JP2004296999A - 発光ダイオード - Google Patents
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Abstract
【課題】蛍光体で波長変換された光の取出し効率を向上させることのできる高輝度な発光ダイオードを実現することにある。
【解決手段】透光性基板20の底面20aにLEDチップ22を接続すると共に、上記LEDチップ22を透光性のコーティング材26によって被覆・封止し、また、上記コーティング材26の外表面26aに、その略全面に亘って、LEDチップ22から発光される紫外光等の光を、所定波長の可視光等の光に変換する波長変換用の蛍光体層28を被着形成し、以て、透光性基板20の底面20aに接続された上記LEDチップ22と、コーティング材26の外表面26aに形成された蛍光体層28とを、所定の間隔を設けた状態で対向配置した。
【選択図】 図1
【解決手段】透光性基板20の底面20aにLEDチップ22を接続すると共に、上記LEDチップ22を透光性のコーティング材26によって被覆・封止し、また、上記コーティング材26の外表面26aに、その略全面に亘って、LEDチップ22から発光される紫外光等の光を、所定波長の可視光等の光に変換する波長変換用の蛍光体層28を被着形成し、以て、透光性基板20の底面20aに接続された上記LEDチップ22と、コーティング材26の外表面26aに形成された蛍光体層28とを、所定の間隔を設けた状態で対向配置した。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、発光ダイオードチップ(LEDチップ)の発光を、所定波長の光に変換する波長変換用の蛍光体を備えた発光ダイオード(LED)に係り、特に、蛍光体で波長変換された光の取出し効率を向上させることのできる高輝度な発光ダイオードに関する。
【0002】
【従来の技術】
波長変換用の蛍光体を備えた従来の発光ダイオード60は、図11に示すように、発光ダイオードチップ搭載用の第1のリードフレーム62の先端部62aに、その底面から上方に向かって孔径が徐々に拡大する略漏斗形状の凹部を設けると共に該凹部内面を反射面と成してリフレクタ64を形成し、該リフレクタ64の底面に発光ダイオードチップ(以下、LEDチップと称する)66をAgペースト等を介してダイボンドすることにより、上記第1のリードフレーム62と、LEDチップ66底面の一方の電極(図示せず)とを電気的に接続している。また、第2のリードフレーム68の先端部68aと、上記LEDチップ66上面の他方の電極(図示せず)とをボンディングワイヤ70を介して電気的に接続して成る。
【0003】
上記LEDチップ66の上面及び側面は、リフレクタ64内に充填された透光性エポキシ樹脂等のコーティング材72によって被覆・封止されており、また、上記コーティング材72中には、LEDチップ66から発光された紫外光等の光を所定波長の可視光等の光に変換する波長変換用の蛍光体74が分散状態で多数混入されている。
さらに、コーティング材72で被覆された上記LEDチップ66、第1のリードフレーム62の先端部62a及び端子部62bの上端、第2のリードフレーム68の先端部68a及び端子部68bの上端は、エポキシ樹脂等より成り、先端に凸レンズ部76を有する透光性の外囲器78によって被覆・封止されている。
【0004】
而して、上記第1のリードフレーム62及び第2のリードフレーム68を介してLEDチップ66に電圧が印加されると、LEDチップ66が発光して紫外光等の光が放射され、この光が上記コーティング材72中の蛍光体74に照射されることにより、所定波長の可視光等の光に波長変換され、波長変換された光が外囲器78の凸レンズ部76で集光されて外部へ放射されるようになっている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来のLED60にあっては、蛍光体74で波長変換された光は、コーティング材72中の蛍光体74を透過する透過光となるため、コーティング材72内部を透過してコーティング材72外部へ出射するまでの間に、その一部が蛍光体74によって吸収されてしまい、光の取出し効率が良好ではなかった。
【0006】
この発明は、従来の上記問題点に鑑みて案出されたものであり、その目的とするところは、蛍光体で波長変換された光の取出し効率を向上させることのできる高輝度な発光ダイオードを実現することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明に係る発光ダイオードは、透光性基板の一面にLEDチップを配置し、該LEDチップを透光性のコーティング材で封止すると共に、上記コーティング材の外表面に蛍光体層を形成し、以て、上記LEDチップと上記蛍光体層とを所定の間隔で対向配置したことを特徴とする。
【0008】
本発明の発光ダイオードにあっては、LEDチップとコーティング材の外表面に形成した蛍光体層とを所定の間隔で対向配置しているので、蛍光体で波長変換される光を、上記蛍光体層で反射された反射光として取り出し、この反射光をLEDチップの配置された透光性基板から外部へ放射できる。このため、蛍光体74で波長変換される光を透過光として取り出していた従来の発光ダイオード60に比べ、光の取出し効率が向上し、高輝度化を図ることができる。
【0009】
上記蛍光体層の外面に反射層を形成しても良い。上記反射層を形成した場合には、蛍光体層で波長変換された光の一部が蛍光体層を透過したとしても、上記反射層によって透過光を反射して、LEDチップの配置された透光性基板側へ導くことができる。
【0010】
また、本発明に係る他の発光ダイオードは、第1の透光性基板の一面にLEDチップを配置し、該LEDチップを透光性のコーティング材で封止すると共に、上記コーティング材の外表面に蛍光体層を形成し、以て、上記LEDチップと上記蛍光体層とを所定の間隔で対向配置し、また、上記蛍光体層の外表面側に第2の透光性基板を配置し、さらに、上記蛍光体層の厚さを、該蛍光体層で波長変換された光の一部が透過できる厚さに設定したことを特徴とする。
