した複写機や印刷機では、感光体上に形成された静電潜像に、現像剤を静電吸着させることにより、静電潜像の現像が行なわれており、現像剤の供給には、円筒状の現像剤担持体が用いられている。このような現像の際には、感光体の帯電電位に応じた量の現像剤を、静電潜像に供給することが必要とされる。
しかし、小粒径の現像剤や帯電性能の高い現像剤を用いたときには、現像剤担持体上の現像剤に、現像履歴により現像能力分布が生じ、その結果として、感光体の帯電電位に応じた量の現像剤の供給が行なわれないことがある。この現像ゴーストと呼ばれる現象の発生原因は、定性的には以下のように説明することができる。

図５に、磁性トナーを用いる現像装置の概要を示す。現像装置は、現像剤担持体１１とマグネット１２と現像剤ホッパー１３と現像ブレード１４とで構成される。現像剤ホッパー１３には、現像剤１５が蓄えられ、現像剤はマグネット１２の磁力により現像剤担持体１１に引きつけられる。現像剤担持体１１が回転することにより、現像剤担持体上に付着した現像剤は、現像ブレード１４により所定の膜厚に制御される。また、現像剤は、現像剤同士の摩擦や現像ブレード１４との摩擦により帯電される。帯電された現像剤は、静電潜像保持体１６と近接する箇所で、静電潜像保持体上の静電潜像へクーロン力により転移し、静電潜像が顕像化される。この顕像化の際には、現像剤担持体１１上の現像剤のうち、静電潜像に対応した部分に位置した現像剤だけが消費されることになる。消費された部分には、現像剤担持体の回転により、新たな現像剤が供給され、現像ブレード１４により帯電される。

このような動作で現像は行われるため、現像行程で現像剤が消費された部分に新たに供給された現像剤は現像ブレードによる摩擦帯電を一度しか受けないが、消費されなかった部分の現像剤は重ねて摩擦帯電を受けることになる。
その結果、現像履歴に応じて、現像剤担持体１１上の現像剤の帯電量が分布を持つことになる。帯電量が高くなると、現像剤と静電潜像とのクーロン相互作用は強くなるが、これと同時に現像剤と現像剤担持体との間に鏡像力による引力も強くなる。現像剤の静電潜像への転移量、すなわち、現像能力は、これらの力の大小関係により決まる。

このため、実際の現像においては、新たに現像剤が供給された部分の現像能力が他の部分に比べて高くなる場合と、低くなる場合が生じ、それに応じてプリント結果に静電潜像とは異なる像が現われることになる。

例えば、図６に示すような、「ＡＡＡＡＡ」と書かれた部分と、一様な濃度の網点領域とを有する原稿の複写を行う場合を考える。通常、現像剤担持体１１の周速は、静電潜像保持体１６の周速に比べて早いが、ここでは説明の便宜上、両者の周速は等しいものとする。また、現像は、図の上方から行われるものとする。

現像剤担持体の周囲の長さは、一般に原稿の長さより短いため、一枚の原稿の複写を行うためには、現像剤担持体が複数回、回転することが必要である。図６（Ｂ）及び図６（Ｃ）において、Ｌで示した長さが現像剤担持体の周囲の長さであるとする。この部分の現像を行うことにより、現像剤担持体表面には、静電潜像に応じた形で現像能力の分布をもった現像剤層が形成され、この層により、次の部分の現像が行われることになる。このとき、文字の現像に用いられた部分の現像剤の現像能力が他の部分の現像剤に比して高ければ、図６（Ｂ）に示したように、現像剤担持体の周囲の長さＬに応じた位置にポジゴーストと呼ばれる静電潜像にはない像が現像結果に現われることになる。逆に、その部分の現像能力が低ければ、図６（Ｃ）に示したような、静電潜像が存在するにもかかわらず、その静電潜像の現像が行われない、ネガゴーストと呼ばれる現象が発生する。

このように現像ゴーストは、現像剤の帯電性能に関係するものであるため、高品位な画質を得るために開発が進められている小粒径の現像剤や帯電性能を向上させた現像剤を用いたときに特に顕著となる。

現像ゴーストに対処するための技術としては、例えば、現像剤担持体表面に、フェノール樹脂とカーボンを含む導電性と表面潤滑性を有する樹脂層を設けることにより現像ゴーストの発生を抑制する方法が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。
また、現像剤担持体表面に、モリブデンからなる皮膜を設けることにより現像ゴーストの発生を抑制する方法が開示されている（例えば、特許文献２参照。）。
特開２０００−２３１２５７号公報 特開平７−２８１５１７号公報

しかし、現像剤担持体表面に樹脂層を設けるという方法では、樹脂層が摩耗しやすいため、走行するにしたがいスリーブ表面状態が変わり、現像ゴーストを一定に抑制できる期間が短いといった問題があった。
また、現像剤担持体表面にモリブデン層を設けるという方法では、近年開発された低温定着用トナーを用いたときに、モリブデンの帯電性が低いために、得られる画像の濃度が低くなってしまうといった問題があった。

そこで本発明の目的は、長期にわたって現像ゴーストの発生を抑制することができる現像剤担持体、現像装置、画像形成装置及び現像剤担持体の製造方法を提供することにある。

本発明者らは鋭意検討を重ねた結果、特定の基体と表面層とを有する現像剤担持体により、現像履歴によって生ずる現像ゴーストの発生を長期にわたって抑制することができ、その結果として高品質の画像を形成することができることを見出し、本発明を完成した。
即ち、本発明は、
＜１＞ 粗面化された中空円筒状の基体上に、金属で構成される表面層を有し、該表面層の６０度鏡面光沢度Ｇｓ（６０°）が１０以上４０以下の範囲である現像剤担持体である。

＜２＞ 前記基体の算術平均表面粗さＲａ_１に対する前記表面層の算術平均表面粗さＲ_ａ２の比率Ｒａ_２／Ｒａ_１が、０．７以上１未満であることを特徴とする前記＜１＞に記載の現像剤担持体である。

＜３＞ 前記表面層の算術平均表面粗さＲａ_２が、１．０μｍ以上３．２μｍ以下の範囲であることを特徴とする前記＜１＞又は＜２＞に記載の現像剤担持体。

＜４＞ 前記基体の算術平均表面粗さＲａ_１が、１．４μｍ以上３．５μｍ以下の範囲であることを特徴とする前記＜１＞〜＜３＞のいずれか１項に記載の現像剤担持体。

＜５＞ 前記表面層を形成する金属が、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、及びＳｎからなる群より選択される少なくとも１種の金属であることを特徴とする前記＜１＞〜＜４＞のいずれか１項に記載の現像剤担持体である。

＜６＞ 前記基体と前記表面層との間に、Ｎｉ及びＣｕからなる群より選択される少なくとも１種の金属で構成されてなる下引き層を有することを特徴とする前記＜１＞〜＜５＞のいずれか１項に記載の現像剤担持体である。

