JP5081684B2 - カーボンナノチューブ成長用基板及びその製造方法、並びにカーボンナノチューブの製造方法 - Google Patents
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Description
本比較例では、触媒粒子を触媒金属からなる膜で作製した点以外は全て実施例1と同様にカーボンナノチューブ成長用基板を作製し、このカーボンナノチューブ成長用基板にカーボンナノチューブを成長させた。
3 アークプラズマガン装置
4 同軸型真空アーク蒸着源
5 電源部
6 トランジスタ素子
11 母基板
12 反応防止層
13 触媒粒子
14 非触媒層パターン
15 凝集触媒粒子
16 カーボンナノチューブ
21 酸化膜
22 レジストパターン
23 非触媒膜
31 真空チャンバ
32 基板ホルダ
41 アノード電極
42 カソード電極
43 設置台
44 触媒材料
45 絶縁部材
46 絶縁碍子
47 トリガ電極
51 トリガ電源
52 アーク電源
53 コンデンサユニット
Claims (8)
- 基板の対象面に、分散された状態で形成された触媒金属からなる触媒粒子と、この触媒粒子が形成された領域上に、触媒粒子がその側面に露出するように設けられた触媒金属を含有しない非触媒層パターンとを備えたことを特徴とするカーボンナノチューブ成長用基板。
- 前記非触媒層パターンが、SiO2、TiO2、ゼオライト及びクロムから選ばれた少なくとも1種からなることを特徴とする請求項1記載のカーボンナノチューブ成長用基板。
- 前記触媒粒子の粒径が、0.5〜10nmであることを特徴とする請求項1又は2に記載のカーボンナノチューブ成長用基板。
- 基板の対象面に触媒粒子を分散させた状態で形成した後、少なくとも触媒粒子が形成された領域を覆うように非触媒膜を形成し、次いで、非触媒膜を加工して、その側面に前記触媒粒子が露出するように非触媒層パターンを形成することを特徴とするカーボンナノチューブ成長用基板の製造方法。
- 前記非触媒膜がSiO2、TiO2、ゼオライト及びクロムから選ばれた少なくとも1種からなることを特徴とする請求項4記載のカーボンナノチューブ成長用基板の製造方法。
- 前記基板上に、アークプラズマガン法により前記触媒粒子を分散させた状態で形成することを特徴とする請求項4又は5記載のカーボンナノチューブ成長用基板の製造方法。
- 前記基板上に、レジストパターンを設け、次いでこのレジストパターンを含む全面に、前記触媒粒子を分散させた状態で形成し、その後、前記非触媒膜を形成した後に、前記レジストパターンをリフトオフして、前記非触媒層パターンを形成することを特徴とする請求項4〜6のいずれかに記載のカーボンナノチューブ成長用基板の製造方法。
- 基板上に、レジストパターンを設け、次いでレジストパターンを含む全面に、触媒粒子を分散させた状態で形成した後、触媒粒子が形成された領域を覆うようにSiO2、TiO2、ゼオライト、及びクロムから選ばれた少なくとも1種からなる非触媒膜を形成し、次いで、前記レジストパターンをリフトオフして、その側面に前記触媒粒子が露出するように非触媒層パターンを形成し、その後、加熱して露出した前記触媒粒子を凝集させると共に炭素含有ガスをこの凝集した触媒粒子に接触させて露出した前記触媒粒子からカーボンナノチューブを成長させることを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。
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