JP5083421B2 - 磁気記録装置、磁気記録方法、シングルライト方式用磁気記録媒体 - Google Patents

Description

本発明は、磁気記録装置、磁気記録方法、およびシングルライト方式用磁気記録媒体に関する。

近年、ハードディスクに代表される磁気記録媒体（以下、「記録媒体」という。）の面記録密度が増加しているため、磁気記録ヘッドの性能向上が求められている。これに応じて、磁気記録ヘッドの記録方式としては、信号磁界の向きを記録媒体の面内方向に設定する長手磁気記録方式に代わり、その面と交差する方向に設定する垂直磁気記録方式が注目されている。線記録密度が高くなると共に、記録済みの記録媒体が熱揺らぎの影響を受けにくいという利点が得られるからである。

垂直磁気記録方式の磁気記録ヘッド（以下、「垂直磁気記録ヘッド」という。）は、磁束発生用の薄膜コイルと共に、その薄膜コイルにおいて発生した磁束を磁気記録媒体に導く主磁極層などを備えている。この主磁極層は、記録用の磁界（記録磁界）を発生させる微小幅の先端部分（磁極）を含んでいる。

垂直磁気記録ヘッドの構成については、記録磁界の広がりを抑制して高記録密度化に対応するために、記録トラック幅方向における磁極の両側にギャップを介してサイドシールド層を設けることが検討されている（例えば、特許文献１〜３参照。）。

最近では、磁気記録媒体の面記録密度のさらなる向上への要求が益々増加する傾向にある。こうした状況下、シングルライト方式（Shingle Write方式）と呼ばれる新たな磁気記録方式が提案されている（例えば、特許文献４〜６参照。）。このシングルライト方式では、磁気記録トラックの一部を重ね書きする（先に記録した磁気記録トラックの一部領域を上書きするように次の磁気記録トラックの記録を行う）。これにより、最終的に得られる磁気記録トラックの幅を磁極のトレーリングエッジの幅よりも狭くすることができ、磁気記録媒体の面記録密度の向上が図れる。ところが、そのような特徴を有することにより、最終の記録トラックを除き、任意の単位記録領域のみのデータ書き換え処理を行うことが物理的に不可能である。したがって、本来書き換える必要のない磁気記録トラックをも含めて全ての磁気記録トラックに対して記録処理を行わなければならない。そのため、通常の記録方式と比較して、データ書き換え処理に要する処理時間が増加してしまう。そこで、磁気記録トラック上に複数のデータ記録ブロックを設け、各記録ブロック単位でデータ書き換え処理を行うことにより、書き換えの処理時間を短縮する方法が提案されている。その場合、複数のデータ記録ブロックは、互いに重ならないように配置される。

特開２００４−３２６９９０号公報 特開２００４−０２２００４号公報 特開２００５−３１０３６３号公報 特開２００６−２９４１６２号公報 特開２００７−７３１３８号公報 特開２０１０−４０１１３号公報

ところで、磁気記録ヘッドの磁極が通過し、磁気データが記録された磁気記録トラックの両端縁の領域にはいわゆる書き滲みとよばれる現象によりイレーズバンド（磁化方向が乱れた記録領域）が生じてしまう。特に、記録トラックの接線方向（磁気ディスクの回転方向、あるいは主磁極の移動方向）に対する主磁極の傾き角（スキュー角）が大きい場合には、（ベベル角を設けてはいるものの）比較的大きなイレーズバンドが生じてしまう。このため、磁気ディスク上に複数のデータ記録ブロックを設ける場合には、データ書き換え処理の際にそれらが互いに干渉し合うことのない程度の間隙領域を確保する必要がある。しかしながら、間隙領域を広く確保すると、データの誤消去、誤書込といったエラーを回避することができるものの、当然ながら磁気記録媒体の面記録密度の低下を招いてしまう。

本発明はかかる問題に鑑みてなされたもので、その目的は、データ書き換え処理の際にエラーの発生を伴うことなくその処理時間を短縮することができ、かつ、高密度記録に対応可能な磁気記録装置、磁気記録方法およびシングルライト方式用磁気記録媒体を提供することにある。

本発明の磁気記録装置は、磁極を有する磁気記録ヘッドと、複数の記録トラックがそれぞれ形成され、かつ、書き滲み抑制部により記録トラック幅方向に分離された複数のデータ記録ブロックを有するシングルライト方式用の磁気記録媒体とを備えたものである。

本発明のシングルライト方式用磁気記録媒体は、複数の記録トラックがそれぞれ形成され、かつ、書き滲み抑制部により記録トラック幅方向に分離された複数のデータ記録ブロックを有するものである。

本発明の磁気記録装置およびシングルライト方式用磁気記録媒体では、複数のデータ記録ブロックを設け、それらを書き滲み抑制部によって分離するようにしたので、データ記録ブロックの相互間隔を狭めた場合であっても、データ書き換え処理の際、隣り合うデータ記録ブロックの磁気的な相互干渉が回避され、各データ記録ブロックにおける良好な記録状態が維持される。

本発明の磁気記録方法は、複数の記録トラックがそれぞれ形成され、かつ、書き滲み抑制部により記録トラック幅方向に分離された複数のデータ記録ブロックを有する磁気記録媒体を回転させる第１ステップと、磁気記録媒体上を浮上する磁気記録ヘッドの磁極から記録磁界を付与することにより、所定のデータ記録ブロックへデータの記録を行う第２ステップとを含むものである。第２ステップでは、磁極を、先にデータの記録がなされた各々の記録トラックの領域の一部と重複するように通過させ、データ記録ブロックのうちの最後の記録トラックへの記録を行う際には、磁極の一部を書き滲み抑制部上を通過させる。

本発明の磁気記録方法では、磁気記録媒体に書き滲み抑制部によって分離された複数のデータ記録ブロックを設け、各データ記録ブロックのうちの最後の記録トラックへの記録を行う際には、磁極の一部が書き滲み抑制部上を通過するようにしたので、隣り合うデータ記録ブロックの磁気的な相互干渉が回避され、各データ記録ブロックにおける良好な記録状態が維持される。

本発明の磁気記録装置およびシングルライト方式用磁気記録媒体によれば、複数のデータ記録ブロックを設け、それらを書き滲み抑制部によって分離するようにした。これにより、データ記録ブロックの相互間隔を狭めることで記録密度の向上を図りつつ、磁気的な相互干渉を回避してデータ記録ブロックごとに良好かつ短時間のデータ書き換え処理を実現することができる。

