JP5147169B2 - スイッチ回路装置 - Google Patents
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Description
宮脇康雄他、3名、「イオン注入型低雑音デュアルゲートGaAsMESFET」、SANYO TECHNICAL REVIEW、三洋電機(株)、1986年8月、VOL.18、NO.2、P76−84
すなわち、図5のごとく制御抵抗R1を迂回させ、パッドに沿って延在し、その一部を第1n+型領域201’として利用することもできる。これにより制御抵抗R1と周辺n+型領域150およびその間の絶縁化領域50(絶縁領域203)によって第1制御端子Crl1−第1出力端子OUT1間に保護素子200’を接続したことになる。
17 ゲート電極
16、26 ドレイン電極
15、25 ソース電極
10 オーミック金属層
20 ゲート金属層
30 パッド金属層
31 半絶縁性GaAs基板
32 バッファ層
33 電子供給層
35 チャネル(電子走行)層
34 スペーサ層
36 障壁層
37 キャップ層
37s ソース領域
37d ドレイン領域
50 絶縁化領域
100 被保護素子
101 基板
103 ソース領域
104 ドレイン領域
110 リセス部
115 ショットキバリアダイオード
150 周辺伝導領域
200 保護素子
201 第1伝導領域
202 第2伝導領域
203 絶縁領域
I 共通入力端子パッド
C1、C2 制御端子パッド
O1、O2 出力端子パッド
IN 共通入力端子
Ctl1、Ctl2 制御端子
OUT1、OUT2 出力端子
R1、R2 抵抗
HR1−1、HR1−2、HR2−1、HR2−2 高抵抗体
LR1、LR2 低抵抗体
Claims (8)
- 動作領域にソース電極、ドレイン電極およびゲート電極をそれぞれ有する複数のFETと、
前記FETのソース電極に共通で接続する共通入力端子パッドと、
前記FETのドレイン電極にそれぞれ接続する複数の出力端子パッドと、
前記FETのゲート電極にそれぞれ接続する複数の制御端子パッドと、
前記制御端子パッドと、対応する前記FETの動作領域とをそれぞれ接続する、所定の幅で延在するように形成された複数の接続部と、
前記接続部に接続する高抵抗体と、
第1伝導領域と、該第1伝導領域に対向配置する第2伝導領域と、少なくとも前記第1伝導領域と前記第2伝導領域との間に配置した絶縁領域とにより構成される保護素子とを具備し、
前記第1伝導領域は前記接続部に連続して形成され、前記接続部の前記幅よりも幅が広く、少なくとも前記第2伝導領域に一定の離間距離で対向する直線状の第1の辺を有するパッド形状を成し、
前記第2伝導領域は前記制御端子パッドを除く前記パッドの1つの周辺に配置されて該パッドと接続することを特徴とするスイッチ回路装置。 - 前記接続部は制御抵抗であることを特徴とする請求項1に記載のスイッチ回路装置。
- 前記高抵抗体の抵抗値は5KΩ以上であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のスイッチ回路装置。
- 前記第1の辺の長さは、前記第2伝導領域が接続する前記パッドの前記第1の辺に平行な方向の長さの最長部の2分の1以下の長さであることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のスイッチ回路装置。
- 前記離間距離が10μm未満であることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のスイッチ回路装置。
- 前記第2伝導領域は、対応する前記パッドと直流電流が流れる距離で隣接して配置されることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載のスイッチ回路装置。
- 前記高抵抗体は、前記制御端子パッドと前記第1伝導領域間、および前記第1伝導領域と前記動作領域間にそれぞれ接続することを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載のスイッチ回路装置。
- 前記第1の辺の長さは、前記第1の辺に垂直な方向の前記第1伝導領域の幅より短いことを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載のスイッチ回路装置。
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