【0011】
本発明の他の発光ダイオードにあっては、LEDチップとコーティング材の外表面に形成した蛍光体層とを所定の間隔で対向配置しているので、蛍光体で波長変換される光を、上記蛍光体層で反射された反射光として取り出し、この反射光をLEDチップの配置された第1の透光性基板から外部へ放射できる。このため、蛍光体74で波長変換される光を透過光として取り出していた従来の発光ダイオード60に比べ、光の取出し効率が向上し、高輝度化を図ることができる
また、蛍光体層の厚さを、該蛍光体層で波長変換された光の一部が透過できる厚さに設定しているので、蛍光体層で波長変換された光の一部は蛍光体層を透過し、該蛍光体層の外表面側に配置した第2の透光性基板から外部へ放射できる。このため、この発光ダイオードにあっては、第1の透光性基板及び第2の透光性基板の両面を発光させることができる。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づき、本発明に係る発光ダイオードの実施形態を説明する。
図1は、本発明に係る第1の発光ダイオード10を示すものであり、この第1の発光ダイオード10は、開口部を有する第1の枠部材12、第2の枠部材14、第3の枠部材16を有し、これら3つの枠部材12,14,16を、その外側面が略面一となるように積層一体化して成る。上記第1の枠部材12と第3の枠部材16の開口部の形状は略同一であるが、第2の枠部材14の開口部は、上記第1の枠部材12と第3の枠部材16の開口部より小さく成されているため、第2の枠部材14の内端部14aが、第1の枠部材12及び第3の枠部材16の開口部内に突出している。尚、上記第1の枠部材12、第2の枠部材14、第3の枠部材16は、セラミック等の絶縁材料で構成されている。
【0013】
また、上記第2の枠部材14の底面に、相互に絶縁された一対の外部電極端子18,18の一端側が配設されると共に、上記外部電極端子18,18の他端側が第3の枠部材16の側面及び底面に沿って配設されている。
さらに、第1の枠部材12の開口部内に突出した第2の枠部材14の内端部14a上に、サファイアより成る透光性基板20が配置されており、該透光性基板20によって、第2の枠部材14の開口部は閉塞されている。また、透光性基板20の底面20aには、LEDチップ22がエポキシ樹脂等の透光性接着剤を介して接続配置されている。上記透光性基板20は、サファイア以外に、ガラス等の透光性材料で構成することもできるが、サファイアは熱伝導率が大であるため、透光性基板20をサファイアで構成した場合には、LEDチップ22の発熱を効率良く放熱することができる。
【0014】
また、上記LEDチップ22底面の一方の電極(図示せず)と、第2の枠部材14の底面に配設された一方の外部電極端子18とがボンディングワイヤ24を介して電気的に接続されると共に、LEDチップ22底面の他方の電極(図示せず)と、第2の枠部材14の底面に配設された他方の外部電極端子18とがボンディングワイヤ24を介して電気的に接続されている。
上記LEDチップ22及びボンディングワイヤ24は、第2の枠部材14及び第3の枠部材16の開口部内に充填された透光性のコーティング材26によって被覆・封止されている。上記コーティング材22は、エポキシ樹脂やガラス等の透光性材料で構成することができる。
【0015】
また、上記コーティング材26の外表面26aには、その略全面に亘って、LEDチップ22から発光される紫外光等の光を、所定波長の可視光等の光に変換する波長変換用の蛍光体層28が被着形成されている。この結果、透光性基板20の底面20aに接続された上記LEDチップ22と、コーティング材26の外表面26aに形成された蛍光体層28とが、所定の間隔を設けた状態で対向配置されることとなる。
【0016】
上記蛍光体層28を構成する蛍光体としては、例えば以下の組成のものを用いることができる。
LEDチップ22の光を赤色可視光に変換する赤色発光用の蛍光体として、M2O2S:Eu(Mは、La、Gd、Yの何れか1種)、MgO・MgF2・GeO2:Mn、2MgO・2LiO2・Sb2O3:Mn、Y(P,V)O4:Eu、YVO4:Eu、(SrMg)3(PO4):Sn、Y2O3:Eu、CaSiO3:Pb,Mn等がある。
また、LEDチップ22の光を緑色可視光に変換する緑色発光用の蛍光体として、BaMg2Al16O27:Eu,Mn、Zn2SiO4:Mn、(Ce,Tb,Mn)MgAl11O19、LaPO4:Ce,Tb、(Ce,Tb)MgAl11O19、Y2SiO5:Ce,Tb、ZnS:Cu,Al、ZnS:Cu,Au,Al、(Zn,Cd)S:Cu,Al、SrAl2O4:Eu、SrAl2O4:Eu,Dy、Sr4Al14O25:Eu,Dy、Y3Al5O12:Tb、Y3(Al,Ga)5O12:Tb、Y3Al5O12:Ce、Y3(Al,Ga)5O12:Ce等がある。
更に、LEDチップ22の光を青色可視光に変換する青色発光用の蛍光体として、(SrCaBa)5(PO4)3Cl:Eu、BaMg2Al16O27:Eu、(SrMg)2P2O7:Eu、Sr2P2O7:Eu、Sr2P2O7:Sn、Sr5(PO4)3Cl:Eu、BaMg2Al16O27:Eu、CaWO4、CaWO4:Pb青色蛍光体、ZnS:Ag,Cl、ZnS:Ag,Al、(Sr,Ca,Mg)10(PO4)6Cl2:Eu等がある。
【0017】
上記赤色発光用の蛍光体、緑色発光用の蛍光体、青色発光用の蛍光体を適宜選択・混合して蛍光体層28を構成することで、種々の色の発色が可能である。例えば、紫外光を発光するLEDチップ24を用い、La2O2S:Euより成る赤色発光用の蛍光体と、LaPO4:Ce,Tbより成る緑色発光用の蛍光体と、(SrCaBa)5(PO4)3Cl:Euより成る青色発光用の蛍光体とを混合して上記蛍光体層28を構成すれば、白色光を得ることができる。