＜７＞ 前記表面層の厚さが、０．３μｍ以上３０μｍ以下の範囲であることを特徴とする前記＜１＞〜＜６＞のいずれか１項に記載の現像剤担持体である。

＜８＞ 少なくとも、前記＜１＞〜＜７＞のいずれか１項に記載の現像剤担持体と、
該現像剤担持体上に現像剤を供給する現像剤供給手段と、
該現像剤供給手段により供給された現像剤を帯電する帯電手段と、を有する現像装置である。

＜９＞ 少なくとも、潜像担持体と、
前記潜像担持体の表面に潜像を形成する潜像形成手段と、
前記潜像をトナーにより現像してトナー像を形成する前記＜８＞に記載の現像装置と、
前記トナー像を被転写体に転写する転写手段と、を有する画像形成装置である。

＜１０＞ 前記＜１＞〜＜７＞のいずれか１項に記載の現像剤担持体の製造方法であって、
粗面化された中空円筒状の基体を、金属を含有する電解液で電解処理して、前記金属で構成される６０度鏡面光沢度Ｇｓ（６０°）が１０以上４０以下の表面層を、前記基体の表面に形成する表面層形成工程を有することを特徴とする現像剤担持体の製造方法である。

＜１１＞ 前記金属が、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、及びＳｎからなる群より選択される少なくとも１種の金属であることを特徴とする前記＜１０＞に記載の現像剤担持体の製造方法である。

＜１２＞ 算術平均表面粗さＲａが１．４μｍ以上３．５μｍ以下の範囲となるように前記現像剤担持体の基体表面を粗面化処理する基体表面粗面化工程を有することを特徴とする前記＜１０＞又は＜１１＞に記載の現像剤担持体の製造方法である。

本発明によれば、現像履歴によって生ずる現像ゴーストの発生を長期にわたって抑制することができ、その結果として高品質の画像を形成することができる現像剤担持体、現像剤担持体の製造方法、現像装置及び画像形成装置を提供することができる。

＜現像剤担持体＞
本発明の現像剤担持体は、粗面化された中空円筒状の基体上に金属で構成される表面層を有し、該表面層の６０度鏡面光沢度Ｇｓ（６０°）が１０以上４０以下の範囲であることを特徴とする。
本発明にかかる基体は、中空状円筒の表面を粗面化処理して得られる。粗面化することで、表面に凹凸ができる。この凹凸を有する基体表面に、金属で構成される表面層を形成すると、下地の凹凸の形状に起因して、表面層の表面にも凹凸が生じる。その様子を図１に示す。

作製された現像剤担持体に現像剤を付着させると、基体１０の凹凸に起因した表面層２０の表面の凹凸（図１におけるマクロな凹凸Ｒ）に現像剤が捕捉されやすくなり、潜像担持体へ現像剤を搬送しやすくなる。しかしながら、過剰な表面の凹凸は、現像ゴーストの発生を多くしてしまう。
また、上記表面の凹凸を拡大すると、図１（Ｂ）に示すように、更に微小な凹凸が存在する。この微小な凹凸（図１におけるミクロな凹凸ｒ）の凹部にトナー粒子が残存し、更なる現像ゴーストの発生を引き起こしていることが明らかとなった。つまり、表面層のミクロな凹凸ｒに残存したトナー粒子は、現像のために移転することなく残存し続けてしまうため、次の帯電工程では、残存したトナーを帯電させてしまう。したがって、新たに供給されたトナーの帯電が潤滑に行われなくなってしまい、その結果、ゴーストの発生が引き起こされているものと考えられる。

そこで、図２に示すように、上記ミクロな凹凸ｒを平坦化し、且つ上記マクロな凹凸Ｒについても基体の凹凸よりは滑らかな表面となるよう、本発明では、表面層に光沢剤を添加する。その結果、図２に示すように、本発明の現像剤担持体は、マクロな凹凸Ｒを適度に有し、且つミクロな凹凸ｒが平坦化された表面層を有する。このような構造により、トナーが搬送されやすく且つトナーの残存が防止され、長期にわたって現像ゴーストの発生を抑えることができる現像剤担持体となる。

このように、本発明は、表面層２０のマクロな凹凸Ｒの制御に加え、ミクロな凹凸ｒの制御を行うことに特徴があるため、単に、表面の算術平均表面粗さＲａで示されるマクロな凹凸Ｒについての規定ではなく、表面層２０の６０度鏡面光沢度Ｇｓ（６０°）で規定するものとする。
以下に、現像剤担持体の構成を詳細に説明する。

−基体−
本発明にかかる基体は、中空円筒状の形状を有する。基体の素材としては、通常、アルミニウムおよびその合金、ＳＵＳ等が挙げられるが、以下に説明するように、本発明では基体の表面を粗面化するため、アルミニウムまたはその合金であることが好ましい。

本発明では、現像剤担持体によって搬送する現像剤の量を増加させるために、粗面化された中空円筒状の基体を用いる。ここで、本発明における「粗面化」とは、基体表面の算術平均表面粗さＲａ_１が、１．０μｍ以上となるように処理することをいう。基体の粗面化加工には、乾式で粒子を吹き付けるブラスト加工法や、湿式で粒子を吹き付けるホーニング加工法、あるいは砥石研削法などがある。

本発明において、基体の表面粗さは、算術平均表面粗さＲａ_１が、１．４μｍ以上３．５μｍ以下の範囲であることが好ましく、１．７μｍ以上３．２μｍ以下であることがより好ましく、２．５μｍ以上３．１μｍ以下であることが更に好ましい。Ｒａ_１が、１．４μｍよりも小さいと、現像剤担持体によって搬送される現像剤の量を確保することが難しくなり、３．５μｍよりも大きいと、粗面化加工時の現像剤担持体の曲がりが大きくなり、精度良く製造することが困難となる場合があるため、好ましくない。
基体の算術平均表面粗さＲａ_１は、東京精密社製（サーフコム１４００Ａ−３ＤＦ）で、ＪＩＳ Ｂ０６０１（２００１）に準じて測定した。詳しくは、触針先端２μｍＲ、
測定速度０．３ｍｍ／ｓ、カットオフ値０．８ｍｍ、測定長さ４．０ｍｍの測定条件にて、周方向３箇所×軸方向３箇所の計９箇所を軸方向に向かい測定し、平均値を計算したものである。以下、「算術平均表面粗さ」については、同様の測定方法による。

−表面層−
本発明の現像剤担持体は、上記基体上に金属で構成される表面層を有する。該表面層は、６０度鏡面光沢度Ｇｓ（６０°）が１０以上４０以下の範囲であり、好ましくは１３以上３５以下であり、より好ましくは１５以上３０以下であり、更に好ましくは、１５以上２１以下である。６０度鏡面光沢度Ｇｓ（６０°）が１０未満であると、画像にゴーストが発生してしまう場合が有り、４０を超えると表面の平坦化が強くなり現像剤の搬送が均一になされず画像に濃度ムラが生じる場合がある。