本発明の磁気記録方法では、磁気記録媒体に書き滲み抑制部によって分離された複数のデータ記録ブロックを設け、各データ記録ブロックのうちの最後の記録トラックへの記録を行う際には、磁極の一部が書き滲み抑制部上を通過するようにした。これにより、データ記録ブロックの相互間隔を狭めることで記録密度の向上を図りつつ、データ記録ブロックごとに良好かつ短時間での各記録トラックにおけるデータ書き換え処理を実現することができる。

本発明の一形態としての磁気記録再生装置の構成を表す斜視図である。 図１の主要部の構成を拡大して表す斜視図である。 図２に示した薄膜磁気ヘッドの構成を表す断面図である。 図２に示した薄膜磁気ヘッドの主要部の構成を表す平面図である。 図２に示した薄膜磁気ヘッドと磁気ディスクとの関係を説明するための断面図である。 図２に示した薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面における端面の主要部構成を表す拡大平面図である。 磁気ディスクの表面構成を拡大して表す平面図である。 磁気ディスクの断面構成を拡大して表す断面図である。 図８の一部をさらに拡大して表す断面図である。 図１の磁気記録再生装置を用いた磁気記録方法を説明するための概念図である。 本形態および比較例としての磁気ディスクにおける作用を説明するための平面図である。 本形態の磁気ディスクにおける表面構成を拡大して表す他の平面図である。 変形例としての磁気ディスクにおける断面構成を拡大して表す断面図である。

以下、本発明の一形態について、図面を参照して詳細に説明する。

［磁気記録再生装置の構成］
まず、図１および図２を参照して、薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気記録再生装置の構成について説明する。図１は磁気記録再生装置全体の斜視構成を表し、図２は磁気記録再生装置の主要部の斜視構成を表している。

この磁気記録再生装置は、シングルライト方式のハードディスクドライブであり、図１に示したように、筐体２００の内部に、磁気記録媒体としての複数の磁気ディスク（ハードディスク）２０１と、各磁気ディスク２０１に対応して配設され、磁気ヘッドスライダ２０２を一端部において支持する複数のサスペンション２０３と、そのサスペンション２０３の他端部を支持する複数のアーム２０４とを備えている。磁気ディスク２０１は、筐体２００に固定されたスピンドルモータ２０５を中心として回転可能になっている。アーム２０４は、動力源としての駆動部２０６に接続されており、筐体２００に固定された固定軸２０７を中心としてベアリング２０８を介して旋回可能になっている。駆動部２０６は、例えば、ボイスコイルモータなどの駆動源を含んでいる。この磁気記録装置は、例えば、固定軸２０７を中心として複数のアーム２０４が一体的に旋回可能なモデルである。なお、図１では、磁気記録装置の内部構造を見やすくするために、筐体２００を部分的に切り欠いて示している。なお、磁気ディスク２０１の詳細な構成については後述する。

磁気ヘッドスライダ２０２は、例えば、図２に示したように、アルティック（Ａｌ₂ Ｏ₃ ・ＴｉＣ）などの非磁性絶縁性材料により構成された略直方体構造を有する基体２１１の一面に、上記した薄膜磁気ヘッドである薄膜磁気ヘッド２１２が取り付けられたものである。この基体２１１の一面（エアベアリング面２２０）には、例えば、アーム２０４の旋回時に生じる空気抵抗を減少させるための凹凸構造が設けられており、そのエアベアリング面２２０と直交する他の面（図２７中、右手前側の面）に、薄膜磁気ヘッド２１２が取り付けられている。磁気ヘッドスライダ２０２は、情報の記録時または再生時において磁気ディスク２０１が回転すると、その磁気ディスク２０１の記録面（磁気ヘッドスライダ２０２と対向する面）とエアベアリング面２２０との間に生じる空気流を利用して、磁気ディスク２０１の記録面から浮上するようになっている。なお、図２では、磁気ヘッドスライダ２０２のうちのエアベアリング面２２０側の構造を見やすくするために、図１に示した状態とは上下を反転させた状態を示している。

この磁気記録再生装置では、情報の記録時または再生時においてアーム２０４が旋回することにより、磁気ディスク２０１のうちの所定の記録領域まで磁気ヘッドスライダ２０２が移動する。そして、磁気ディスク２０１と対向した状態において薄膜磁気ヘッド２１２が通電されると、上記した動作原理に基づいて薄膜磁気ヘッド２１２により磁気ディスク２０１に記録処理または再生処理がなされる。

［薄膜磁気ヘッドの構成］
図３〜図５は、図２に示した薄膜磁気ヘッド２１２の構成を表している。具体的には、図３が全体の断面構成を示し、図４が主要部の平面構成を示し、図５が薄膜磁気ヘッド２１２と磁気ディスク２０１との関係を説明するものである。図３（Ａ）はエアベアリング面２２０に平行な断面、図３（Ｂ）はエアベアリング面２２０に垂直な断面をそれぞれ示している。なお、図３に示した上向きの矢印Ｍは、薄膜磁気ヘッド２１２に対して磁気ディスク２０１が相対的に移動する方向を表している。

以下の説明では、図３〜図５に示したＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向の寸法をそれぞれ「幅」、「長さ」および「厚さ」とする。また、Ｙ軸方向のうちのエアベアリング面２２０に近い側および遠い側をそれぞれ「前」および「後」とする。さらに、矢印Ｍの方向における前方および後方をそれぞれ「トレーリング側」および「リーディング側」とする。これらの定義は、後述する図６以降においても同様である。

薄膜磁気ヘッド２１２は、磁気ディスク２０１に磁気的処理を施すものであり、再生処理および記録処理の双方を実行可能な複合型ヘッドである。

薄膜磁気ヘッド２１２は、例えば、図３に示したように、基体２１１の上に、絶縁層２と、再生ヘッド部１００Ａと、分離層７と、記録ヘッド部１００Ｂと、オーバーコート層２５とがこの順に積層されたものであり、それらに共通の一側面としてエアベアリング面２２０を有している。

絶縁層２、分離層７およびオーバーコート層２５は、例えば、酸化アルミニウムなどの非磁性絶縁性材料により構成されている。この酸化アルミニウムとしては、例えば、アルミナ（Ａｌ₂ Ｏ₃ ）などが挙げられる。

