JP5143243B2 - シンチレータ結晶体、その製造方法及び放射線検出器 - Google Patents
シンチレータ結晶体、その製造方法及び放射線検出器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5143243B2 JP5143243B2 JP2011011155A JP2011011155A JP5143243B2 JP 5143243 B2 JP5143243 B2 JP 5143243B2 JP 2011011155 A JP2011011155 A JP 2011011155A JP 2011011155 A JP2011011155 A JP 2011011155A JP 5143243 B2 JP5143243 B2 JP 5143243B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal phase
- crystal
- mol
- phase
- scintillator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 563
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims description 53
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 31
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 241
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 claims description 154
- WFUBYPSJBBQSOU-UHFFFAOYSA-M rubidium iodide Inorganic materials [Rb+].[I-] WFUBYPSJBBQSOU-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 113
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 100
- JAAGVIUFBAHDMA-UHFFFAOYSA-M rubidium bromide Chemical compound [Br-].[Rb+] JAAGVIUFBAHDMA-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 100
- LYQFWZFBNBDLEO-UHFFFAOYSA-M caesium bromide Chemical compound [Br-].[Cs+] LYQFWZFBNBDLEO-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 97
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 68
- JHJLBTNAGRQEKS-UHFFFAOYSA-M sodium bromide Chemical compound [Na+].[Br-] JHJLBTNAGRQEKS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 60
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 claims description 55
- AIYUHDOJVYHVIT-UHFFFAOYSA-M caesium chloride Chemical compound [Cl-].[Cs+] AIYUHDOJVYHVIT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 34
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 27
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 21
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 101100496858 Mus musculus Colec12 gene Proteins 0.000 claims description 6
- 241001289141 Babr Species 0.000 claims description 4
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 3
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 278
- FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M sodium iodide Chemical compound [Na+].[I-] FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 141
- 239000000463 material Substances 0.000 description 137
- XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M caesium iodide Chemical compound [I-].[Cs+] XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 67
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 48
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 48
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 46
- 235000009518 sodium iodide Nutrition 0.000 description 42
- 239000011775 sodium fluoride Substances 0.000 description 38
- FGDZQCVHDSGLHJ-UHFFFAOYSA-M rubidium chloride Chemical compound [Cl-].[Rb+] FGDZQCVHDSGLHJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 32
- 235000013024 sodium fluoride Nutrition 0.000 description 28
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 24
- 229910019255 NaI—RbI Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 17
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 16
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 12
- CMJCEVKJYRZMIA-UHFFFAOYSA-M thallium(i) iodide Chemical compound [Tl]I CMJCEVKJYRZMIA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 238000000879 optical micrograph Methods 0.000 description 11
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 10
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 description 10
