JP2011175789A - 周期的ナノ構造体の製造方法および電界放射型電子源の製造方法 - Google Patents
周期的ナノ構造体の製造方法および電界放射型電子源の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011175789A JP2011175789A JP2010037809A JP2010037809A JP2011175789A JP 2011175789 A JP2011175789 A JP 2011175789A JP 2010037809 A JP2010037809 A JP 2010037809A JP 2010037809 A JP2010037809 A JP 2010037809A JP 2011175789 A JP2011175789 A JP 2011175789A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- inner peripheral
- vertical hole
- peripheral surface
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Abstract
【解決手段】シリコン基板(半導体基板)1に下部電極2を形成し、シリコン基板1の一表面1aに周期的に配列された複数個の垂直孔31を陽極酸化により形成してから、垂直孔31の内周面の平滑性を向上させ、垂直孔31の内周面に沿ってシリコン基板1の厚み方向に連なるシリコン微結晶(半導体微結晶)33を陽極酸化により形成することで周期的ナノ構造体を得て、各シリコン微結晶33それぞれの表面にシリコン酸化膜(絶縁膜)34を形成することで強電界ドリフト部3を形成し、強電界ドリフト部3上に表面電極4を形成することで電界放射型電子源10を得る。
【選択図】図1
Description
以下、本実施形態の電界放射型電子源の製造方法を図1に基づいて説明する。
本実施形態の電界放射型電子源10の基本的な製造方法は、図1で説明した実施形態1の電界放射型電子源10の製造方法と略同一であり、実施形態1の製造方法における平滑化工程をウエットエッチングにより行う代わりに、非酸化性ガス中、または真空中でのアニール処理により行う点が異なる。なお、実施形態1と同様の構成要素には、同一の符号を付して説明を適宜省略する。
本実施形態の電界放射型電子源10の基本的な製造方法は、図1で説明した実施形態1の電界放射型電子源10の製造方法と略同一であり、実施形態1の製造方法における平滑化工程をウエットエッチングにより行う代わりに、垂直孔31の内周面を酸化することにより酸化物半導体を形成する酸化処理工程と、該酸化処理工程に引き続いて行う上記酸化物半導体をエッチングするエッチング処理工程とを行う点が異なる。なお、実施形態1と同様の構成要素には、同一の符号を付して説明を適宜省略する。
1a 一表面
1b 他表面
2 下部電極
3 強電界ドリフト部
4 表面電極
10 電界放射型電子源
31 垂直孔
33 シリコン微結晶(半導体微結晶)
34 シリコン酸化膜(絶縁膜)
Claims (7)
- 多数のナノメータオーダの半導体微結晶が半導体基板の厚み方向に連なって形成され、かつ、前記半導体基板の面内において前記半導体微結晶が周期的に形成された周期的ナノ構造体の製造方法であって、前記半導体基板の一表面に周期的に配列された複数個の垂直孔を第1の電解液中での陽極酸化により形成する垂直孔形成工程と、前記垂直孔の前記内周面の平滑性を向上させる平滑化工程と、前記垂直孔の前記内周面に沿って前記半導体基板の厚み方向に連なる多数のナノメータオーダの前記半導体微結晶を第2の電解液中で陽極酸化により形成する微結晶形成工程とを順に備えてなることを特微とする周期的ナノ構造体の製造方法。
- 前記平滑化工程は、ウェットエッチングにより前記垂直孔の前記内周面の平滑性を向上させることを特徴とする請求項1に記載の周期的ナノ構造体の製造方法。
- 前記平滑化工程は、非酸化性ガス中、または真空中でのアニール処理により前記垂直孔の前記内周面の平滑性を向上させることを特徴とする請求項1に記載の周期的ナノ構造体の製造方法。
- 前記平滑化工程は、前記垂直孔の前記内周面を酸化することにより酸化物半導体を形成する酸化処理工程と、該酸化処理工程に引き続いて行う前記酸化物半導体をエッチングするエッチング処理工程とを有することを特徴とする請求項1に記載の周期的ナノ構造体の製造方法。
- 前記酸化処理工程は、電気化学的な酸化方法により前記酸化物半導体を形成することを特徴とする請求項4に記載の周期的ナノ構造体の製造方法。
- 前記酸化処理工程は、高圧スチーム酸化により前記酸化物半導体を形成することを特徴とする請求項4に記載の周期的ナノ構造体の製造方法。
- 半導体基板と、該半導体基板の一表面側に形成された強電界ドリフト部と、前記半導体基板の他表面側に形成された下部電極と、前記強電界ドリフト部上に形成された表面電極とを備え、前記強電界ドリフト部は、前記半導体基板の前記一表面に周期的に形成された複数個の垂直孔それぞれの内周面に沿って形成された多数のナノメータオーダの半導体微結晶と、各半導体微結晶それぞれの表面に形成され当該半導体微結晶の結晶粒径よりも小さな膜厚の絶縁膜とを有し、表面に絶縁膜が形成された前記半導体微結晶が各垂直孔の内周面に沿って前記半導体基板の厚み方向に連なって形成されている電界放射型電子源の製造方法であって、
前記強電界ドリフト部の形成にあたっては、前記半導体基板の前記一表面に複数個の垂直孔を第1の電解液中での陽極酸化により形成する垂直孔形成工程と、前記垂直孔の前記内周面の平滑性を向上させる平滑化工程と、前記垂直孔の前記内周面に沿って前記半導体基板の厚み方向に連なる多数のナノメータオーダの前記半導体微結晶を第2の電解液中で陽極酸化により形成する微結晶形成工程と、前記半導体微結晶それぞれの表面に前記絶縁膜を形成する絶緑膜形成工程とを順に備えてなることを特微とする電界放射型電子源の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010037809A JP2011175789A (ja) | 2010-02-23 | 2010-02-23 | 周期的ナノ構造体の製造方法および電界放射型電子源の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010037809A JP2011175789A (ja) | 2010-02-23 | 2010-02-23 | 周期的ナノ構造体の製造方法および電界放射型電子源の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011175789A true JP2011175789A (ja) | 2011-09-08 |
Family
ID=44688485
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010037809A Pending JP2011175789A (ja) | 2010-02-23 | 2010-02-23 | 周期的ナノ構造体の製造方法および電界放射型電子源の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2011175789A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104183440A (zh) * | 2013-05-27 | 2014-12-03 | 深圳市海洋王照明工程有限公司 | 纳米硅电子源及其制备方法与荧光灯 |
CN104392875A (zh) * | 2014-10-20 | 2015-03-04 | 西安交通大学 | 一种纳米硅/氮化硅薄膜型电子源及其制作方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08186269A (ja) * | 1994-05-30 | 1996-07-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法,半導体装置,薄膜トランジスタ,薄膜トランジスタの製造方法,表示装置 |
