JP5137169B2 - レーザパターニングされた金属ゲートを備えるmosトランジスタを形成するための方法 - Google Patents
レーザパターニングされた金属ゲートを備えるmosトランジスタを形成するための方法 Download PDFInfo
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Description
なお、本出願に対応する外国の特許出願においては下記の文献が発見または提出されている。
一態様では、本発明は、(1)誘電体薄膜上に金属含有材料の層を形成するステップであって、その誘電体薄膜は無機半導体を含む電気的に機能する基板上にある、形成するステップと、(2)金属含有材料層から金属ゲートをレーザパターニングするステップと、(3)金属ゲートに概ね隣接する場所にある無機半導体内にソース端子及びドレイン端子を形成するステップとを含む、MOSトランジスタ(好ましくはMOS TFT)を形成する方法に関する。好ましい実施形態では、その方法はさらに、基板上に液相半導体(たとえば、IVA族元素)前駆物質を堆積し、その後、その液相半導体前駆物質を硬化させて、(オプションで)アニールし、無機半導体及び/又はソース端子及びドレイン端子を形成することを含む。一実施態様では、液相半導体前駆物質堆積ステップは、TFTのために適した基板上に半導体前駆物質インクを印刷することを含む。全面堆積、フォトリソグラフィ及びエッチングではなく、液相インクを印刷することにより、(i)処理ステップの数、(ii)製造工程にかかる時間、(iii)回路、チップ、ディスプレイ素子、感光素子、又はその上に本発明のMOSトランジスタを有する他の装置を製造するコスト、及び/又は(iv)従来技術であれば、労働集約的で、比較的コストがかかるマスク変更を伴うことになっていた、パターニングされたシリコン層のパターンを変更又は部分変更するのに一般的に要することになる設定時間が節約される。したがって、本発明の方法は、従来のMOS半導体製造技術よりも高いスループットで、MOSトランジスタのような、高速で、信頼性のある電子デバイスを製造するためのコスト効率の良い方法を提供する。
・低濃度にドープされたシランを堆積して、アモルファスSi薄膜を形成するステップ。
・(オプションで)金属シード層を堆積するステップ。
・(オプションで)アモルファスSiを脱水素化するステップ。
・低濃度にドープされるか、又はドープされないアモルファスSiを結晶化するステップ(たとえば、エキシマレーザ処理、又は加熱炉処理による)。
・ゲート酸化膜を堆積するか、成長させるか、それ以外の方法で形成するステップ。
・ゲート金属を描画するか、又はそれ以外の方法でパターニングするステップ。
・ゲートをマスクとして用いて、ゲート酸化膜をエッチングするステップ。
・薄い、高濃度にドープされたシラン(又は固体ドーパント源)を堆積するか、又はドーパントを注入するステップ。
・高濃度にドープされたエリアにおいてドーパントを活性化及び/又は拡散するステップ(たとえば、エキシマレーザ処理による)。
・(環状)シランが用いられる場合には、ゲート側壁から、照射されない(結晶化、活性化又は他の作用が不十分である)ドープされたアモルファスシリコンを選択的にウエットエッチングするステップ(たとえば図4を参照)。
・金属クロスオーバ(たとえば、第2段の金属)が(オプションで)必要とされる場合には、誘電体を描画するステップ。
・ソース及びドレインコンタクト金属を描画するステップ。
・パッシベーション(たとえば酸化物又は窒化物)を堆積するステップ。
・従来のアニールステップ。
・水素化ステップ(オプション)。
・検査ステップ(オプション)
ここで図1を参照すると、MOS TFTデバイス前駆物質の断面図が示されており、その方法は、ゲート誘電体層14上にあるゲート金属層20をレーザパターニングするステップを含むことができる。ゲート誘電体層14そのものは、低濃度にドープされた(電気的に活性の)ポリシリコン層12上にあり、そのポリシリコン層12は基板10上にコーティング、又はそれ以外の方法で形成され、(電気的に)不活性のシリコン含有領域18によって画定することができる。種々の実施形態において、ゲート金属層20は、誘電体層14上に金属又は金属含有材料を全面堆積するか、又は金属前駆物質を印刷し、その後、金属ゲートを「レーザパターニングする」ことによって形成することができる。本明細書において想定されるように、レーザパターニングは、(i)(CTP/デジタル印刷プレート化学作用において用いられるのに類似の)サーマルレジストに照射すること、(ii)その中にUV、可視光又はIR染料をさらに含む従来のレジスト材料に照射すること、及び、(iii)誘電体層14上に堆積される金属前駆物質インク(すなわち、溶媒内に金属前駆物質を含む組成物)に直に照射するか、又は「レーザ描画」し、その後(オプションで)、パターニングされたインク層を現像及び/又はアニールすることを含む。
