RU205789U1 - Автоэмиссионная ячейка на основе наноразмерного углеродного материала - Google Patents

Автоэмиссионная ячейка на основе наноразмерного углеродного материала Download PDF

Info

Publication number
RU205789U1
RU205789U1 RU2020141974U RU2020141974U RU205789U1 RU 205789 U1 RU205789 U1 RU 205789U1 RU 2020141974 U RU2020141974 U RU 2020141974U RU 2020141974 U RU2020141974 U RU 2020141974U RU 205789 U1 RU205789 U1 RU 205789U1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
field emission
emission cell
contact layer
cell based
model
Prior art date
Application number
RU2020141974U
Other languages
English (en)
Inventor
Виктор Сергеевич Климин
Алексей Анатольевич Резван
Original Assignee
федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" filed Critical федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет"
Priority to RU2020141974U priority Critical patent/RU205789U1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU205789U1 publication Critical patent/RU205789U1/ru

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02Main electrodes
    • H01J1/30Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode

Landscapes

  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)

Abstract

Полезная модель может быть использована при производстве устройств на основе полупроводниковых технологий микро- и наноэлектроники, предназначенных для отображения и визуализации информации, а также излучения света. Создание высокоэффективной автоэмиссионной ячейки за счет повышения плотности автоэмиссионного тока, временной стабильности параметров катода и уменьшения работы выхода электронов с поверхности катода является техническим результатом полезной модели. Указанный результат достигается за счет того, что автоэмиссионная ячейка на основе наноразмерного углеродного материала выполнена из подложки полупроводникового материала со сформированным на ней изоляционным слоем из диэлектрического материала, контактного слоя, при этом эмиттирующая система контактного слоя покрыта наноразмерной углеродной пленкой, состоящей из 3-10 слоев графена, и снабжена острием с радиусом закругления 10-30 нм и высотой 100-150 нм. 2 ил.