表面層の鏡面光沢度は、表面層の厚さ及び表面粗さ、表面層を形成する際の光沢剤の濃度及び電流密度を適宜調整することで上記範囲に制御することができる。
本発明における６０度鏡面光沢度Ｇｓ（６０°）は、ＪＩＳ Ｚ８７４１（１９９７）に準拠し、方法３によって測定した値である。

表面層を構成する金属としては、ニッケル、銅、亜鉛、錫、金、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、等を適用することができるが、ニッケル、銅、亜鉛、錫が好ましく、亜鉛、錫がより好ましく、特に亜鉛が好適である。これらの金属が好適である理由については明らかになっていないが、以下のように推測される。
一般的に、表面層の帯電性を高めると画像濃度は高くなるが、ゴーストの発生が多くなる。そのために、これまでの技術では、画像濃度を若干犠牲にしてゴーストの発生を抑えるよう、帯電性の低いモリブデン等を表面層に用いて、実用に向けて対処していた。しかし、本発明では、表面層の表面粗さを制御することによって、ゴースト発生の観点から従来使いこなし難かったモリブデンよりも帯電性の高い亜鉛や錫などの金属を、表面層に用いることができるようになった。したがって、本発明において、現像剤担持体の表面層に亜鉛や錫等を適用すると、ゴーストの発生を抑えつつ、且つ高い画像濃度の画像を得ることができる。

表面層の表面粗さは、算術平均表面粗さＲａ_２が、１．０μｍ以上３．２μｍ以下の範囲であることが好ましく、１．７μｍ以上２．９μｍ以下であることがより好ましく、２．３μｍ以上２．８５μｍ以下であることが更に好ましい。Ｒａ_２が、１．０μｍよりも小さいと、現像剤担持体によって搬送される現像剤の量を確保することが難しくなり、３．２μｍよりも大きいと、搬送能力が向上するため現像される現像剤量が多くなるが、現像剤の帯電が不均一になり、帯電が低い現像剤も入ってくるため、例えば文字画質やソリッド画質の後端部にトナー飛び散りの画像障害が発生する場合があるため、好ましくない。
なお、ここで測定される算術平均表面粗さＲａ_２は、図２におけるマクロな凹凸を測定して得られた値に該当する。

また、表面層の算術平均表面粗さＲａ_２は、基体の算術平均表面粗さＲａ_１に対して、Ｒａ_２／Ｒａ_１が、０．７以上１未満であることが好ましく、０．７５以上０．９９以下であることがより好ましく、０．８０以上０．９８以下であることが更に好ましい。Ｒａ_２／Ｒａ_１の値が、０．７未満の場合には、現像担持体表面の平滑さが増し、現像剤搬送に不均一が生じ、画像濃度ムラが生じる場合があり、１．０を超える場合には、前述のミクロな凹凸ｒの凹部にトナーが残存するためゴーストが発生する場合があるため好ましくない。

このような表面層の表面粗さ（マクロ及びミクロの状態を含む）にするためには、光沢剤を添加することが好ましい。表面層の光沢剤の添加量は、金属や光沢剤の種類によって異なるため一概に言うことはできず、上記算術平均表面粗さＲａ_２の範囲に入るよう、適宜調整することが好ましい。
表面層に添加し得る光沢剤としては、上記算術平均表面粗さＲａ_２の範囲に調整することができるものであれば、特に限定されないが、例えば、亜鉛用には、デュオジンク１００、ジンクライト１６００、ジンクライトＳ−３４００、ジンクライトＫ−２５００、ジンクライトＫ−７５００、ジンクＮＨ、ジンクＡ−１００、ジンクＡ−２００、ジンクＡＣＫ、ジンクＡ（以上、奥野製薬株式会社製）等を挙げることができ、錫用には、トップフローナＲ、トップフローナＭＵ（以上、奥野製薬株式会社製）等を挙げることができる。また、ニッケル用には、スーパーネオライト、スーパーゼナー、モノライト、トップセリーナ、トップルナー、トップレオナＮＬ、アクナＢ−３０、アクナＢ、ターボライト（以上、奥野製薬株式会社製）、＃８１０、＃８１、＃８３、＃８１−Ｊ（以上、荏原ユージライト株式会社製）等を挙げることができ、銅用には、ＫＯＴＡＣ１、ＫＯＴＡＣ２（以上、大和特殊株式会社製）、エレカッパー２５ＭＵ、エレカッパー２５Ａ（以上、奥野製薬株式会社製）等を挙げることができる。

表面層は、単層であっても２層以上であってもよい。

表面層の厚さは、０．３μｍ以上３０μｍ以下の範囲であることが好ましく、０．６μｍ以上７μｍ以下であることがより好ましく、２．５μｍ以上４μｍ以下であることが更に好ましい。表面層の厚さが０．３μｍ未満の場合には、繰り返し走行による表面層の磨耗により、下地が露出し、ゴースト抑制を維持できなくなる場合があり、３０μｍよりも厚いと膜厚が厚くなったために表面層の面内粗度バラツキが発生し、画像濃度ムラが発生する場合があるため好ましくなく、また生産コストの点から膜厚は薄い方が望ましい。ここでいう表面層の膜厚は、蛍光Ｘ線膜厚計（ＳＦＴ３０００Ｓ：ＳＩＩ製）を用い、現像剤担持体１本当たり周方向４箇所×軸方向９箇所の計３６箇所の膜厚を測定した場合の平均値をいう。
表面層が２層以上からなる場合には、全表面層の厚さを合算した値が上記範囲内にあることが好ましい。

表面層は、構成する金属を含む電解液で上記粗面化された基体を電解処理して、該基体上に形成されることが好ましい。上記電解液中に光沢剤を添加し、均一となるように混合した後、基体を陰極として電解処理を行う。
表面層の６０度鏡面光沢度Ｇｓ（６０°）や表面粗さは、表面層に添加する光沢剤の添加量や表面層の膜厚を調整することによって制御することができる。また、表面層の前記Ｇｓ（６０°）と前記表面粗さは、基体の表面粗さから影響を受けるため、基体の表面粗さと光沢剤の添加量と表面層の膜厚を適宜調整することが好ましい。
表面層の膜厚は、電解処理の温度、電流密度、或いは電解処理時間によって調整することができる。
なお、表面層に添加する光沢剤の添加量を増やすほど、また表面層の膜厚を厚くするほど、表面層の６０度鏡面光沢度Ｇｓ（６０°）を大きくすることができ、表面層の表面粗さを小さくすることができる。
また、電界処理の温度を高く、電流密度を高く、電界処理時間を長くするほど、表面層の膜厚を大きくすることができる。