また、LEDチップ22が所定色の可視光を発光する場合には、LEDチップ22の発光色と蛍光体層28の発光色との混色を得ることができる。例えば、450nm〜480nmの青色可視光を発光するLEDチップ22を用いると共に、黄色発光用のYAG蛍光体で上記蛍光体層28を構成すれば、LEDチップ22の青色発光と蛍光体層28の黄色発光とが混色して白色光を得ることができる。
【0018】
而して、上記一対の外部電極端子18,18を介してLEDチップ22に電圧が印加されると、LEDチップ22が発光して紫外光等の光が放射され、この光が、上記LEDチップ22と対向配置されたコーティング材外表面26aの蛍光体層28に照射されることにより、所定波長の可視光等の光に波長変換される。波長変換された光は、蛍光体層28で反射されて透光性基板20側に導かれ、該透光性基板20を透過して外部へ放射されるようになっている。
【0019】
上記第1の発光ダイオード10にあっては、LEDチップ22と蛍光体層28とを、所定の間隔を設けた状態で対向配置したので、蛍光体で波長変換される光を、蛍光体層28で反射された反射光として取り出すことができる。このため、蛍光体74で波長変換される光を透過光として取り出していた従来の発光ダイオード60に比べ、光の取出し効率が向上し、高輝度化を図ることができる。
尚、上記第1の発光ダイオード10は、第3の枠部材16の底面が平坦面と成されているため、第3の枠部材16底面に配設された一対の外部電極端子18,18を半田付けすることによって、図示しない回路基板への表面実装が可能である。
【0020】
図2は、本発明に係る第2の発光ダイオード30を示すものであり、この第2の発光ダイオード30は、上記蛍光体層28の外表面28aの略全面に亘って、反射層32を形成した点に特徴を有し、その他の構成は、上記第1の発光ダイオード10と実質的に同じである。
上記反射層32は光反射率の高い材料で構成され、例えば、銀やアルミニウム等の光反射率の高い金属、銀やアルミニウム等の光反射率の高い金属の粉粒を重量比80%以下で混合した樹脂、或いは、光反射効率が良好な白色の樹脂等で構成することができる。
【0021】
而して、上記の通り蛍光体層28で波長変換された光は、蛍光体層28で反射されて、透光性基板20側に導かれるが、蛍光体層28が薄膜状に形成されている場合には、波長変換された光の一部が蛍光体層28を透過して外部へ漏出することがある。しかしながら、上記第2の発光ダイオード30にあっては、蛍光体層28の外表面28aに反射層32を形成しているので、蛍光体層28を透過した光を反射して透光性基板20側へ導くことができ、輝度向上を図ることができる。
【0022】
以下において、上記第2の発光ダイオード30の製造方法の一例を、図3乃至図9に基づいて説明する。
先ず、図3に示すように、第1の枠部材12、底面に一対の外部電極端子18,18の一端側が接続された第2の枠部材14、及び第3の枠部材16を、図示しない接着剤を介して、その外側面が略面一となるように積層一体化し、その後、上記外部電極端子18,18の他端側を折曲げ加工して、第3の枠部材16の側面及び底面に沿って配設する(図4)。
【0023】
次に、第1の枠部材12の開口部内に突出した第2の枠部材14の内端部14a上に、透光性基板20を図示しない半田や接着剤等を介して接続する(図5)。
その後、図6に示すように、第1乃至第3の枠部材12,14,16の積層体の上下を逆にし、透光性基板20の底面20aが上向きに配置された状態で、LEDチップ22を、透光性接着剤(図示せず)を介して透光性基板20の底面20aに接続する。また、LEDチップ22底面の一方の電極(図示せず)と一方の外部電極端子18とをボンディングワイヤ24を介して電気的に接続すると共に、LEDチップ22底面の他方の電極(図示せず)と他方の外部電極端子18とをボンディングワイヤ24を介して電気的に接続する。
【0024】
次に、第2の枠部材14及び第3の枠部材16の開口部内に、未硬化状態のコーティング材26を所定量充填した後、該コーティング材26を硬化させてLEDチップ22及びボンディングワイヤ24を被覆・封止する(図7)。
その後、コーティング材26の外表面26aに、蛍光体が混入された未硬化状態の樹脂や無機結合剤を被着した後、硬化させて蛍光体層28を形成する(図8)。因みに、この段階で上記第1の発光ダイオード10が完成することとなる。
第2の発光ダイオード30を製造する場合には、さらに図9に示すように、蛍光体層28の外表面28aの略全面に亘って反射層32を形成する。具体的には、光反射率の高い未硬化状態の材料(例えば、光反射効率が良好な白色樹脂、銀やアルミニウム等の光反射率の高い金属の粉粒を重量比80%以下で混合した樹脂等)を、蛍光体層28の外表面28aに被着後硬化させたり、或いは、光反射率の高い銀やアルミニウム等より成る金属箔を、蛍光体層28の外表面28aに接着剤等を介して被着すれば良い。
【0025】
図10は、本発明に係る第3の発光ダイオード34を示すものであり、この第3の発光ダイオード34は、開口部を有する第1の枠部材36、第2の枠部材38、第3の枠部材40、第4の枠部材42を有し、これら4つの枠部材36,38,40,42を、その外側面が略面一となるように積層一体化して成る。
上記第2の枠部材38の開口部は、第1の枠部材36、第3の枠部材40の開口部より小さく成されているため、第2の枠部材38の内端部38aが、第1の枠部材36及び第3の枠部材40の開口部内に突出している。また、第3の枠部材40の開口部は、第4の枠部材42の開口部より小さく成されているため、第3の枠部材40の内端部40aが、第4の枠部材42の開口部内に突出している。尚、上記第1の枠部材36、第2の枠部材38、第3の枠部材40、第4の枠部材42は、セラミック等の絶縁材料で構成されている。