再生ヘッド部１００Ａは、磁気抵抗効果（ＭＲ：magneto-resistive effect）を利用して再生処理を実行するものである。この再生ヘッド部１００Ａは、例えば、下部リードシールド３と、シールドギャップ４と、上部リードシールド５とがこの順に積層されたものである。このシールドギャップ４には、エアベアリング面２２０に一端面が露出するように再生素子（ＭＲ素子６）が埋設されている。

下部リードシールド３および上部リードシールド５は、ＭＲ素子６を、その周囲から磁気的に分離するものであり、エアベアリング面２２０から後方に向かって延在している。下部リードシールド３は、例えば、ニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ）などの磁性材料により構成されている。このニッケル鉄合金としては、例えば、ニッケルおよび鉄の含有量がそれぞれ８０重量％および２０重量％であるパーマロイ（商品名）などが挙げられる。上部リードシールド５は、例えば、パーマロイなどの磁性材料により構成されている。なお、下部リードシールド３および上部リードシールド５は、単層構造であってもよいし、あるいは、例えば一組の磁性層（パーマロイなどの磁性材料からなるもの）によって非磁性層（例えばルテニウム（Ｒｕ）などの非磁性導電性材料またはアルミナなどの非磁性絶縁性材料により構成されるもの）を挟むようにした多層構造であってもよい。

シールドギャップ４は、ＭＲ素子６を周辺から電気的に分離するものであり、例えば、アルミナなどの非磁性絶縁性材料により構成されている。このＭＲ素子６は、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ：giant magneto-resistive effect）またはトンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ：tunneling magneto-resistive effect）などを利用するものである。

記録ヘッド部１００Ｂは、垂直磁気記録方式の記録処理を実行する垂直磁気記録ヘッドである。この記録ヘッド部１００Ｂは、例えば、分離層７の上に、磁性層８Ａと、絶縁層９と、絶縁層１１〜１３により埋設された薄膜コイル１０、およびエアベアリング面２２０に露出した端面を有するリーディングシールド８Ｂと、主磁極層１４、サイドギャップ１５および一対のサイドシールド１６と、トレーリングシールド１７、トレーリングギャップ１８、補助磁極層１９、および絶縁層２０と、絶縁層２１，２３により埋設された薄膜コイル２２と、リターンヨーク層２４とがこの順に積層されたものである。

磁性層８Ａは、リーディング側でのリターンパスとして機能するものであり、例えば、ＮｉＦｅやＣｏＮｉＦｅなどの磁性材料により構成される。この磁性層８Ａによって主磁極層１４から放出された記録磁界の一部をリーディング側へ分散させることにより、ＷＡＴＥ(Wide Adjacent Track Erase）実効磁界の低減を図っている。ＷＡＴＥ実効磁界とは、広範囲の隣接トラック（例えば書込対象トラックを基準として２〜１０レーン隣のトラック）へ影響を及ぼす実効的な磁界を意味する。

薄膜コイル１０は、主に、薄膜コイル２２において発生した記録用の磁束が意図せずに再生ヘッド部１００Ａまで到達（漏洩）するのを抑制するために、漏洩抑制用の磁束を発生させるものである。この薄膜コイル１０は、例えば、銅（Ｃｕ）などの高導電性材料により構成されていると共に、図３および図４に示したように、バックギャップＢＧを中心として巻回する構造（スパイラル構造）を有している。なお、薄膜コイル１０の巻回数（ターン数）は、特に限定されないが、薄膜コイル２２のターン数と一致していることが好ましい。

絶縁層１１〜１３は、薄膜コイル１０を周辺から電気的に分離するものである。絶縁層１１は、例えば、加熱時に流動するフォトレジストまたはスピンオングラス（ＳＯＧ；Spin On Glass ）などの非磁性絶縁性材料により構成されている。絶縁層１２，１３は、例えば、アルミナなどの非磁性絶縁性材料により構成されている。

主磁極層１４は、薄膜コイル２２において発生した磁束を収容し、その磁束をエアベアリング面２２０から放出して記録磁界を発生させるものである。この主磁極層１４は、エアベアリング面２２０から後方に向かって延在しており、例えば、鉄系合金などの高飽和磁束密度磁性材料により構成されている。この鉄系合金としては、例えば、鉄コバルト合金（ＦｅＣｏ）または鉄コバルトニッケル合金（ＦｅＣｏＮｉ）などが挙げられる。

主磁極層１４は、例えば、図４に示したように、ボートを漕ぐ際に用いられるパドル（paddle）のような平面形状を有している。すなわち、主磁極層１４は、例えば、エアベアリング面２２０から後方に向かって順に、記録トラック幅を規定する一定の幅Ｗ１（第１の幅）を有する先端部１４Ａ（第１の磁極層部分）と、幅Ｗ１からその幅Ｗ１よりも大きな幅Ｗ２（第２の幅；Ｗ２＞Ｗ１）まで次第に拡がる幅を有する中間部１４Ｂ（第２の磁極層部分）と、幅Ｗ２よりも大きな幅Ｗ３（第３の幅；Ｗ３＞Ｗ２）を有する後端部１４Ｃ（第３の磁極層部分）とを含み、これらの先端部１４Ａ、中間部１４Ｂおよび後端部１４Ｃが互いに連結されることにより一体化された構造を有している。この主磁極層１４の幅が先端部１４Ａから中間部１４Ｂへ拡がる位置、すなわち主磁極層１４の幅が記録トラック幅を規定する幅Ｗ１から拡がり始める位置は、薄膜磁気ヘッドの記録性能を決定する重要な因子のうちの１つであるフレアポイントＦＰである。なお、図３および図４では、例えば、スロートハイトゼロ位置ＴＰがフレアポイントＦＰに一致している場合を示している。

先端部１４Ａは、薄膜コイル１４において発生した記録用の磁束を実質的に磁気ディスク２０１へ向けて放出する部分であり、全体に亘って一定の幅Ｗ１を有するようにＹ軸方向へ延在している。

中間部１４Ｂは、補助磁極層１９に収容された磁束を先端部１４Ａへ供給する部分である。この中間部１４Ｂの幅は、幅Ｗ１から幅Ｗ２まで次第に拡がっており、すなわち中間部１４Ｂは、先端部１４Ａとの連結箇所において幅Ｗ１を有していると共に、後端部１４Ｃとの連結箇所において幅Ｗ２を有している。この中間部１４Ｂの拡がり角度、すなわち先端部１４Ａの延在方向（Ｙ軸方向）と中間部１４Ｂの側端縁１４ＢＥとの間の角度Φは、３０°以上、好ましくは約４０°〜５０°である。

