JP4761144B2 - 質量分析用イオン化基板及び質量分析装置 - Google Patents
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Description
Laser Desorption Ionization-Mass Spectrometry)が採用される。試料は、マトリックス剤と呼ばれるレーザー光を吸収する低分子有機化合物と試料溶液からなる混合溶液を質量分析用試料基板上に塗布し、乾燥結晶化させることにより、基板上に形成される。
質量分析装置による測定にあたってはイオン源内に前記基板上に形成された試料を設置し、試料表面にレーザー光を照射する。レーザー光を効率よく吸収したマトリックス剤は瞬間的に気化・イオン化する。その際、混合結晶として取り込まれていた試料分子もほぼ同時に気化され、イオン化したマトリックス剤との電荷の授受によって、試料分子はほとんど分解せずにイオン化される。生じたイオンは質量電荷比の違いに基づいて、飛行時間型、四重極型、イオントラップ型、セクター型、フーリエ変換型、若しくはこれらの複合型のいずれかからなる質量分離部の作用により、質量分離された後に、検出器で該イオンが検出され、質量数が解析される。
これらのうち、飛行時間型の質量分離部を用いる方法は、原理上測定の質量範囲に制限がないため、これらを組み合わせたマトリックス支援レーザー脱離イオン化−飛行時間質量分析法(MALDI-TOFMS)が高質量の質量分析に汎用される。
レーザー脱離イオン化を飛行時間型質量分析装置と組み合わせれば分子量では免疫グロブリンM(平均分子量900kDa)まで検出でき、検出限界もamolレベルに達していると言われている。また、イオン化が可能な化合物はペプチド、タンパク質、多糖類、複合脂質、核酸関連物質等の生体関連物質一般、合成ポリマー、オリゴマー、金属配位化合物や無機化合物まで広範囲に及んでいる。マトリックスを用いる場合、そのマトリックスとしては種々のものが使用されている(非特許文献1)。
高分解能を与えるために、サンプルを分析するためのサンプル供給装置において、前記装置に導電性が付与される平坦な表面を有する基板を備え、前記平坦な表面上の抵抗が1平方インチ当たり約1500オームよりも小さい導電性であり、前記平坦な表面をグラファイト塗料でコーティングされており、前記基板は、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリカーボネートなどから選択されるサンプル供給装置が提案されている(特許文献1)。
サンプル載置表面を、エネルギー吸収性の分子を用いて修飾して、先行技術において行われる外来性の基質分子の添加なしに、分析対象物分子の好結果をもたらす脱着を可能にするための手段として、前記表面が合成ポリマー、ガラスまたはセラミックを含むプローブも知られている(特許文献2)。また、金属製サンプルプレート載置面がその金属自体による親水性よりも大きな親水性をもっているもの、具体的にはプラズマ処理などの親水処理を施したものも知られている(特許文献3)。
この微粉末の無機化合物には、例えば、コバルト微粉末(特許文献4及び5)、酸化チタン微粒子(非特許文献2)、グラファイト粉末(非特許文献3)、カーボンナノチューブ(非特許文献4)、平均粒子径が100nm以下であり、かつPVC黒度が50以下のカーボンブラック固体(特許文献6)、質量分析用添加物を結晶化させるための支持板であって、少なくとも表面がカーボンを含有する層からなる支持板であり、質量分析用添加物が、α−シアノー4−ヒドロキシ桂皮酸を組み合わせて用いるもの(特許文献7)などが知られている。
この微粉末を用いる方法では、溶液状の試料と微粉末からなるけん濁溶液を質量分析用試料基板表面に塗布するため、均一に試料を塗布することが難しく、高感度な質量分析を行なう場合にはしばしば困難となる。さらに、レーザー光の照射によりイオン化媒体がイオン源内で飛散することがあり、それによる汚染などが問題となる。
該イオン化素子は無機化合物からなるため、ソフトLDI-MS測定において、イオン化媒体由来の妨害ピークの発生を回避することができるものである。
(被測定試料の離脱エネルギー)<(基板が吸収するレーザーのエネルギー)<(基板の微細構造を形成する原子の結合エネルギー)である必要がある。