また、相互に絶縁された一対の外部電極端子44,44が、第2の枠部材38の底面、第1の枠部材36の上面、4つの枠部材36,38,40,42外側面、第4の枠部材42の底面に沿って配設されている。
【0026】
さらに、第1の枠部材36の開口部内に突出した第2の枠部材38の内端部38a上に、サファイアより成る第1の透光性基板45が配置されており、該第1の透光性基板45によって、第2の枠部材38の開口部は閉塞されている。また、第1の透光性基板45の底面45aには、LEDチップ22がエポキシ樹脂等の透光性接着剤を介して接続されている。
また、上記LEDチップ22底面の一方の電極(図示せず)と、第2の枠部材38の底面に配設された一方の外部電極端子44とがボンディングワイヤ24を介して電気的に接続されると共に、LEDチップ22底面の他方の電極(図示せず)と、第2の枠部材38の底面に配設された他方の外部電極端子44とがボンディングワイヤ24を介して電気的に接続されている。
【0027】
上記LEDチップ22及びボンディングワイヤ24は、第2の枠部材38及び第3の枠部材40の開口部内に充填された透光性のコーティング材26によって被覆・封止されている。
また、上記コーティング材26の外表面26aには、その略全面に亘って、LEDチップ22から発光される紫外光等の光を、所定波長の可視光等の光に変換する波長変換用の蛍光体層46が被着形成されている。この結果、透光性基板20の底面20aに接続された上記LEDチップ22と、コーティング材26の外表面26aに形成された蛍光体層46とが、所定の間隔を設けた状態で対向配置されることとなる。
【0028】
さらに、第4の枠部材42の開口部内に突出した第3の枠部材40の内端部40a上に、サファイアより成る第2の透光性基板48を配置し、以て、上記蛍光体層46の外表面46a側に第2の透光性基板48を配置して成る。
【0029】
尚、第3の発光ダイオード34の蛍光体層46は、上記第1の発光ダイオード10及び第2の発光ダイオード30の蛍光体層28に比べて、厚さが薄く成されている。
すなわち、第1の発光ダイオード10及び第2の発光ダイオード30の蛍光体層28は、その厚さが、100μm〜300μm程度であるのに対し、第3の発光ダイオード34の蛍光体層46は、その厚さが、30μm〜100μm程度である。
この第3の発光ダイオード34にあっては、後述する通り、蛍光体層46で波長変換された光の一部は、該蛍光体層46を透過させて第2の透光性基板48側からも取り出すように構成しているため、上記蛍光体層46の厚さは、波長変換された光の一部が透過できる厚さに設定されている。
因みに、蛍光体層46の厚さが薄いほど、蛍光体層46を透過する光の量は増加するため、上記蛍光体層46の厚さを適宜調整することにより、蛍光体層46を透過する光の量を任意に制御することができる。
【0030】
而して、上記一対の外部電極端子44,44を介してLEDチップ22に電圧が印加されると、LEDチップ22が発光して紫外光等の光が放射され、この光が、上記LEDチップ22と対向配置されたコーティング材外表面26aの蛍光体層46に照射されることにより、所定波長の可視光等の光に波長変換される。波長変換された光は、蛍光体層46で反射されて第1の透光性基板45側に導かれ、該第1の透光性基板45を透過して外部へ放射されるようになっている。
また、蛍光体層46の厚さを、該蛍光体層46で波長変換された光の一部が透過できる厚さに設定しているので、蛍光体層46で波長変換された光の一部は蛍光体層46を透過し、さらに、上記蛍光体層46の外表面46a側に配置した第2の透光性基板48を透過して外部へ放射されるようになっている。
【0031】
上記第3の発光ダイオード34にあっては、LEDチップ22と蛍光体層46とを、所定の間隔を設けた状態で対向配置したので、蛍光体で波長変換される光を、蛍光体層46で反射された反射光として取り出すことができる。このため、蛍光体74で波長変換される光を透過光として取り出していた従来の発光ダイオード60に比べ、光の取出し効率が向上し、高輝度化を図ることができる。
また、上記の通り、蛍光体層46で波長変換された光の一部については、蛍光体層46及び該蛍光体層46の外表面46a側に配置した第2の透光性基板48を透過させて外部へ取り出しているため、第3の発光ダイオード34の上下両面を発光させることが可能となる。
【0032】
【発明の効果】
本発明の発光ダイオードにあっては、LEDチップとコーティング材の外表面に形成した蛍光体層とを所定の間隔で対向配置しているので、蛍光体で波長変換される光を、上記蛍光体層で反射された反射光として取り出し、この反射光をLEDチップの配置された透光性基板から外部へ放射できる。このため、蛍光体74で波長変換される光を透過光として取り出していた従来の発光ダイオード60に比べ、光の取出し効率が向上し、高輝度化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る第1の発光ダイオードを示す概略断面図である。
【図2】本発明に係る第2の発光ダイオードを示す概略断面図である。
【図3】第2の発光ダイオードの製造方法を示す説明図である。
【図4】第2の発光ダイオードの製造方法を示す説明図である。
【図5】第2の発光ダイオードの製造方法を示す説明図である。
【図6】第2の発光ダイオードの製造方法を示す説明図である。
【図7】第2の発光ダイオードの製造方法を示す説明図である。
【図8】第2の発光ダイオードの製造方法を示す説明図である。
【図9】第2の発光ダイオードの製造方法を示す説明図である。
【図10】本発明に係る第3の発光ダイオードを示す概略断面図である。
【図11】従来の発光ダイオードを示す概略断面図である。
【符号の説明】
10 第1の発光ダイオード
20 透光性基板
22 LEDチップ