後端部１４Ｃは、中間部１４Ｂと同様に、補助磁極層１９に収容された磁束を先端部１４Ａへ供給する部分である。この後端部１４Ｃは、全体に亘って一定の幅Ｗ３を有するようにＹ軸方向へ延在している。特に、後端部１４Ｃの幅Ｗ３は、例えば、補助磁極層１９の幅に一致していると共に、トレーリングシールド１７およびリターンヨーク層２４の幅Ｗ４（図４参照）よりも小さくなっている（Ｗ３＜Ｗ４）。

主磁極層１４は、絶縁層９、サイドギャップ（ＳＧ）１５およびトレーリングギャップ１８によって取り囲まれており、リーディングシールド８Ｂ、サイドシールド１６およびトレーリングシールド１７と相互に分離されている。

サイドギャップ１５は、幅方向（記録トラック幅方向＝Ｘ軸方向）において主磁極層１４と一対のサイドシールド１６とを磁気的に分離するものである（後述する図４参照）。このサイドギャップ１５は、主磁極層１４と一対のサイドシールド１６との間に設けられており、その主磁極層１４の幅方向における両側（以下、単に「両側」という。）と隣接している。なお、サイドギャップ１５の厚さ（サイドギャップの間隔）は、例えば、０．０４μｍ〜０．１５μｍである。

トレーリングギャップ１８は、厚さ方向（記録トラック幅方向と交差する方向＝Ｙ軸方向）において主磁極層１４とトレーリングシールド１７とを磁気的に分離するものであり、記録ギャップとも呼ばれる。このトレーリングギャップ１８は、主磁極層１４とトレーリングシールド１７との間に設けられている。なお、サイドギャップ１５およびトレーリングギャップ１８は、例えば、アルミナなどの非磁性材料により構成されている。

リーディングシールド８Ｂ、トレーリングシールド１７およびサイドシールド１６は、主に、エアベアリング面２２０の近傍において磁束を取り込み、その磁束の広がりを防止するものである。これにより、記録磁界の勾配が増大し、記録トラック幅が狭小化し、記録磁界に斜め方向の磁界成分が含まれることになる。これらリーディングシールド８Ｂ、トレーリングシールド１７およびサイドシールド１６は、エアベアリング面２２０から後方に向かって延在しており、例えば、フレアポイントＦＰにおいて終端している。これにより、トレーリングシールド１７およびサイドシールド１６は、後方において絶縁層２０に隣接し、その絶縁層２０の最前端位置（スロートハイトゼロ位置ＴＰ）を規定する役割を担っている。リーディングシールド８Ｂ、トレーリングシールド１７およびサイドシールド１６は、例えば、主磁極層１４と同様の磁性材料により構成されていると共に、図４に示したように、幅Ｗ２よりも大きな一定の幅Ｗ３を有する矩形型の平面形状を有している。なお、エアベアリング面２２０における主磁極層１４の近傍の詳細な構成については、後述する（図６参照）。

補助磁極層１９は、主磁極層１４に磁束を供給するための補助的な磁束収容部分として機能するものであり、例えば、主磁極層１４と同様の磁性材料により構成されていてもよいし、異なる磁性材料により構成されていてもよい。この補助磁極層１９は、主磁極層１４のトレーリング側においてエアベアリング面２２０よりも後退した位置から後方に向かって延在しており、その主磁極層１４に連結されている。また、補助磁極層１９は、例えば、図２に示したように、幅Ｗ２を有する矩形型の平面形状を有している。

絶縁層２０は、薄膜磁気ヘッドの記録特性を決定する重要な因子のうちの１つであるスロートハイトＴＨを規定するものであり、補助磁極層１９とトレーリングシールド１７およびサイドシールド１６との間に設けられている。この絶縁層２０の最前端位置は、上記したようにスロートハイトゼロ位置ＴＰであり、そのスロートハイトゼロ位置ＴＰとエアベアリング面２２０との間の距離は、スロートハイトＴＨである。この絶縁層２０は、例えば、アルミナなどの非磁性絶縁性材料により構成されている。なお、図３および図４では、例えば、スロートハイトゼロ位置ＴＰがフレアポイントＦＰに一致している場合を示している。

薄膜コイル２２は、記録用の磁束を発生させるものであり、その薄膜コイル２２では、例えば、薄膜コイル１０とは逆方向に電流が流れるようになっている。なお、薄膜コイル２２の詳細な構成は、例えば、薄膜コイル１０と同様である。また、上記のような、積層面内において巻回するスパイラル構造の薄膜コイル１０，２２の替わりに、主磁極層１４および補助磁極層１９の周囲をＹ軸方向に進行しながら巻回する構造のヘリカルコイルを採用するようにしてもよい。

絶縁層２１，２３は、薄膜コイル２２を周辺から電気的に分離するものであり、絶縁層２０に連結されている。絶縁層２１は、例えば、絶縁層１２，１３と同様の非磁性絶縁性材料により構成されており、絶縁層２３は、例えば、絶縁層１１と同様の非磁性絶縁性材料により構成されている。絶縁層２１，２３の最前端は、例えば、絶縁層２０の最前端よりも後退している。

リターンヨーク層２４は、主に、記録媒体４０から記録ヘッド部１００Ｂに戻る磁束を取り込み、それらの間で磁束を循環させるものである。この磁束の循環機能は、リターンヨーク層２４だけでなく、ライトシールドとしてのサイドシールド１６およびトレーリングシールド１７も担う場合がある。このリターンヨーク層２４は、サイドシールド１６、トレーリングシールド１７および補助磁極層１９のトレーリング側に位置し、エアベアリング面２２０を起点として後方に向かって延在している。リターンヨーク層２４は、その前方においてトレーリングシールド１７と連結されていると共に、後方のバックギャップＢＧにおいて補助磁極層１９と連結されている。また、リターンヨーク層２４は、例えば、主磁極層１４と同様の磁性材料により構成されていると共に、図４に示したように、幅Ｗ３を有する矩形型の平面形状を有している。なお、リターンヨーク層２４は、主磁極層１４とは異なる磁性材料により構成されていてもよい。

［薄膜磁気ヘッドの主要部の構成］
次に、図６を参照して薄膜磁気ヘッド２１２の主要部の構成について詳細に説明する。図６は、薄膜磁気ヘッド２１２の主要部のエアベアリング面２２０における端面の構成を表している。なお、図６では、構成要素間の視認性を高めるため、絶縁材料以外の構成材料からなる各構成要素に網掛け模様を付している。

