JP5128552B2 - はんだバンプの歩留まり改善方法 - Google Patents
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Description
102a 第一表面
102b 第二表面
104 ボンディングパッド
105 導電ブラインドホール
106 電気めっき導通孔
108 絶縁層
110 開口
112 はんだバンプ
114 はんだブリッジ
114a 分離後のはんだバンプ
114b 分離後のはんだバンプ
150 レーザーヘッド
210 はんだバンプ
211 スキップ印刷位置
212 はんだバンプ
214 フラックス
216 はんだ
218 はんだバンプ
230 真空ノズル
250 レーザーヘッド
Claims (8)
- はんだバンプの歩留まり改善方法であって、
完成した内部回路を含み、第一表面と、対応する第二表面を有する回路板を提供するステップと、
前記第一表面と前記第二表面上に、複数のボンディングパッドを形成するステップと、
前記第一表面、前記第二表面と前記の複数のボンディングパッド上に、絶縁層を被覆し、前記絶縁層中に複数の開口を形成し、前記の複数の開口が、前記ボンディングパッドを露出するステップと、
前記開口中に複数のはんだバンプを形成し、少なくとも二個以上の前記はんだバンプがはんだブリッジを形成するステップと、
前記はんだバンプの検査を実行し、前記はんだブリッジの位置を定位するステップと、
前記はんだブリッジの位置を定位した後、レーザー切断を実行して、前記はんだブリッジを切断するステップと、
前記はんだブリッジを切断した後、導電テストを実行して、前記はんだバンプの電気的接続が正常かどうかを確認するステップと、
からなり、
前記レーザー切断方法は、
レーザーヘッドを前記はんだブリッジの位置に移動させて、コンピュータにより前記レーザーヘッドを制御するステップと、
はんだブリッジの厚さを推算して、前記レーザーヘッドが施すレーザー波長を計算するステップと、
前記レーザー波長を前記はんだブリッジに施して、前記はんだブリッジを分割するステップと、
光学検査を実行して、前記はんだブリッジが分離したか確認するステップと、
からなることを特徴とするはんだバンプの歩留まり改善方法。 - 前記ボンディングパッドは、前記回路板中の複数の導電構造に電気的に接続することを特徴とする請求項1に記載のはんだバンプの歩留まり改善方法。
- 前記前記導電構造は、電気めっき導通孔、或いは、導電ブラインドホールを含むことを特徴とする請求項2に記載のはんだバンプの歩留まり改善方法。
- 前記絶縁層はソルダーレジスト材料であることを特徴とする請求項1に記載のはんだバンプの歩留まり改善方法。
- 複数のはんだバンプを形成する方法は、
フラックスを前記開口中に塗布するステップと、
前記フラックス上にはんだを充填するステップと、
リフロー工程を実行して、前記開口中に、前記ボンディングパッドに電気的に接続する複数のはんだバンプを形成するステップと、
からなることを特徴とする請求項1に記載のはんだバンプの歩留まり改善方法。 - 前記フラックスを塗布する方法は、静電吸着、スプレイ、冶具粘着、或いは、冶具滴下を含むことを特徴とする請求項5に記載のはんだバンプの歩留まり改善方法。
- 前記はんだの充填方法は、金型塗布、冶具置入、静電吸着、真空吸着、或いは、電磁吸着を含むことを特徴とする請求項5に記載のはんだバンプの歩留まり改善方法。
- 前記レーザーの波長範囲は、200nm〜1000nmであることを特徴とする請求項1に記載のはんだバンプの歩留まり改善方法。
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