−その他の層−
本発明の現像剤担持体は、少なくとも前記基体と表面層とを有していれば、その他は特に制限されず、例えば、基体と表面層との間に密着性を高めたり、帯電量の調整をおこなったりするための下引き層を設けてもよい。勿論、下引き層を設けない態様であってもよい。下引き層としては、例えば、ニッケル、銅、クロム、金などの金属を用いることができ、ニッケル、銅を用いることが好ましい。
下引き層は、単層であっても２層以上であってもよい。下引き層の厚さは、全体で、０．３μｍ以上５．０μｍ以下であることが好ましく、１．５μｍ以上４．０μｍ以下であることがより好ましい。
下引き層は、電解めっきによって或いは無電解めっきによって形成することが好ましく、無電解めっきで形成することがより好ましい。

＜現像装置＞
本発明の現像装置は、現像剤担持体と、該現像剤担持体上に現像剤を供給する現像剤供給手段と、該現像剤供給手段により供給された現像剤を帯電する帯電手段とを有する。

ここで、本発明の現像装置における現像剤担持体は、これまでに説明したように、粗面化された基体上に、特定の表面状態を有する表面層を有する上記現像剤担持体である。このような現像剤担持体を用いることで、本発明の現像装置では、長期にわたって現像ゴーストの発生を抑えることができる。

本発明の現像装置における現像剤供給手段は、攪拌部材（アジテーター）、螺旋状搬送部材であるオーガなど、現像剤担持体に現像剤を供給するのに用いるものであれば特に制限されず、通常現像装置に適用されるものを適宜適用することができる。

本発明の現像装置における帯電手段は、現像剤を、静電潜像保持体上の静電潜像へクーロン力によって転移することのできる帯電量に帯電させることができるものであれば、特に制限はなく用いることができ、通常現像装置に用いられる帯電手段を適宜適用することができる。通常現像剤は、現像剤同士の摩擦や、現像剤担持体上に付着した現像剤を所定の膜厚に制御するための現像剤層規制部材との摩擦によって帯電される。

本発明に適用し得る現像剤は、磁性一成分系現像剤、二成分系現像剤のいずれであっても本発明の効果を得ることができるが、磁性一成分系現像剤の場合に、本発明の効果をより享受することができる。
本発明の現像装置に適用し得る現像剤の組成は、通常現像剤に適用する組成物を適宜適用することができる。

図３は、本発明の実施に適した現像装置の１例であるが、これに限定されるものではない。
図３において、像担持体１には、現像装置３が対向して配置される。現像ハウジング８内には、現像ロール部（現像剤担持体）４と攪拌部材（現像剤供給手段）９とが設けられている。現像ロール部４には、軸方向に均一な磁場を形成するためのマグネットロール５と、このマグネットロール５の外周に装着される現像スリーブ６と、現像スリーブ６に圧接される軟弾性体で構成される現像剤層規制部材７とが配設されている。
マグネットロール５は、図中、例えばＮおよびＳで示す磁気パターンを有し、現像スリーブ６内において現像ハウジング８に固定されている。現像スリーブ６は、現像ハウジング８に回転自在に支持されている。また、現像剤Ｔを攪拌する攪拌部材９も現像ハウジング８に回転可能に設けられている。

現像スリーブ６としては、基体上に、公知の金属メッキ、陽極酸化膜或いは樹脂層等を有するものが好適に使用できる。基体としては、その材質、形状、構造等は目的に応じて適宣選択することができるが、形状としては円筒状等が一般的であり、材質としては、例えば、アルミニウム、銅、無電解銅、ニッケル、無電解ニッケル、ニッケル−カドミ拡散、硬質クロム、黒色クロム、金、銀、ロジウム、白金、パラジウム、ルテニウム、錫、インジウム、鉄、カドミウム等が挙げられる。酸化膜としては、アルミニウムの酸化膜であるアルマイト処理が最も広く用いられているが、他にもモリブデン酸、鉄、銅等の酸化物でもよい。

樹脂層としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ポリウレア、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、フッ素樹脂、シリコーン樹脂等を用いることができる。

本発明に用いられる現像剤層規制部材７の構成としては、ステンレス、銅、鉄及び樹脂等の板材に軟弾性体シートを形成したものを使用できる。軟弾性体シートとしては、シリコーンゴム，ウレタンゴム、ブタジエンゴム、天然ゴム、イソプレンゴム、スチレンブタジエンゴム、ブチルゴム、ニトリルブタジエンゴム、クロロプレンゴム、エチレンプロピレンゴム、エピクロロヒドリンゴム等、また、これらの軟弾性体を単独で成型したものや、鉄、ステンレス、アルミ等の金属性板金に直接シートを貼り付けて構成したものも同様に使用できる。

現像剤Ｔは、ホッパー２内において攪拌部材９の回動により攪拌、搬送され、高画質画像にも耐えられる現像剤Ｔを現像ロール部４側へ供給可能にする。この現像剤Ｔは現像スリーブ６表面にマグネットロール５の磁力により付着した後、現像剤層規制部材７の突き出し量と当接圧により層厚が規制され、かつ、摩擦帯電される。摩擦帯電され現像スリーブ６上に搬送された現像剤は帯電量に応じて像担持体１へ移動し現像される。

このような現像方法においては、特に現像スリーブ６とこれに接触する現像剤層規制部材７との摩擦により、現像剤担持体表面は、現像剤が押し付けられるような強いストレスを受けるが、本発明の現像剤担持体を用いることにより、現像剤が現像剤担持体表面に埋まり込みにくいため、現像剤担持体表面に残存し難い。また、像担持体１への現像剤の搬送量が安定化されるので、長期にわたって現像ゴーストの発生を抑えることができ、且つ安定した画像濃度を得ることができる。

＜画像形成装置＞
本発明の画像形成装置は、少なくとも、潜像担持体と、前記潜像担持体の表面に潜像を形成する潜像形成手段と、前記潜像をトナーにより現像してトナー像を形成する上記の本発明の現像装置と、前記トナー像を被転写体に転写する転写手段と、を有する。
図４は、本発明の画像形成装置の好適な一実施形態の基本構成を概略的に示す断面図である。図４に示す画像形成装置１００は、電子写真感光体（像担持体）１０７と、電子写真感光体１０７を帯電させるコロトロンやスコロトロンなどの帯電装置１０８と、帯電装置１０８に接続された電源１０９と、帯電装置１０８により帯電される電子写真感光体１０７を露光して静電潜像を形成する露光装置（潜像形成手段）１１０と、露光装置１１０により形成された静電潜像をトナーにより現像してトナー像を形成する現像装置（現像手段）１１１と、現像装置１１１により形成されたトナー像を転写体５００に転写する転写装置（転写手段）１１２と、転写後に電子写真感光体１０７に残留しているトナーを除去するクリーニング装置１１３と、除電器１１４と、定着装置（定着手段）１１５とを備える。