リーディングシールド８Ｂ、リーディングギャップとしての絶縁層１３、先端部１４Ａ、サイドギャップ１５、サイドシールド１６、トレーリングギャップ１８およびトレーリングシールド１７は、いずれもエアベアリング面２２０に露出した端面を有している。この「いずれもエアベアリング面２２０に露出した端面を有する」とは、上記各構成要素の端面がエアベアリング面２２０に含まれるという意味である。

エアベアリング面２２０における先端部１４Ａの端面は、リーディング側よりもトレーリング側において広い幅を有している。詳細には、先端部１４Ａの端面は、トレーリング側に位置する端縁（トレーリングエッジＴＥ）と、リーディング側に位置する端縁（リーディングエッジＬＥ）と、それらの間に位置する２つの端縁（サイドエッジＳＥ）とを有している。これにより、先端部１４Ａの端面は、トレーリングエッジＴＥの幅Ｗ１がリーディングエッジＬＥの幅Ｗ６よりも大きい形状を有している。このトレーリングエッジＴＥは、先端部１４Ａにおける実質的な記録箇所であり、その幅Ｗ１は、例えば、０．２μｍ以下である。なお、サイドエッジＳＥは、直線状でもよいし、屈曲または湾曲していてもよいし、それらの混在でもよい。

この先端部１４Ａの端面では、例えば、幅Ｗ１，Ｗ６と、トレーリングエッジＴＥとリーディングエッジＬＥとの間の任意位置における幅Ｗ５とを比較したとき、Ｗ１＞Ｗ６およびＷ１≧Ｗ５の関係を満たしている。この場合において、幅Ｗ６は、０より大きくてもよいし、実質的に０でもよい。幅Ｗ６が０より大きい場合とは、端面の形状がリーディングエッジＬＥを１つの辺とする形状であることを意味する。一方、幅Ｗ６が実質的に０である場合とは、端面の形状がリーディングエッジＬＥを角部の頂点とする形状であることを意味する。

図６では、先端部１４Ａの端面の形状が、トレーリングエッジＴＥおよびリーディングエッジＬＥをそれぞれ上底（長辺）および下底（短辺）とする台形（逆台形）の例を表している。この場合におけるベベル角θ（Ｚ方向に対するサイドエッジＳＥの傾き角）は、特に限定されない。

リーディングシールド８Ｂ、サイドシールド１６およびトレーリングシールド１７は、リーディング側、クロストラック方向（Ｘ軸方向）における両側、およびトレーリング側、の四方から、絶縁層１３、サイドギャップ１５およびトレーリングギャップ１８を介して先端部１４Ａを取り囲んでいる。ここで、サイドシールド１６は、リーディングシールド８Ｂと接する一方、トレーリングシールド１７とはトレーリングギャップ１８によって分離されている。

トレーリングシールド１７における先端部１４Ａおよびサイドシールド１６と対向する面１７Ｓのうち、少なくとも先端部１４Ａと対向する領域部分は平面であることが望ましい。記録時に得られる記録ビットの形状（記録ビットパターン）の直線性が確保され、より高いトラック密度および線記録密度が得られやすくなるからである。

ここで、エアベアリング面２２０におけるサイドギャップ１５の間隔Ｄ１（幅方向における先端部１４Ａとサイドシールド１６との間の距離）は、一定であってもよいし、厚さ方向において変化していてもよい。

リーディングシールド８Ｂ、サイドシールド１６およびトレーリングシールド１７は、例えばニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ），コバルトニッケル鉄合金（ＣｏＮｉＦｅ）およびコバルト鉄合金（ＣｏＦｅ）などによって構成することができ、それらの合金の組成比を適宜変更することによって各領域部分の飽和磁束密度が調整されている。

［磁気記録媒体の構成］
次に、磁気ディスク２０１の具体的な構成について説明する。図７は磁気ディスク２０１の表面の一部を拡大した平面構成を表すものであり、図８は、図７に示したVIII-VIII線に沿った断面を表すものである。

磁気ディスク２０１は、図７および図８に示したように、基板４１の上に、書き滲み抑制層ＤＭにより記録トラック幅方向（Ｘ軸方向）に分離された複数のデータ記録ブロックＤＳ（・・・，ＤＳn-1，ＤＳn，ＤＳn+1，・・・）を有している。図９に、図８に示したデータ記録ブロックＤＳの一部断面を拡大して表す。磁気ディスク２０１のデータ記録ブロックＤＳは、基板４１の上に例えばフラックスパス層４２と、軟磁性裏打ち層４３と、非磁性層４４と、硬磁性記録層４５と、保護層４６と、潤滑層４７とがこの順に積層されたものである。フラックスパス層４２は、磁気ディスク２０１中における磁束の流路として機能するものであり、例えば、軟磁性層４２Ｂを挟むように非磁性層４２Ａ，４２Ｃが積層されたものである。軟磁性裏打ち層４３は、例えば、非磁性層４３Ｂを挟むように軟磁性層４３Ａ，４３Ｃが積層されたものである。硬磁性記録層４５は、記録磁界により磁化される（情報が磁気的に記録される）ものである。

基板４１は、例えば、ニッケルリン（ＮｉＰ）鍍金されたアルミニウムディスクであり、その厚さは任意である。フラックスパス層４２では、例えば、非磁性層４２Ａがチタン（Ｔｉ：約１ｎｍ厚）、軟磁性層４２Ｂがコバルトニッケル鉄合金（ＣｏＮｉＦｅ：約１００ｎｍ〜２００ｎｍ厚）、非磁性層４２Ｃがニッケルリン（約１００ｎｍ厚）によりそれぞれ構成されている。このフラックスパス層４２は、軟磁性裏打ち層４３よりも高い透磁率を有している。薄膜磁気ヘッドからの磁界（記録磁界）が磁気ディスク２０１により強く引き込まれるため、記録能力が向上するからである。また、硬磁性記録層４５から離れており、その硬磁性記録層４５との磁気的な相互作用が小さいため、記録不安定性の懸念（隣接トラック消去など）が少ないからである。軟磁性裏打ち層４３では、例えば、軟磁性層４３Ａが鉄コバルトジルコニウムタンタル合金ホウ素化物（ＦｅＣｏＺｒＴａＢ：約５０ｎｍ厚）、非磁性層４３Ｂがルテニウム（Ｒｕ：約０．８ｎｍ厚）、軟磁性層４３Ｃが鉄コバルトジルコニウムタンタル合金ホウ素化物（約５０ｎｍ厚）によりそれぞれ構成されている。非磁性層４４は、例えば、ルテニウムクロム合金（ＲｕＣｒ）と酸化ケイ素（ＳｉＯ₂ ）との混合物（約３０ｎｍ厚）により構成されている。硬磁性記録層４５は、例えば、コバルト白金クロム合金（ＣｏＰｔＣｒ）と酸化ケイ素との混合物（約２５ｎｍ厚）により構成されている。保護層４６は、例えば、炭素（約２ｎｍ厚）により構成されている。ただし、磁気ディスク２０１の断面構成は、必ずしも上記した構成に限定されるわけではない。

