JP5086881B2 - 薄鋼板の高速ガスシールドアーク溶接方法 - Google Patents
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Description
120≦Ip×Tp≦380 ・・・・(1)
(1)ワイヤ組成は、SiおよびMn量の低減、C量の増加によって溶滴の細粒化、アークの安定性向上、ワイヤ溶融量の増加、溶融金属の粘性および表面張力の適正化を図り、広幅ビードでスパッタ発生量の少ない溶接ができ、溶け込み特性が良好でビード外観の良好な溶接金属部が得られる。
(2)上記ワイヤ組成のワイヤを用いてパルス条件が1パルス−1ドロップの溶滴移行となる領域にすることで、高速度の溶接でアーク電圧を低くしても溶滴が溶融池と短絡することなく移行でき、スパッタ発生量が少なく高速溶接においてもアンダーカットのない広幅ビードが得られる。
[C:0.22〜0.7質量%]
Cは溶接金属の強度を確保し溶滴を細粒化する作用があるが、本発明においては溶滴の細粒化と広幅ビードを得ることを目的に脱酸元素であるSiおよびMn量を低くしており、溶融金属の脱酸は主にCによって行なう。Cが0.22質量%(以下、%という)未満では脱酸不足となり溶滴の細粒化は困難となってアークが不安定でビード幅も不均一となる。また、スパッタ発生量が多く溶融金属の垂れも生じる。一方、0.7%を超えると溶融金属の粘性が劣り耐垂れ性を確保できない。また、スパッタ発生量が増加するばかりでなく、溶接金属を著しく硬化させ耐割れ性が劣化する。
Siは溶融金属の粘度および表面張力を適正化させる効果が大きい元素である。また、溶滴を細粒化すると共に広幅ビードが得られ、アーク電圧を低くした場合においても溶滴が短絡し難く電圧条件の拡大に寄与できる。これによって、溶接継手部のワイヤ狙い位置変動時においても鋼板の溶け落ちを防止し、溶け込み特性を安定的に確保できる。しかし、Siが0.05%未満では上記効果が得られない。一方、0.19%を超えると溶滴が大きくなることから短絡し易くワイヤ狙い位置変動時にスパッタ発生の要因になる。また、溶融池の溶融金属が溶接速度に追従できずハンピングビードとなり易い。さらに、溶融スラグが増加するという問題もある。
Mnは溶融金属の粘度および表面張力を適正化させる効果がある。Mnが0.2%未満ではその効果が得られず、ブローホール等の気孔欠陥が発生しやすくなると共に、溶融金属の粘度および表面張力が劣化することから、溶融金属が垂れてビード形状が劣り、十分な耐ギャップ性が得られない。一方、Mnが0.5%を超えると溶滴が大きくなり短絡し易くワイヤ狙い位置変動時にスパッタ発生の要因となる。
パルスピーク電流Ipが380A未満では、電磁ピンチ効果による溶滴の離脱がスムーズに行われなくなり、アークが不安定でスパッタ発生量が多くなる。また、溶滴の移行が不安定になるため溶け込み特性が不安定になり、さらにはビードが広がりも不均一となり凸ビードとなる。一方、600Aを超えると、アーク力により薄鋼板では溶け落ちし易くなり、また溶融池が垂れ易くなる。
パルスベース電流Ibはベース期間でアークを保持できる電流値が必要となる。30A未満ではアークが不安定となりパッタ発生量が多くビード幅が不均一となる。一方、80Aを超えると溶滴の離脱が速やかに行われず、溶滴の移行が不安定となり、アークが不安定でスパッタ発生量が多くなる。また、ビード幅が不均一でビードが広がらず凸ビードとなる。
前述のパルスピーク電流Ipおよびパルスベース電流Ibに加えて、下記(1)式で示すパルスピーク電流Ip[A]とパルスピーク時間Tp[ms]の積Ip×Tpで得られる値を限定することによって、溶滴の短絡がベース時に生じて溶融金属の垂れが生じ難く、広幅ビードが得られてワイヤの狙い位置が変動した場合においても良好な溶接継手を得られる。
120≦Ip×Tp≦380 ・・・・(1)
以下、実施例により本願発明を具体的に説明する。
本発明例である試験No.1〜9は、ワイヤ成分が適正で、パルス条件も適正であるので、溶接作業性が良好で、ワイヤ狙い位置が変動した場合においても溶融金属の垂れや溶け落ちがなく、溶け込み量Lが確保でき、ビード幅が広いため良好な継手特性が得られるなど、極めて満足な結果であった。
試験No.11は、パルスピーク電流Ipが高いので、溶接開始部近傍で溶融金属が垂れた。また、溶接長の中央部で後板側に溶け落ちたので溶接を中止した。
試験No.13は、パルスベース電流Ibが高いので、アークが不安定でスパッタ発生量が多かった。また、ビード幅が不均一で凸ビードとなった。
試験No.15は、パルスピーク電流Ipとパルスピーク時間Tpの積Ip×Tpが高いので、スパッタ発生量が多く、溶接長の中央部で後板側に溶け落ちたので溶接を中止した。
試験No.17はワイヤ記号W9のSiが低いので、溶接開始部近傍で溶融金属が垂れた。また、ビード幅Wが狭かった。
試験No.19は、ワイヤ記号W11のMnが高いので、スパッタ発生量が多かった。
試験No.21は、ワイヤ記号W13のCが低いので、アークが不安定でスパッタ発生量が多かった。また、ビード幅Wも不均一で、溶接開始部近傍で溶融金属の垂れも生じた。
2 後板
3 溶接金属
4 アンダーカット
5 スペーサ
6、61、62 ワイヤ狙い位置
7 トーチ
θ トーチ角度
W ビード幅
L 溶け込み深さ
G ギャップ
Claims (2)
- 厚さ1.2〜4.5mmの薄鋼板を0.8m/min以上の溶接速度でガスシールドアーク溶接する方法において、質量%で、C:0.22〜0.7%、Si:0.05〜0.19%、Mn:0.2〜0.5%を含有し、P:0.03%以下、S:0.03%以下で、残部はFeおよび不可避不純物よりなるソリッドワイヤを用いて、パルスピーク電流Ip:380〜600A、パルスベース電流Ib:30〜80Aで、かつ前記パルスピーク電流Ip[A]とパルスピーク時間Tp[ms]が下記(1)式を満足するパルスを印加しつつ溶接することを特徴とする薄鋼板の高速ガスシールドアーク溶接方法。
120≦Ip×Tp≦380 ・・・・(1) - ソリッドワイヤは、さらにAl:0.10%以下、Ti:0.10%以下の少なくとも一方を含有することを特徴とする請求項1記載の薄鋼板の高速ガスシールドアーク溶接方法。
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