JP5109226B2

JP5109226B2 - 発光装置

Info

Publication number: JP5109226B2
Application number: JP2005012810A
Authority: JP
Inventors: 好伸末広; 誠治山口
Original assignee: Toyoda Gosei Co Ltd
Current assignee: Toyoda Gosei Co Ltd
Priority date: 2005-01-20
Filing date: 2005-01-20
Publication date: 2012-12-26
Anticipated expiration: 2025-01-20
Also published as: JP2006202962A

Description

本発明は、発光素子から放射される光を波長変換して放射する波長変換型の発光装置に関し、特に、信頼性に優れ、長期にわたって安定した輝度が得られるとともに色むらを生じることのない発光装置に関する。

従来の発光装置として、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）素子を光源に用いた発光装置が知られている。近年、このような発光装置の用途は、車載用の照明機器、液晶デバイスのバックライト光源、小型電子機器のランプ等に広く拡大しつつあり、これら以外にも様々な用途が見込まれている。

このようなＬＥＤ素子から放射される光を蛍光体で波長変換することにより、白色光を放射させる半導体発光装置が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。

特許文献１の半導体発光装置は、レンズ形の樹脂封止体を備えたＬＥＤと、樹脂封止体を包囲する透光性の蛍光カバーとを備えている。ＬＥＤは、４３０〜４８０ｎｍに発光ピークを有するＧａＮ系半導体発光素子である。蛍光カバーは、肉薄なフィルム状の樹脂からなり、樹脂封止体に密着する弾性力を有し、半導体発光素子の発光に基づいて励起されて蛍光を発する蛍光体が添加されている。

特許文献１の半導体発光装置によると、樹脂封止体の周囲に蛍光カバーを設けることで、半導体発光素子から放射される光と蛍光体によって波長変換された光との混合に基づいて所望の発光色を高輝度で得ることができる。
特開２００４−２２１６１９号公報（〔０００９〕、〔００１４〕図１）

しかし、特許文献１の半導体発光装置によると、以下の問題がある。
（１）ＧａＮ系半導体発光素子から放射される光によって樹脂からなる封止体および蛍光カバーの劣化が生じるため、長期使用に対する信頼性を確保することが難しい。また、劣化が生じると発光装置の輝度を低下させるという問題がある。
（２）半導体発光装置の光放射性が樹脂封止体および蛍光カバーの成形性に依存するため、色むらや配光特性を重視すると蛍光カバーの形状精度や蛍光体の均一性を高度なレベルで成立させる必要があり、製造工程の煩雑化、コスト増加を招くという問題がある。

従って、本発明の目的は、信頼性に優れ、長期にわたって安定した輝度が得られるとともに色むらを生じることのない発光装置を提供することにある。

本発明は、上記の目的を達成するため、所定の回路パターンが形成された無機材料基板に複数の発光素子を搭載する素子搭載ステップと、ホットプレス加工が可能なガラスを前記基板上に配置するガラス配置ステップと、前記ガラスにホットプレス加工を施して前記複数の発光素子を封止する略半球形状のガラス封止部を形成する封止部形成ステップと、蛍光体粒子と前記ガラス封止部より大なる熱膨張率を有するガラス粒子の混合材料を、前記ガラス封止部上に静電塗装した後、所定の温度で加熱処理することにより蛍光体膜を形成する蛍光体膜形成ステップと、前記無機材料基板、前記ガラス封止部、及び前記蛍光体膜を前記複数の発光素子毎に対応して分割する分割ステップと、を含むことを特徴とする発光装置の製造方法を提供する。

上記発光装置の製造方法において、前記複数の発光素子は、フリップチップ実装型で前記無機材料基板に搭載され、前記ガラス封止部は、半球状になっていることが好ましい。
また、無機材料基板は、Ａｌ _２Ｏ _３基板であることが好ましい。

本発明によると、無機材料で形成される発光素子と基板とを無機封止材料で封止することにより封止性が向上し、信頼性が向上する。また、発光素子から放射される光による劣化を生じにくくなるため、長期にわたって色むらを生じることなく安定した輝度が得られる。

（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る発光装置としてのＬＥＤを示し、（ａ）は発光装置の縦断面図、（ｂ）はガラス封止部の表面における光の放射を示す概略図である。

