JP4899749B2 - 現像剤保持体、現像剤保持体の製造方法、現像装置及び画像形成装置 - Google Patents
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Description
しかし、小粒径の現像剤や帯電性能の高い現像剤を用いたときには、現像剤保持体上の現像剤に、現像履歴により現像能力分布が生じ、その結果として、感光体の帯電電位に応じた量の現像剤の供給が行なわれないことがある。この現像ゴーストと呼ばれる現象の発生原因は、定性的には以下のように説明することができる。
その結果、現像履歴に応じて、現像剤保持体11上の現像剤15の帯電量が分布を持つことになる。帯電量が高くなると、現像剤15と静電潜像とのクーロン相互作用は強くなるが、これと同時に現像剤15と現像剤保持体11との間に働く引力も強くなる。現像剤15の静電潜像への転移量、すなわち、現像能力は、これらの力の大小関係により決まる。
また、現像剤保持体表面に、モリブデンからなる皮膜を設けることにより現像ゴーストの発生を抑制する方法が開示されている(例えば、特許文献2参照。)。
また、現像剤保持体表面にモリブデン層を設けるという方法では、近年開発された低温定着用トナーを用いたときに、モリブデンの帯電性が低いことから得られる画像の濃度が低くなってしまうといった問題があった。
さらに、現像剤保持体表面にニッケル−リンメッキ層とクロムメッキ層とを設けるという方法では、一成分現像システムにおいて現像ゴーストを抑制することができないといった問題があった。
即ち、本発明は、
<1> 粗面化された中空円筒状の基体と、
前記基体上に設けられた表面層であって、金属を含んで構成される表面層とを有し、
前記金属は白金族元素と前記白金族元素よりも電気陰性度の小さな元素との合金を含んで構成され、前記白金族元素よりも電気陰性度の小さな元素がニッケル、銅および亜鉛から選ばれる少なくとも一種の元素である現像剤保持体である。
<3> 前記基体の表面の算術平均表面粗さRaが1.0μm以上である前記<1>または<2>に記載の現像剤保持体である。
前記現像剤保持体上に現像剤を供給する現像剤供給手段と、
前記現像剤供給手段により供給された前記現像剤を帯電する帯電手段とを有し、
前記現像剤保持体が粗面化された中空円筒状の基体と前記基体上に設けられた表面層であって金属を含んで構成される表面層とを有し、前記金属は白金族元素と前記白金族元素よりも電気陰性度の小さな元素との合金を含んで構成され、前記白金族元素よりも電気陰性度の小さな元素がニッケル、銅および亜鉛から選ばれる少なくとも一種の元素である現像剤保持体である現像装置である。
該潜像保持体の表面を帯電する帯電手段と、
前記潜像保持体の表面に潜像を形成する潜像形成手段と、
前記潜像をトナーにより現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記トナー像を被転写体に転写する転写手段と、
前記トナー像を被転写体に加熱定着する定着手段とを有し、
前記現像手段は前記現像剤保持体を有し、前記現像剤保持体が粗面化された中空円筒状の基体と前記基体上に設けられた表面層であって金属を含んで構成される表面層を有し、前記金属は白金族元素と白金族元素よりも電気陰性度の小さな元素との合金を含んで構成され、前記白金族元素よりも電気陰性度の小さな元素がニッケル、銅および亜鉛から選ばれる少なくとも一種の元素である現像剤保持体である画像形成装置である。
本発明の現像剤保持体は、粗面化された中空円筒状の基体と、前記基体上に設けられた表面層であって金属を含んで構成される表面層とを有し、前記金属は白金族元素と前記白金族元素よりも電気陰性度の小さな元素との合金を含んで構成され、前記白金族元素よりも電気陰性度の小さな元素がニッケル、銅および亜鉛から選ばれる少なくとも一種の元素であることを特徴とする。
以下に、現像剤保持体の各構成を詳細に説明する。
本発明にかかる基体は、中空円筒状の形状を有する。基体の素材としては、通常、アルミニウムおよびその合金、SUS等が挙げられるが、以下に説明するように、本発明では基体の表面を粗面化するため、アルミニウムまたはその合金であることが好ましい。