画像形成装置１００における各装置は、いずれも従来の画像形成装置で採用されているものを適用できる。
なお、本発明においては、除電器１１４が設けられていない画像形成装置であってもよい。また、図４では、帯電装置１０８は接触型の帯電装置を示しているが、コロトロン帯電器のような非接触型の帯電装置であってもよい。
更に、通常画像形成装置に適用される他の構成を適宜備えてもよい。

以下、本発明を実施例によりさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。

［実施例１］
亜鉛で構成される表面層を設けた現像剤担持体を作製した。作製方法の詳細を説明する。

（現像剤担持体−Ｚｎ−１の作製）
−基体の作製−
引き抜き成形後、切削加工を施した中空状円筒のＡｌ（アルミニウム：Ａ６０６３）管に、球形研磨材であるＦＧＢ＃６０／＃４０にてブラスト処理を施した。ブラスト圧力は０．２ＭＰａとし、ブラスト時間は６０秒とした。
得られたアルミニウム管（基体）の算術平均表面粗さＲａ_１を上記方法で測定したところ、２．８μｍであった。

−表面層の形成−
上記ブラスト処理を施したアルミニウム管（基体）に対し、めっきの密着性を高めるため、エッチング処理を行った後、ダブルジンケート処理を施した。
一方、主剤（酸化Ｚｎ試薬、昭和化学社製）を使い建浴したシアン化Ｚｎ浴に対し、光沢剤（商品名：ジンクライト１６００、奥野製薬株式会社）を４ｍｌ／ｌ添加した処理液を調整し、かかる処理液を用いて上記ダブルジンケート処理を施したアルミニウム管（基体）を陰極とした亜鉛電解処理を行い、亜鉛で構成される表面層を形成した。

亜鉛電解処理後、複数回水洗を行った後、硝酸で中和処理を行ない、複数回水洗を行なった後、５０℃の雰囲気下で１０分以上乾燥し、現像剤担持体−Ｚｎ−１を作製した。得られた表面層の６０度鏡面光沢度Ｇｓ（６０°）を前記の方法で測定したところ、２０であった。また、表面層の算術平均表面粗さＲａ_２は、２．６０μｍであり、平均膜厚は２．５μｍであった。

（現像剤担持体−Ｚｎ−２〜Ｚｎ−９の作製）
上記現像剤担持体−Ｚｎ−１の作製において、光沢剤を４ｍｌ／ｍｌ添加したところを、下記表１の光沢度となるように、光沢剤の添加量を調整し、現像剤担持体−２〜９を作製した。得られた表面層の６０度鏡面光沢度Ｇｓ（６０°）、算術平均表面粗さＲａ_２、及び平均膜厚を表１に示す。

（現像剤担持体−Ｚｎ−１０〜Ｚｎ−１９の作製）
前記現像剤担持体−Ｚｎ−１の作製において、アルミニウム基体に対してのブラスト処理で、ブラスト圧力／時間を調整して、基体の表面粗さを変更した以外は同様にして、現像剤担持体−Ｚｎ−１０〜Ｚｎ−１９の作製を行った。基体の算術平均表面粗さＲａ_１を測定し、その結果を表２に示す。

（現像剤担持体−Ｚｎ−２０〜Ｚｎ−２８の作製）
前記現像剤担持体−４の作製において、表面層の形成での電解処理で、温度・電流密度等の条件を固定し、電解処理時間を変えることにより、表面層の膜厚を変えた現像剤担持体−Ｚｎ−２０〜Ｚｎ−２８を作製した。得られた表面層の６０度鏡面光沢度Ｇｓ（６０°）、算術平均表面粗さＲａ_２、及び平均膜厚を表３に示す。

（現像剤の調製）
・結着樹脂：ポリエステル樹脂 ５０重量部
（アルコール成分：ビスフェノールＡのプロピレンオキサイド付加物、酸成分：テレフタル酸，ＭＩ：５ｇ／１０ｍｉｎ、Ｔｇ：６０℃）
・マグネタイト（粒径：０．２５μｍ） ５０重量部
・ポリプロピレンワックス ３．５重量部
（商品名：６６０Ｐ、三洋化成社製）

上記組成の材料をヘンシェルミキサーにより粉体混合し、これを設定温度１４０℃のエクストルーダーにより熱混練した。冷却後、粗粉砕、微粉砕し、体積平均粒径Ｄ５０が５．８μｍの粉砕物を得た。さらにこの粉砕物を分級して、Ｄ５０が６．２μｍで、４μｍ以下の粒子が２２個数％のトナー分級品を得た。
得られたトナー分級品１００重量部に対して、粒径１２ｎｍのジメチルシリコーンオイル処理シリカ微粒子（炭素量７．５質量％）１．２重量部およびデシルトリメトキシシラン１０質量％で表面処理した平均一次粒子５０ｎｍの酸化チタン微粒子０．６重量部をヘンシェルミキサーで外添し
て、磁性一成分現像剤を調製した。

（評価）
画像形成装置（富士ゼロックス社製、ＤｏｃｕＰｒｉｎｔ ３４０Ａ）の現像剤担持体を上記作製の現像剤担持体−Ｚｎ−１〜Ｚｎ−２８に変更した改造機を用い、上記調製の磁性一成分現像剤でベタ黒１枚・ベタ白３枚のプリント後に、図６に示すゴーストチャ−ト画像を１枚複写し、そのプリント結果を目視にて検査することにより、下記の基準で評価した。
−画像ゴースト−
◎：ゴースト未発生
○：ゴースト発生が軽微にみられる
△：ゴースト発生はあるが実用上許容レベルの範囲である
×：明らかにゴースト発生で許容できない

尚、現像は、以下に記す条件下で、非接触のジャンピング現像法を用いて行なった。
・現像バイアス（ＡＣ）：矩形波、１．８ｋＶｐｐ、Ｄｕｔｙ比５０％、周波数３．３ｋＨｚ
・現像バイアス（ＤＣ）：−４００Ｖ
・Ｖ_ＨＩＧＨ：−５００Ｖ、Ｖ_ＬＯＷ：−１５０Ｖ
・ドラムと現像剤担持体との間隔：２５０μｍ
・周囲温度：２８℃、湿度：８５％ＲＨ

評価結果を表１〜表３に示す。

表１に示すとおり、粗面化された中空円筒状の基体上に、６０度鏡面光沢度Ｇｓ（６０°）が１０以上４０以下の表面層を有する現像剤担持体を用いると、長期使用においても画像ゴーストの発生が抑えられていた。特に、６０度鏡面光沢度Ｇｓ（６０°）が１５〜３０の現像剤担持体−１、４及び５を用いた場合が良好であった。