（全体の構成）
このＬＥＤ１は、図１（ａ）に示されるようにフリップチップ型のＬＥＤ素子２と、回路パターン４Ａ、４Ｂ、およびビアパターン４Ｃとを有する無機材料基板であるＡｌ_２Ｏ_３基板３と、回路パターン４ＢとＬＥＤ素子２の電極とを電気的に接続するＡｕバンプ５と、Ａｌ_２Ｏ_３基板３およびＬＥＤ素子２とを封止する無機封止材料であり、略半球形状の光学形状部が形成されたガラス封止部６とを有する。

（各部の構成）
ＬＥＤ素子２は、下地基板となるサファイア基板上にＡｌＮバッファ層を介してｎ−ＧａＮ層と、発光層と、ｐ−ＧａＮ層とを順次結晶成長させることによって形成したＧａＮ系半導体層を有し、ｐ−ＧａＮ層からエッチングを施すことによりｎ電極形成領域としてｎ−ＧａＮ層の一部を露出させた水平型の電極構造を有し、Ａｕバンプ５を介して回路パターン４Ｂ上にフリップ実装されている。このＬＥＤ素子２は、発光中心波長が４７０ｎｍであり、熱膨張率は７×１０^−６／℃である。また、ＬＥＤ１の光学形状部の幅とＬＥＤ素子２の幅（最大幅：正方形形状では対角）とのサイズ比は２^１／２以上で、かつ１０以下となるように構成されている。

Ａｌ_２Ｏ_３基板３は、熱膨張率が７×１０^−６／℃であり、ＬＥＤ素子２と略同等の熱膨張率を有し、タングステン（Ｗ）−ニッケル（Ｎｉ）−金（Ａｕ）で構成される回路パターン４Ａ、４Ｂ、およびビアパターン４Ｃを有する。

ガラス封止部６は、６００℃以下の低融点でホットプレス加工が可能な低融点ガラスからなり、ＬＥＤ素子２およびＡｌ_２Ｏ_３基板３の熱膨張率と略同等の熱膨張率（７×１０^−６／℃）を有する。また、表面には半球状に形成された光学形状部６Ａと、光学形状部６Ａの表面に蛍光体部として薄膜状に設けられる蛍光体薄膜６Ｂとを有する。

蛍光体薄膜６Ｂは、Ｃｅ：ＹＡＧ(Yttrium Aluminum Garnet)蛍光体を含有するアクリルコート材を光学形状部６Ａの表面に塗布し、乾燥させることによって薄膜状に形成されている。ガラス封止部６を透過して蛍光体薄膜６Ｂに至った光Ｌｂは、図１（ｂ）に示すように蛍光体に照射され、蛍光体からは黄色光Ｌｂ１〜ｌｂ３が放射される。

（ＬＥＤの製造工程）
以下に、第１の実施の形態のＬＥＤの製造方法について説明する。

図２（ａ）から（ｅ）は、第１の実施の形態のＬＥＤの製造工程を示す概略図である。以下の説明においては、予め分離用のＶ溝３Ａおよびビアホールが設けられたＡｌ_２Ｏ_３基板３を用いるものとする。

（配線形成工程）
まず、図２（ａ）に示すように、上記したＡｌ_２Ｏ_３基板３に対し、回路パターンに応じてＷペーストをスクリーン印刷する。次に、Ｗペーストを印刷されたガラス含有Ａｌ_２Ｏ_３基板３を１５００℃で熱処理することによりＷをＡｌ_２Ｏ_３基板３に焼き付け、さらにＷ上にＮｉめっき、Ａｕめっきを施すことで回路パターン４Ａ、４Ｂ、およびビアパターン４Ｃを形成する。

（ＬＥＤ素子実装工程）
次に、図２（ｂ）に示すように、Ａｌ_２Ｏ_３基板３の回路パターン４ＢにＡｕバンプ５を介してＬＥＤ素子２をフリップ実装する。

（低融点ガラス準備工程）
次に、図２（ｃ）に示すように、板状のＰ_２Ｏ_５−ＺｎＯ−Ｌｉ_２Ｏ系の低融点ガラス６０をＡｌ_２Ｏ_３基板３に対して平行にセットする。

（ガラス封止工程）
次に、図２（ｄ）に示すように、窒素雰囲気中で５５０〜６００℃の温度で低融点ガラス６０のホットプレス加工を行う。低融点ガラス６０は、Ａｌ_２Ｏ_３基板３とそれらに含まれる酸化物を介して基板表面に接着されるとともに、プレス金型の形状に応じて半球状の光学形状部６Ａを有したガラス封止部６が成形される。