基体の算術平均表面粗さRa1は、東京精密社製(サーフコム1400A−3DF)で、JIS B0601(2001年)に準じて測定できる。詳しくは、触針先端2μmR、測定速度0.3mm/s、カットオフ値0.8mm、測定長さ4.0mmの測定条件にて、周方向3箇所×軸方向3箇所の計9箇所を軸方向に向かい測定し、平均値を計算したものである。以下、「算術平均表面粗さ」については、同様の測定方法による。
本発明の現像剤保持体は、上記基体上に金属で構成される表面層を有し、前記金属は白金族元素と白金族元素よりも電気陰性度の小さな元素との合金からなる。
ここで、本発明において「合金」とは、ある金属元素と他の金属元素とが共晶を形成している状態を意味する。表面層を構成する金属を合金とすることで、一種類の金属では達成することが難しい帯電性を得ることが可能となる。
Eを原子同士の結合エネルギーとし、原子Aと原子Bの結合エネルギーの実測値を、E(A−B)とすると、純粋な共有結合と仮定した場合の結合エネルギーとの差、ΔE(A−B)は下記式(1)のようになる。
式(1):ΔE(A−B)=E(A−B)−1/2{E(A−A)+E(B−B)}
ここで、E(A−A)は原子Aと原子Aの結合エネルギーの実測値、E(B−B)は原子Bと原子Bの結合エネルギーの実測値である。
このΔE(A−B)に関して、下記式(2)を満たすように決定したχP Aが原子Aに関してのポーリングの電気陰性度である。(χP Bは原子Bの電気陰性度である。)
式(2):ΔE(A−B)=K(χP A−χP B)2(Kは任意の定数である。)
前記白金族元素は、ルテニウム(Ru:2.2)、ロジウム(Rh:2.28)、パラジウム(Pd:2.2)、オスミウム(Os:2.2)、イリジウム(Ir:2.2)、白金(Pt:2.28)の6元素である。各元素記号の後ろに示した数字はポーリングの電気陰性度の値である。(以下も同様である。)これら白金族元素よりも電気陰性度の小さな元素としてはニッケル(Ni:1.91)、銅(Cu:1.9)、亜鉛(Zn:1.65)が挙げられ、製造が容易な点から、ニッケル、銅がより好ましい。また、白金族元素と白金族元素よりも電気陰性度の小さな元素との組み合わせとしては、合金を形成したときの帯電性の点から、ロジウム(Rh:2.28)、パラジウム(Pd:2.2)、白金(Pt:2.28)と、ニッケル(Ni:1.91)、銅(Cu:1.9)との組み合わせが好ましい。これらの元素の組み合わせが好適な帯電性を示す理由については明らかになっていないが、以下のように推測される。
なお、ここで測定される算術平均表面粗さRa2は、図2におけるマクロな凹凸を測定して得られた値に該当する。
また、上記表面の凹凸を拡大すると、図1(B)に示すように、更に微小な凹凸が存在する。この微小な凹凸(図1におけるミクロな凹凸r)の凹部にトナー粒子が残存し、更なる現像ゴーストの発生を引き起こしていることが明らかとなった。つまり、表面層のミクロな凹凸rに残存したトナー粒子は、現像のために移転することなく残存し続けてしまうため、次の帯電工程では、残存したトナーを帯電させてしまう。したがって、新たに供給されたトナーの帯電が潤滑に行われなくなってしまい、その結果、ゴーストの発生が引き起こされているものと考えられる。
表面層は、単層であっても2層以上であってもよい。表面層が2層以上からなる場合には、全表面層の厚さを合算した値が上記範囲内にあることが好ましい。
表面層の表面粗さは、表面層に添加する光沢剤の添加量や表面層の膜厚を調整することによって制御することができる。また、表面層の前記表面粗さは、基体の表面粗さから影響を受けるため、基体の表面粗さと光沢剤の添加量と表面層の膜厚を適宜調整することが好ましい。
表面層の膜厚は、電解処理の温度、電流密度、或いは電解処理時間によって調整することができる。なお、表面層に添加する光沢剤の添加量を増やすほど、また表面層の膜厚を厚くするほど、表面層の表面粗さを小さくすることができる。
また、電界処理の温度を高く、電流密度を高く、電界処理時間を長くするほど、表面層の膜厚を大きくすることができる。