26 コーティング材
28 蛍光体層
30 第2の発光ダイオード
32 反射層
34 第3の発光ダイオード
45 第1の透光性基板
46 蛍光体層
48 第2の透光性基板
【発明の属する技術分野】
この発明は、発光ダイオードチップ(LEDチップ)の発光を、所定波長の光に変換する波長変換用の蛍光体を備えた発光ダイオード(LED)に係り、特に、蛍光体で波長変換された光の取出し効率を向上させることのできる高輝度な発光ダイオードに関する。
【0002】
【従来の技術】
波長変換用の蛍光体を備えた従来の発光ダイオード60は、図11に示すように、発光ダイオードチップ搭載用の第1のリードフレーム62の先端部62aに、その底面から上方に向かって孔径が徐々に拡大する略漏斗形状の凹部を設けると共に該凹部内面を反射面と成してリフレクタ64を形成し、該リフレクタ64の底面に発光ダイオードチップ(以下、LEDチップと称する)66をAgペースト等を介してダイボンドすることにより、上記第1のリードフレーム62と、LEDチップ66底面の一方の電極(図示せず)とを電気的に接続している。また、第2のリードフレーム68の先端部68aと、上記LEDチップ66上面の他方の電極(図示せず)とをボンディングワイヤ70を介して電気的に接続して成る。
【0003】
上記LEDチップ66の上面及び側面は、リフレクタ64内に充填された透光性エポキシ樹脂等のコーティング材72によって被覆・封止されており、また、上記コーティング材72中には、LEDチップ66から発光された紫外光等の光を所定波長の可視光等の光に変換する波長変換用の蛍光体74が分散状態で多数混入されている。
さらに、コーティング材72で被覆された上記LEDチップ66、第1のリードフレーム62の先端部62a及び端子部62bの上端、第2のリードフレーム68の先端部68a及び端子部68bの上端は、エポキシ樹脂等より成り、先端に凸レンズ部76を有する透光性の外囲器78によって被覆・封止されている。
【0004】
而して、上記第1のリードフレーム62及び第2のリードフレーム68を介してLEDチップ66に電圧が印加されると、LEDチップ66が発光して紫外光等の光が放射され、この光が上記コーティング材72中の蛍光体74に照射されることにより、所定波長の可視光等の光に波長変換され、波長変換された光が外囲器78の凸レンズ部76で集光されて外部へ放射されるようになっている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来のLED60にあっては、蛍光体74で波長変換された光は、コーティング材72中の蛍光体74を透過する透過光となるため、コーティング材72内部を透過してコーティング材72外部へ出射するまでの間に、その一部が蛍光体74によって吸収されてしまい、光の取出し効率が良好ではなかった。
【0006】
この発明は、従来の上記問題点に鑑みて案出されたものであり、その目的とするところは、蛍光体で波長変換された光の取出し効率を向上させることのできる高輝度な発光ダイオードを実現することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明に係る発光ダイオードは、透光性基板の一面にLEDチップを配置し、該LEDチップを透光性のコーティング材で封止すると共に、上記コーティング材の外表面に蛍光体層を形成し、以て、上記LEDチップと上記蛍光体層とを所定の間隔で対向配置したことを特徴とする。
【0008】
本発明の発光ダイオードにあっては、LEDチップとコーティング材の外表面に形成した蛍光体層とを所定の間隔で対向配置しているので、蛍光体で波長変換される光を、上記蛍光体層で反射された反射光として取り出し、この反射光をLEDチップの配置された透光性基板から外部へ放射できる。このため、蛍光体74で波長変換される光を透過光として取り出していた従来の発光ダイオード60に比べ、光の取出し効率が向上し、高輝度化を図ることができる。
【0009】
上記蛍光体層の外面に反射層を形成しても良い。上記反射層を形成した場合には、蛍光体層で波長変換された光の一部が蛍光体層を透過したとしても、上記反射層によって透過光を反射して、LEDチップの配置された透光性基板側へ導くことができる。
【0010】
また、本発明に係る他の発光ダイオードは、第1の透光性基板の一面にLEDチップを配置し、該LEDチップを透光性のコーティング材で封止すると共に、上記コーティング材の外表面に蛍光体層を形成し、以て、上記LEDチップと上記蛍光体層とを所定の間隔で対向配置し、また、上記蛍光体層の外表面側に第2の透光性基板を配置し、さらに、上記蛍光体層の厚さを、該蛍光体層で波長変換された光の一部が透過できる厚さに設定したことを特徴とする。
【0011】
本発明の他の発光ダイオードにあっては、LEDチップとコーティング材の外表面に形成した蛍光体層とを所定の間隔で対向配置しているので、蛍光体で波長変換される光を、上記蛍光体層で反射された反射光として取り出し、この反射光をLEDチップの配置された第1の透光性基板から外部へ放射できる。このため、蛍光体74で波長変換される光を透過光として取り出していた従来の発光ダイオード60に比べ、光の取出し効率が向上し、高輝度化を図ることができる
また、蛍光体層の厚さを、該蛍光体層で波長変換された光の一部が透過できる厚さに設定しているので、蛍光体層で波長変換された光の一部は蛍光体層を透過し、該蛍光体層の外表面側に配置した第2の透光性基板から外部へ放射できる。このため、この発光ダイオードにあっては、第1の透光性基板及び第2の透光性基板の両面を発光させることができる。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づき、本発明に係る発光ダイオードの実施形態を説明する。