（蛍光体薄膜形成工程）
次に、図２（ｅ）に示すように、複数のＬＥＤ１が連続して形成された状態で、ガラス封止部６の表面に蛍光体含有アクリルコート材を塗布し、乾燥させることによって光学形状部６Ａの表面に蛍光体薄膜６Ｂを設ける。この後、Ｖ溝３Ａに沿ってＡｌ_２Ｏ_３基板３を分割することにより、ＬＥＤ１を分離する。

（ＬＥＤ１の動作）
以下に、第１の実施の形態の動作について説明する。図示しない電源部から回路パターン４Ａを介して通電することにより、ＬＥＤ素子２の電極を介して発光層に通電される。発光層は、通電に基づいて発光して青色光を生じる。この青色光は、ＧａＮ系半導体層からサファイア基板を介してガラス封止部６に入射し、光学形状部６Ａに至る。光学形状部６Ａに至った青色光は蛍光体薄膜６Ｂに入射する。蛍光体薄膜６Ｂに含有された蛍光体は、青色光の照射に基づいて励起されて黄色光を放射する。この黄色光と青色光とが混合されることにより白色光を生じ、蛍光体薄膜６Ｂから外部放射される。

（第１の実施の形態の効果）
上記した第１の実施の形態によると、以下の効果が得られる。

（１）ＬＥＤ素子２は、半球状の光学形状部６Ａを有したガラス封止部６で封止されるので、ＬＥＤ素子２の自発熱や自発光による封止部材の劣化を生じることなくＬＥＤ素子２の封止性に優れ、長期にわたって輝度の安定したＬＥＤ１が得られる。また、ガラス封止部６とＡｌ_２Ｏ_３基板３とは、樹脂封止する場合と異なり、熱膨張率が同等であるため接合性が高い。このため、高い信頼性を備えた小型のＬＥＤ１を具現化することができる。

（２）ＬＥＤ素子２の光取り出し面から蛍光体薄膜６Ｂに適度な距離を持たせ、蛍光体薄膜６Ｂは均一な膜厚なので、小型ＬＥＤとしても蛍光体分散型のように蛍光体層内での光路長差による色むらの発生を抑制することができる。すなわち、蛍光体分散型では、光路長の大なる光は蛍光体層を透過する距離が大になるので黄色寄りに変化し、光路長の小なる光は蛍光体層を透過する距離が小なので青色が強くなるが、本実施の形態では光学形状部６Ａの表面に薄膜状に均一な厚さの蛍光体層を設けることで上記した光路長の差を解消できる。

光学形状は、略半球形状とすることでＬＥＤ素子２から蛍光体薄膜６Ｂまでの距離を適度に取り、ＬＥＤ素子２が発するどの方向の光に対しても光学形状部６Ａへの入射角が垂直を中心に略均一となるようにしてある。このような構成によって光学形状部６Ａでの界面反射損失を最も小さくすることができるので、光学形状部６Ａの表面や蛍光体薄膜６Ｂで反射された光がＬＥＤ素子２で再吸収されることがない。更に、蛍光体６Ｂへの入射角に大きな差が生ぜず、そのことによって色むらの発生を防止できる。また、ＬＥＤ１のサイズが小さくても、色むらや効率低下が生じないものとでき、蛍光体使用量を少なくできることから、部材費低減を図ることができる。

（３）基板上に形成された複数のＬＥＤ１に対し、蛍光体を含有したアクリルコート材の塗布に基づいて蛍光体薄膜６Ｂを形成するので、複数のＬＥＤ１に対し良質の蛍光体薄膜６Ｂを容易に形成でき、生産性に優れる。また、アクリルは耐光性に優れるため、蛍光体薄膜の劣化も生じない。

なお、第１の実施の形態の実施の形態では、Ｖ溝３Ａを有したＡｌ_２Ｏ_３基板３を用いてＬＥＤ１の形成後に分割するようにしたが、例えば、ダイサーによるダイシング加工によってＬＥＤ１を分割するようにしても良い。また、Ａｌ_２Ｏ_３基板３上に実装されるＬＥＤ素子２についてもＧａＮ系ＬＥＤ素子に限定されず、ＧａＰ系、ＧａＡｓ系のＬＥＤ素子であっても良い。蛍光体についても同様であり、使用するＬＥＤ素子の発光波長に基づいて励起可能な蛍光体を選択して用いることができる。

光学形状部６Ａは集光を目的としたものではなく、高効率で色むらなく外部放射するためのものである。集光特性が必要な場合には、ＬＥＤ１をさらに樹脂モールドするなどして集光光学系を設ければ良い。