本発明の現像剤保持体は、少なくとも前記基体と表面層とを有していれば、その他は特に制限されず、例えば、基体と表面層との間に密着性を高めたり、帯電量の調整をおこなったりするための下引き層を設けてもよい。また下引き層の上にさらに中間層を設けてもよい。勿論、下引き層を設けない態様であってもよい。下引き層、中間層としては、例えば、ニッケル、銅、クロム、金などの金属を用いることができ、ニッケル、銅を用いることが好ましい。
下引き層及び中間層は、単層であっても2層以上であってもよい。下引き層及び中間層の厚さは、全体で、0.3μm以上10.0μm以下であることが好ましく、1.5μm以上5.0μm以下であることがより好ましい。下引き層及び中間層の厚さが0.3μm未満では、前述したミクロな凹凸rを平坦化させることができない場合があり、10.0μmを超えると、表面層形成後に前述したマクロな凹凸Rまで平坦化されてしまい、トナーの搬送性能が低下する場合がある。
本発明の現像装置は、現像剤保持体と、該現像剤保持体上に現像剤を供給する現像剤供給手段と、該現像剤供給手段により供給された現像剤を帯電する帯電手段とを有する。
本発明の現像装置に適用し得る現像剤の組成は、通常現像剤に適用する組成物を適宜適用することができる。
図3において、潜像保持体1には、現像装置3が対向して配置される。現像ハウジング8内には、現像ロール部(現像剤保持体)4と攪拌部材(現像剤供給手段)9とが設けられている。現像ロール部4には、軸方向に均一な磁場を形成するためのマグネットロール5と、このマグネットロール5の外周に装着される現像スリーブ6と、現像スリーブ6に圧接される軟弾性体で構成される現像剤層規制部材7とが配設されている。
マグネットロール5は、図中、例えばNおよびSで示す磁気パターンを有し、現像スリーブ6内において現像ハウジング8に固定されている。現像スリーブ6は、現像ハウジング8に回転自在に支持されている。また、現像剤Tを攪拌する攪拌部材9も現像ハウジング8に回転可能に設けられている。
本発明の画像形成装置は、少なくとも、潜像保持体と、前記潜像保持体の表面に潜像を形成する潜像形成手段と、前記潜像をトナーにより現像してトナー像を形成する現像手段(上記本発明の現像装置)と、前記トナー像を被転写体に転写する転写手段と、前記トナー像を被転写体に加熱定着する定着手段と、を有する。
(現像剤保持体1の作製)
−基体の作製−
引き抜き成形後、切削加工を施した中空状円筒のAl(アルミニウム:A6063)管に、球形研磨材であるFGB#60/#40にてブラスト処理を施した。ブラスト圧力は0.2MPaとし、ブラスト時間は60秒とした。
得られたアルミニウム管(基体)の算術平均表面粗さRa1を上記方法で測定したところ、2.8μmであった。
上記ブラスト処理を施したアルミニウム管(基体)に対し、めっきの密着性を高めるため、エッチング処理を行った後、ダブルジンケート処理を施した。次に、主剤(商品名;シアン化銅(I)、関東化学製)を用いた電界処理を行い、銅で構成される平均膜厚3.5μmの下引き層を形成した。
上記下引き層を形成したアルミニウム管(基体)に対し、主剤(住友金属鉱山株式会社の商品名:硫酸Niと、日本化学産業株式会社の商品名:塩化ニッケルとを混合比(質量比)5/1で使用。)を使い建浴したNi浴に対し、光沢剤(荏原ユージライト株式会社、商品名#810/#83(混合比率(体積比)1/3を使用。)を20ml/l添加した処理液を調整し、かかる処理液を用いて上記下引き層を設けたアルミニウム管(基体)にニッケル電解処理を行い、ニッケルで構成される平均膜厚3μmの中間層1を形成した。
上記中間層1を形成したアルミニウム管(基体)に対し、主剤(商品名;オウロナール44BC、メルテックス製)を用いた金電界処理を行い、金で構成される平均膜厚1μmの中間層2を形成した。
一方、主剤(商品名;PNP−80EC、日進化成製)を使い建浴したパラジウム−ニッケル浴に対し、光沢剤(商品名:AD586、日進化成製)を200ml/l添加した処理液を調整し、かかる処理液を用いて上記中間層2までを形成したアルミニウム管(基体)に電解処理を行い、パラジウムとニッケルとの合金で構成される表面層を形成した。