本発明の方法はさらに、誘電体層14を形成するステップ、及び/又はトランジスタチャネル(好ましくは半導体)層12を形成するステップを含むことができる。一実施態様では、半導体層12は、ゲート金属20を全面堆積するために用いられるのに類似の技法によるが、全面堆積するための従来の半導体(又は半導体前駆物質)を用いて形成することができる。当該技術分野において知られているように、従来の全面堆積は、化学気相成長(CVD)、低圧CVD、スパッタリング又は他の物理気相成長(PVD)技法、スピンコーティング、スプレーコーティング等を含むことができる。そのような全面堆積は、シラン(たとえばSiH4)及び/又はゲルマン(たとえばGeH4)のCVDを含むことが好ましい。全面堆積された半導体層12は、たとえば、従来のイオン注入、又は本明細書に記載される他のドーピング技法(及びオプションでは、後続のアニール処理)によって、低濃度にドープされることができる。その後、有効なトランジスタ領域(たとえば、上に重なるソース、ドレイン及びゲート32、34及び36の最も外側の縁によって概ね画定される半導体層12のエリア;たとえば、図6を参照されたい)を、従来のフォトリソグラフィ及びエッチングによって画定することができる。用語「IVA族半導体」は、主にシリコン及び/又はゲルマニウムを含む半導体を指している。
本発明のさらに別の態様では、本発明の方法は、ゲート誘電体層14の露出した(すなわち、ゲート金属20によって覆われていない)部分をエッチングすることを含むことができる。そのようなエッチングは、ゲート金属20及び半導体層12に対してゲート誘電体層14を選択的にエッチングするエッチャント又はエッチャント混合物を用いる、従来のウエット又はドライエッチングを含むことができる。一般的に用いられる金属(アルミニウム、チタン、モリブデン、タングステン、銀、金、プラチナ、パラジウム、ニッケル、コバルト等)及び既知の半導体材料(シリコン及びシリコン−ゲルマニウム等)に対して、二酸化シリコン、PSG、BPSG及び酸化アルミニウムのような誘電体を選択的にエッチングするウエット及びドライエッチャント並びにエッチャント混合物(及びウエット、ドライいずれにしても、そのような選択性エッチングのための条件)はよく知られており、且つ/又は日常的な実験を用いて既知のエッチャントから決定することができる。
ソース及びドレイン層(たとえば、図4の構造32及び34を参照されたい)を形成する本発明の方法のステップは、従来どおりに、及び/又はその関連する部分が、参照することによって本明細書に援用される2005年3月18日に出願の同時係属の米国特許出願第11/084,448号(代理人整理番号第IDR0211号)において説明されるように構成することができる。ここで図3を参照すると、米国特許出願第11/084,448号(代理人整理番号第IDR0211号)において説明されるように、半導体層30を、好ましくは、その関連する部分が、参照することにより本明細書に援用される2004年2月27日に出願の同時係属の米国特許出願第10/789,274号(代理人整理番号第IDR0080号)において説明されるように、少なくとも部分的に、且つ/又は概ね同時の(UV)照射とともに、印刷又はコーティングすることにより、ゲート金属20上、及び半導体層12の露出した部分の上に堆積することができる。
ここで図4に示され、米国特許出願第11/084,448号(代理人整理番号第IDR0211号)に説明されるように、a−Si:H層30に、マスク25を通して、好ましくはエキシマレーザからの光を照射して、UV光を吸収するように配置又は含む、a−Si:H層30の少なくとも一部32及び34のモルフォロジを変更(たとえば結晶化)することができる。さらに、そのような照射は、a−Si:H層30の照射された部分の中にあるドーパントの或る量又は全てを活性化することもできる。半導体層部分32及び34は概ね、TFTのソース領域及びドレイン領域に対応する。したがって、部分32及び34は高濃度にドープされることが好ましい(たとえば、それらの部分は、約1019〜約1021原子/cm3のドーパント濃度を含む)。高濃度にドープされた材料を提供するインク配合物は、その関連する部分が、参照することによって本明細書に援用される、2004年9月24日に出願の同時係属の米国特許出願第10/950,373号(代理人整理番号第IDR0301)にさらに詳細に記載されており、そのようなドープされたインク配合物から形成される薄膜を硬化させて、それに照射することによって、そのような高濃度にドープされた半導体の層を形成するための工程は、その関連する部分が、参照することによって本明細書に援用される、2004年9月24日に出願の同時係属の米国特許出願第第10/949,013号(代理人整理番号第IDR0302)にさらに詳細に記載される。
