RU171829U1 - Автоэмиссионный катод - Google Patents

Автоэмиссионный катод Download PDF

Info

Publication number
RU171829U1
RU171829U1 RU2016147111U RU2016147111U RU171829U1 RU 171829 U1 RU171829 U1 RU 171829U1 RU 2016147111 U RU2016147111 U RU 2016147111U RU 2016147111 U RU2016147111 U RU 2016147111U RU 171829 U1 RU171829 U1 RU 171829U1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
field emission
cathode
silicon carbide
film
emission cathode
Prior art date
Application number
RU2016147111U
Other languages
English (en)
Inventor
Александр Михайлович Светличный
Игорь Леонидович Житяев
Алексей Сергеевич Коломийцев
Людмила Александровна Светличная
Олег Алексеевич Агеев
Original Assignee
федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет) filed Critical федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет)
Priority to RU2016147111U priority Critical patent/RU171829U1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU171829U1 publication Critical patent/RU171829U1/ru

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02Main electrodes
    • H01J1/30Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode

Landscapes

  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)

Abstract

Полезная модель относится к устройствам вакуумной электроники в частности к автоэмиттерам электронов, которые могут быть использованы при создании полевых эмиссионных диодов, автоэмиссионных дисплеев, усилителей и генераторов СВЧ электроники. Технический результат полезной модели - получение стабильного автоэмиссионного катода с высокой плотностью автоэмиссионного тока до 10 А/см. Результат достигнут использованием в качестве эмиттера электронов проводящего карбида кремния, на углеродной грани которого сформирован эмиссионный катод с многослойной графеновой пленкой. Для повышения эффективности на обратную сторону карбида кремния нанесена пленка никеля с подслоем титана. Полученный катод обеспечивает плотность автоэмиссионного тока на уровне 10 А/смпри приложенном напряжении до 10 В. 3 ил.