ＬＥＤ１の光学形状部の幅とＬＥＤ素子２の幅とのサイズ比は、封止材料、基板との接合強度および加工方法条件によるダメージ等とも関係するが、５以下で形成することが好ましい。

（第２の実施の形態）
図３は、本発明の第２の実施の形態に係る発光装置の縦断面図である。以下の説明において、第１の実施の形態と同一の構成および機能を有する部分については同一の符号を付している。

（全体の構成）
このＬＥＤ１は、光学形状部６Ａの表面に第１の実施の形態で説明した蛍光体薄膜６Ｂに代えて、蛍光体含有ガラス層６Ｃを設けた構成において第１の実施の形態と相違している。

（各部の構成）
蛍光体含有ガラス層６Ｃは、平均外径１０μｍの蛍光体粒子と、平均外径１０μｍのフッ化物低融点ガラス粒子とを混合した混合材料（融点約３００℃）からなり、この混合材料を光学形状部６Ａの形成されたガラス封止部６に対し、ガラス封止部６を３００℃に加熱し、更に電圧印加して静電塗装した後に３５０℃で加熱処理することによってガラス封止部６の表面に一体的に形成されている。

（第２の実施の形態の効果）
上記した第２の実施の形態によると、ガラス封止状態であるので、加熱状態で電圧印加することによる静電塗装が可能となり、ガラス封止部６の表面に蛍光体粒子とフッ化物低融点ガラス粒子とを混合した混合材料を静電付着させるので、第１の実施の形態の好ましい効果に加えて、凹凸形状のあるガラス封止部６の表面に混合材料を均一な膜厚で付着させることができ、熱融着による均一な膜厚の蛍光体含有ガラス層６Ｃを容易に形成することができる。また、フッ化物低融点ガラスによるフッ化物コートがガラス封止部６の表面に形成されるので、ＬＥＤ１の耐湿性をより向上させることができる。

なお、ガラス材料は熱膨張率差によりクラックが生じ易いが、略半球形状のガラス封止部６表面に、ガラス封止部６より熱膨張率の大なるフッ化物低融点ガラスを融着させることで応力フリーになる溶融時から、常温にした際にクラックが生じ易い方向への応力が生じないようにしてある。つまり、圧縮方向への応力のみで、引っ張り応力、せん断応力が生じない形状としてある。この際、蛍光体粒子を含んだフッ化物低融点ガラスが、ガラス封止部６以上の熱膨張率である必要がある。

（第３の実施の形態）
図４は、本発明の第３の実施の形態に係る発光装置の縦断面図である。

（全体の構成）
このＬＥＤ１は、光学形状部６Ａの表面に蛍光体から放射された光のガラス封止部６への再入射を防ぐダイクロイックミラー６Ｄを設け、ダイクロイックミラー６Ｄの表面に蛍光体薄膜６Ｂを設けた構成において第１の実施の形態と相違している。

（各部の構成）
ダイクロイックミラー６Ｄは、ＴｉＯ_２膜およびＳｉＯ_２膜を交互に積層して多層化することによって形成されており、５００ｎｍ以下の光を透過し、５００ｎｍ以上の光を反射する。このことよりダイクロイックミラー６ＤはＬＥＤ素子２の発する４７０ｎｍの青色光は透過するが、蛍光体薄膜６Ｂの蛍光体が発する黄色光については反射することにより、ガラス封止部６への入射を防ぐ。

（第３の実施の形態の効果）
上記した第３の実施の形態によると、蛍光体薄膜６Ｂと光学形状部６Ａとの間にダイクロイックミラー６Ｄを設けているので、蛍光体薄膜６Ｂで生じた黄色光がガラス封止部６に再入射し、さらにＬＥＤ素子２に吸収されることによるＬＥＤ素子２の発光効率低下を防ぐことができ、第１の実施の形態の好ましい効果に加えて高輝度化を実現することができる。なお、ＴｉＯ_２膜およびＳｉＯ_２膜は、耐湿コートとしての効果もあるので、耐湿性のやや劣る封止ガラス材料を用いたものでも耐湿性の高い発光装置とすることができる。