Description

Настоящая полезная модель относится к области микро- и наноэлектроники, а именно к электровакуумным устройствам, основанным на эмиссии электронов. Данная полезная модель может быть интегрировано в высокотехнологические макроскопические системы отображения и визуализации информации.
Из существующего уровня техники аналогом заявляемого объекта является автоэмиссионный катод (RU159226U1, опубл. 19.08.15). Сущность полезной модели заключается в том, что автоэмиссионный катод содержит ситаловую подложку, контактный металлический слой и алмазоподобную кремний-углеродную пленку, которая обладает примесями различных материалов: Ti, Nb, Zr и Ta.
Признаками аналога, совпадающими с существенными признаками заявляемой полезной модели, являются наличие полупроводникового основания, контактного металлического слоя и углеродного наноразмерного эмиттирующего слоя.
Причинами, препятствующими достижению технического результата, являются: неуправляемость процесса эмиссии электронов в связи с высокой площадью основании эмиссии; механические напряжения, вызванные сложной связью в эмиттирующей пленке кремний-углерод-металл; относительно высокий порог начала автоэмиссии в полученных структурах, так как, в следствие высокой технологической сложности формирования на поверхностном слое металлосодержащих наноразмерных композитов существует возможность появления неоднородных беспорядочных участков эмиттирующей поверхности.
Известен аналог заявляемого объекта автоэмиссионный катод (RU 171829U1, опубл. 30.11.16). Сущность полезной модели заключается в том, что автоэмиссионный катод содержит углеродную пленку и токопроводящее основание, выполнен в форме острия на углеродной грани карбида кремния, на поверхность которого нанесена наноуглеродная пленка, состоящая из 3-10 слоев графена, а на кремниевую нижнюю грань карбида кремния нанесена пленка никеля с подслоем титана, расположенный на токопроводящем основании.
Признаками аналога, совпадающими с существенными признаками заявляемого объекта, является наличие полупроводникового основания, контактного металлического слоя и углеродного наноразмерного эмиттирующего слоя.
Недостатком данного технического решения является выращивание графеной пленки методом термической деструкции, из-за чего получаемая эмиссионная поверхность в виде углеродного наноразмерного слоя будет иметь механические напряжения, за счет которых возможно появление неоднородности потока электронов.
Известен аналог заявляемого объекта «автоэмиссионный элемент с катодами на основе углеродных нанотрубок и способ его изготовления» (RU 2590897С1, опубл. 10.07.16). Данный автоэмиссионный элемент включает в себя полупроводниковую подложку, на поверхности которой сформирован изолирующий слой; катодный узел, расположенный над изолирующим слоем и состоящий из токоведущего и контактного слоев, и углеродных нанотрубок, расположенных на поверхности контактного слоя; опорно-фокусирующую систему, состоящую из первого диэлектрического, затворного электропроводящего и второго диэлектрического слоев, расположенную на верхней поверхности катодного узла и содержащую сквозную полость; анодный токоведущий слой, расположенный на внешней поверхности второго диэлектрического слоя опорно-фокусирующей системы, в котором сформированы сквозные технологические отверстия.
Признаками аналога, совпадающими с существенными признаками заявляемого объекта, являются наличие полупроводникового основания, изолирующего диэлектрического слоя и углеродного наноразмерного эмиттирующего слоя.
Причинами, препятствующими достижению технического результата, являются неэффективное количество операций по формированию диэлектрических и затворных слоёв, нерациональное использование геометрических размеров опорно-фокусирующей системы, а также использование нанотрубок в качестве основного материала автоэмиссионного катода.
Из всех известных аналогов наиболее близким к заявленному техническому решению является «источник электронов с автоэлектронными эмиттерами» (RU 2586628C1, опубл. 12.12.14). Сущность полезной модели заключается в том, что содержит множество управляемых автоэмиссионных ячеек, сформированных на подложке с последовательно нанесенными на нее изоляционным и проводящим слоями, имеющими множество отверстий. В каждом из таких отверстий на подложке размещен автоэлектронный эмиттер. Каждая ячейка образована эмиттером, являющимся вместе с занимаемой им частью подложки катодом ячейки, а ее управляющим электродом является примыкающая к отверстию в проводящем слое часть этого слоя. Особенностью данного источника является то, что в подложке вокруг эмиттера выполнено кольцеобразное углубление, поверхность которого покрыта изоляционным материалом или окислена.
Признаками прототипа, совпадающими с существенными признаками заявляемой полезной модели, являются наличие полупроводникового основания, изолирующего диэлектрического слоя, контактного металлического слоя и углеродного наноразмерного эмиттирующего слоя.
Причинами, препятствующими достижению технического результата, являются: низкий уровень выхода электронов из-за расположения автоэмиссионных катодов внутри кольцевых углублений ниже проводящего слоя; высокая технологическая сложность, которая определяется количеством выполненных процессов для конечного формирования наноразмерной структуры.
Техническим результатом предлагаемой полезной модели является создание высокоэффективной автоэмиссионной ячейки за счет повышения плотности автоэмиссионного тока, временной стабильности параметров катода и уменьшения работы выхода электронов с поверхности катода.
Технический результат достигается тем, что в предлагаемой технологии автоэмиссионная ячейка выполнена на основе плёнок графена, сформированных методом плазмохимического осаждения на поверхностно модифицированном слое металла, профилированного с помощью метода плазмохимического травления, в форме наноразмерных вертикально ориентированных столбчатая структура.
Суть полезной модели заключается в том, что при формировании активной области эмиссии электронов первоначально формируется столбчатая структура из проводящего материала, после чего производится нанесение углеродных наноструктур.
На фиг. 1 и 2 приведены изображения устройства автоэмиссионной ячейки.
Предполагаемая автоэмиссионная ячейка (фиг. 1, 2) содержит подложку 1, выполненную из полупроводникового материала, со сформированным изоляционным слоем 2, выполненным из диэлектрического материала, а также контактный слой 3, выполненный из проводящего материала и верхняя часть которого преобразована в столбчатую структуру - вискеров, на котором выращивается пленка наноразмерной углеродной структуры 4, которая выступает в качестве эмиттирующего участка получаемого устройства.
Принцип работы предлагаемого устройства заключается в следующем. При нахождении автоэмиссионной ячейки (фиг. 1) в электрическом поле она начинает эмитировать электроны сквозь потенциальный барьер путем туннелирования. За счет применения метода фокусированных ионных пучков возможна вариация геометрическими параметрами острия 4 и тем самым более точная локализация поля эмиссии. Автоэмиссионная ячейка, благодаря локализации поля на ее острие (4) с радиусом закругления 10-30 нм и высотой 100-150 нм, представляющей собой систему контактного слоя (3) и наноразмерной углеродной пленки (4), состоящей из 3-10 слоев графена, снижающей работу выхода электронов до 1 эВ и менее, позволяет получать эмиссию электронов достаточной плотности при напряжениях до 8 В.
Технико-экономические преимущества предполагаемой полезной модели перед известными аналогами заключаются в особенностях углеродных наноструктур, обладающих высокой температурной и радиационной стойкостью, прочностью и проводимостью, а также способностью к низковольтовой эмиссии электронов, которые в совокупности позволяют иметь более стабильные параметры эмиссионного тока. Применение наноразмерных вискеров позволяет упростить и адаптировать процесс формирования углеродных наноструктур и автоэмиссионный ячейки для массового производства. Особенностью применения автоэмиссии является низкие затраты ресурсов для формирования свободных электронов, что позволяет снизить стоимость производства. Все это, в целом, позволяет расширить возможности применения наноразмерных автоэмиссионных элементов при создании диодов, дисплеев, усилителей и генераторов СВЧ-электроники.