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 9
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 9
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 description 9
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 9
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 7
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 7
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910019776 CsI—NaI Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910020927 NaCl—NaI Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002585 base Substances 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 6
- 229910021252 NaF—NaI Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 210000001787 dendrite Anatomy 0.000 description 5
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 238000002591 computed tomography Methods 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 238000000695 excitation spectrum Methods 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 4
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- NKQIMNKPSDEDMO-UHFFFAOYSA-L barium bromide Chemical compound [Br-].[Br-].[Ba+2] NKQIMNKPSDEDMO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- WDIHJSXYQDMJHN-UHFFFAOYSA-L barium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ba+2] WDIHJSXYQDMJHN-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001626 barium chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- SGUXGJPBTNFBAD-UHFFFAOYSA-L barium iodide Chemical compound [I-].[I-].[Ba+2] SGUXGJPBTNFBAD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000004455 differential thermal analysis Methods 0.000 description 2
- 238000002284 excitation--emission spectrum Methods 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 2
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 2
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 2
- YJPVTCSBVRMESK-UHFFFAOYSA-L strontium bromide Chemical compound [Br-].[Br-].[Sr+2] YJPVTCSBVRMESK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001631 strontium chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- AHBGXTDRMVNFER-UHFFFAOYSA-L strontium dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Sr+2] AHBGXTDRMVNFER-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- RMUKCGUDVKEQPL-UHFFFAOYSA-K triiodoindigane Chemical compound I[In](I)I RMUKCGUDVKEQPL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910019673 CsBr—NaBr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019720 CsCl—NaCl Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 240000004050 Pentaglottis sempervirens Species 0.000 description 1
- 235000004522 Pentaglottis sempervirens Nutrition 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 description 1
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000016507 interphase Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009607 mammography Methods 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003303 reheating Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000006335 response to radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/62—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing gallium, indium or thallium
- C09K11/626—Halogenides
- C09K11/628—Halogenides with alkali or alkaline earth metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/61—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing fluorine, chlorine, bromine, iodine or unspecified halogen elements
- C09K11/615—Halogenides
- C09K11/616—Halogenides with alkali or alkaline earth metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