図1は、本発明に係る第1の発光ダイオード10を示すものであり、この第1の発光ダイオード10は、開口部を有する第1の枠部材12、第2の枠部材14、第3の枠部材16を有し、これら3つの枠部材12,14,16を、その外側面が略面一となるように積層一体化して成る。上記第1の枠部材12と第3の枠部材16の開口部の形状は略同一であるが、第2の枠部材14の開口部は、上記第1の枠部材12と第3の枠部材16の開口部より小さく成されているため、第2の枠部材14の内端部14aが、第1の枠部材12及び第3の枠部材16の開口部内に突出している。尚、上記第1の枠部材12、第2の枠部材14、第3の枠部材16は、セラミック等の絶縁材料で構成されている。
【0013】
また、上記第2の枠部材14の底面に、相互に絶縁された一対の外部電極端子18,18の一端側が配設されると共に、上記外部電極端子18,18の他端側が第3の枠部材16の側面及び底面に沿って配設されている。
さらに、第1の枠部材12の開口部内に突出した第2の枠部材14の内端部14a上に、サファイアより成る透光性基板20が配置されており、該透光性基板20によって、第2の枠部材14の開口部は閉塞されている。また、透光性基板20の底面20aには、LEDチップ22がエポキシ樹脂等の透光性接着剤を介して接続配置されている。上記透光性基板20は、サファイア以外に、ガラス等の透光性材料で構成することもできるが、サファイアは熱伝導率が大であるため、透光性基板20をサファイアで構成した場合には、LEDチップ22の発熱を効率良く放熱することができる。
【0014】
また、上記LEDチップ22底面の一方の電極(図示せず)と、第2の枠部材14の底面に配設された一方の外部電極端子18とがボンディングワイヤ24を介して電気的に接続されると共に、LEDチップ22底面の他方の電極(図示せず)と、第2の枠部材14の底面に配設された他方の外部電極端子18とがボンディングワイヤ24を介して電気的に接続されている。
上記LEDチップ22及びボンディングワイヤ24は、第2の枠部材14及び第3の枠部材16の開口部内に充填された透光性のコーティング材26によって被覆・封止されている。上記コーティング材22は、エポキシ樹脂やガラス等の透光性材料で構成することができる。
【0015】
また、上記コーティング材26の外表面26aには、その略全面に亘って、LEDチップ22から発光される紫外光等の光を、所定波長の可視光等の光に変換する波長変換用の蛍光体層28が被着形成されている。この結果、透光性基板20の底面20aに接続された上記LEDチップ22と、コーティング材26の外表面26aに形成された蛍光体層28とが、所定の間隔を設けた状態で対向配置されることとなる。
【0016】
上記蛍光体層28を構成する蛍光体としては、例えば以下の組成のものを用いることができる。
LEDチップ22の光を赤色可視光に変換する赤色発光用の蛍光体として、M2O2S:Eu(Mは、La、Gd、Yの何れか1種)、MgO・MgF2・GeO2:Mn、2MgO・2LiO2・Sb2O3:Mn、Y(P,V)O4:Eu、YVO4:Eu、(SrMg)3(PO4):Sn、Y2O3:Eu、CaSiO3:Pb,Mn等がある。
また、LEDチップ22の光を緑色可視光に変換する緑色発光用の蛍光体として、BaMg2Al16O27:Eu,Mn、Zn2SiO4:Mn、(Ce,Tb,Mn)MgAl11O19、LaPO4:Ce,Tb、(Ce,Tb)MgAl11O19、Y2SiO5:Ce,Tb、ZnS:Cu,Al、ZnS:Cu,Au,Al、(Zn,Cd)S:Cu,Al、SrAl2O4:Eu、SrAl2O4:Eu,Dy、Sr4Al14O25:Eu,Dy、Y3Al5O12:Tb、Y3(Al,Ga)5O12:Tb、Y3Al5O12:Ce、Y3(Al,Ga)5O12:Ce等がある。
更に、LEDチップ22の光を青色可視光に変換する青色発光用の蛍光体として、(SrCaBa)5(PO4)3Cl:Eu、BaMg2Al16O27:Eu、(SrMg)2P2O7:Eu、Sr2P2O7:Eu、Sr2P2O7:Sn、Sr5(PO4)3Cl:Eu、BaMg2Al16O27:Eu、CaWO4、CaWO4:Pb青色蛍光体、ZnS:Ag,Cl、ZnS:Ag,Al、(Sr,Ca,Mg)10(PO4)6Cl2:Eu等がある。
【0017】
上記赤色発光用の蛍光体、緑色発光用の蛍光体、青色発光用の蛍光体を適宜選択・混合して蛍光体層28を構成することで、種々の色の発色が可能である。例えば、紫外光を発光するLEDチップ24を用い、La2O2S:Euより成る赤色発光用の蛍光体と、LaPO4:Ce,Tbより成る緑色発光用の蛍光体と、(SrCaBa)5(PO4)3Cl:Euより成る青色発光用の蛍光体とを混合して上記蛍光体層28を構成すれば、白色光を得ることができる。
また、LEDチップ22が所定色の可視光を発光する場合には、LEDチップ22の発光色と蛍光体層28の発光色との混色を得ることができる。例えば、450nm〜480nmの青色可視光を発光するLEDチップ22を用いると共に、黄色発光用のYAG蛍光体で上記蛍光体層28を構成すれば、LEDチップ22の青色発光と蛍光体層28の黄色発光とが混色して白色光を得ることができる。
【0018】
而して、上記一対の外部電極端子18,18を介してLEDチップ22に電圧が印加されると、LEDチップ22が発光して紫外光等の光が放射され、この光が、上記LEDチップ22と対向配置されたコーティング材外表面26aの蛍光体層28に照射されることにより、所定波長の可視光等の光に波長変換される。波長変換された光は、蛍光体層28で反射されて透光性基板20側に導かれ、該透光性基板20を透過して外部へ放射されるようになっている。
【0019】
上記第1の発光ダイオード10にあっては、LEDチップ22と蛍光体層28とを、所定の間隔を設けた状態で対向配置したので、蛍光体で波長変換される光を、蛍光体層28で反射された反射光として取り出すことができる。このため、蛍光体74で波長変換される光を透過光として取り出していた従来の発光ダイオード60に比べ、光の取出し効率が向上し、高輝度化を図ることができる。