（第４の実施の形態）
第４の実施の形態として、第３の実施の形態で説明したＬＥＤ１の光学形状部６Ａ上にスパッタリングで蛍光体薄膜６Ｂを形成した。

（第４の実施の形態の効果）
上記した第４の実施の形態によると、スパッタリングで蛍光体薄膜６Ｂを形成することにより、蛍光体濃度の高い蛍光体薄膜６Ｂを精度良く形成することができ、第３の実施の形態と同様の好ましい効果を得ることができる。特に、第３の実施の形態と比較し、蛍光体濃度が高いため、蛍光体薄膜６Ｂで生じた黄色光がガラス封止部６方向へ放射され易いが、蛍光体から黄色光がガラス封止部６側へ放射されてもダイクロイックミラー６Ｄで反射されるので、青色光との混合が促進されて色むらのない白色光を得ることができる。

（第５の実施の形態）
図５は、本発明の第５の実施の形態に係るＬＥＤを示し、（ａ）はＬＥＤの平面図、（ｂ）は（ａ）のＬＥＤをＢ−Ｂ部で切断した断面図である。

（全体の構成）
このＬＥＤ１は、Ａｌ_２Ｏ_３基板３上に発光中心波長が３７０ｎｍの紫外光ＬＥＤ素子２を光源とする３列×３＝９個の複数の発光部１０を有し、複数の発光部１０の表面を覆うようにダイクロイックミラー６Ｄを設け、さらにその表面に蛍光体薄膜６Ｂを設けた構成において第３の実施の形態と相違している。

（各部の構成）
Ａｌ_２Ｏ_３基板３は、複数のＬＥＤ素子２から発せられる熱を基板外へ放熱するための銅箔からなる放熱パターン４Ｄを有する。

蛍光体薄膜６Ｂは、ＬＥＤ素子２から放射される紫外光によって励起されるＲＧＢ蛍光体を所定の割合で含有しており、励起に基づいて生じたＲ，Ｇ，Ｂの可視光の混合に基づいて白色光を生じる。

ダイクロイックミラー６Ｄは、Ｔａ_２Ｏ_５膜およびＳｉＯ_２膜を交互に積層して多層化することによって形成されており、ＬＥＤ素子２から放射される紫外光を透過し、蛍光体薄膜６Ｂの蛍光体が発するＲ，Ｇ，Ｂの可視光については反射することにより、ガラス封止部６への入射を防ぐ。なお、紫外光の吸収を抑えるためにＴａ_２Ｏ_５に代えてＨｆＯ_２を用いても良い。

（第５の実施の形態の効果）
上記した第５の実施の形態によると、発光効率に優れる紫外光ＬＥＤ素子２とＲＧＢ蛍光体を含有した蛍光体薄膜６Ｂとを用いて複数の発光部１０をＡｌ_２Ｏ_３基板３上に形成したので、第３の実施の形態の好ましい効果に加えて演色性の付加された白色光を高輝度で放射させることができる。このように紫外光ＬＥＤ素子２を用いる構成であっても、ガラス封止部６によって封止されているので封止材の劣化が生じず、発光効率に優れる紫外光ＬＥＤ素子２を光源として、長期にわたって信頼性に優れるＬＥＤ１が得られる。なお、第５の実施の形態では、９個の発光部１０をＡｌ_２Ｏ_３基板３上に形成したＬＥＤ１を説明したが、９個以外の個数で形成しても良い。

（第６の実施の形態）
図６は、本発明の第６の実施の形態に係るＬＥＤランプを示し、（ａ）はＬＥＤランプの縦断面図、（ｂ）はＬＥＤランプに搭載される発光部の縦断面図である。

（全体の構成）
このＬＥＤランプ１００は、ナイロン樹脂で形成されるケース２０と、ケース２０に設けられる凹部の底部の素子搭載面２１に実装される発光部１０と、ケース２０の開口部を覆うとともにＲＧＢ蛍光体を含有した蛍光体薄膜２２Ａを積層されたダイクロイックミラー２３とを有し、ダイクロイックミラー２３は、可視光を透過し、紫外光を反射するように構成されている。発光部１０は、光源としての紫外光ＬＥＤ素子２と、光学形状部６Ａに紫外光を透過し、可視光を反射するダイクロイックミラー６Ｄとを有する。

ケース２０は、素子搭載面２１に連続して開口部方向に曲面で形成される反射面２２と、ケース２０の底面に設けられる外部回路接続用の回路パターン２４Ａと、素子搭載面２１に設けられて発光部１０の実装用回路パターン２４Ｂと、回路パターン２４Ａと回路パターン２４Ｂとを接続する内部配線パターン２４Ｃとを有する。