書き滲み抑制層ＤＭは、硬磁性記録層４５よりも大きな保磁力を有する強磁性材料、または非磁性材料からなり、記録磁界により磁化されることのない部分である。書き滲み抑制層ＤＭを構成する強磁性材料としては、ＣｏＰｔ，ＣｏＣｒＰｔ，ＦｅＰｔ，ＣｏＰｔ・ＳｉＯ₂ ，ＣｏＣｒＰｔ・ＳｉＯ₂ ，ＦｅＰｔ・ＳｉＯ₂ が挙げられる。また、非磁性材料としては、上記の強磁性材料に珪素（Ｓｉ），インジウム（Ｉｎ），硼素（Ｂ），リン（Ｐ），炭素（Ｃ），弗素（Ｆ）などの他の元素をイオン注入することにより非磁性化した材料のほか、炭素（Ｃ）やＳｉＯ₂ ，Ａｌ₂ Ｏ₃ ，ＴｉＯ₂ ，Ｔｉ₂ Ｏ₃ などの酸化物材料が挙げられる。データ記録ブロックＤＳには、それぞれ複数の記録トラックＴＲが形成されている。記録トラックＴＲは、この磁気記録再生装置による記録処理の際、記録磁界を放出しながら磁気ディスク２０１の表面上を通過する主磁極１４（先端部１４Ａ）の軌跡に沿って形成される。なお、記録トラックＴＲ同士の間にはイレーズバンドＥＢと呼ばれる磁化方向の乱れが大きな領域（磁化方向のばらつきの大きな領域）が形成される。イレーズバンドＥＢは、記録動作時において先端部１４Ａの幅方向における両端部が通過した領域に対応して形成されるものである。このイレーズバンドＥＢにおける磁化のばらつきは大きく、信頼性に欠けるため、通常、データとして利用することはない。

磁気ディスク２０１は、シングルライト方式用の磁気記録媒体であり、各記録トラックＴＲの幅Ｗ_TRは、先端部１４ＡのトレーリングエッジＴＥの幅Ｗ１よりも狭くなっている（例えばＷ_TR＝０．５×Ｗ１）。

［薄膜磁気ヘッドの動作］
この薄膜磁気ヘッドは、以下のように動作する。

データを磁気ディスク２０１に記録する際には、まず、スピンドルモータ２０５を駆動し、磁気ディスク２０１を回転させる（第１ステップ）。これにより、磁気ディスク２０１の表面上を磁気ヘッドスライダ２０２が浮上する。その一方で、図示しない外部回路から記録ヘッド部１００Ｂの薄膜コイル２２に電流を流し、記録用の磁束Ｊ（図５参照）を発生させる。この磁束Ｊは、主磁極層１４および補助磁極層１９に収容されたのち、その主磁極層１４の内部を先端部１４Ａへ向かって流れる。この際、磁束Ｊは、フレアポイントＦＰで絞り込まれるため、最終的にトレーリングエッジＴＥの近傍に集中する。この磁束Ｊが外部へ放出されて記録磁界が発生すると、その記録磁界が付与された領域の硬磁性記録層４５が磁化され、磁気ディスク２０１にデータが磁気的に記録される（第２ステップ）。

この薄膜磁気ヘッドでは、互いに逆方向となるように薄膜コイル１０，２２に電流が流れるため、それらにおいて互いに逆方向の磁束が発生する。詳細には、薄膜コイル２２では記録用の磁束がリーディング側に向かって発生するのに対して、薄膜コイル１０では漏洩抑制用の磁束がトレーリング側に向かって発生する。これにより、記録用の磁束が再生ヘッド部１００Ａに漏れにくくなるため、ＭＲ素子６において検出精度の低下が抑制される。また、記録用の磁束が下部リードシールド３および上部リードシールド５に取り込まれることに起因して不要な磁界が発生し、その不要な磁界により磁気ディスク２０１に記録されている情報が意図せずに消去されることも抑制される。

また、先端部１４Ａから磁束Ｊが放出される際には、その磁束Ｊの一部（広がり成分）がトレーリングシールド１７、サイドシールド１６およびリーディングシールド８Ｂへ取り込まれるため、記録磁界の広がりが抑制されると共に、その記録磁界の勾配が増加する。トレーリングシールド１７およびサイドシールド１６Ａ，１６Ｂに取り込まれた磁束Ｊは、リターンヨーク層２４を経由して主磁極層１４に再供給される。

なお、主磁極層１４から磁気ディスク２０１に向けて放出された磁束Ｊは、硬磁性記録層４５を磁化したのち、フラックスパス層４２を経由してリターンヨーク層２４に戻り、主磁極層１４に再供給される。これにより、記録ヘッド部１００Ｂと磁気ディスク２０１との間で磁束Ｊが循環するため、磁気回路が構築される。

この磁気記録再生装置ではシングルライト方式を採用しており、上記第２ステップでは、主磁極１４を、先にデータの記録がなされた領域の一部と重複するように通過させる。データ記録ブロックＤＳのうちの最後の記録トラックＴＲへの記録を行う際には、主磁極１４の一部を、書き滲み抑制層ＤＭ上を通過させる。例えば図１０に示したように、磁気ディスク２０１の表面上において先に先端部１４Ａが通過して磁気記録がなされた通過領域Ｐnの一部と重なるように次の通過領域Ｐn+1が形成される。すなわち、後の通過領域Ｐn+1によって先の通過領域Ｐnの一部を置き換える（上書きする）ように記録動作が行われる。したがって、先の通過領域Ｐnと、後の通過領域Ｐn+1とのギャップに相当する部分のうち、先端部１４Ａの端縁近傍が通過する領域に相当するイレーズバンドＥＢを除いた部分が、最終的に得られる記録トラックＴＲｎとなる。なお、図１０における符号１４ＡＳは、磁気ディスク２０１の表面に投影された先端部１４Ａの射影を表している。

