JP5148988B2 - 周期的ナノ構造体の製造方法、並びに、電界放射型電子源 - Google Patents
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Description
2 下部電極
3 強電界ドリフト部
4 表面電極
10 周期的ナノ構造体
20 電界放射型電子源
31 サイト
32 ナノ構造部
33 シリコン微結晶(半導体微結晶)
34 シリコン酸化膜(絶縁膜)
35 複合ナノ構造部
Claims (8)
- 多数のナノメータオーダの半導体微結晶が半導体材料層の厚み方向に連なって形成された複数のナノ構造部を有し且つ半導体材料層の厚み方向に直交する面内においてナノ構造部が周期的に形成された周期的ナノ構造体の製造方法であって、半導体材料層を一表面側から陽極酸化することにより各ナノ構造部を形成する陽極酸化処理工程よりも前に、半導体材料層の前記一表面における各ナノ構造部それぞれの形成予定位置に陽極酸化による半導体微結晶の形成を誘導するために周期的に配列されたサイトを形成するサイト形成工程を行うことを特徴とする周期的ナノ構造体の製造方法。
- 前記サイト形成工程では、電子ビームリソグラフィ法を利用してパターニングしたレジスト層をマスクとして前記半導体材料層を前記一表面側からエッチングすることにより前記サイトを形成することを特徴とする請求項1記載の周期的ナノ構造体の製造方法。
- 前記サイト形成工程では、前記各サイトに対応する突起が周期的に配列されたモールドを前記半導体材料層の前記一表面に押し付けてパターン転写するナノインプリント法により前記サイトを形成することを特徴とする請求項1記載の周期的ナノ構造体の製造方法。
- 前記サイト形成工程では、ナノインプリント法によりパターニングしたマスク層をマスクとして前記半導体材料層を前記一表面側からエッチングすることにより前記サイトを形成することを特徴とする請求項1記載の周期的ナノ構造体の製造方法。
- 前記陽極酸化処理工程では、前記半導体材料層の他表面側から光を照射しながら陽極酸化を行うことを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の周期的ナノ構造体の製造方法。
- 前記半導体材料層は、単結晶シリコン基板からなることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載の周期的ナノ構造体の製造方法。
- 前記半導体材料層は、アモルファスシリコン層からなることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載の周期的ナノ構造体の製造方法。
- 下部電極と、下部電極に対向する表面電極と、下部電極と表面電極との間に介在し多数のナノメータオーダの半導体微結晶および各半導体微結晶それぞれの表面に形成され当該半導体微結晶の結晶粒径よりも小さな膜厚の酸化膜からなる絶縁膜を有する強電界ドリフト部とを備え、強電界ドリフト部は、請求項1ないし請求項7のいずれか1項に記載の周期的ナノ構造体の製造方法で製造された周期的ナノ構造体に酸化処理を施すことにより形成されてなることを特徴とする電界放射型電子源。
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