（ＬＥＤランプ１００の動作）
以下に、第６の実施の形態の動作について説明する。図示しない電源部から回路パターン２４Ａを介して通電することにより、ＬＥＤ素子２の電極を介して発光層に通電される。発光層は、通電に基づいて発光して紫外光を生じる。この紫外光は、ＧａＮ系半導体層からサファイア基板を介してガラス封止部６に入射し、光学形状部６Ａに至る。光学形状部６Ａに至った紫外光は、ダイクロイックミラー６Ｄを透過して発光部１０の外部に放射される。発光部１０の側面方向に放射された光は、反射面２２の表面に設けられる蛍光体薄膜２２Ａに入射し、ＲＧＢ蛍光体を励起するとともに反射面２２の形状に応じた方向に反射される。このＲＧＢ蛍光体の反射光が発光部１０のダイクロイックミラー６Ｄを透過した紫外光と混合されることによって生じた可視光は、ダイクロイックミラー２３を透過してケース外部に放射される。

また、発光部１０の上方に放射された紫外光は、ケース２０を覆う蛍光体薄膜２２Ａに入射し、ＲＧＢ蛍光体を励起する。ＲＧＢ蛍光体から放射される励起光が、発光部１０のダイクロイックミラー６Ｄを透過した紫外光と混合されることにより生じた可視光は、ダイクロイックミラー２３を透過してケース外部に放射される。

（第６の実施の形態の効果）
上記した第６の実施の形態によると、蛍光体薄膜２２Ａを発光部１０とは別のケース側に設ける構成としても、色むらを生じることなく信頼性に優れる高輝度のＬＥＤランプ１００が得られる。なお、第６の実施の形態で説明した紫外光ＬＥＤ素子２を青色光ＬＥＤ素子２とし、蛍光体薄膜２２Ａに含まれるＲＧＢ蛍光体をＹＡＧ等の黄色蛍光体として白色光を外部放射させる構成としても良い。

本発明の第１の実施の形態に係る発光装置としてのＬＥＤを示し、（ａ）は発光装置の縦断面図、（ｂ）はガラス封止部の表面における光の放射を示す概略図である。（ａ）から（ｅ）は、第１の実施の形態のＬＥＤの製造工程を示す概略図である。本発明の第２の実施の形態に係る発光装置の縦断面図である。本発明の第３の実施の形態に係る発光装置の縦断面図である。本発明の第５の実施の形態に係るＬＥＤを示し、（ａ）はＬＥＤの平面図、（ｂ）は（ａ）のＬＥＤをＢ−Ｂ部で切断した断面図である。本発明の第６の実施の形態に係るＬＥＤランプを示し、（ａ）はＬＥＤランプの縦断面図、（ｂ）はＬＥＤランプに搭載される発光部の縦断面図である。

符号の説明

１…ＬＥＤ、２…ＬＥＤ素子、３…Ａｌ_２Ｏ_３基板、３Ａ…Ｖ溝、４Ａ…回路パターン、４Ｂ…回路パターン、４Ｃ…ビアパターン、４Ｄ…放熱パターン、５…Ａｕバンプ、６…ガラス封止部、６Ｄ…ダイクロイックミラー、６Ａ…光学形状部、６Ｂ…蛍光体薄膜、６Ｃ…蛍光体含有ガラス層、１０…発光部、２０…ケース、２１…素子搭載面、２２…反射面、２２Ａ…蛍光体薄膜、２３…ダイクロイックミラー、２４Ａ…回路パターン、２４Ｂ…回路パターン、２４Ｃ…内部配線パターン、６０…低融点ガラス、１００…ＬＥＤランプ

Claims

所定の回路パターンが形成された無機材料基板に複数の発光素子を搭載する素子搭載ステップと、
ホットプレス加工が可能なガラスを前記基板上に配置するガラス配置ステップと、
前記ガラスにホットプレス加工を施して前記複数の発光素子を封止する略半球形状のガラス封止部を形成する封止部形成ステップと、
蛍光体粒子と前記ガラス封止部より大なる熱膨張率を有するガラス粒子の混合材料を、前記ガラス封止部上に静電塗装した後、所定の温度で加熱処理することにより蛍光体膜を形成する蛍光体膜形成ステップと、
前記無機材料基板、前記ガラス封止部、及び前記蛍光体膜を前記複数の発光素子毎に対応して分割する分割ステップと、
を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。
前記複数の発光素子は、フリップチップ実装型で前記無機材料基板に搭載され、
前記ガラス封止部は、半球状になっていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置の製造方法。
前記無機材料基板は、Ａｌ_２Ｏ_３基板であることを特徴とする請求項１あるいは２に記載の発光装置の製造方法。