尚、上記第1の発光ダイオード10は、第3の枠部材16の底面が平坦面と成されているため、第3の枠部材16底面に配設された一対の外部電極端子18,18を半田付けすることによって、図示しない回路基板への表面実装が可能である。
【0020】
図2は、本発明に係る第2の発光ダイオード30を示すものであり、この第2の発光ダイオード30は、上記蛍光体層28の外表面28aの略全面に亘って、反射層32を形成した点に特徴を有し、その他の構成は、上記第1の発光ダイオード10と実質的に同じである。
上記反射層32は光反射率の高い材料で構成され、例えば、銀やアルミニウム等の光反射率の高い金属、銀やアルミニウム等の光反射率の高い金属の粉粒を重量比80%以下で混合した樹脂、或いは、光反射効率が良好な白色の樹脂等で構成することができる。
【0021】
而して、上記の通り蛍光体層28で波長変換された光は、蛍光体層28で反射されて、透光性基板20側に導かれるが、蛍光体層28が薄膜状に形成されている場合には、波長変換された光の一部が蛍光体層28を透過して外部へ漏出することがある。しかしながら、上記第2の発光ダイオード30にあっては、蛍光体層28の外表面28aに反射層32を形成しているので、蛍光体層28を透過した光を反射して透光性基板20側へ導くことができ、輝度向上を図ることができる。
【0022】
以下において、上記第2の発光ダイオード30の製造方法の一例を、図3乃至図9に基づいて説明する。
先ず、図3に示すように、第1の枠部材12、底面に一対の外部電極端子18,18の一端側が接続された第2の枠部材14、及び第3の枠部材16を、図示しない接着剤を介して、その外側面が略面一となるように積層一体化し、その後、上記外部電極端子18,18の他端側を折曲げ加工して、第3の枠部材16の側面及び底面に沿って配設する(図4)。
【0023】
次に、第1の枠部材12の開口部内に突出した第2の枠部材14の内端部14a上に、透光性基板20を図示しない半田や接着剤等を介して接続する(図5)。
その後、図6に示すように、第1乃至第3の枠部材12,14,16の積層体の上下を逆にし、透光性基板20の底面20aが上向きに配置された状態で、LEDチップ22を、透光性接着剤(図示せず)を介して透光性基板20の底面20aに接続する。また、LEDチップ22底面の一方の電極(図示せず)と一方の外部電極端子18とをボンディングワイヤ24を介して電気的に接続すると共に、LEDチップ22底面の他方の電極(図示せず)と他方の外部電極端子18とをボンディングワイヤ24を介して電気的に接続する。
【0024】
次に、第2の枠部材14及び第3の枠部材16の開口部内に、未硬化状態のコーティング材26を所定量充填した後、該コーティング材26を硬化させてLEDチップ22及びボンディングワイヤ24を被覆・封止する(図7)。
その後、コーティング材26の外表面26aに、蛍光体が混入された未硬化状態の樹脂や無機結合剤を被着した後、硬化させて蛍光体層28を形成する(図8)。因みに、この段階で上記第1の発光ダイオード10が完成することとなる。
第2の発光ダイオード30を製造する場合には、さらに図9に示すように、蛍光体層28の外表面28aの略全面に亘って反射層32を形成する。具体的には、光反射率の高い未硬化状態の材料(例えば、光反射効率が良好な白色樹脂、銀やアルミニウム等の光反射率の高い金属の粉粒を重量比80%以下で混合した樹脂等)を、蛍光体層28の外表面28aに被着後硬化させたり、或いは、光反射率の高い銀やアルミニウム等より成る金属箔を、蛍光体層28の外表面28aに接着剤等を介して被着すれば良い。
【0025】
図10は、本発明に係る第3の発光ダイオード34を示すものであり、この第3の発光ダイオード34は、開口部を有する第1の枠部材36、第2の枠部材38、第3の枠部材40、第4の枠部材42を有し、これら4つの枠部材36,38,40,42を、その外側面が略面一となるように積層一体化して成る。
上記第2の枠部材38の開口部は、第1の枠部材36、第3の枠部材40の開口部より小さく成されているため、第2の枠部材38の内端部38aが、第1の枠部材36及び第3の枠部材40の開口部内に突出している。また、第3の枠部材40の開口部は、第4の枠部材42の開口部より小さく成されているため、第3の枠部材40の内端部40aが、第4の枠部材42の開口部内に突出している。尚、上記第1の枠部材36、第2の枠部材38、第3の枠部材40、第4の枠部材42は、セラミック等の絶縁材料で構成されている。
また、相互に絶縁された一対の外部電極端子44,44が、第2の枠部材38の底面、第1の枠部材36の上面、4つの枠部材36,38,40,42外側面、第4の枠部材42の底面に沿って配設されている。
【0026】
さらに、第1の枠部材36の開口部内に突出した第2の枠部材38の内端部38a上に、サファイアより成る第1の透光性基板45が配置されており、該第1の透光性基板45によって、第2の枠部材38の開口部は閉塞されている。また、第1の透光性基板45の底面45aには、LEDチップ22がエポキシ樹脂等の透光性接着剤を介して接続されている。
また、上記LEDチップ22底面の一方の電極(図示せず)と、第2の枠部材38の底面に配設された一方の外部電極端子44とがボンディングワイヤ24を介して電気的に接続されると共に、LEDチップ22底面の他方の電極(図示せず)と、第2の枠部材38の底面に配設された他方の外部電極端子44とがボンディングワイヤ24を介して電気的に接続されている。
【0027】
上記LEDチップ22及びボンディングワイヤ24は、第2の枠部材38及び第3の枠部材40の開口部内に充填された透光性のコーティング材26によって被覆・封止されている。