- C09K11/7732—Halogenides
- C09K11/7733—Halogenides with alkali or alkaline earth metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B21/00—Unidirectional solidification of eutectic materials
- C30B21/02—Unidirectional solidification of eutectic materials by normal casting or gradient freezing
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/12—Halides
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/2006—Measuring radiation intensity with scintillation detectors using a combination of a scintillator and photodetector which measures the means radiation intensity
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/202—Measuring radiation intensity with scintillation detectors the detector being a crystal
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/202—Measuring radiation intensity with scintillation detectors the detector being a crystal
- G01T1/2023—Selection of materials
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
Description
第一の結晶相と、前記第一の結晶相よりも屈折率が大きい第二の結晶相とを備え、互いに同一面上に位置しない第一の主面と第二の主面とを有するシンチレータであって、
前記シンチレータは、前記第一の主面と第二の主面とに第二の結晶相が露出する部分を有し、
前記第二の結晶相の第一の主面に露出する部分と第二の主面に露出する部分とがつながっていることを特徴とする。
第一の結晶相を構成する材料と第二の結晶相を構成する材料とを混合する工程と、
混合された第一の結晶相を構成する材料と第二の結晶相を構成する材料とを溶解する工程と、
溶解された第一の結晶相を構成する材料と第二の結晶相を構成する材料とを一方向に沿って凝固させて共晶体を生成させることを特徴とする。
尚、以下に説明する各実施形態においては、低屈折率相である第一の結晶相も、第一の主面と第二の主面とに露出する部分を有し、これら露出部がつながっている構成が好ましい。これによって、第二の結晶相内の光を、より確実に、第一の主面または第二の主面に、広がることなく導波(光ガイディング)することが可能となる。
以下、各実施形態について、説明する。
図1(A)は、本発明のシンチレータ結晶体の第一実施形態を示す模式図である。図1(A)に示す本実施形態の2相の相分離構造を有するシンチレータ結晶体は、第一の主面と第二の主面とに第二の結晶相が露出する部分を有し、第二の結晶相の第一の主面に露出する部分と第二の主面に露出する部分とがつながっている。尚、図1(A)に示す形態では、第二の結晶相の中に、一方向性を有する多数の柱状晶からなる第一の結晶相を有している。具体的には、第一の結晶相11と、第一の結晶相11の側面を埋める第二の結晶相12の2相の相分離構造から構成されている。なお、相分離構造とは、一様な状態から状況を変化させたときに複数相に分離して得られる構造である。本実施形態では、構成材料が溶融している構造のない一様な液体状態から、凝固状態に至るとき、2相の結晶相が同時に晶出し、ある程度の周期性を有して形成された構造を表す。
上記材料系の選択において、本実施形態のシンチレータ結晶体で重要なのは、第一の結晶相と第二の結晶相の材料の組成である。
具体的には、本実施形態の第一の結晶相と第二の結晶相の材料系の好ましい組み合わせの組成比の例を以下の表1に示す。
本発明の一方向性を有する相分離シンチレータ結晶体の重要な特性として、光を導波することが挙げられる。第一の結晶相11と第二の結晶相12を構成する材料系の屈折率を表2に示す。
次に第二の実施形態について説明する。第二の実施形態においては、第二の結晶相の主成分として、NaI(ヨウ化ナトリウム)を用い、前述の図1(A)または図1(c)に示す柱状晶構造、または図1(B)に示すラメラ構造の相分離構造を得た。これにつて、以下に詳述する。
本実施形態では、第二の結晶相がNaIを主成分として含有することで実現されるが、より好ましくは第一の結晶相としてCsI、RbI、NaCl、又はNaFのいずれかを含有するのが良い。これは、第一の結晶相を構成する材料が、NaIと共晶関係にある材料系であれば、本実施形態の構造を形成するのに好ましいということである。第一の結晶相と第二の結晶相の材料の取りうる関係の一例は、表3に示すとおりである。つまり、NaIとCsIの組み合わせの場合、第二の構成(図1(B))になり第二の結晶相がNaIで第一の結晶相がCsIである。また、NaIとRbIの組み合わせの場合、第三の構成(図1(C))になり第二の結晶相がNaIで第一の結晶相がRbIである。また、NaIとNaClの組み合わせの場合、第一の構成(図1(A))になり第一の結晶相がNaClで第二の結晶相がNaIである。さらに、NaIとNaFの組み合わせの場合、第二の構成(図1(B))になり第二の結晶相がNaIで第一の結晶相がNaFである。
最後に、全体を以下にまとめる
次に第三の実施形態について説明する。第三の実施形態においては、第二の結晶相の主成分が、シンチレータ材料に限らない形態である。本実施形態ではシンチレータ材料でないものとして、NaBrや、NaClを用いた。また、シンチレータ材料でも良く、その場合本実施形態では、RbI、CsBr、RbBr、CsCl、RbClのいずれかを用いた。これらいずれかの材料を第二の結晶相の主成分として、前述の図1(A)または図1(c)に示す柱状晶構造、または図1(B)に示すラメラ構造の相分離構造を得た。これについて、以下に詳述する。尚、図1(A),(B),(C)の構成概要については、上述の実施形態、特に第二の実施形態で説明済故、省略し、本実施形態の特徴部分についてのみ、以下に詳述する。シンチレータ結晶体の厚み15に関しては、製法にも依存するが、任意の厚みに調整することが可能である。放射線を検出するため、そのエネルギーを十分吸収できる厚みであることが重要である。例えば、高エネルギー領域の場合に主たる構成材料の放射長はRbIが2.7cm、CsBrが2.1cm、RbBrが3.4cm、CsClが2.4cm、RbClが4.6cmである。RbClの放射長の21倍(96.6cm)が100%エネルギーを吸収したという目安になるので、もっとも厚い場合でも厚み15は97cm以下で十分である。なお、放射長は、入射エネルギーが1/eに減少するまでに通過する平均距離である。
次に第四の実施形態について説明する。第四の実施形態においては、第二の結晶相の主成分として、アルカリ土類ハライドを用い、前述の図1(B)に示すラメラ構造の相分離構造を得た。これについて、以下に詳述する。尚、図1(B)の概要については、上述の実施形態において説明済故、本実施形態の特徴のみを以下に説明する。
表11に示した本実施形態の材料系の組み合わせ5種類において好ましい組成比は、以下の表12の通りであり、共晶点における組成であることが好ましい。