Claims (1)

  1. Автоэмиссионная ячейка на основе наноразмерного углеродного материала, состоящая из подложки, выполненной из полупроводникового материала, со сформированным изоляционным слоем, выполненным из диэлектрического материала, а также с контактным слоем из проводящего материала, верхняя часть которого преобразована в столбчатую структуру, при этом эмиттирующая система контактного слоя покрыта наноразмерной углеродной пленкой, состоящей из 3-10 слоев графена, и снабжена острием с радиусом закругления 10-30 нм и высотой 100-150 нм.
RU2020141974U 2020-12-18 2020-12-18 Автоэмиссионная ячейка на основе наноразмерного углеродного материала RU205789U1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2020141974U RU205789U1 (ru) 2020-12-18 2020-12-18 Автоэмиссионная ячейка на основе наноразмерного углеродного материала

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2020141974U RU205789U1 (ru) 2020-12-18 2020-12-18 Автоэмиссионная ячейка на основе наноразмерного углеродного материала

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU205789U1 true RU205789U1 (ru) 2021-08-11

Family

ID=77348778

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2020141974U RU205789U1 (ru) 2020-12-18 2020-12-18 Автоэмиссионная ячейка на основе наноразмерного углеродного материала

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU205789U1 (ru)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020009637A1 (en) * 2000-02-04 2002-01-24 Hirohiko Murakami Graphite nanofibers, electron-emitting source and method for preparing the same, display element equipped with the electron-emitting source as well as lithium ion secondary battery
JP2010108942A (ja) * 2002-12-27 2010-05-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電界放出素子の作製方法
RU151235U1 (ru) * 2014-04-29 2015-03-27 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный политехнический университет" (ФГАОУ ВО "СПбПУ") Острийный полевой эмиттер
RU159226U1 (ru) * 2015-08-19 2016-02-10 Закрытое акционерное общество "Межрегиональное производственное объединение технического комплектования "ТЕХНОКОМПЛЕКТ" (ЗАО "МПОТК "ТЕХНОКОМПЛЕКТ") Автоэмиссионный катод
RU2586628C1 (ru) * 2014-12-12 2016-06-10 Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Радий" Источник электронов с автоэлектронными эмиттерами
RU171829U1 (ru) * 2016-11-30 2017-06-19 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет) Автоэмиссионный катод

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020009637A1 (en) * 2000-02-04 2002-01-24 Hirohiko Murakami Graphite nanofibers, electron-emitting source and method for preparing the same, display element equipped with the electron-emitting source as well as lithium ion secondary battery
JP2010108942A (ja) * 2002-12-27 2010-05-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電界放出素子の作製方法
RU151235U1 (ru) * 2014-04-29 2015-03-27 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный политехнический университет" (ФГАОУ ВО "СПбПУ") Острийный полевой эмиттер
RU2586628C1 (ru) * 2014-12-12 2016-06-10 Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Радий" Источник электронов с автоэлектронными эмиттерами
RU159226U1 (ru) * 2015-08-19 2016-02-10 Закрытое акционерное общество "Межрегиональное производственное объединение технического комплектования "ТЕХНОКОМПЛЕКТ" (ЗАО "МПОТК "ТЕХНОКОМПЛЕКТ") Автоэмиссионный катод
RU171829U1 (ru) * 2016-11-30 2017-06-19 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет) Автоэмиссионный катод

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6568979B2 (en) Method of manufacturing a low gate current field emitter cell and array with vertical thin-film-edge emitter
WO2018040791A1 (zh) 一种表面隧穿微型电子源及其阵列和实现方法
JPH05282990A (ja) 空乏モード電子放出装置用の電子源
US8070929B2 (en) Catalyst particles on a tip
US20020042241A1 (en) Low gate current field emitter cell and array with vertical thin-film-edge emitter
RU171829U1 (ru) Автоэмиссионный катод
RU205789U1 (ru) Автоэмиссионная ячейка на основе наноразмерного углеродного материала
JP4611228B2 (ja) 電界電子放出装置およびその製造方法
Navitski et al. Efficient field emission from structured gold nanowire cathodes
JP3581296B2 (ja) 冷陰極及びその製造方法
JP2003529182A (ja) 均一な放出電流を発生する方法
Li et al. Zinc oxide nanowire lateral field emission devices and its application as display pixel structures
CN101150028A (zh) 一种大面积电子场致发射纳米结构阵列及其制备方法
CN105679628B (zh) 一种带反偏置纳米结的场致电子发射器件结构
JP2003229045A (ja) 電子源装置およびその製造方法
RU181863U1 (ru) Автоэмиссионный пленочный диод
RU2579777C1 (ru) Прибор на основе углеродосодержащих холодных катодов, расположенных на полупроводниковой подложке, и способ его изготовления
US5665421A (en) Method for creating gated filament structures for field emission displays
US7508122B2 (en) Planar gated field emission devices
RU221572U1 (ru) Полевой эмиссионный катод концентрического типа
US20070200478A1 (en) Field Emission Device
RU2765635C1 (ru) Повышение крутизны вах сильноточных полевых источников электронов
RU2763046C1 (ru) Автоэмиссионный эмиттер с нанокристаллической алмазной пленкой
Zhigalov et al. Enhancement of electric field by silicon pillars in low voltage carbon nanotube cold cathodes
JP2019071260A (ja) 電子源及び電子線照射装置並びに電子源の製造方法