また、上記コーティング材26の外表面26aには、その略全面に亘って、LEDチップ22から発光される紫外光等の光を、所定波長の可視光等の光に変換する波長変換用の蛍光体層46が被着形成されている。この結果、透光性基板20の底面20aに接続された上記LEDチップ22と、コーティング材26の外表面26aに形成された蛍光体層46とが、所定の間隔を設けた状態で対向配置されることとなる。
【0028】
さらに、第4の枠部材42の開口部内に突出した第3の枠部材40の内端部40a上に、サファイアより成る第2の透光性基板48を配置し、以て、上記蛍光体層46の外表面46a側に第2の透光性基板48を配置して成る。
【0029】
尚、第3の発光ダイオード34の蛍光体層46は、上記第1の発光ダイオード10及び第2の発光ダイオード30の蛍光体層28に比べて、厚さが薄く成されている。
すなわち、第1の発光ダイオード10及び第2の発光ダイオード30の蛍光体層28は、その厚さが、100μm〜300μm程度であるのに対し、第3の発光ダイオード34の蛍光体層46は、その厚さが、30μm〜100μm程度である。
この第3の発光ダイオード34にあっては、後述する通り、蛍光体層46で波長変換された光の一部は、該蛍光体層46を透過させて第2の透光性基板48側からも取り出すように構成しているため、上記蛍光体層46の厚さは、波長変換された光の一部が透過できる厚さに設定されている。
因みに、蛍光体層46の厚さが薄いほど、蛍光体層46を透過する光の量は増加するため、上記蛍光体層46の厚さを適宜調整することにより、蛍光体層46を透過する光の量を任意に制御することができる。
【0030】
而して、上記一対の外部電極端子44,44を介してLEDチップ22に電圧が印加されると、LEDチップ22が発光して紫外光等の光が放射され、この光が、上記LEDチップ22と対向配置されたコーティング材外表面26aの蛍光体層46に照射されることにより、所定波長の可視光等の光に波長変換される。波長変換された光は、蛍光体層46で反射されて第1の透光性基板45側に導かれ、該第1の透光性基板45を透過して外部へ放射されるようになっている。
また、蛍光体層46の厚さを、該蛍光体層46で波長変換された光の一部が透過できる厚さに設定しているので、蛍光体層46で波長変換された光の一部は蛍光体層46を透過し、さらに、上記蛍光体層46の外表面46a側に配置した第2の透光性基板48を透過して外部へ放射されるようになっている。
【0031】
上記第3の発光ダイオード34にあっては、LEDチップ22と蛍光体層46とを、所定の間隔を設けた状態で対向配置したので、蛍光体で波長変換される光を、蛍光体層46で反射された反射光として取り出すことができる。このため、蛍光体74で波長変換される光を透過光として取り出していた従来の発光ダイオード60に比べ、光の取出し効率が向上し、高輝度化を図ることができる。
また、上記の通り、蛍光体層46で波長変換された光の一部については、蛍光体層46及び該蛍光体層46の外表面46a側に配置した第2の透光性基板48を透過させて外部へ取り出しているため、第3の発光ダイオード34の上下両面を発光させることが可能となる。
【0032】
【発明の効果】
本発明の発光ダイオードにあっては、LEDチップとコーティング材の外表面に形成した蛍光体層とを所定の間隔で対向配置しているので、蛍光体で波長変換される光を、上記蛍光体層で反射された反射光として取り出し、この反射光をLEDチップの配置された透光性基板から外部へ放射できる。このため、蛍光体74で波長変換される光を透過光として取り出していた従来の発光ダイオード60に比べ、光の取出し効率が向上し、高輝度化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る第1の発光ダイオードを示す概略断面図である。
【図2】本発明に係る第2の発光ダイオードを示す概略断面図である。
【図3】第2の発光ダイオードの製造方法を示す説明図である。
【図4】第2の発光ダイオードの製造方法を示す説明図である。
【図5】第2の発光ダイオードの製造方法を示す説明図である。
【図6】第2の発光ダイオードの製造方法を示す説明図である。
【図7】第2の発光ダイオードの製造方法を示す説明図である。
【図8】第2の発光ダイオードの製造方法を示す説明図である。
【図9】第2の発光ダイオードの製造方法を示す説明図である。
【図10】本発明に係る第3の発光ダイオードを示す概略断面図である。
【図11】従来の発光ダイオードを示す概略断面図である。
【符号の説明】
10 第1の発光ダイオード
20 透光性基板
22 LEDチップ
26 コーティング材
28 蛍光体層
30 第2の発光ダイオード
32 反射層
34 第3の発光ダイオード
45 第1の透光性基板
46 蛍光体層
48 第2の透光性基板
Claims (3)
- 透光性基板の一面にLEDチップを配置し、該LEDチップを透光性のコーティング材で封止すると共に、上記コーティング材の外表面に蛍光体層を形成し、以て、上記LEDチップと上記蛍光体層とを所定の間隔で対向配置したことを特徴とする発光ダイオード。
- 上記蛍光体層の外面に、反射層を形成したことを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。
- 第1の透光性基板の一面にLEDチップを配置し、該LEDチップを透光性のコーティング材で封止すると共に、上記コーティング材の外表面に蛍光体層を形成し、以て、上記LEDチップと上記蛍光体層とを所定の間隔で対向配置し、また、上記蛍光体層の外表面側に第2の透光性基板を配置し、さらに、上記蛍光体層の厚さを、該蛍光体層で波長変換された光の一部が透過できる厚さに設定したことを特徴とする発光ダイオード。
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2003
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