表２に示すように、基体の表面粗さを変えると、それに追随して表面層の６０度鏡面光沢度Ｇｓ（６０°）も変動するが、Ｇｓ（６０°）が１０以上４０以下の範囲であれば、いずれの現像剤担持体も画像ゴーストの発生が抑えられていた。この中でも、基体の表面粗さＲａ_１が、１．７〜３．５である現像剤担持体−Ｚｎ−１２〜１７を用いる場合に良好な結果が得られ、更に好適には、基体の表面粗さＲａ_１が２．５〜２．８である現像剤担持体−Ｚｎ−１４、Ｚｎ１５の場合であった。なお、粗面化処理をせず基体に表面粗さＲａ_１が０．５μｍである切削管を用いている現像剤担持体−Ｚｎ−１０では、基体の表面粗さに起因して表面層の光沢度Ｇｓ（６０°）が４０を超え、基本画像特性である画像濃度が出ていなかったため、画像ゴーストの評価を行わなかった。また、基体の表面粗さＲａ_１が３．８である現像剤担持体−Ｚｎ−１８及び４．０μｍである現像剤担持体−Ｚｎ−１９は、それぞれ表面層の光沢度Ｇｓ（６０°）が１７及び１６であり、本発明の範囲内にあるため実用上は問題ないが、ネガゴーストが発生する場合があった。

表３に示すように、表面層の膜厚を変えると、それに追随して表面層の６０度鏡面光沢度Ｇｓ（６０°）及び表面粗さＲａ_２も変動するが、Ｇｓ（６０°）が１０以上４０以下の範囲であれば、いずれの現像剤担持体も画像ゴーストの発生が抑えられていた。但し、現像剤担持体−２０は画像ゴースト発生に対して抑制効果があるものの、１３００枚程度の印刷を行なうと、表面層が磨耗し、下地が露出する場合があることが分かった。また、現像剤担持体−２８では膜厚が厚くなったために表面層の面内粗度バラツキが発生し、画像濃度ムラが生じる場合があった。そのため、表面層は０．３〜３０μｍの膜厚とすることが望ましいことがわかった。なお、生産コストの点から膜厚は薄い方向が望ましい。

［実施例２］
基体と亜鉛表面層との間にニッケル下引き層を有する現像剤担持体を作製し、評価を行った。

（現像剤担持体−Ｚｎ−２９〜３７の作製）
−下引き層の形成−
実施例１と同様のアルミニウム管（基体）に、主剤（奥野製薬製；商品名 トップニコロンＢＬ−Ｍ／ＢＬ−１）を用いたＮｉ−Ｐ無電解処理を行い、ニッケルで形成される膜厚３．０±０．５μｍの下引き層を形成した。

−表面層の形成−
上記下引き層の上に、実施例１と同様の方法で表面層を形成し、現像剤担持体−Ｚｎ−２９を作製した。また、実施例１の現像剤担持体−Ｚｎ−２〜Ｚｎ−９と同様に、表面層に添加する光沢剤の量を変更して、現像剤担持体−Ｚｎ−２９〜３７を作製した。得られた表面層の６０度鏡面光沢度Ｇｓ（６０°）、算術平均表面粗さＲａ_２、及び平均膜厚を表４に示す。

（現像剤担持体−Ｚｎ−３８〜Ｚｎ−４７の作製）
前記現像剤担持体−Ｚｎ−３２（表面層の６０度鏡面光沢度Ｇｓ（６０°）が約２０のもの）の作製において、アルミニウム基体に対してのブラスト処理で、ブラスト圧力／時間を調整して、基体の表面粗さを変更した以外は同様にして、現像剤担持体−Ｚｎ−３８〜Ｚｎ−４７の作製を行った。基体の算術平均表面粗さＲａ_１を測定し、その結果を表５に示す。

（現像剤担持体−Ｚｎ−４８〜Ｚｎ−５６の作製）
前記現像剤担持体−Ｚｎ−３２（表面層の６０度鏡面光沢度Ｇｓ（６０°）が２０のもの）の作製において、表面層の形成での電解処理で、温度・電流密度等の条件を固定し、電解処理時間を変えることにより、表面層の膜厚を変えて、現像剤担持体−Ｚｎ−４８〜Ｚｎ−５６を作製した。得られた表面層の６０度鏡面光沢度Ｇｓ（６０°）、算術平均表面粗さＲａ_２、及び平均膜厚を表６に示す。

得られた現像剤担持体−Ｚｎ−２９〜５６を実施例１と同様の方法で評価した。その結果を表４〜表６に示す。

表４〜表６に示すように、ニッケルの下引き層を有する場合であっても、亜鉛で形成される表面層の６０度鏡面光沢度Ｇｓ（６０°）が１０以上４０以下の範囲であれば、いずれの現像剤担持体も画像ゴーストの発生が抑えられていた。
なお、現像剤担持体−Ｚｎ−４８は画像ゴースト発生に対して抑制効果があるものの、１３００枚程度の印刷を行なうと、表面層が磨耗し、下地が露出する場合があることが分かった。また、現像剤担持体−Ｚｎ−５６では膜厚が厚くなったために表面層の面内粗度バラツキが発生し、画像濃度ムラが生じる場合があった。このため、表面層は０．３〜３０μｍの膜厚を有する場合が良好であることがわかった。

（表面層の膜厚と帯電量との関係）
上記現像剤担持体−Ｚｎ−５０とＺｎ−５１について、２２度、５５％ＲＨの環境下で帯電量の測定を行った。帯電量の測定方法は、以下の通りである。
吸引ノズル及びフィルターを有するファラデーゲージとクーロンメータとを用い、吸引法にて行なった。具体的には、現像剤担持体の表面曲率と同じ曲率の開口面積２．５ｃｍ^２のマスキング治具を現像剤担持体上にセットし、マスキング開口部に露出している現像剤担持体上の現像剤を、上記吸引ノズルより吸引しファラデーゲージに溜め、電荷量測定及び吸引後の重量増加を測定し、単位面積当たりの電荷量を計算した。
その結果を表７に示す。

表７に示すように、表面層の膜厚を調整することで、帯電量を調整できることが明らかとなり、好適な帯電量を有する現像剤担持体を作製することができた。

［実施例３］
銅で構成される下引き層と、錫で構成される表面層とを有する現像剤担持体を作製した。

（現像剤担持体−Ｓｎ−１の作製）
−下引き層の形成−
実施例１と同様方法でブラスト処理を施したアルミニウム管（基体）に、主剤（関東化学株式会社製の商品名：シアン化銅（Ｉ））を用いた電解処理を行い、銅で形成される膜厚３．５μｍの下引き層を形成した。

−表面層の形成−
主剤（関東化学株式会社；商品名 硫酸錫（ＩＩ））を使い建浴した錫浴に対し、光沢剤（奥野製薬株式会社；商品名 トップフローナＲとトップフローナＭＵとの混合物（混合比率２／５））を２８ｍｌ／ｌ添加した処理液を調整し、かかる処理液を用いて上記下引き層を設けた基体を陰極とした錫電解処理を行い、錫で構成される表面層を形成した。