図5に示されるように、照射されない半導体前駆物質部分30a、30b、30c及び30dを除去した後に、本発明の方法はさらに、(1)TFTの少なくともソース端子及びドレイン端子32及び34に導体42及び44を形成するステップ、及び/又は(2)導体42及び44並びにゲート(たとえば、ゲート金属層20及び/又はゲート半導体層36)を不動態化する(たとえば、それらの上にパッシベーション層50を形成する)ステップとを含むことができる。それらが露出する限り、ソース端子及びドレイン端子32及び34、半導体層12並びに基板10の一部も不動態化することができる。導体42及び44(並びにオプションで、ゲート20と接触している導体46;たとえば、図6及び図7を参照されたい)は、ゲート金属20のために先に説明された方法のうちの任意の方法によって形成することができる。しかしながら、(ドープされた)半導体(シリコン等)と或る特定の金属(アルミニウム、チタン、モリブデン、タングステン、コバルト、プラチナ等)との間の既知の化学反応によって、導体(たとえば、42、44及び46)とドープされた半導体(たとえば、ソース、ドレイン及びゲート層32、34及び36)との間に既知の障壁材料(窒化チタン等)を介在させることができる。別法では、導体42及び44(並びにオプションで、導体46)は、概ね、ソース/ドレイン端子薄膜32及び34と検出できるほどの反応をしない金属(たとえばAu、Ag)或いは金属−シリコン化合物又は合金(たとえば、ケイ化プラチナ、ケイ化パラジウム、ケイ化コバルト、ケイ化チタン、ケイ化モリブデン、ケイ化タングステン、その中に約1原子%のSiを有するAl等)から構成することができるか、又はそれらの材料から成る最下層を含むことができる。
本発明の一態様は、(a)電気的機能性基板(たとえば、無機半導体を含む)と、(b)電気的機能性基板の少なくとも一部の上にある誘電体薄膜と、(c)誘電体薄膜上にあるレーザパターニングされた金属ゲートと、(d)ゲートに隣接(又は概ね隣接)する基板上にある、ドープされた無機半導体層を含むソース端子及びドレイン端子とを含む、電子デバイスに関連する。一実施形態では、ソース端子及びドレイン端子はそれぞれ、金属ゲートに最も近い縁が金属ゲートの縁と概ね位置合わせされる。一般的に、電子デバイスはさらに、(i)ソース端子及びドレイン端子にそれぞれ電気的に接続される1つ又は複数の第1の導体と、(ii)ゲート金属層に電気的に接続される第2の導体とを備える。
したがって、本発明は、レーザパターニングされた金属ゲートを有する電子デバイス(MOSトランジスタ等)及びその製造方法を提供する。その方法は、概して、(1)誘電体薄膜上に金属含有材料の層を形成することであって、その誘電体薄膜は無機半導体を含む電気的機能性基板上にある、形成すること、(2)金属含有材料層から金属ゲートをレーザパターニングすること、及び、(3)金属ゲートに概ね隣接する場所にある無機半導体内にソース端子及びドレイン端子を形成することを含む。そのデバイスは、概して、(a)半導体(たとえば薄膜)基板と、(b)電気的機能性基板の一部の上にある誘電体薄膜と、(c)誘電体薄膜上にあるレーザパターニングされたゲート金属層と、(d)金属ゲートに概ね隣接する、電気的機能性基板上又は基板内にある、ドープされた層を含むソース端子及びドレイン端子とを含む。
Claims (14)
- MOSトランジスタを形成するための方法であって、
a)誘電体薄膜上に金属含有材料層を形成する段階であって、該誘電体薄膜は無機半導体層を含む電気的機能性基板の少なくとも一部の上にある、形成する段階と、
b)前記金属含有材料層から金属ゲートをレーザーパターニングする段階と、
c)前記無機半導体層に光を照射し、結晶化する段階と、
d)前記金属ゲートに概ね隣接する場所にある前記無機半導体層および/または前記基板上に、ソース及びドレインを形成する段階とを備え、
前記レーザーパターニングする段階は、
(i)サーマルレジストを加熱し、前記サーマルレジストの溶解性を変化させるために前記金属含有材料層上の前記サーマルレジストにレーザを照射することと、前記サーマルレジストを現像することと、および残存した前記サーマルレジストのパターン外の前記金属含有材料をエッチングにより除去することとを含む段階、
(ii)UV、可視光、または赤外線放射を吸収するUV、可視光、または赤外染料を含む、前記金属含有材料層上のレジスト材料に、UV、可視光または赤外線放射をレーザーから照射することと、前記レジスト材料を現像することと、および残存した前記レジスト材料のパターン外の前記金属含有材料をエッチングにより除去することとを含む段階、または、
(iii)前記金属含有材料層は金属前駆物質を含む金属前駆インクから形成され、前記金属前駆インクの前記金属前駆物質に直接レーザを照射すること、またはレーザ描画することを含む段階、のいずれかを有し、
前記ソースおよびドレインの各々は、前記金属ゲートと最も近く、前記金属ゲートの縁と概ね位置合わせされた縁を有する、