上記現像剤保持体1の作製において、アルミニウム管(基体)のブラスト処理で、ブラスト圧力を調整して、基体の表面粗さを変更した以外は同様にして、現像剤保持体2〜5を作製した。アルミニウム管(基体)の算術平均表面粗さRa1、表面層の算術平均表面粗さRa2、及び平均膜厚を表1に示す。
・結着樹脂:ポリエステル樹脂 50重量部
(アルコール成分:ビスフェノールAのプロピレンオキサイド付加物、酸成分:テレフタル酸,MI:5g/10min、Tg:60℃)
・マグネタイト(粒径:0.25μm) 50重量部
・ポリプロピレンワックス 3.5重量部
(商品名:660P、三洋化成社製)
得られたトナー分級品100重量部に対して、粒径12nmのジメチルシリコーンオイル処理シリカ微粒子(炭素量7.5質量%)1.2重量部およびデシルトリメトキシシラン10質量%で表面処理した平均一次粒子50nmの酸化チタン微粒子0.6重量部をヘンシェルミキサーで外添して、磁性一成分現像剤を調製した。
画質の評価は、画像形成装置(富士ゼロックス社製、DocuPrint 340A)の現像剤保持体を上記作製の現像剤保持体に変更した改造機を用いて行った。結果を表1に示す。
−画像ゴースト−
画像ゴーストの評価は、上記調製の磁性一成分現像剤でベタ黒1枚・ベタ白3枚のプリント後に、図6に示すゴーストチャ−ト画像を1枚複写し、そのプリント結果を検査することにより、下記の基準で評価した。
◎:目視確認できるゴースト未発生
○:目視確認できるゴースト発生が軽微にみられる
△:目視確認できるゴースト発生はあるが実用上許容レベルの範囲である
×:明らかに目視確認できるゴースト発生で許容できない
−画像濃度−
画像濃度の評価は、プリント結果をX−Rite濃度計(X‐Rite社製)で計測し、その濃度の変動量により下記の基準で評価した。
◎:変動量が5%未満
○:変動量が5%以上10%未満
×:変動量が10%以上
・現像バイアス(AC):矩形波、1.8kVpp、Duty比50%、周波数3.3kHz
・現像バイアス(DC):−400V
・VHIGH:−500V、VLOW:−150V
・ドラムと現像剤保持体との間隔:250μm
・周囲温度:28℃、湿度:85%RH
(現像剤保持体6〜10の作製)
前記現像剤保持体1〜5の作製において、表面層形成に使用した主剤を、主剤(商品名;PUP−86、日進化成製)に変更して、パラジウムと銅との合金で構成される表面層を形成した以外は同様にして、現像剤保持体6〜10の作製を行った。基体の算術平均表面粗さRa1を測定し、表面層の算術平均表面粗さRa2、及び平均膜厚の結果を表2に示す。そして、実施例1と同様にして評価を行った。
(現像剤保持体11〜16の作製)
前記現像剤保持体1の作製において、表面層の形成での電解処理で、温度・電流密度等の条件を固定し、電解処理時間を変えることにより、表面層の膜厚を変えて、現像剤保持体11〜16の作製を行った。基体の算術平均表面粗さRa1を測定し、表面層の算術平均表面粗さRa2、及び平均膜厚の結果を表3に示す。なお、表3には参考として現像剤保持体1の結果も示した。そして、実施例1と同様にして評価を行った。
(現像剤保持体17〜22の作製)
前記現像剤保持体8の作製において、表面層の形成での電解処理で、温度・電流密度等の条件を固定し、電解処理時間を変えることにより、表面層の膜厚を変えて、現像剤保持体17〜22の作製を行った。基体の算術平均表面粗さRa1を測定し、表面層の算術平均表面粗さRa2、及び平均膜厚の結果を表4に示す。なお、表4には参考として現像剤保持体8の結果も示した。そして、実施例1と同様にして評価を行った。
(現像剤保持体aの作製)
実施例1においてダブルジンケート処理までを施したアルミニウム管(基体)を、無電解Ni−Pメッキ液(商品名;S−754、日本カニゼン(株)製)中に浸し、その表面にNi−Pで構成される平均膜厚3μmの中間層を形成した。
次に、上記無電解Ni−Pメッキ中間層を形成したアルミニウム管(基体)に対し、主剤(商品名;HEEF25C、アトテックジャパン(株)製)を用い建浴したクロム浴に対し、硫酸2.0g/l及び無水クロム酸200g/lを添加した処理液を調整し、かかる処理液を用いて電解処理を行い、クロムで構成される表面層を形成した以外は同様にして、現像剤保持体aを作製した。