Description

Полезная модель относится к устройствам вакуумной электроники в частности к автоэмиттерам электронов, которые могут быть использованы при создании полевых эмиссионных диодов, автоэмиссионных дисплеев, усилителей и генераторов СВЧ электроники.
Известен автоэмиссионный катод с использованием в качестве эмиттера наноуглеродного композита, содержащего частицы металла, окруженные наноуглеродным материалом: углеродными нанотрубками (графеном), фуллереном, углеродными нановолокнами (автоэмиссионный катод патент RU 2504858 С2 опубликован 20.01.2014).
Существенным признаком общим с заявляемой полезной моделью является наличие наноуглеродного материала, входящего в состав композита, из которого изготовлен автоэмиссионный катод.
Недостатком такого автоэмиссионного катода является большая трудоемкость его изготовления из-за необходимости проведения дополнительных технологических операций: шлифовка, полировка, плазменное травление, невысокая плотность эмиссионного тока и необходимость приложения между катодом и анодом высокого напряжения (более 7 кВ).
Известен автоэмиссионный пленочный катод, содержащий в качестве эмиттера углеродную эмиссионную пленку с множеством излучающих кластеров в форме звезды, каждая из которых состоит из углеродных кластеров и дендритов с графеновыми листами, имеющими радиус кривизны менее 10 нм, длину 50-400 нм и высоту около 100 нм. При этом грани дендритов ориентированы от плоскости эмиссионной пленки (Патент US 6087765 от 11.07.2000).
Существенным общим признаком этого автоэмиссионного пленочного катода с заявляемой полезной моделью является наличие углеродной пленки.
Недостатком этого автоэмиссионного катода является неоднородность эмиссии электронов по поверхности катода из-за разброса размеров, высоты и хаотичности размещения кластеров и дендритов. Это приводит к неоднородности распределения напряженности поля между катодом и анодом, нестабильности эмиссионного тока и ускоренной деградации катода при высокой плотности тока.
Наиболее близким по технической сущности (прототипом) является автоэмиссионный пленочный катод и способ изготовления (Патент РФ 2194328 опубликован 10.12.2002), содержащий подложку с нанесенной на нее двуслойной углеродной пленкой. Первый слой углеродной пленки состоит из нерегулярных микро- и наноребер, расположенных перпендикулярно к поверхности подложки. Второй слой состоит из наноалмазной пленки толщиной 0,1-0,5 мкм.
Существенным признаком общим с заявляемой полезной моделью является наличие углеродной пленки, а также подложка (в заявляемой полезной модели - токопроводящее основание).
Недостатком автоэмиссионного катода является невысокая плотность эмиссионного тока (0,5 А/см2), недостаточная прочность и адгезия углеродной пленки к подложке, неоднородное распределение эмиссионных центров по подложке и разная высота эмиттеров. Это приводит к нестабильности эмиссии электронов и разрушению катода на участках его поверхности с наибольшей высотой микро- и наноребер.
Техническим результатом, на который направлена заявляемая полезная модель, является создание работающего при низком приложенном напряжении автоэмиссионного катода с плотностью эмиссии более 0,5 А/см2, который может быть использован при создании полевых эмиссионных диодов, автоэмиссионных дисплеев, усилителей и генераторов СВЧ электроники и ряде других приложений.
Технический результат достигается тем, что автоэмиссионный катод выполнен в форме острия на углеродной грани карбида кремния, на поверхность которого нанесена наноуглеродная пленка, состоящая из 3-10 слоев графена, а на кремниевую нижнюю грань карбида кремния нанесена пленка никеля толщиной 0,4-0,6 мкм с подслоем титана толщиной 10-20 нм, расположенный на токопроводящем основании, радиус закругления острия катода составляет 5-40 нм, высота - 0,1-1 мкм и полуугол раствора конуса острия - 10-30°, катод сформирован из проводящего карбида кремния с концентрацией примеси более 1018 см-3.
Для достижения технического результата автоэмиссионный катод содержит углеродную пленку и токопроводящее основание, выполнен в форме острия на углеродной грани карбида кремния, на поверхность которого нанесена наноуглеродная пленка, состоящая из 3-10 слоев графена, а на кремниевую нижнюю грань карбида кремния нанесена пленка никеля толщиной 0,4-0,6 мкм с подслоем титана толщиной 10-20 нм, расположенный на токопроводящем основании, радиус закругления острия катода составляет 5-40 нм, высота - 0,1-1 мкм и полуугол раствора конуса острия - 10-30 градусов, катод сформирован из проводящего карбида кремния с концентрацией примеси более 1018 см-3.
Сущность полезной модели поясняется прилагаемыми фигурами.
Фиг. 1 Схематично иллюстрирует устройство эмиссионного катода, где 1 - острие; 2 - наноуглеродная пленка; 3 - карбид кремния; 4 - пленка никеля с подслоем титана; 5 - токопроводящее основание.
Фиг. 2 Электронно-микроскопическое изображение автоэмиссионного катода, где 1 - острие; 3 - карбид кремния.
Фиг. 3 Экспериментальная вольт-амперная характеристика автоэмиссионного катода.
Работа устройства заключается в следующем. При нахождении автоэмиссионного катода (Фиг. 1) в электрическом поле он начинает эмитировать электроны сквозь потенциальный барьер путем туннелирования. Автоэмиссионный катод благодаря локализации поля на его острие (1) с радиусом закругления 5-40 нм, высотой 0,1-1 мкм и полууголом раствора конуса 10-30° (Фиг. 2), с нанесенной на углеродную грань карбида кремния (3) наноуглеродной пленкой (2), состоящей из 3-10 слоев графена, снижающей работу выхода электрона до 1 эВ и менее, позволяет получать эмиссию электронов достаточной плотности при напряжениях до 10 В (Фиг. 3). Пленка никеля (4) с подслоем титана выполняет функцию низкоомного контакта к токопроводящему основанию (5).
Как видно из результатов измерений, технический результат полезной модели - стабильный автоэмиссионный катод с плотностью тока до ~10 А/см2 при радиусе закругления 40 нм и напряжении в пределах 10 В. Это открывает новые возможности для вакуумной эмиссионной электроники, поскольку величина электрического поля и размеры эмиссионных центров становятся соизмеримыми с современными достижениями микро- и наноэлектроники в технологии изготовления сверхбольших интегральных схем.
Для решения поставленной задачи предлагается изготавливать автоэмиссионный катод в форме острия на углеродной грани проводящего карбида кремния с концентрацией примеси более 1018 см-3. Выбор карбида кремния в качестве исходного материала эмиттера обусловлен тем, что карбид кремния обладает высокой теплопроводностью, стоек при высоких температурах, химически инертен. На его поверхности можно получить при термической деструкции графеновые пленки различной толщины. Выбор концентрации примеси более 1018 см-3 обусловлен минимальным объемным сопротивлением материала, которое необходимо для получения высоких плотностей автоэмиссионного тока. Выбор углеродной грани SiC
Figure 00000001
обусловлен тем, что на этой грани можно получить многослойную качественную графеновую пленку толщиной 3-10 слоев, содержащих минимальное количество структурных дефектов. Это позволяет выполнять технологические операции получения топологического рисунка, улучшить прочностные характеристики графеновой пленки при выполнении дальнейших технологических операций. На кремниевой грани SiC [0001] затруднительно получить графеновую пленку толщиной более одного-двух слоев. При этом графеновая пленка на этой грани содержит большое количество структурных дефектов, что отрицательно сказывается на эмиссионных характеристиках катода.
Выбор радиуса закругления острия катода 5-40 нм и полуугла раствора конуса 10-30 градусов обусловлен тем, что автокатод при этих параметрах имеет наибольший коэффициент усиления поля. Выбор высоты автоэмиссионного катода в пределах 0,1-1 мкм связан с необходимостью снижения его трудоемкости при его изготовлении фокусированным ионным пучком, минимальным тепловым сопротивлением и наибольшей устойчивостью к разрушению при высоких плотностях тока.
Никель толщиной 0,4-0,6 мкм наносится на кремниевую грань 6H-SiC [0001] для обеспечения низкоомного контакта с проводящим основанием катода. Подслой титана толщиной 10-20 нм обеспечивает хорошую адгезию никеля к SiC. Установлено, что толщина никеля 0,4-0,6 мкм с подслоем титана 10-20 нм обеспечивают наилучшее качество эмиссионного катода из-за низкого переходного сопротивления карбида кремния к проводящему основанию.
Технико-экономические преимущества предлагаемой полезной модели перед известными заключаются в следующем. Благодаря высокой теплопроводности, температурной стойкости и проводимости карбида кремния, высокой прочности, проводимости, наноразмерности и адгезии графеновой пленки к карбиду кремния, нанометровым размерам острия автоэмиссионного катода предлагаемая полезная модель имеет более стабильные параметры эмиссионного тока по сравнению с известными. Все это, в целом, позволяет повысить плотность тока эмиссии до 10 А/см2, расширить возможности применения автоэмиссионного катода при создании полевых эмиссионных диодов, автоэмиссионных дисплеев, усилителей и генераторов СВЧ электроники.