一方、データを磁気ディスク２０１から読み出す際には、再生ヘッド部１００ＡのＭＲ素子６にセンス電流を供給する。ＭＲ素子６の抵抗値は、磁気ディスク２０１における再生用の信号磁界に応じて変化する。この抵抗変化が電圧変化として検出されるため、磁気ディスク２０１に記録されている情報が磁気的に再生される。

［磁気記録再生装置の作用および効果］
この磁気記録再生装置では、磁気ディスク２０１において、記録トラックＴＲを各々複数含む複数のデータ記録ブロックＤＳに分割されている。このため、データ記録ブロックＤＳごとにデータ書き換え処理が可能となるので、一のデータ記録ブロックしか有しない場合と比べ、データ書き換え処理に要する時間を大幅に短縮することができる。

さらに、記録トラック幅方向（Ｘ軸方向）において、複数のデータ記録ブロックＤＳの間に書き滲み抑制層ＤＭをそれぞれ設けるようにしている。このため、データ記録ブロックＤＳ同士の間におけるイレーズバンドＥＢの発生を抑制し、データ記録ブロックＤＳの相互間隔を縮小することができる。

すなわち、例えば図１１（Ａ）に示した比較例のように書き滲み抑制層ＤＭを設けない場合には、データ書き換え処理を実施したデータ記録ブロックＤＳ_mにおける最終の記録トラックＴＲ_Lの外側には必ずイレーズバンドＥＢ_Lが形成される。このイレーズバンドＥＢ_Lの幅は、スキュー角に応じて（スキュー角が大きいほど）も増大する。また、隣り合うデータ記録ブロックＤＳ_m+1における最初の記録トラックＴＲ_FのイレーズバンドＥＢ_Fが、データ記録ブロックＤＳ_mにおけるイレーズバンドＥＢ_Lと隣接するように形成される。よって、データ記録ブロックＤＳ_mとデータ記録ブロックＤＳ_m+1との間には間隙領域ＶＺが形成される。ここで、その後にデータ記録ブロックＤＳ_mに対して書き換え処理が行われる際に、データ記録ブロックＤＳ_m+1における最初の記録トラックＴＲ_Fに記録されたデータがイレーズバンドＥＢ_Lの磁気的な影響を受けないように（磁化方向の乱れが伝播しないように）、間隙領域ＶＺの幅を十分に大きく確保せざるを得ない。また、図１１（Ａ）の比較例では、最終の記録トラックＴＲ_Lの幅は、他の記録トラックＴＲの幅よりも大きくなってしまう。これらの要因は、磁気ディスク２０１全体における記録密度を低下させるものである。

そこで本形態では、図１１（Ｂ）に示したように、図１１（Ａ）における最終の記録トラックＴＲ_Lの一部および間隙領域ＶＺ（イレーズバンドＥＢ_L ，ＥＢ_F ）を書き滲み抑制層ＤＭによって置き換えるようにしている。このため、図１１（Ｂ）では記録トラックＴＲ_Lの幅が狭小化される。そのうえ、書き滲み抑制層ＤＭには磁気情報が記録されない（磁化されない）ことから、図１１（Ｂ）ではイレーズバンドＥＢ_L ，ＥＢ_F が形成されず、書き滲み抑制層ＤＭの幅がイレーズバンドＥＢ_L およびイレーズバンドＥＢ_F の合計の幅よりも小さくなる。これらの結果、データ記録ブロックＤＳの配列ピッチを短縮することができる。したがって、本形態では、例えば図１１（Ｂ）に示した隣り合う３つのデータ記録ブロックＤＳ_n，ＤＳ_n+1，ＤＳ_n+2の全体の幅が、図１１（Ａ）に示した比較例の３つのデータ記録ブロックＤＳ_m，ＤＳ_m+1，ＤＳ_m+2の全体の幅よりも幅ＷＤの分だけ小さくなる。なお、図１１（Ｂ）の本形態では、図１１（Ａ）の比較例と比較すると、例えばスキュー角が１４°の場合、一のデータ記録ブロックＤＳにつき３０〜４０ｎｍ程度（イレーズバンドＥＢ_F の幅と同程度）狭小化することができる。このように書き滲み抑制層ＤＭを設けることにより、データ記録ブロックＤＳの相互間隔を狭めた場合であっても、データ書き換え処理の際、隣り合うデータ記録ブロックＤＳの磁気的な相互干渉が回避され、各データ記録ブロックＤＳにおける良好な記録状態が維持される。

なお、図１２に示したように、書き滲み抑制層ＤＭの幅Ｗ_DMは、磁気ディスク２０１における位置によって異なっている。これは、この磁気記録再生装置の構造上の理由により、例えば記録トラックＴＲの接線に対する主磁極１４の基準方向（Ｚ軸方向）の傾き角（いわゆるスキュー角）が、磁気ディスク２０１の径方向における内周側の領域と、中間の領域と、外周側の領域とで互いに異なるので、幅Ｗ_DMをその傾き角の違いに対応させるためである。例えば図１１では、（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）が、磁気ディスク２０１の径方向における外周側の領域におけるデータ記録ブロックＤＳ_OUT，中間の領域におけるデータ記録ブロックＤＳ_TM，内周側の領域におけるデータ記録ブロックＤＳ_INをそれぞれ表している。なお、図１２では、磁気ディスク２０１の中間の領域においてスキュー角が最小（０°）となるように設定し、内周側あるいは外周側へ向かうほどスキュー角（の絶対値）が大きくなるように設定した場合を例示している。ここで、書き滲み抑制層ＤＭを設けないときのイレーズバンドＥＢ_L（図１１（Ａ）参照）の幅Ｗ_EBは、スキュー角が大きくなるほど増大する。幅Ｗ_EBは、例えばスキュー角が０°のときに０．０１〜０．０１５μｍ程度であるのに対し、スキュー角が１４°のときには０．０２〜０．０４μｍ程度にまで増大する。したがって、これに対応するため、内周側および外周側の領域における書き滲み抑制層ＤＭの幅Ｗ_IN,Ｗ_OUTを、中間の領域における書き滲み抑制層ＤＭの幅Ｗ_Mよりも大きくしている。すなわち、書き滲み抑制層ＤＭの幅Ｗ_DMは、磁気ディスク２０１における最内周部分または最外周部分において最大となっている。