MOSトランジスタを形成するための方法。 - 前記金属含有材料の層を形成する段階は、前記金属含有材料を全面堆積することを含む、請求項1に記載のMOSトランジスタを形成するための方法。
- 前記金属含有材料を全面堆積する段階は、前記金属含有材料を含むインクを堆積することを含む、請求項2に記載のMOSトランジスタを形成するための方法。
- 前記金属含有材料は金属ナノ粒子を含む、請求項2に記載のMOSトランジスタを形成するための方法。
- 前記金属ゲートを前記レーザーパターニングする段階の前に、前記金属ナノ粒子を硬化させ、且つ/又はアニールする段階をさらに含む、請求項4に記載のMOSトランジスタを形成するための方法。
- 前記レーザーパターニングする段階は、(i)前記サーマルレジストを加熱し、前記サーマルレジストの溶解性を変化させるために前記金属含有材料層上のサーマルレジストにレーザを照射することと、前記サーマルレジストを現像することと、および残存したサーマルレジストのパターン外の前記金属含有材料をエッチングにより除去することとを含む段階、または、(ii)UV、可視光、または赤外を吸収するUV、可視光、または赤外染料を含む、金属含有材料層上のレジスト材料に、UV、可視光または赤外線放射をレーザーから照射することと、前記レジスト材料を現像することと、および残存したレジスト材料のパターン外の前記金属含有材料をエッチングにより除去することとを含む段階のいずれかであり、
前記レーザーパターニングする段階の前に、前記金属含有材料層上にレジストを堆積することをさらに含む、請求項1に記載のMOSトランジスタを形成するための方法。 - 前記レーザーパターニングする段階は、(i)前記サーマルレジストを加熱し、前記サーマルレジストの溶解性を変化させるために前記金属含有材料層上のサーマルレジストにレーザを照射することと、前記サーマルレジストを現像することと、および残存したサーマルレジストのパターン外の前記金属含有材料をエッチングにより除去することとを含む段階、または(ii)UV、可視光、または赤外を吸収するUV、可視光、または赤外染料を含む、金属含有材料層上のレジスト材料に、UV、可視光または赤外線放射をレーザーから照射することと、前記レジスト材料を現像することと、および残存したレジスト材料のパターン外の前記金属含有材料をエッチングにより除去することとを含む段階のいずれかであり、
前記レーザーパターニングする段階は、前記金属ゲートに対応する場所において前記レジストに照射することを含む、請求項1に記載のMOSトランジスタを形成するための方法。 - 前記レーザーパターニングする段階は、(i)前記サーマルレジストを加熱し、前記サーマルレジストの溶解性を変化させるために前記金属含有材料層上のサーマルレジストにレーザを照射することと、前記サーマルレジストを現像することと、および残存したサーマルレジストのパターン外の前記金属含有材料をエッチングにより除去することとを含む段階、または(ii)UV、可視光、または赤外を吸収するUV、可視光、または赤外染料を含む、金属含有材料層上のレジスト材料に、UV、可視光または赤外線放射をレーザーから照射することと、前記レジスト材料を現像することと、および残存したレジスト材料パターン外の前記金属含有材料をエッチングにより除去することとを含む段階のいずれかであり、
前記レーザーパターニングする段階は、前記金属ゲートに対応する場所以外の場所において、前記レジストに照射することを含む、請求項1に記載のMOSトランジスタを形成するための方法。 - 前記レーザーパターニングする段階は、(iii)金属前駆物質インクの金属前駆物質に直接レーザを照射すること、またはレーザ描画することを含む段階であり、
前記金属含有材料は金属ナノ粒子を含み、前記レーザーパターニングする段階は、前記金属ナノ粒子を互いに結合するか、又は溶解するほど十分に前記金属ナノ粒子に照射することを含む、請求項1に記載のMOSトランジスタを形成するための方法。 - 前記レーザーパターニングされた金属ゲートをアニールする段階をさらに含む、請求項1から9のいずれか1項に記載のMOSトランジスタを形成するための方法。
- 前記金属含有材料は、1つ又は複数の感光性又は感熱性の開始剤を含有するインクを含む、請求項1から10のいずれか1項に記載のMOSトランジスタを形成するための方法。
- 前記金属含有材料層を形成する段階は、前記誘電体薄膜上に金属含有インクを印刷することを含む、請求項1から11のいずれか1項に記載のMOSトランジスタを形成するための方法。
- 前記金属含有材料層を形成する段階は、金属ナノ粒子または有機金属化合物および溶媒を含むインクを前記誘電体薄膜上に印刷する段階を有する、
請求項1から11のいずれか1項に記載の方法。 - 前記溶媒は有機溶媒である請求項13に記載の方法。
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