錫電解処理後、複数回水洗を行った後、１００℃の雰囲気下で１０分以上乾燥し、現像剤担持体−Ｓｎ−５を作製した。得られた表面層の６０度鏡面光沢度Ｇｓ（６０°）を前記の方法で測定したところ、２９であった。また、表面層の算術平均表面粗さＲａ_２は、１．９１μｍであり、平均膜厚は３μｍであった。

（現像剤担持体−Ｓｎ−２〜Ｓｎ−９の作製）
上記現像剤担持体−Ｓｎ−１の作製において、光沢剤を２８ｍｌ／ｌ添加したところを、下記表１の光沢度となるように、光沢剤の添加量を調整し、現像剤担持体−Ｓｎ−２〜Ｓｎ−９を作製した。得られた表面層の６０度鏡面光沢度Ｇｓ（６０°）、算術平均表面粗さＲａ_２、及び平均膜厚を表８に示す。

（現像剤担持体−Ｓｎ−１０〜Ｓｎ−１４の作製）
前記現像剤担持体−Ｓｎ−１の作製において、アルミニウム基体に対してのブラスト処理で、ブラスト圧力／時間を調整して、基体の表面粗さを変更した以外は同様にして、現像剤担持体−Ｓｎ−１０〜Ｓｎ−１４の作製を行った。基体の算術平均表面粗さＲａ_１を測定し、その結果を表９に示す。

得られた現像剤担持体−Ｓｎ−１〜Ｓｎ−１４について、実施例１と同様の方法で評価を行った。その結果を表８及び表９に示す。

表８及び表９に示すように、銅の下引き層と錫の表面層を有する場合であっても、基体が粗面化され且つ表面層の６０度鏡面光沢度Ｇｓ（６０°）が１０以上４０以下の範囲であれば、いずれの現像剤担持体も画像ゴーストの発生が抑えられていた。
なお、表９では、基体の表面粗さの変化に追随して、表面層の表面粗さも変化した結果、６０度鏡面光沢度Ｇｓ（６０°）が変動したが、この場合であっても、Ｇｓ（６０°）が１０以上４０以下の範囲であれば、画像ゴーストの発生が抑制された現像剤担持体であることがわかる。但し、現像剤担持体−Ｓｎ−１０では、基体に粗面化処理をしていない表面粗さＲａ_１が０．５μｍである切削管を用いているため、基体の表面粗さに起因して表面層の表面粗さも低くなっているため、現像剤の搬送量が少なくなり、画像濃度が低くなっていた。このため画像ゴーストの評価は行わなかった。
ここでトナー搬送量の測定は、現像剤担持体表面のトナーを吸引で吸い取ることにより、トナー重量を測定した。具体的には、現像剤担持体の表面曲率と同じ曲率の開口面積２．５ｃｍ^２のマスキングジグを現像剤担持体上にセットし左記マスキング開口部に露出しているスリーブ上のトナーをノズルにより吸引することにより、ファラデーゲージにため、吸引前後による重量差を測定することにより求めた。

［実施例４］
銅で構成される下引き層と、ニッケルで構成される表面層とを有する現像剤担持体を作製した。

（現像剤担持体−Ｎｉ−１の作製）
−下引き層の形成−
実施例１と同様の方法でブラスト処理を施したアルミニウム管（基体）に、主剤（関東化学株式会社製の商品名：シアン化銅（Ｉ））を用いた電解処理を行い、銅で形成される膜厚３．５μｍの下引き層を形成した。

−表面層の形成−
主剤（住友金属鉱山株式会社の商品名：硫酸Ｎｉと、日本化学産業株式会社の商品名：塩化ニッケルとを混合比（質量比）５／１で使用。）を使い建浴したＮｉ浴に対し、光沢剤（荏原ユージライト株式会社、商品名＃８１０／＃８３（混合比率（体積比）１／３を使用。）を２０ｍｌ／ｌ添加した処理液を調整し、かかる処理液を用いて上記下引き層を設けた基体を陰極としたＮｉ電解処理を行い、ニッケルで構成される表面層を形成した。

ニッケル電解処理後、複数回水洗を行った後、１００℃の雰囲気下で１０分以上乾燥し、現像剤担持体−Ｎｉ−１を作製した。得られた表面層の６０度鏡面光沢度Ｇｓ（６０°）を前記の方法で測定したところ、１８であった。また、表面層の算術平均表面粗さＲａ_２は、２．６３μｍであり、平均膜厚は３μｍであった。

（現像剤担持体−Ｎｉ−２〜Ｎｉ−９の作製）
上記現像剤担持体−Ｎｉ−１の作製において、光沢剤を２０ｍｌ／ｌ添加したところを、下記表１０の光沢度となるように、光沢剤の添加量を調整し、現像剤担持体−Ｎｉ−２〜Ｎｉ−９を作製した。得られた表面層の６０度鏡面光沢度Ｇｓ（６０°）、算術平均表面粗さＲａ_２、及び平均膜厚を表１０に示す。

（現像剤担持体−Ｎｉ−１０〜Ｎｉ−１４の作製）
前記現像剤担持体−Ｎｉ−１（の作製において、アルミニウム基体に対してのブラスト処理で、ブラスト圧力／時間を調整して、基体の表面粗さを変更した以外は同様にして、現像剤担持体−Ｎｉ−１０〜Ｎｉ−１４の作製を行った。基体の算術平均表面粗さＲａ_１を測定し、その結果を表１１に示す。

得られた現像剤担持体−Ｎｉ−１〜Ｎｉ−１４について、実施例１と同様の方法で評価を行った。その結果を表１０及び表１１に示す。

表１０及び表１１に示すように、銅の下引き層とニッケルの表面層を有する場合であっても、基体が粗面化され且つ表面層の６０度鏡面光沢度Ｇｓ（６０°）が１０以上４０以下の範囲であれば、いずれの現像剤担持体も画像ゴーストの発生が抑えられていた。
なお、表１１では、基体の表面粗さの変化に追随して、表面層の表面粗さも変化した結果、６０度鏡面光沢度Ｇｓ（６０°）が変動したが、この場合であっても、Ｇｓ（６０°）が１０以上４０以下の範囲であれば、画像ゴーストの発生が抑制された現像剤担持体であることがわかる。但し、現像剤担持体−Ｎｉ−１０では、基体に粗面化処理をしていない表面粗さＲａ_１が０．５μｍである切削管を用いているため、基体の表面粗さに起因して表面層の表面粗さも低くなっているため、現像剤の搬送量が少なくなり、画像濃度が低くなっていた。このため画像ゴーストの評価は行わなかった。

［実施例５］
ニッケルで構成される下引き層と、銅で構成される表面層とを有する現像剤担持体を作製した。

（現像剤担持体−Ｃｕ−１の作製）
−下引き層の形成−
実施例１と同様の方法でブラスト処理を施したアルミニウム管（基体）に、主剤（奥野製薬株式会社製；商品名トップニコロンＢＬ−Ｍ／ＢＬ−１）を用いた無電解処理を行い、Ｎｉで形成される膜厚３．０μｍの下引き層を形成した。