本実施形態のように相分離構造において第二の結晶相にシンチレータ材料であるアルカリ土類ハライドを用いるので、放射線照射によって励起され、発光させることが可能である。尚、本実施形態では、少なくとも一方の結晶相が発光することが好ましいが、双方が発光することはより好ましい。特に、発光効率を高めるためには、第一の結晶相11や第二の結晶相12を構成する母材に対して発光中心となる元素を微量添加することも好ましい。発光中心としては、ユーロピウム(Eu)、セリウム(Ce)、タリウム(Tl)、インジウム(In)、ガリウム(Ga)の少なくとも一つを含有することが好ましい。
本実施形態に係るシンチレータ結晶体の製造方法は、第一の結晶相を構成する材料と第二の結晶相を構成する材料とを混合する工程と、
混合された第一の結晶相を構成する材料と第二の結晶相を構成する材料とを溶解する工程と、
溶解された第一の結晶相を構成する材料と第二の結晶相を構成する材料とを一方向に沿って凝固させて共晶体を生成させることを特徴とする。
図2に示すように、ブリッジマン法では、材料が酸化しないよう円筒状の石英管等に封じた試料を縦型に配置し、ヒーターないし試料を一定速度で移動させることにより、試料の凝固界面の位置を制御できるので、本実施形態の相分離シンチレータ結晶体を製造することが可能である。
まず、CsI(第二の結晶相構成する材料)に対して、NaBr,NaCl,NaF,KCl(第一の結晶相を構成する材料)をそれぞれ40mol%,31.5mol%,5mol%,40mol%混合した粉末を準備し、それらを個別に石英管に真空封じし、試料とした。次に、それらの試料を図2(A)のようなブリッジマン炉に導入し、800℃まで昇温させ試料全体が溶解(溶融)した後30分保持してから、融液温度を表1にある共晶温度より20℃高い温度まで降温した。その後、各々の試料を約10mm/時の速度で引き下げて試料下部より逐次凝固するようにした。
以上から、本発明の第二の結晶相がCsIから構成される相分離シンチレータ構造を確認した。
実施例1と同様に初期に試料全体を融解してから凝固が開始される場合においては、第一の主面、第二の主面の構造が、いずれの組成の試料においても図7(A)の走査型電子顕微鏡(SEM)画像にあるような良好な構造を有するものが得られることが判明した。ただし、NaCl(20mol%)の場合には、試料の凝固初期領域に図7(B)のようなCsIの樹枝状結晶の析出を伴う結晶が形成されており、その後には図7(A)のような良好な領域が形成されていることが見受けられる。その他のNaCl(29.5mol%)やNaCl(31.5mol%)の場合では、20mol%の時のような試料の凝固初期領域が明確に形成されてはおらず、大きな差は見られなかった。ただ、2mol%という組成の違いによる差は、原料の不純物等の影響もあるため、全く差がないということを主張するものではない。
ただし、不純物等の影響もあるが、NaCl(31.5mol%)の場合に比べて、NaCl(29.5mol%)の試料の方が構造の乱れが多いように見受けられる。したがって、局所的に融解して凝固する場合には、全体を融解した場合に生じる試料内での最適組成に向かうプロセスを経ることができず、組成と構造が敏感に影響しあっていることが分かる。
図9(A)は、ブリッジマン法で作製したInドープCsI−NaCl(31.5mol%)の相分離シンチレータ結晶体を紙面上に配置したものである。結晶体の厚みは、約4mmである。結晶体中心部では、紙面に印刷された文字が結晶体を通して浮き出て見えることが観察でき、文字が印刷された紙面の垂直方向には光の散乱要因がないことを示している。また、結晶体周辺部では、紙面に印刷された文字を視認することはできず、白く見えていることが観察でき、紙面垂直方向には光が散乱されていることを示している。この状況は、図9(B)に模式的に示すように結晶体中央部は文字が印刷された紙面の垂直方向に第一の結晶相であるNaCl柱状晶が向いており、周辺部は凝固界面が外側で湾曲しているという製法上の理由で側面から上面へと曲がっている状況にあることから説明できる。まず、文字が印刷された紙面の垂直方向に柱状晶が向いている部分では、散乱要因(文字が印刷された紙面の垂直方向での屈折率変化や構造不均一など)がないので、紙面上の文字が浮き出て見え、厚み4mmにわたって導波されているということである。
よって、本発明の相分離シンチレータ結晶体は、確実に柱状晶方向にのみ導波する特性を有していることが確認できた。
本実施例においては、CsI−NaCl系に対して、CsIに対するRbIの組成が15mol%、30mol%、50mol%の試料、CsBrの組成が20mol%、50mol%の試料、さらにRbBrの組成が10mol%、15mol%、50mol%の試料を実施例1同様の製法にて作製した。
図10には、導波が良好であった試料の第一の主面または第二の主面の透過顕微鏡写真を示す。図10(A)はRbIが15mol%添加されており、図10(B)はCsBrが20mol%添加されており、図10(C)はRbBrが10mol%添加されている試料である。また、図中のスクラッチや欠陥は、切り出し時の生じたものであり、本発明の本質を揺るがす物ではない。このように、第二の結晶相でCsIを主成分として、RbI、CsBr、RbBrを添加しても本発明の相分離シンチレータ結晶体を構成できることを示した。
まず、NaIに対してCsI,RbI,NaCl,NaFをそれぞれ51mol%,50mol%,40mol%,18mol%混合した粉末を準備し、それらを個別に石英管に真空封じし試料とした。次に、それらを図2(A)の模式図のようなブリッジマン炉に導入し、800℃まで昇温させ試料全体が融解した後30分保持してから、融液温度を表4にある共晶温度より20℃高い温度まで降温した。その後、各々の試料を約10mm/時の速度で引き下げて試料下部より逐次凝固するようにした。また、試料の引き下げにより、炉の冷却水が循環している領域に突入することで試料が融解している部分と凝固している部分の境界である固液界面での温度差が30℃/mm以上となるようにする。このようにして作製した試料4種を切り出し、第一の主面または第二の主面について光学顕微鏡による透過画像を取得した。その結果を図12に示す。
図12(E)は、NaI−NaF系の凝固方向に垂直な面(第一の主面、第二の主面)を示す。図12(E)から、NaF板状結晶が3つ又構造を有していることが判明した。
以上から、本発明の2相のうちいずれかがNaIから構成される相分離シンチレータが構造として成り立っており、光導波特性も有していることが確認された。
実施例9と同様の作製方法にて4つの材料系、NaI−CsI,NaI−RbI,NaCl−NaI,NaI−NaF系にTlI(ヨウ化タリウム)を0.01mol%添加した試料を作成した。それらをX線励起で発光を確認すると、発光色はNaI−CsIが青白色で、それ以外は青色で非常に高輝度であった。これらの試料の紫外線励起での励起スペクトルと発光スペクトルを図13に示す。横軸は波長に対応しており、短波長側のスペクトルが励起スペクトルであり、長波長側のスペクトルが発光スペクトルである。励起スペクトルは発光スペクトルのピーク位置で測定した。NaI−CsI系は図13(A)に、NaI−RbI系は図13(B)に、NaCl−NaI系は図13(C)に、NaI−NaF系は図13(D)に対応している。これらのスペクトルから高輝度で知られるNaI:Tlの青の高輝度発光を基調としていることが確認できる。このように、本発明の相分離シンチレータ結晶体は、放射線励起にて発光を呈する。
図14に示すNaI−RbI系の平衡状態図において矢印が示すNaI−RbI(40mol%、48mol%又は50mol%)の3種類の試料から、図2(A)に示す実施例9と同様の装置を用いて3種類の相分離シンチレータを作製した。また、これら3種類の試料から、図2(B)に示すヒーター部分が狭く、試料を局所的に熔融させる装置を用いて3種類の相分離シンチレータを作製した。このようにして合計6種類の相分離シンチレータを準備した。なお、NaI−RbI(40mol%)は、NaIとRbIとのモル比が40:60であることを示す。同様に、NaI−RbI(48mol%)はNaIとRbIとのモル比が48:52であることを、NaI−RbI(50mol%)はNaIとRbIとのモル比が50:50であることを示す。