このような理由から、データ記録ブロックＤＳの配列ピッチの短縮は、磁気ディスク２０１上におけるスキュー角の大きな領域において特に効果的になされる。

以上説明したように、本形態では、磁気ディスクにおいて複数のデータ記録ブロックＤＳを設け、それらを書き滲み抑制層ＤＭによって分離するようにしたので、記録密度の向上を図りつつ、データ記録ブロックＤＳごとに良好かつ短時間のデータ書き換え処理を行うことができる。

なお、本発明は上記の形態に限定されず、種々の変形が可能である。具体的には、例えば上記形態では、磁気ディスクの表面において、複数のデータ記録ブロックの相互間に、記録磁界により磁化されることのない部分として書き滲み抑制層を設けるようにしたが、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、例えば図１４に示したように、複数のデータ記録ブロックの相互間に、上記の書き滲み抑制層の代わりに溝（凹部）ＧＶを設けるようにしてもよい。その場合、その溝ＧＶが記録磁界により磁化されることのない部分（書き滲み抑制部）として機能する。

本実施態様における符号と構成要素との対応関係を以下にまとめて示す。
１…基板、２，９，１１〜１３，２０，２１，２３…絶縁層、３…下部リードシールド、４…シールドギャップ、５…上部リードシールド、６…磁気抵抗効果（ＭＲ）素子、７…分離層、８Ａ，８Ｃ…磁性層、８Ｂ…リーディングシールド、１０，２２…薄膜コイル、１４…主磁極層、１４Ａ…先端部、１４Ｂ…後端部、１５…サイドギャップ（ＳＧ）、１６…サイドシールド、１７…トレーリングシールド、１８…トレーリングギャップ、１９…補助磁極層、２４…リターンヨーク層、２５…オーバーコート層、２２０…エアベアリング面、１００Ａ…再生ヘッド部、１００Ｂ…記録ヘッド部、２００…筐体、２０１…磁気ディスク、２０２…磁気ヘッドスライダ、２０３…サスペンション、２０４…アーム、２０５…スピンドルモータ、２０６…駆動部、２０７…固定軸、２０８…ベアリング、２１１…基体、２１２…薄膜磁気ヘッド、２２０…エアベアリング面、ＤＭ…書き滲み抑制層、ＤＳ…データ記録ブロック、ＴＲ…記録トラック、ＥＢ…イレーズバンド。

Claims (16)

1. 磁極を有する磁気記録ヘッドと、
   複数の記録トラックがそれぞれ形成され、かつ、書き滲み抑制部により記録トラック幅方向に分離された複数のデータ記録ブロックを有するシングルライト方式用の磁気記録媒体と
   を備えた磁気記録装置。
2. 前記書き滲み抑制部は、前記データ記録ブロックよりも大きな保磁力を有する強磁性材料、または非磁性材料からなる
   請求項１記載の磁気記録装置。
3. 前記磁気記録媒体における書き滲み抑制部の前記記録トラック幅方向の幅は、前記磁気記録媒体上の前記記録トラック幅方向の位置によって異なっている
   請求項１または請求項２に記載の磁気記録装置。
4. 前記磁気記録媒体における書き滲み抑制部の前記記録トラック幅方向の幅は、前記記録トラックの接線に対する前記磁極の基準方向の傾き角としてのスキュー角に応じた大きさの分布を有する
   請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の磁気記録装置。
5. 前記記録トラックおよび前記書き滲み抑制部は同心円状に形成され、
   前記書き滲み抑制部は、前記磁気記録媒体における最内周部分または最外周部分において最大の幅を有している
   請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の磁気記録装置。
6. 前記記録トラックの幅は、前記磁極のトレーリングエッジの幅よりも狭い請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の磁気記録装置。
7. 前記データ記録ブロックごとに各記録トラックのデータの書き換え処理を行う請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の磁気記録装置。
8. 前記書き滲み抑制部は、そのトラック幅方向における少なくとも一方の端縁が前記記録トラックと接するように配置されている
   請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の磁気記録装置。
9. 複数の記録トラックがそれぞれ形成され、かつ、書き滲み抑制部により記録トラック幅方向に分離された複数のデータ記録ブロックを有する磁気記録媒体を回転させる第１ステップと、
   前記磁気記録媒体上を浮上する磁気記録ヘッドの磁極から記録磁界を付与することにより、所定の前記データ記録ブロックへデータの記録を行う第２ステップと
   を含み、
   前記第２ステップでは、
   前記磁極を、先に前記データの記録がなされた各々の前記記録トラックの領域の一部と重複するように通過させ、
   前記データ記録ブロックのうちの最後の記録トラックへの記録を行う際には、前記磁極の一部を前記書き滲み抑制部上を通過させる
   磁気記録方法。
10. 前記書き滲み抑制部として、前記データ記録ブロックよりも大きな保磁力を有する強磁性材料、または非磁性材料からなるものを用いる
    請求項９記載の磁気記録方法。
11. 前記磁気記録媒体として、前記書き滲み抑制部の前記記録トラック幅方向の幅が前記スキュー角に応じた大きさの分布を有するものを用いる
    請求項９または請求項１０に記載の磁気記録方法。
12. 複数の記録トラックがそれぞれ形成され、かつ、書き滲み抑制部により記録トラック幅方向に分離された複数のデータ記録ブロックを有する
    シングルライト方式用磁気記録媒体。
13. 前記書き滲み抑制部は、前記データ記録ブロックよりも大きな保磁力を有する強磁性材料、または非磁性材料からなる
    請求項１２記載のシングルライト方式用磁気記録媒体。
14. 前記書き滲み抑制部の前記記録トラック幅方向の幅は、前記記録トラック幅方向の位置によって異なっている
    請求項１２または請求項１３に記載のシングルライト方式用磁気記録媒体。
15. 前記記録トラックおよび前記書き滲み抑制部は同心円状に形成され、
    前記書き滲み抑制部は、前記磁気記録媒体における最内周部分または最外周部分において最大の幅を有している
    請求項１２から請求項１４のいずれか１項に記載のシングルライト方式用磁気記録媒体。
16. 前記書き滲み抑制部は、そのトラック幅方向における少なくとも一方の端縁が前記記録トラックと接するように配置されている
    請求項１２から請求項１５のいずれか１項に記載のシングルライト方式用磁気記録媒体。

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