(1)レーザー脱離イオン化質量分析に供するための試料基板において、基板平滑表面上に量子ドット構造を有する半導体を付着して複数の凸状のドット構造体が分布する表面を形成し、該基板をレーザー脱離イオン化質量分析に用いるイオン化媒体として用いることを特徴とするレーザー脱離イオン化質量分析用試料基板。
(2)前記ドット構造体が、基板表面と化学結合を持ち、レーザーの照射によって離脱しないように基板表面上に固着していることを特徴とする(1)に記載のレーザー脱離イオン化質量分析用試料基板。
(3)前記ドット構造体が、基板表面上に物理的に蒸着された物質の基板表面での自己組織化現象に基づき形成されることを特徴とする(1)又は(2)に記載のレーザー脱離イオン化質量分析用試料基板。
(4)前記ドット構造体が、基板表面上に化学的に形成された物質の表面における自己組織化現象に基づき形成されることを特徴とする(1)又は(2)に記載のレーザー脱離イオン化質量分析用試料基板。
(5)前記ドット構造体が、特定の大きさの微結晶を基板表面上に堆積させることによって形成されることを特徴とする(1)又は(2)に記載のレーザー脱離イオン化質量分析用試料基板。
(6)前記ドット構造体が、基板結晶に対してエピタキシャルに成長することを特徴とする(1)乃至(5)のいずれかに記載のレーザー脱離イオン化質量分析用試料基板。
(7)前記ドット構造体が、基板材料と異なる少なくとも1種類以上の材料からから選ばれることを特徴とする(1)乃至(6)のいずれかに記載のレーザー脱離イオン化質量分析用試料基板。
(8)前記基板平滑表面が、単結晶半導体基板表面であることを特徴とする(1)乃至(7)のいずれかに記載のレーザー脱離イオン化質量分析用試料基板。
(9)前記ドット構造体が、Geであり単結晶Si基板上に形成されていることを特徴とする(7)又は(8)に記載のレーザー脱離イオン化質量分析用試料基板。
(10)前記ドット構造体が、GaAs基板上にエピタキシャル成長したInAsまたはInGaAs混晶、GaAs基板上にエピタキシャル成長した InNまたはInGaN混晶、GaN基板上にエピタキシャル成長したInNまたはInGaN混晶、AlN基板上にエピタキシャル成長したInN、GaNまたはInGaN混晶、GaAs基板上にエピタキシャル成長したGaSb、InGa、またはInGaSb混晶、GaSb基板上にエピタキシャル成長したInGaまたはInGaSb混晶、Si基板上にエピタキシャル成長したSiGe合金、から選ばれることを特徴とする(7)又は(8)に記載のレーザー脱離イオン化質量分析用試料基板。
(11)前記レーザー脱離イオン化質量分析用試料基板の試料塗布部が化学的に修飾されていることを特徴とする(1)乃至(10)のいずれかに記載のレーザー脱離イオン化質量分析用試料基板。
(12)前記レーザー脱離イオン化質量分析用試料基板の試料塗布部を除く一部が導電性物質により形成されていることを特徴とする(1)乃至(11)のいずれかに記載のレーザー脱離イオン化質量分析用試料基板。
(13)(1)乃至(12)のいずれかに記載のレーザー脱離イオン化質量分析用試料基板の表面に、溶液化された試料を塗布、乾燥させて得られることを特徴とするレーザー脱離イオン化質量分析用試料。
(14)(13)に記載のレーザー脱離イオン化質量分析用試料を備えることを特徴とするレーザー脱離イオン化質量分析装置。
また、本発明のイオン化基板は無機材料であり、被測定試料を塗布する基板表面は化学的に安定であるため、微細な多孔質イオン化基板のような表面不安定性がなく、いつでも測定データを再現する事ができる。
又、本発明のイオン化基板は、表面に凸状のドット構造体が形成されているため、既出願の焦電性単結晶基板を用いた場合と比較して比表面積が著しく大きいため、試料成分の薄膜を広い面積で形成することができ、結果として高感度化を達成することができる。
また、本発明の基板は分子線エピタキシー法などの汎用ドライプロセスを用いて製造する事も可能であるため、従来技術である微細な多孔質イオン化基板の製造で必要とされるフッ酸によるエッチング等のウエットプロセスに比べ量産化が容易であると考えられる。
図2は、素子表面に導電性層を付与した場合の質量分析用試料基板(110)の構成を示す図である。
イオン化素子には、ドット構造体を用いることができる。