本実施例12においては、まず、表9にある材料系を同じく表中の共晶組成に調合した粉末を準備し、それらを個別に石英管に真空封じして試料とした。次に、それらを図2(A)の模式図のようなブリッジマン炉に導入し、800℃まで昇温させ試料全体が融解した後30分保持してから、融液温度を表9にある共晶温度より20℃高い温度まで降温した。その後、各々の試料を約10mm/時の速度で引き下げて試料下部より逐次凝固するようにした。また、試料の引き下げにより、炉の冷却水が循環している領域に突入することで試料が融解している部分と凝固している部分の境界である固液界面での温度差が30℃/mm以上となるようにする。このようにして作製した試料を引き下げ方向に垂直面(第一の主面または第二の主面)で切り出し、光学顕微鏡による透過画像を取得した。その結果を図15に示す。
実施例12と同様に次に挙げる材料系を石英管に真空封じして試料とした。
また、図17及び図18に示す各光学顕微鏡像は透過配置で撮影しており、各画像中の明るく見える結晶相の方が高屈折率側(第二の結晶相)を構成する材料であることが確認できており、本発明の屈折率差による光導波の機能が備わっていることが示されている。
実施例12と同様の作製方法を用いて、材料系すべてにTlI(ヨウ化タリウム)、InI(ヨウ化インジウム)、Ga(ガリウム)を別々に0.01mol%添加する組み合わせの試料を作製した。それらをタングステン管球60kV、1mAで発したX線で励起すると、いずれの組み合わせにおいても結晶体の発光が目視で確認できた。
図19に示すCsBr−NaCl系の平衡状態図において矢印が示すCsBr−NaCl(30mol%、38mol%又は40mol%)の3種類の試料から、図2(A)に示す実施例1と同様の装置を用いて3種類の相分離シンチレータを作製した。また、これら3種類の試料から、図2(B)に示すヒーター部分が狭く、試料を局所的に熔融させる装置を用いて3種類の相分離シンチレータを作製した。このようにして合計6種類の相分離シンチレータを準備した。なお、CsBr−NaCl(30mol%)は、CsBrとNaClとのモル比が70:30であることを示す。その他も同様に、CsBrとNaClとのモル比が62:38と60:40であることを示す。
本実施例においては、まず、BaI2−NaI、BaBr2−NaBr、BaCl2−NaCl、SrBr2−NaBr、SrCl2−NaClの5つの材料系をそれぞれ50:50、40:60、40:60、60:40、52:48の比率で混合した粉末を準備し、それらを個別に石英管に真空封じし試料とした。次に、それらを図2(A)の模式図のようなブリッジマン炉に導入し、800℃まで昇温させ試料全体が十分溶解した後30分保持してから、融液温度を表12にある共晶温度より20℃高い温度まで降温した。その後、各々の試料を約10mm/時の速度で引き下げて試料下部より逐次凝固するようにした。
また、試料の引き下げにより、炉の冷却水が循環している領域に突入することで試料が溶解している部分と凝固している部分の境界である固液界面での温度差が30℃/mm以上となるようにする。このようにして作製した試料5種を切り出し、光学顕微鏡による透過画像(第一の主面、第二の主面の画像)を取得した。その結果、5つの材料系に対して各々図20(A)から(E)の画像を得た。屈折率の高いBaI2,BaBr2,BaCl2,SrBr2,SrCl2の相が明るく見え、低屈折率相が暗く見えることから、本発明の所望の構造が形成できていると同時に光導波機能を有することが確認できた。
実施例16と同様の作製方法にて5つの材料系BaI2−NaI、BaBr2−NaBr、BaCl2−NaCl、SrBr2−NaBr、SrCl2−NaClにハロゲンが一致するようにEuI2,EuBr2,EuCl2から選択して0.5mol添加した試料を作成した。それらをX線励起で発光を確認すると、それぞれ約420nm,約400nm,約400nm,約400nm,約410nmにピークを持つスペクトルが得られ、発光中心を添加することにより放射線に対する応答が得られることが判明した。
2 光検出器
11 第一の結晶相
12 第二の結晶相
Claims (24)
- 互いに同一面上に位置しない第一の面と第二の面とを有するシンチレータであって、
第一の結晶相と第二の結晶相とを備え、
前記第一の結晶相は、前記第二の結晶相と共晶組織を形成し、且つ、前記第二の結晶相からの光を全反射することができる屈折率を有し、
前記第一の結晶相と前記第二の結晶相とのそれぞれは、前記第一の面の一部の面から前記第二の面の一部の面まで連続して存在し、
前記第一の結晶相は前記第二の結晶相の周りに位置する、又は、前記第二の結晶相は前記第一の結晶相の周りに位置することを特徴とするシンチレータ。 - 互いに同一面上に位置しない第一の面と第二の面とを有するシンチレータであって、
第一の結晶相と第二の結晶相とを備え、
前記第一の結晶相は、前記第二の結晶相と共晶組織を形成し、且つ、前記第二の結晶相の屈折率の0.973倍以下の屈折率を有し、
前記第二の結晶相は、放射線励起によって発光し、
前記第一の結晶相と前記第二の結晶相とのそれぞれは、前記第一の面の一部の面から前記第二の面の一部の面まで連続して存在し、
前記第一の結晶相は前記第二の結晶相の周りに位置する、又は、前記第二の結晶相は前記第一の結晶相の周りに位置することを特徴とするシンチレータ。 - 互いに同一面上に位置しない第一の面と第二の面とを有するシンチレータであって、
第一の結晶相と第二の結晶相とを備え、
前記第一の結晶相は、前記第二の結晶相と共晶組織を形成し、放射線励起によって発光し、且つ、前記第二の結晶相の屈折率の0.987倍以下の屈折率を有し、
前記第一の結晶相と前記第二の結晶相とのそれぞれは、前記第一の面の一部の面から前記第二の面の一部の面まで連続して存在し、
前記第一の結晶相は前記第二の結晶相の周りに位置する、又は、前記第二の結晶相は前記第一の結晶相の周りに位置することを特徴とするシンチレータ。 - 前記第一の結晶相の形状又は前記第二の結晶相の形状は、柱状又は板状であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のシンチレータ。
- 柱状若しくは板状である前記第一の結晶相又は柱状若しくは板状である第二の結晶相を複数有し、
該複数の結晶相が前記第一の面又は前記第二の面に沿って周期的に配置されており、
その周期が500nm以上50μm以下であることを特徴とする請求項4に記載のシンチレータ。 - 前記第二の結晶相は、放射線励起によって発光することを特徴とする請求項1に記載のシンチレータ。
- 前記第一の結晶相と前記第二の結晶相との組成比は、前記第一の結晶相と前記第二の結晶相との共晶組成比の±4mol%の範囲内であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載のシンチレータ。
- 前記第一の結晶相又は前記第二の結晶相は、発光中心としてTl、In、Gaの少なくとも一つを含有することを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載のシンチレータ。
- 前記第一の結晶相又は前記第二の結晶相は、CsIからなることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載のシンチレータ。
- 前記第一の結晶相と前記第二の結晶相のうちCsIからなる結晶相は、RbI、CsBr、RbBrのいずれかを含有し、
該含有量は、
RbIにおいては0mol%より多く20mol%以下、
CsBrにおいては0mol%より多く50mol%未満、
RbBrにおいては0mol%より多く10mol%以下の範囲であることを特徴とする請求項9に記載のシンチレータ。 - 前記第二の結晶相はCsIからなり、
前記第一の結晶相は、NaBr、NaCl、NaF、KClのいずれかを含有することを特徴とする請求項1〜10のいずれか1項に記載にシンチレータ。 - 前記第一の結晶相又は前記第二の結晶相は、NaIからなることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載のシンチレータ。