−表面層の形成−
主剤（株式会社日鉱マテリアルズ；商品名 高純度硫酸銅結晶品）を使い建浴した硫酸銅浴に対し、光沢剤（奥野製薬株式会社；商品名 エレカッパー２５ＭＵとエレカッパー２５Ａとを併用（混合比率（体積比）１０／１）。）を５．５ｍｌ／ｌ添加した処理液を調整し、かかる処理液を用いて上記下引き層を設けた基体を陰極とした銅電解処理を行い、銅で構成される表面層を形成した。

銅電解処理後、複数回水洗を行った後、５０℃の雰囲気下で１０分以上乾燥し、現像剤担持体−Ｃｕ−１を作製した。得られた表面層の６０度鏡面光沢度Ｇｓ（６０°）を前記の方法で測定したところ、１９であった。また、表面層の算術平均表面粗さＲａ_２は、１．９５μｍであり、平均膜厚は３μｍであった。

（現像剤担持体−Ｃｕ−２〜Ｃｕ−９の作製）
上記現像剤担持体−Ｃｕ−１の作製において、光沢剤を５．５ｍｌ／ｌ添加したところを、下記表１２の光沢度となるように、光沢剤の添加量を調整し、現像剤担持体−Ｃｕ−２〜Ｃｕ−９を作製した。得られた表面層の６０度鏡面光沢度Ｇｓ（６０°）、算術平均表面粗さＲａ_２、及び平均膜厚を表１２に示す。

（現像剤担持体−Ｃｕ−１０〜Ｃｕ−１４の作製）
前記現像剤担持体−Ｃｕ−１の作製において、アルミニウム基体に対してのブラスト処理で、ブラスト圧力／時間を調整して、基体の表面粗さを変更した以外は同様にして、現像剤担持体−Ｃｕ−１０〜Ｃｕ−１４の作製を行った。基体の算術平均表面粗さＲａ_１を測定し、その結果を表１３に示す。

得られた現像剤担持体−Ｃｕ−１〜Ｃｕ−１４ついて、実施例１と同様の方法で評価を行った。その結果を表１２及び表１３に示す。

表１２及び表１３に示すように、ニッケルの下引き層と銅の表面層を有する場合であっても、基体が粗面化され且つ表面層の６０度鏡面光沢度Ｇｓ（６０°）が１０以上４０以下の範囲であれば、いずれの現像剤担持体も画像ゴーストの発生が抑えられていた。
なお、表１３では、基体の表面粗さの変化に追随して、表面層の表面粗さも変化した結果、６０度鏡面光沢度Ｇｓ（６０°）が変動したが、この場合であっても、Ｇｓ（６０°）が１０以上４０以下の範囲であれば、画像ゴーストの発生が抑制された現像剤担持体であることがわかる。但し、現像剤担持体−Ｃｕ−１０では、基体に粗面化処理をしていない表面粗さＲａ_１が０．５μｍである切削管を用いているため、基体の表面粗さに起因して表面層の表面粗さも低くなっているため、現像剤の搬送量が少なくなり、画像濃度が低くなっていた。このため画像ゴーストの評価は行わなかった。

従来の現像剤担持体の一例を示す概略構成図であり、（Ａ）は全体図を示し、（Ｂ）は現像剤担持体の表面層を拡大した図である。 本発明の現像担持体の表面層を拡大した図である。 本発明の現像装置の一例を示す概略構成図である。 本発明の画像形成装置の一例を示す概略構成図である。 現像装置の一般的な構成を示す図である。 印画した際に発生するゴーストを説明するための図である。

符号の説明

１、１０７ 像担持体
２ ホッパー
３、１１１ 現像装置
４ 現像スリーブ部
５ マグネットロール
６ 現像スリーブ
７ 現像剤層規制部材
８ 現像ハウジング
９ 攪拌部材
１０ 基体
１１ 現像剤担持体
２０ 表面層
１０磁性一成分現像剤
１００ 画像形成装置
１０８ 帯電装置
１０９ 電源
１１０ 露光装置
１１２ 転写装置
１１３ クリーニング装置
１１４ 除電器
１１５ 定着装置
５００ 転写体

Claims (12)

1. 粗面化された中空円筒状の基体上に、金属で構成される表面層を有し、該表面層の６０度鏡面光沢度Ｇｓ（６０°）が１０以上４０以下の範囲である現像剤担持体。
2. 前記基体の算術平均表面粗さＲａ _１ に対する前記表面層の算術平均表面粗さＲ _ａ２ の比率Ｒａ _２ ／Ｒａ _１ が、０．７以上１未満であることを特徴とする請求項１に記載の現像剤担持体。
3. 前記表面層の算術平均表面粗さＲａ _２ が、１．０μｍ以上３．２μｍ以下の範囲であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の現像剤担持体。
4. 前記基体の算術平均表面粗さＲａ _１ が、１．４μｍ以上３．５μｍ以下の範囲であることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の現像剤担持体。
5. 前記表面層を形成する金属が、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、及びＳｎからなる群より選択される少なくとも１種の金属であることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の現像剤担持体。
6. 前記基体と前記表面層との間に、Ｎｉ及びＣｕからなる群より選択される少なくとも１種の金属で構成されてなる下引き層を有することを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の現像剤担持体。
7. 前記表面層の厚さが、０．３μｍ以上３０μｍ以下の範囲であることを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の現像剤担持体。
8. 少なくとも、請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の現像剤担持体と、
   前記現像剤担持体上に現像剤を供給する現像剤供給手段と、
   前記現像剤供給手段により供給された現像剤を帯電する帯電手段と、を有する現像装置。
9. 少なくとも、潜像担持体と、
   前記潜像担持体の表面に潜像を形成する潜像形成手段と、
   前記潜像をトナーにより現像してトナー像を形成する請求項８に記載の現像装置と、
   前記トナー像を被転写体に転写する転写手段と、を有する画像形成装置。
10. 請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の現像剤担持体の製造方法であって、
    粗面化された中空円筒状の基体を、金属を含有する電解液で電解処理して、前記金属で構成される６０度鏡面光沢度Ｇｓ（６０°）が１０以上４０以下の表面層を、前記基体の表面に形成する表面層形成工程を有することを特徴とする現像剤担持体の製造方法。
11. 前記金属が、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、及びＳｎからなる群より選択される少なくとも１種の金属であることを特徴とする請求項１０に記載の現像剤担持体の製造方法。
12. 算術平均表面粗さＲａが１．４μｍ以上３．５μｍ以下の範囲となるように前記現像剤担持体の基体表面を粗面化処理する基体表面粗面化工程を有することを特徴とする請求項１０又は請求項１１に記載の現像剤担持体の製造方法。