ドット構造体としてはGaAs基板上にエピタキシャル成長したInAsまたはInGaAs混晶、GaAs基板上にエピタキシャル成長した InNまたはInGaN混晶、GaN基板上にエピタキシャル成長したInNまたはInGaN混晶、AlN基板上にエピタキシャル成長したInN、GaNまたはInGaN混晶 、GaAs基板上にエピタキシャル成長したGaSb、InGa、またはInGaSb混晶、GaSb基板上にエピタキシャル成長したInGaまたはInGaSb混晶、Si基板上にエピタキシャル成長したSiGe合金等の半導体が挙げられる。レーザー光を高効率で吸収する素子であれば本発明は上記に限定されない。
(1)基板表面上に物理的に蒸着された物質の基板表面での自己組織化現象に基づき形成される方法。この方法では高真空下で、蒸発源からの蒸発などを用いて基板表面上に物質を堆積し、基板を加熱する事によって自己組織的にドット構造体を作製する。例えば、10-6Pa程度の真空中で540℃に加熱されたSi(100)基板表面に0.01nm/sec.の速度でGeを蒸着すると、格子定数の違いからGeドット構造体が形成される。
(2)基板表面上に化学的に形成された物質の表面における自己組織化現象に基づき形成される方法。例えば、GeH4の分解反応で基板表面上にGeを堆積させることができるCVD装置を用いれば、基板温度および堆積速度を適切に管理する事でSi(100)基板表面にGeドット構造体が形成される。
(3)特定の大きさの微結晶を基板表面上に堆積させることによって形成される方法。
量子効果を発現しないとされる20〜100nm以上のドット構造体であっても、レーザー光を高効率で吸収する素子であれば本発明には有効である。
またドット構造体の形状と分布状態は、互いに高さ方向に重なり合わず、数nmから数μmの間隔で平坦基板上に形成された凸状にドット構造体であれば、そのドット構造体の形状によらず、イオン化素子として利用が可能であり、本発明には有効である。
ソフトLDI-MSでは、一般にレーザー光照射とほぼ同時に試料基板ないしは試料基板ホルダーに2万ボルト程度の高電圧が印加されるため、イオン化した試料分子は、直ちに電気的な反発によって試料基板から飛び出し、質量分離部へと導入され、質量分析されるのであると考えられる。即ち、試料分子はイオン化および脱離に必要なエネルギーをレーザー光から直接受け取るのではなく、該試料基板から間接的に提供されるため、試料分子の分解をほとんど伴わないソフトなイオン化が効率よく達成され、高精度に質量分析できるという所期の目的を達成することができる。
たんぱく質、糖などの生体高分子化合物は、0.1〜1%のトリフルオロ酢酸を含む水とアセトニトリルの混合溶液(アセトニトリルの含量5-75%)に溶解して、濃度1〜100pmol/μLの試料溶液を調製する。試料の溶解性などに応じて、水またはアセトニトリル100%の溶媒を用いたり、アセトニトリルの代わりにメタノール、エタノール、プロパノール、アセトンなどの有機溶媒を選択してもよい。
また、前記生体高分子の中の糖の測定では、安定な試料イオンを生成させるために、アルカリ陽イオン付加分子を生成させるために、塩化ナトリウム、塩化カリウム、臭化ナトリウムなどの塩を0.1〜1mg/mLの濃度となるように加えてもよい。
有機合成ポリマーおよびオリゴマーを含む有機合成化合物は、試料が可溶な有機溶媒に溶解して濃度0.1〜1mg/mLの試料溶液を調製する。有機溶媒として、クロロホルム、テトラヒドロフラン、酢酸エチル、アセトン、アセトニトリル、プロパノール、エタノール、メタノールなどが挙げられるが、試料が溶解すればこれらに限定されない。また、ポリエチレングリコールなどの水溶性の合成高分子は、水又は水と有機溶媒の混合溶媒に溶解しても良い。さらに、安定な試料イオンを生成させるために、塩化ナトリウム、塩化カリウム、臭化ナトリウム、トリフルオロ酢酸銀、硝酸銀などの塩を0.1〜1mg/mLの濃度となるように加えてもよい。
該試料基板に0.1〜1μLの試料溶液を直接塗布し、室温で自然乾燥させるだけで均一な乾燥試料を得ることができる。
試料溶液は、金属膜が形成されていない素子表面(114)に塗布される。金属膜(112)および(113)の材料は素子表面上に製膜できるものであれば任意に選択することができるが、たとえばAu、Al、Agなどが挙げられる。
金属薄膜の作成は、蒸着またはスパッタ等の成膜法、あるいは無電解めっき等のめっき技術など、公知の方法で行うことができる。