- 前記第二の結晶相はNaIからなり、
前記第一の結晶相の相は、NaF、NaCl、RbI、CsIのいずれかを含有することを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載にシンチレータ。 - 前記第一の結晶相又は前記第二の結晶相は、RbIからなることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載のシンチレータ。
- 前記第一の結晶相又は前記第二の結晶相は、CsBrからなることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載のシンチレータ。
- 前記第一の結晶相又は前記第二の結晶相は、RbBrからなることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載のシンチレータ。
- 前記第一の結晶相又は前記第二の結晶相は、RbI、CsBr、RbBrのいずれかからなり、
該結晶相の他方の相は、NaF、NaCl、NaBrのいずれかを含有することを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載にシンチレータ。 - 前記第一の結晶相又は前記第二の結晶相は、RbIからなり、
該結晶相は、CsI又はRbBrを含有し、
該含有量は、
CsIにおいては0mol%より多く20mol%以下、
RbBrにおいては0mol%より多く50mol%未満の範囲であることを特徴とする請求項17に記載のシンチレータ。 - 前記第一の結晶相又は前記第二の結晶相は、CsBrからなり、
該結晶相は、CsI、RbBr、CsClのいずれかを含有し、
該含有量は、
CsIにおいては0mol%より多く50mol%以下、
RbBrにおいては0mol%より多く25mol%未満、
CsClにおいては0mol%より多く50mol%未満の範囲であることを特徴とする請求項17に記載のシンチレータ。 - 前記第一の結晶相又は前記第二の結晶相は、RbBrからなり、
該結晶相は、RbI又はCsBrを含有し、
該含有量は、
RbIにおいては0mol%より多く50mol%以下、
CsBrにおいては0mol%より多く15mol%以下の範囲であることを特徴とする請求項17に記載のシンチレータ。 - 前記第二の結晶相は、BaI2、BaBr2、BaCl2、SrBr2、SrCl2のいずれかからなることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載のシンチレータ。
- 前記第一の結晶相又は前記第二の結晶相の少なくとも一方は、発光中心としてユーロピウム(Eu)、セリウム(Ce)、タリウム(Tl)、インジウム(In)、ガリウム(Ga)の少なくとも一つを含有することを特徴とする請求項21に記載のシンチレータ。
- 光検出器と、前記光検出器に対向して配置されたシンチレータとを有する放射線検出器であって、
前記シンチレータが請求項1〜22のいずれか1項に記載のシンチレータであることを特徴とする放射線検出器。 - 前記光検出器と前記シンチレータとは、直接ないし1層以上の保護層を介して対向配置されていることを特徴とする請求項23に記載の放射線検出器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011011155A JP5143243B2 (ja) | 2010-01-28 | 2011-01-21 | シンチレータ結晶体、その製造方法及び放射線検出器 |
Applications Claiming Priority (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010017378 | 2010-01-28 | ||
JP2010017378 | 2010-01-28 | ||
JP2010088982 | 2010-04-07 | ||
JP2010088982 | 2010-04-07 | ||
JP2010162017 | 2010-07-16 | ||
JP2010162017 | 2010-07-16 | ||
JP2010269728 | 2010-12-02 | ||
JP2010269728 | 2010-12-02 | ||
JP2011011155A JP5143243B2 (ja) | 2010-01-28 | 2011-01-21 | シンチレータ結晶体、その製造方法及び放射線検出器 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012131964A JP2012131964A (ja) | 2012-07-12 |
JP2012131964A5 JP2012131964A5 (ja) | 2012-08-23 |
JP5143243B2 true JP5143243B2 (ja) | 2013-02-13 |
Family
ID=44319931
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011011155A Active JP5143243B2 (ja) | 2010-01-28 | 2011-01-21 | シンチレータ結晶体、その製造方法及び放射線検出器 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8674309B2 (ja) |
EP (1) | EP2517049B1 (ja) |
JP (1) | JP5143243B2 (ja) |
CN (1) | CN102725658B (ja) |
WO (1) | WO2011093176A2 (ja) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5138104B2 (ja) * | 2011-03-30 | 2013-02-06 | キヤノン株式会社 | 多孔質シンチレータ結晶体 |
JP2013024731A (ja) * | 2011-07-21 | 2013-02-04 | Canon Inc | 放射線検出装置 |
JP5947499B2 (ja) * | 2011-07-26 | 2016-07-06 | キヤノン株式会社 | 放射線検出器 |
CN103732722B (zh) | 2011-08-19 | 2015-12-23 | 日本结晶光学株式会社 | 闪烁体 |
EP2851708B1 (en) * | 2012-05-16 | 2020-01-08 | Jilin Ray-Image Technology Co., Ltd. | Pixelized scintillation crystal film, and preparation method and application thereof |
JP6289157B2 (ja) * | 2013-03-05 | 2018-03-07 | キヤノン株式会社 | シンチレータ及び放射線検出器 |
JP6192314B2 (ja) * | 2013-03-05 | 2017-09-06 | キヤノン株式会社 | シンチレータ結晶体および放射線検出器 |
US9599724B2 (en) | 2013-05-08 | 2017-03-21 | Koninklijke Philips N.V. | Gamma radiation detection device |
KR101784118B1 (ko) | 2013-07-16 | 2017-10-10 | 도시바 덴시칸 디바이스 가부시키가이샤 | 방사선 검출기, 신틸레이터 패널, 및 그 제조 방법 |
JP6271909B2 (ja) * | 2013-08-20 | 2018-01-31 | キヤノン株式会社 | シンチレータ結晶体及び放射線検出器 |