JP2001006530A (ja) * | 1999-04-23 | 2001-01-12 | Matsushita Electric Works Ltd | 電界放射型電子源およびその製造方法 |
JP2003229050A (ja) * | 2001-11-27 | 2003-08-15 | Matsushita Electric Works Ltd | 電界放射型電子源の製造方法、電界放射型電子源 |
JP2006196523A (ja) * | 2005-01-11 | 2006-07-27 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2009158108A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 電界放射型電子源およびその製造方法 |
JP2009234823A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Crestec Corp | 多結晶シリコン層を用いたナノ構造体の形成方法 |
-
2010
- 2010-02-23 JP JP2010037809A patent/JP2011175789A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08186269A (ja) * | 1994-05-30 | 1996-07-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法,半導体装置,薄膜トランジスタ,薄膜トランジスタの製造方法,表示装置 |
JP2001006530A (ja) * | 1999-04-23 | 2001-01-12 | Matsushita Electric Works Ltd | 電界放射型電子源およびその製造方法 |
JP2003229050A (ja) * | 2001-11-27 | 2003-08-15 | Matsushita Electric Works Ltd | 電界放射型電子源の製造方法、電界放射型電子源 |
JP2006196523A (ja) * | 2005-01-11 | 2006-07-27 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2009158108A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 電界放射型電子源およびその製造方法 |
JP2009234823A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Crestec Corp | 多結晶シリコン層を用いたナノ構造体の形成方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104183440A (zh) * | 2013-05-27 | 2014-12-03 | 深圳市海洋王照明工程有限公司 | 纳米硅电子源及其制备方法与荧光灯 |
CN104392875A (zh) * | 2014-10-20 | 2015-03-04 | 西安交通大学 | 一种纳米硅/氮化硅薄膜型电子源及其制作方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20210210670A1 (en) | Methods for forming thermoelectric elements | |
US9324534B2 (en) | Cold field electron emitters based on silicon carbide structures | |
CN107710381A (zh) | 涉及具有晶格匹配的覆层的高限制因子的iii族氮化物边发射激光二极管的方法和器件 | |
JP2001138300A (ja) | 細孔を有する構造体の製造方法、並びに該製造方法により製造される構造体及び該構造体を用いた構造体デバイス | |
Kim et al. | Resist-free direct stamp imprinting of GaAs via metal-assisted chemical etching | |
US10037896B2 (en) | Electro-assisted transfer and fabrication of wire arrays | |
Guo et al. | Controllable patterning of hybrid silicon nanowire and nanohole arrays by laser interference lithography | |
Yan et al. | Facile fabrication of wafer-scale, micro-spacing and high-aspect-ratio silicon microwire arrays | |
JP2011175789A (ja) | 周期的ナノ構造体の製造方法および電界放射型電子源の製造方法 | |
TW200917604A (en) | Laser diode having nano patterns and method of fabricating the same | |
JP2002004087A (ja) | ナノ構造体の製造方法及びナノ構造体 | |
US10147789B2 (en) | Process for fabricating vertically-aligned gallium arsenide semiconductor nanowire array of large area | |
CN112397566A (zh) | 碳化硅器件及其制备方法 | |
KR100781719B1 (ko) | 이온빔 식각을 이용한 쌍곡면 드럼형 소자의 제조방법 | |
JP5148988B2 (ja) | 周期的ナノ構造体の製造方法、並びに、電界放射型電子源 | |
JP5452861B2 (ja) | 周期的ナノ構造体の製造方法、並びに、電界放射型電子源の製造方法 | |
JP5374432B2 (ja) | 電子デバイスおよびその製造方法 | |
JP2009158915A (ja) | 太陽電池用基板の作製方法 | |
JP2009158108A (ja) | 電界放射型電子源およびその製造方法 | |
CN106571402B (zh) | 一种快恢复功率二极管及其制造方法 | |
JP3587156B2 (ja) | 電界放射型電子源およびその製造方法 | |
Lu et al. | In-Situ Fabrication of a Self-Aligned Selective Emitter Silicon Solar Cell Using the Gold Top Contacts To Facilitate the Synthesis of a Nanostructured Black Silicon Antireflective Layer Instead of an External Metal Nanoparticle Catalyst | |
RU2489768C1 (ru) | Способ получения пористого слоя оксида алюминия на изолирующей подложке | |
KR101317106B1 (ko) | 오믹 컨택 제조방법 및 이에 의하여 제조된 오믹 컨택 | |
JP2007226167A (ja) | 曲面の形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20120118 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121011 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130621 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130820 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20131217 |