Claims (3)

1. Автоэмиссионный катод, содержащий углеродную пленку и токопроводящее основание, отличающийся тем, что катод выполнен в форме острия на углеродной грани карбида кремния, на поверхность которого нанесена наноуглеродная пленка, состоящая из 3-10 слоев графена, а на кремниевую нижнюю грань карбида кремния нанесена пленка никеля толщиной 0,4-0,6 мкм с подслоем титана толщиной 10-20 нм, расположенный на токопроводящем основании.
2. Автоэмиссионный катод по п. 1, отличающийся тем, что радиус закругления острия катода составляет 5-40 нм, высота - 0,1-1 мкм и полуугол раствора конуса острия - 10-30°.
3. Автоэмиссионный катод по п. 1, отличающийся тем, что катод сформирован из проводящего карбида кремния с концентрацией примеси более 1018 см-3.
RU2016147111U 2016-11-30 2016-11-30 Автоэмиссионный катод RU171829U1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2016147111U RU171829U1 (ru) 2016-11-30 2016-11-30 Автоэмиссионный катод

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2016147111U RU171829U1 (ru) 2016-11-30 2016-11-30 Автоэмиссионный катод

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU171829U1 true RU171829U1 (ru) 2017-06-19

Family

ID=59068730

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2016147111U RU171829U1 (ru) 2016-11-30 2016-11-30 Автоэмиссионный катод