JP6304991B2 (ja) * | 2013-09-27 | 2018-04-04 | キヤノン株式会社 | シンチレータ結晶体及び放射線検出器 |
KR101788999B1 (ko) * | 2013-11-15 | 2017-10-20 | 도시바 덴시칸 디바이스 가부시키가이샤 | 방사선 검출기, 신틸레이터 패널, 및 그것들의 제조방법 |
AU2015350146A1 (en) * | 2014-11-19 | 2017-06-08 | The Regents Of The University Of California | Novel thallium doped sodium, cesium or lithium iodide scintillators |
JP6402635B2 (ja) * | 2015-01-19 | 2018-10-10 | コニカミノルタ株式会社 | シンチレータ、シンチレータパネルおよびシンチレータパネルの製造方法 |
EP3865917A1 (en) | 2015-02-16 | 2021-08-18 | Saint-Gobain Ceramics and Plastics, Inc. | Scintillation crystal including a co-doped sodium halide, and a radiation detection apparatus including the scintillation crystal |
KR102547798B1 (ko) * | 2015-12-08 | 2023-06-26 | 삼성전자주식회사 | 방사선 검출기 및 이를 채용한 방사선 촬영 장치 |
KR20180033352A (ko) * | 2016-09-23 | 2018-04-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 캡핑층을 포함하는 유기발광 표시장치 |
WO2019227057A1 (en) * | 2018-05-25 | 2019-11-28 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | CsI(Tl) SCINTILLATOR CRYSTAL INCLUDING ANTIOMY AND OTHER MULTI VALENCE CATIONS TO REDUCE AFTERGLOW, AND A RADIATION DETECTION APPARATUS INCLUDING THE SCINTILLATION CRYSTAL |
CN109782328B (zh) * | 2019-01-11 | 2021-03-26 | 惠科股份有限公司 | 射线转换器和射线探测平板装置 |
CN111528888B (zh) * | 2020-04-30 | 2022-02-11 | 南昌大学 | 一种基于自锁结构发光晶体的单光子发射断层成像结构 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5435060A (en) | 1977-08-20 | 1979-03-14 | Satake Eng Co Ltd | Grain milling device |
JPS5979448A (ja) | 1982-10-29 | 1984-05-08 | Nakamichi Corp | 音響機器の動作禁止装置 |
JP3297078B2 (ja) * | 1991-05-24 | 2002-07-02 | 株式会社東芝 | X線イメージ管およびその製造方法 |
UA27013C2 (uk) * | 1996-05-14 | 2000-02-28 | Спільне Українсько-Американське Підприємство "Амкріс-Ейч, Лтд" | Сциhтиляційhий матеріал hа осhові йодиду цезію та спосіб його одержаhhя |
EP1118880B1 (en) | 1998-06-18 | 2003-11-26 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of organic film deposition |
SE513536C2 (sv) * | 1999-01-21 | 2000-09-25 | Christer Froejdh | Arrangemang för en röntgenbildpunktsdetektoranordning samt anordning vid ett röntgenavbildningsarrangemang |
JP3851547B2 (ja) | 2001-11-13 | 2006-11-29 | 独立行政法人科学技術振興機構 | シンチレータ材料及びその製造方法並びにその材料を用いた放射線検出装置 |
WO2004041170A2 (en) | 2002-11-01 | 2004-05-21 | Genentech, Inc. | Compositions and methods for the treatment of immune related diseases |
JP2007514143A (ja) | 2003-11-25 | 2007-05-31 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Pet検出器用のシンチレーション層 |
US7282713B2 (en) * | 2004-06-10 | 2007-10-16 | General Electric Company | Compositions and methods for scintillator arrays |
US7141794B2 (en) | 2004-06-28 | 2006-11-28 | General Electric Company | Scintillator compositions, related processes, and articles of manufacture |
US7202477B2 (en) | 2005-03-04 | 2007-04-10 | General Electric Company | Scintillator compositions of cerium halides, and related articles and processes |
US7368719B2 (en) * | 2006-06-28 | 2008-05-06 | Ge Homeland Protection, Inc. | Scintillating materials, articles employing the same, and methods for their use |
US7435975B2 (en) * | 2005-09-30 | 2008-10-14 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | Scintillator plate for radiation and radiographic image detector |
JP2007139604A (ja) | 2005-11-18 | 2007-06-07 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | 放射線用シンチレータプレート |
US7692156B1 (en) * | 2006-08-23 | 2010-04-06 | Radiation Monitoring Devices, Inc. | Beam-oriented pixellated scintillators for radiation imaging |
US7501077B1 (en) | 2006-08-28 | 2009-03-10 | Ut-Battelle, Llc | Binderless composite scintillator for neutron detection |