得られた現像剤保持体aについて、実施例1と同様の方法で、現像ゴースト及び画像濃度の評価を行った。結果を表5に示す。
(現像剤保持体bの作製)
現像剤保持体1の作製において、主剤(商品名;5C011、日本表面化学(株)製)を使い建浴したモリブデン浴を用い、ダブルジンケート処理までを施したアルミニウム管(基体)に電解処理を行い、複数回水洗を行なった後、30℃の雰囲気下で10分乾燥し、その後自然乾燥し、モリブデンで構成される表面層を形成した以外は同様にして、現像剤保持体bを作製した。
得られた現像剤保持体bについて、実施例1と同様の方法で、現像ゴースト及び画像濃度の評価を行った。結果を表5に示す。
(現像剤保持体cの作製)
現像剤保持体1の作製において、主剤(商品名;S−20、日進化成製)を使い建浴したパラジウム浴に対し、光沢剤(商品名:AD525、日進化成製)を200ml/l添加した処理液を調整し、かかる処理液を用いて上記中間層2までを形成したアルミニウム管(基体)に電解処理を行い、パラジウムで構成される表面層を形成した以外は同様にして、現像剤保持体cを作製した。
得られた現像剤保持体cについて、実施例1と同様の方法で、現像ゴースト及び画像濃度の評価を行った。結果を表5に示す。
2 ホッパー
3、111 現像装置
4 現像ロール部
5 マグネットロール
6 現像スリーブ
7 現像剤層規制部材
8 現像ハウジング
9 攪拌部材
10 基体
11 現像剤保持体
15、T 現像剤
20 表面層
100 画像形成装置
108 帯電装置
109 電源
110 露光装置
112 転写装置
113 クリーニング装置
114 除電器
115 定着装置
500 被転写体
Claims (5)
- 粗面化された中空円筒状の基体と、
前記基体上に設けられた表面層であって、金属を含んで構成される表面層とを有し、
前記金属は白金族元素と前記白金族元素よりも電気陰性度の小さな元素との合金を含んで構成され、前記白金族元素よりも電気陰性度の小さな元素がニッケル、銅および亜鉛から選ばれる少なくとも一種の元素であることを特徴とする現像剤保持体。 - 前記基体の表面の算術平均表面粗さRaが1.0μm以上である請求項1に記載の現像剤保持体。
- 現像剤保持体と、
前記現像剤保持体上に現像剤を供給する現像剤供給手段と、
前記現像剤供給手段により供給された前記現像剤を帯電する帯電手段とを有し、
前記現像剤保持体が粗面化された中空円筒状の基体と前記基体上に設けられた表面層であって金属を含んで構成される表面層とを有し、前記金属は白金族元素と前記白金族元素よりも電気陰性度の小さな元素との合金を含んで構成され、前記白金族元素よりも電気陰性度の小さな元素がニッケル、銅および亜鉛から選ばれる少なくとも一種の元素である現像剤保持体であることを特徴とする現像装置。 - 潜像保持体と、
該潜像保持体の表面を帯電する帯電手段と、
前記潜像保持体の表面に潜像を形成する潜像形成手段と、
前記潜像をトナーにより現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記トナー像を被転写体に転写する転写手段と、
前記トナー像を被転写体に加熱定着する定着手段とを有し、
前記現像手段は現像剤保持体を有し、前記現像剤保持体が粗面化された中空円筒状の基体と前記基体上に設けられた表面層であって金属を含んで構成される表面層を有し、前記金属は白金族元素と白金族元素よりも電気陰性度の小さな元素との合金を含んで構成され、前記白金族元素よりも電気陰性度の小さな元素がニッケル、銅および亜鉛から選ばれる少なくとも一種の元素である現像剤保持体であることを特徴とする画像形成装置。 - 粗面化された中空円筒状の基体を、白金族元素と白金族元素よりも電気陰性度の小さな元素を含有する電解液で電解処理する事により、前記基体の表面に表面層を形成する表面層形成工程を有し、前記白金族元素よりも電気陰性度の小さな元素がニッケル、銅および亜鉛から選ばれる少なくとも一種の元素であることを特徴とする現像剤保持体の製造方法。
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