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU171829U1 (ru)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU181863U1 (ru) * 2017-12-01 2018-07-26 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет) Автоэмиссионный пленочный диод
WO2019075113A1 (en) 2017-10-10 2019-04-18 Kla-Tencor Corporation SILICON ELECTRON EMITTING STRUCTURES
RU205789U1 (ru) * 2020-12-18 2021-08-11 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" Автоэмиссионная ячейка на основе наноразмерного углеродного материала
RU221572U1 (ru) * 2023-04-12 2023-11-13 Артем Иванович Ковалец Полевой эмиссионный катод концентрического типа

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2504858C2 (ru) * 2011-07-07 2014-01-20 Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли РФ Автоэмиссионный катод
US20140159566A1 (en) * 2012-12-06 2014-06-12 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Field emission cathode device and field emission equipment using the same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2504858C2 (ru) * 2011-07-07 2014-01-20 Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли РФ Автоэмиссионный катод
US20140159566A1 (en) * 2012-12-06 2014-06-12 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Field emission cathode device and field emission equipment using the same

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019075113A1 (en) 2017-10-10 2019-04-18 Kla-Tencor Corporation SILICON ELECTRON EMITTING STRUCTURES
EP3695277A4 (en) * 2017-10-10 2021-11-03 Kla-Tencor Corporation SILICON ELECTRON EMITTER DESIGNS
RU181863U1 (ru) * 2017-12-01 2018-07-26 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет) Автоэмиссионный пленочный диод
RU205789U1 (ru) * 2020-12-18 2021-08-11 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" Автоэмиссионная ячейка на основе наноразмерного углеродного материала
RU221572U1 (ru) * 2023-04-12 2023-11-13 Артем Иванович Ковалец Полевой эмиссионный катод концентрического типа

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7893605B2 (en) Back-gated field emission electron source
RU171829U1 (ru) Автоэмиссионный катод
WO2018040791A1 (zh) 一种表面隧穿微型电子源及其阵列和实现方法
KR19990043770A (ko) 탄소 나노튜브를 이용한 전계 방출 소자의 제조 방법
Viskadouros et al. Electron field emission from graphene oxide wrinkles
JP4975005B2 (ja) 先端上の触媒粒子
JP2000215788A (ja) カ―ボン材料とその製造方法、及びそれを用いた電界放出型冷陰極
Kang et al. Effect of sp 2 content and tip treatment on the field emission of micropatterned pyramidal diamond tips
Navitski et al. Efficient field emission from structured gold nanowire cathodes
JP2006294387A (ja) ナノカーボンエミッタ及びその製造方法
RU2588611C1 (ru) Способ повышения плотностей тока автоэмиссии и деградационной стойкости автоэмисионных катодов
JP2002093305A (ja) 電子放出陰極
Minh et al. Selective growth of carbon nanotubes on Si microfabricated tips and application for electron field emitters
RU2590897C1 (ru) Автоэмиссионный элемент с катодами на основе углеродных нанотрубок и способ его изготовления
RU181863U1 (ru) Автоэмиссионный пленочный диод
Chakraborty et al. Controlled clustering in metal nanorod arrays leads to strongly enhanced field emission characteristics
RU2504858C2 (ru) Автоэмиссионный катод
RU2579777C1 (ru) Прибор на основе углеродосодержащих холодных катодов, расположенных на полупроводниковой подложке, и способ его изготовления
RU2692240C1 (ru) Способ уменьшения порогов начала автоэмиссии, повышения плотности автоэмиссионных токов и деградационной стойкости сильноточных многоострийных автоэмиссионных катодов
Wisitsora-At et al. High current diamond field emission diode
RU221572U1 (ru) Полевой эмиссионный катод концентрического типа
RU2654522C1 (ru) Способ повышения плотности тока и деградационной стойкости автоэмиссионных катодов на кремниевых пластинах
KR101436948B1 (ko) 탄소나노튜브 구조체를 이용한 전계방출장치
RU205789U1 (ru) Автоэмиссионная ячейка на основе наноразмерного углеродного материала
RU2813858C1 (ru) Способ повышения эффективности многоострийных автоэмиссионных катодов

Legal Events

Date Code Title Description
MM9K Utility model has become invalid (non-payment of fees)

Effective date: 20171201