ペプチド試料(angiotensin-I、モノアイソトープ質量数 [M+H]+ = m/z 1296.7)を、トリフルオロ酢酸0.1%含有メタノール30%溶液に溶解し、400fmol/μl〜800amol/μlの試料溶液を調製した。試料溶液(1μl)をGeドット構造体素子に塗布して乾燥した後、該素子をMALDI測定用試料台上に貼り付け、N2レーザーを備えた飛行時間型質量分析装置(Voyager DE-PRO)に装着し、分析した。
ウシ血清アルブミン(BSA)をトリプシンによって酵素消化したペプチド断片を、0.1%トリフルオロ酢酸および50%アセトニトリルを含む水溶液に溶解し、1pmol/μlの濃度になるように調製した。試料溶液(1ml)をGeドット構造体素子に塗布して乾燥した後、該素子をMALDI測定用試料台上に貼り付け、N2レーザーを備えた飛行時間型質量分析装置(AXIMA CFR plus)に装着し、分析した。
比較のために、該BSAのトリプシン酵素消化物を、マトリックス剤としてα-シアノ-4-ヒドロキシ桂皮酸(CHCA)を用いてMALDI-TOFMS測定を行った。CHCAマトリックス剤を0.1%トリフルオロ酢酸および50%アセトニトリルを含む水溶液に溶解し、10mg/mLのマトリックス剤溶液を調製した。CHCAマトリックス剤溶液と試料溶液を5/1の比で混合し、混合溶液(1 ml)をMALDI測定用試料台に塗布して乾燥した後、N2レーザーを備えた飛行時間型質量分析装置(AXIMA CFR plus)に装着し、分析した。
一方、本発明によるGeドット構造体素子を用いて観測されたマススペクトル(実施例2)では、質量400〜1400にかけて、該ペプチド断片のピークが25本も観測されている。特筆すべきことに、MALDI-TOFMSでは妨害ピークの影響により該ペプチド断片のピークの判別ができなかったm/z400〜900の範囲で、14本もの該ペプチド断片のピークを容易に検出することができる。比較例1と実施例2は、マトリックス剤の妨害によってペプチド断片のピークが観測できなくなる問題が、マトリックス剤が不要である本発明の方法によれば解決されることを示す事例である。
β-シクロデキストリン(和光純薬製)を、50%メタノールに溶解し、0.5 mg/mLの試料溶液を調製した。試料溶液(1μl)をGeドット構造体素子に塗布して乾燥した後、該素子をMALDI測定用試料台上に貼り付け、N2レーザーを備えた飛行時間型質量分析装置(Voyager DE-PRO)に装着し、分析した。
ヒンダードフェノール系酸化防止剤(Irganox 1010、登録商標)を、0.5mg/mLのヨウ化ナトリウムを含むクロロホルムに溶解し、0.5 mg/mLの試料溶液を調製した。試料溶液(1 μl)をGeドット構造体素子に塗布して乾燥した後、該素子をMALDI測定用試料台上に貼り付け、N2レーザーを備えた飛行時間型質量分析装置(Voyager DE-PRO)に装着し、分析した。
ポリエチレングリコール(PEG、シグマアルドリッチジャパン(株)、Product Number 295906-5G)を、テトラヒドロフランに溶解し、0.5 mg/mLの試料溶液を調製した。カチオン化剤としてヨウ化ナトリウムを用い、0.5mg/mLのエタノール溶液を調製した。試料溶液とカチオン化剤溶液を2/1の比で混合し、混合溶液(1μl)をGeドット構造体素子に塗布して乾燥した後、該素子をMALDI測定用試料台上に貼り付け、N2レーザーを備えた飛行時間型質量分析装置(Voyager DE-PRO)に装着し、分析した。なお、PEGの化学構造は、HO-(CH2-CH2-O)n-Hであり、nは繰り返し単位の数を意味する。該試料のn値の中心は、40から50の範囲に存在する。
臭素系難燃剤(デカブロモジフェニルエーテル:DBDE)を、トルエンに溶解し、0.5 mg/mLの試料溶液を調製した。カチオン化剤としてトリフルオロ酢酸銀を用い、0.5mg/mLのテトラヒドロフラン溶液を調製した。試料溶液とカチオン化剤溶液を5/1の比で混合し、混合溶液(1μl)をGeドット構造体素子に塗布して乾燥した後、該素子をMALDI測定用試料台上に貼り付け、N2レーザーを備えた飛行時間型質量分析装置(Voyager DE-PRO)に装着し、分析した。
マトリックス剤として2,5−ジヒドロキシ安息香酸(DHB)及びジスラノールを用いて、DBDEのMALDI-TOFMS測定を行った。各マトリックス剤をテトラヒドロフランに溶解し、10mg/mLのマトリックス剤溶液を調製した。試料溶液及びカチオン化剤溶液は、上記実施例6と同様である。マトリックス剤溶液、試料溶液、及びカチオン化剤溶液を5/1/1の比で混合し、混合溶液(1μl)をMALDI測定用試料台に塗布して乾燥した後、N2レーザーを備えた飛行時間型質量分析装置(Voyager DE-PRO)に装着し、分析した。マススペクトルは、図9に併記する。
101 イオン化素子
102 試料ホルダー
110 質量分析用試料基板
111 イオン化素子
112 金属膜
113 質量分析装置への導通部
114 試料塗布面
Claims (14)
- レーザー脱離イオン化質量分析に供するための試料基板において、基板平滑表面上に量子ドット構造を有する半導体を付着させて複数の凸状のドット構造体が分布する表面を形成し、該基板をレーザー脱離イオン化質量分析に用いるイオン化媒体として用いることを特徴とするレーザー脱離イオン化質量分析用試料基板。
- 前記ドット構造体が、基板表面と化学結合を持ち、レーザーの照射によって離脱しないように基板表面上に固着していることを特徴とする請求項1に記載のレーザー脱離イオン化質量分析用試料基板。
- 前記ドット構造体が、基板表面上に物理的に蒸着された物質の基板表面での自己組織化現象に基づき形成されることを特徴とする請求項1又は2に記載のレーザー脱離イオン化質量分析用試料基板。
- 前記ドット構造体が、基板表面上に化学的に形成された物質の表面における自己組織化現象に基づき形成されることを特徴とする請求項1又は2に記載のレーザー脱離イオン化質量分析用試料基板。
- 前記ドット構造体が、特定の大きさの微結晶を基板表面上に堆積させることによって形成されることを特徴とする請求項1又は2に記載のレーザー脱離イオン化質量分析用試料基板。
- 前記ドット構造体が、基板結晶に対してエピタキシャルに成長することを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載のレーザー脱離イオン化質量分析用試料基板。
- 前記ドット構造体が、基板材料と異なる少なくとも1種類以上の材料からから選ばれることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載のレーザー脱離イオン化質量分析用試料基板。
- 前記基板平滑表面が、単結晶半導体基板表面であることを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載のレーザー脱離イオン化質量分析用試料基板。
- 前記ドット構造体が、Geであり単結晶Si基板表面上に形成されていることを特徴とする請求項7又は8に記載のレーザー脱離イオン化質量分析用試料基板。
- 前記ドット構造体が、GaAs基板上にエピタキシャル成長したInAsまたはInGaAs混晶、GaAs基板上にエピタキシャル成長した InNまたはInGaN混晶、GaN基板上にエピタキシャル成長したInNまたはInGaN混晶、AlN基板上にエピタキシャル成長したInN、GaNまたはInGaN混晶、GaAs基板上にエピタキシャル成長したGaSb、InGa、またはInGaSb混晶、GaSb基板上にエピタキシャル成長したInGaまたはInGaSb混晶、Si基板上にエピタキシャル成長したSiGe合金、から選ばれることを特徴とする請求項7又は8に記載のレーザー脱離イオン化質量分析用試料基板。
- 前記レーザー脱離イオン化質量分析用試料基板の試料塗布部が化学的に修飾されていることを特徴とする請求項1乃至10のいずれかに記載のレーザー脱離イオン化質量分析用試料基板。
- 前記レーザー脱離イオン化質量分析用試料基板の試料塗布部を除く一部が導電性物質により形成されていることを特徴とする請求項1乃至11のいずれかに記載のレーザー脱離イオン化質量分析用試料基板。
- 請求項1乃至12のいずれかに記載のレーザー脱離イオン化質量分析用試料基板の表面に、溶液化された試料を塗布、乾燥させて得られることを特徴とするレーザー脱離イオン化質量分析用試料。
- 請求項13に記載のレーザー脱離イオン化質量分析用試料を備えることを特徴とするレーザー脱離イオン化質量分析装置。
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EP2106858B1 (en) * | 2008-03-31 | 2011-11-02 | Sony DADC Austria AG | Substrate and target plate |
US9455130B2 (en) * | 2008-07-30 | 2016-09-27 | The Brigham And Women's Hospital, Inc. | Preparation of test plates for matrix assisted laser desorption ionization |
JP5406621B2 (ja) | 2009-08-06 | 2014-02-05 | 勝 堀 | レーザー脱離イオン化質量分析用試料基板、これを用いたレーザー脱離イオン化質量分析方法及び装置 |
KR101141475B1 (ko) * | 2010-07-13 | 2012-05-04 | 삼성전기주식회사 | 도금액의 분석 방법 및 이를 이용한 도금 방법 |
JP2014232055A (ja) | 2013-05-29 | 2014-12-11 | 株式会社島津製作所 | Maldi質量分析用測定基板 |
JP7305926B2 (ja) * | 2018-06-08 | 2023-07-11 | 株式会社島津製作所 | 分析方法、質量分析用試料調製用材料、質量分析用キット、糖鎖類分析用材料および糖鎖類質量分析用キット |
CN110865117A (zh) * | 2019-11-04 | 2020-03-06 | 清华大学 | 激光解吸附离子化质谱分析方法和系统 |
JP2023119234A (ja) * | 2022-02-16 | 2023-08-28 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体、イオン化法、及び質量分析方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10054906A1 (de) * | 2000-11-03 | 2002-05-08 | Univ Schiller Jena | Probenträger für MALDI-Massenspektrometrie |
JP2007514173A (ja) * | 2003-12-15 | 2007-05-31 | ユニバーシティ オブ ペンシルベニア | Maldi質量分析に向けたターゲットプレート上で反応を行うための方法および装置 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001046458A1 (en) * | 1999-12-20 | 2001-06-28 | The Penn State Research Foundation | Deposited thin films and their use in detection, attachment, and bio-medical applications |
US7122790B2 (en) * | 2000-05-30 | 2006-10-17 | The Penn State Research Foundation | Matrix-free desorption ionization mass spectrometry using tailored morphology layer devices |
JP2003098149A (ja) * | 2001-09-21 | 2003-04-03 | Shimadzu Corp | 質量分析用サンプル調製装置 |
EP1464069A2 (en) * | 2001-12-21 | 2004-10-06 | Sense Proteomic Limited | Probe for mass spectrometry |
US8093144B2 (en) * | 2002-05-24 | 2012-01-10 | Massachusetts Institute Of Technology | Patterning of nanostructures |
US6900061B2 (en) * | 2002-08-23 | 2005-05-31 | Perseptive Biosystems, Inc. | MALDI plate and process for making a MALDI plate |
JP4052094B2 (ja) * | 2002-11-11 | 2008-02-27 | 株式会社島津製作所 | レーザー脱離イオン化質量分析における試料作成方法とそれに用いるサンプルプレート |
JP3915677B2 (ja) * | 2002-11-29 | 2007-05-16 | 日本電気株式会社 | 質量分析用チップおよびこれを用いたレーザー脱離イオン化飛行時間型質量分析装置、質量分析システム |
GB2425836B (en) * | 2003-02-10 | 2008-05-21 | Waters Investments Ltd | Adsorption, detection, and identification of components of ambient air with desorption/ionization on silicon mass spectrometry (dios-ms) |
US7579077B2 (en) * | 2003-05-05 | 2009-08-25 | Nanosys, Inc. | Nanofiber surfaces for use in enhanced surface area applications |
JP4871726B2 (ja) * | 2003-04-28 | 2012-02-08 | ナノシス・インク. | 超疎液性表面、その作製法及び用途 |
US7572581B2 (en) * | 2003-06-30 | 2009-08-11 | Roche Molecular Systems, Inc. | 2′-terminator nucleotide-related methods and systems |
US7767435B2 (en) * | 2003-08-25 | 2010-08-03 | University Of Washington | Method and device for biochemical detection and analysis of subcellular compartments from a single cell |
JP2007517500A (ja) * | 2003-10-15 | 2007-07-05 | ボード・オブ・リージエンツ,ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム | 電子、光学、磁性、半導体、および生物工学用途の足場としての多機能生体物質 |
KR100534204B1 (ko) * | 2004-03-17 | 2005-12-07 | 한국과학기술연구원 | 나노선이 보조된 레이저 탈착/이온화 질량분석 방법 |
US8563133B2 (en) * | 2004-06-08 | 2013-10-22 | Sandisk Corporation | Compositions and methods for modulation of nanostructure energy levels |
WO2006118595A2 (en) * | 2004-09-17 | 2006-11-09 | Nanosys, Inc. | Nanostructured thin films and their uses |
JP4649416B2 (ja) * | 2004-10-29 | 2011-03-09 | 独立行政法人科学技術振興機構 | Maldi−tofms用基板及びそれを用いた質量分析方法 |
US8461628B2 (en) * | 2005-03-18 | 2013-06-11 | Kovio, Inc. | MOS transistor with laser-patterned metal gate, and method for making the same |
-
2006
- 2006-04-20 JP JP2006116525A patent/JP4761144B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10054906A1 (de) * | 2000-11-03 | 2002-05-08 | Univ Schiller Jena | Probenträger für MALDI-Massenspektrometrie |
JP2007514173A (ja) * | 2003-12-15 | 2007-05-31 | ユニバーシティ オブ ペンシルベニア | Maldi質量分析に向けたターゲットプレート上で反応を行うための方法および装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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