JP2008145335A (ja) * | 2006-12-12 | 2008-06-26 | Ge Medical Systems Global Technology Co Llc | シンチレータアレイ製造方法、シンチレータアレイ、x線検出器およびx線ct装置 |
JP4767293B2 (ja) | 2008-07-11 | 2011-09-07 | 三菱電機株式会社 | 電気掃除機 |
JP4956519B2 (ja) | 2008-10-06 | 2012-06-20 | 株式会社東芝 | 二酸化炭素回収システム |
JP5249853B2 (ja) | 2009-05-22 | 2013-07-31 | 近畿車輌株式会社 | 鉄道車両の配線経路構造 |
JP5501088B2 (ja) | 2010-04-30 | 2014-05-21 | 株式会社トクヤマ | 中性子用シンチレーターおよび中性子検出器 |
JP5709439B2 (ja) | 2010-08-30 | 2015-04-30 | キヤノン株式会社 | 3次元放射線位置検出器 |
US8795822B2 (en) | 2010-11-02 | 2014-08-05 | Tokuyama Corporation | Metal fluoride eutectic and neutron scintillator |
-
2011
- 2011-01-12 EP EP11703937.0A patent/EP2517049B1/en not_active Not-in-force
- 2011-01-12 WO PCT/JP2011/050798 patent/WO2011093176A2/en active Application Filing
- 2011-01-12 US US13/574,981 patent/US8674309B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-01-12 CN CN201180007022.5A patent/CN102725658B/zh active Active
- 2011-01-21 JP JP2011011155A patent/JP5143243B2/ja active Active
-
2013
- 2013-12-19 US US14/135,193 patent/US8993969B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8993969B2 (en) | 2015-03-31 |
CN102725658A (zh) | 2012-10-10 |
WO2011093176A3 (en) | 2012-03-15 |
EP2517049B1 (en) | 2014-01-08 |
EP2517049A2 (en) | 2012-10-31 |
US20120292516A1 (en) | 2012-11-22 |
US20140319362A1 (en) | 2014-10-30 |
WO2011093176A2 (en) | 2011-08-04 |
JP2012131964A (ja) | 2012-07-12 |
US8674309B2 (en) | 2014-03-18 |
CN102725658B (zh) | 2014-09-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5143243B2 (ja) | シンチレータ結晶体、その製造方法及び放射線検出器 | |
JP6062670B2 (ja) | 相分離構造を有するシンチレータ及びそれを用いた放射線検出器 | |
JP6066608B2 (ja) | 相分離構造を有するシンチレータおよびそれを用いた放射線検出器 | |
JP5476991B2 (ja) | 放射線画像変換パネル、その製造方法、及びx線画像撮影システム | |
JP6304991B2 (ja) | シンチレータ結晶体及び放射線検出器 | |
JP6468820B2 (ja) | シンチレータ結晶体及びそれを用いた放射線検出器 | |
US9389321B2 (en) | Crystalline scintillator body and radiation detector | |
JP2002350597A (ja) | 放射線画像変換パネル及び放射線画像変換パネルの製造方法 | |
JP3915593B2 (ja) | 放射線画像変換パネル及び放射線画像変換パネルの製造方法 | |
JP4259035B2 (ja) | 放射線画像変換パネル及び放射線画像変換パネルの製造方法 | |
JP2013024597A (ja) | 複合シンチレータの製造方法 | |
JP4475106B2 (ja) | 放射線画像変換パネル及び放射線画像変換パネルの製造方法 | |
JP4079073B2 (ja) | 放射線画像変換パネル及び放射線画像変換パネルの製造方法 | |
JP4828771B2 (ja) | 放射線画像変換パネル | |
JP3807347B2 (ja) | 放射線像変換パネル及び放射線像変換パネルの製造方法 | |
JP2008116462A (ja) | 放射線画像変換パネル及び放射線画像変換パネルの製造方法 | |
JP3879629B2 (ja) | 放射線画像変換パネル及び放射線画像変換パネルの製造方法 | |
JP5360160B2 (ja) | 放射線画像変換パネル及び放射線画像変換パネルの製造方法 | |
JP2007057306A (ja) | 輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネル及びその製造方法 | |
JP2003240896A (ja) | 放射線画像変換パネル及び放射線画像変換パネルの製造方法 | |
JP2005147977A (ja) | 放射線画像変換パネル及び放射線画像変換パネルの製造方法 | |
JP2005147922A (ja) | 放射線画像変換パネル及び放射線画像変換パネルの製造方法 | |
JP2006010480A (ja) | 放射線画像変換パネル |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120606 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120606 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20120606 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20120702 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120731 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121001 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121023 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121120 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151130 Year of fee payment: 3 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5143243 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S802 | Written request for registration of partial abandonment of right |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R311802 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |