JP2007012668A - 導電性薄膜のプラズマパターニング方法 - Google Patents

Abstract

【課題】導電性薄膜のプラズマパターニング方法において、ケミカルエッチングのように環境負荷の大きいレジストやエッチング液を使用せず、更に耐薬品性に弱い基材や導電性薄膜に対して、ダメージが少なく、処理時間の短い導電性薄膜のパターニング方法を提供すること。
【解決手段】大気圧近傍で用いるプラズマ発生用電極、その下に誘電体層のプラズマ発生手段と、その下に導電性薄膜を形成した基材を載置する基材載置手段と、導電性薄膜の下に誘電性パターンマスクと、その下に導電性のマスク電極７を配置して、導電性薄膜の表面と誘電性パターンマスク及びマスク電極とで構成する微小空間内でのプラズマ処理手段と、該処理手段を用いて微小空間内に面した導電性薄膜の部分を除去する装置を用いて、プラズマを、導電性薄膜と導電性のマスク電極上に照射して、微小空間内の導電性薄膜部分だけパターニング処理する導電性薄膜のプラズマパターニング方法。
【選択図】図１

Description

本発明は、大気圧近傍の圧力下において発生したプラズマ処理方法に関するものであり、さらに詳しくは、この発明は１３〜１３３ＫＰａの大気圧近傍の圧力下で発生したプラズマを利用して、導電性の薄膜上にパターニング処理を施す導電性薄膜のプラズマパターニング方法に関する。

グロー状のプラズマを利用した技術は、低温かつ高エネルギーである特徴から、高分子フィルム、シリコンウエハ等の様々な材料からなる基材表面への表面改質や薄膜の堆積、エッチング等の多岐に渡る分野で利用されている。従来、このグロープラズマを用いたプロセスは、減圧雰囲気下で行うプロセスである。そのため、真空度に見合った減圧状態にするための設備が必要であり、それにともない排気に要する時間もかかるため、設備コストやランニングコストが高いという問題点がある。

電極間に固体誘電体を被覆することで大気圧近傍の圧力下でも均一なグロー放電プラズマが発生することが発見され、従来、真空中のプロセスであったグロープラズマを用いた薄膜形成、表面処理の分野で盛んに研究が進められている（特許文献１参照）。また、大気圧下で発生したプラズマにおいては、コロナ放電処理装置のような、表面処理装置が古くから利用されている（特許文献２参照）。従来、まばらな雨降り状放電であったコロナ放電においても、このグロー放電の発見および技術の向上により、より低温かつ均一なプラズマを発生することが可能となった（特許文献３参照）。

一方、導電性薄膜のパターニング方法としては、一般的にレジストを用いて、ケミカルエッチングによりパターニングを施す方式が知られている。エッチング液やレジスト等を大量に消費するため、環境負荷が大きいという問題点がある。更に、耐酸性や耐アルカリ性等の耐薬品性に弱い基材や導電性薄膜に対して、ダメージの少ないプロセスの開発が望まれている。

そこで、大気圧下でのプラズマを利用したドライエッチングによるパターニング方法も近年注目されているが、ポイントでの処理になるため、処理時間が長いという問題点を有する。

上記したとおり、導電性薄膜のパターニング方法としては、作りたいパターン形状にレジストを塗布、硬化し、エッチング液により、ケミカルエッチングを施すフォトプロセス法が一般的である。しかし、この方法においては、エッチング液やレジストを大量に使用するため、環境負荷が大きいという問題点がある。

以下に公知文献を記す。
特開平０９−５００４０号公報 特開平０５−２７５１９０号公報 特開２０００−１６９９７７号公報

本発明の課題は、上述のような問題を解決する為になされたものであり、導電性薄膜等のパターニングにおいて、エッチング液やレジストを大量に使用する、環境負荷が大きいフォトプロセス法を用いないパターニング方法であって、更に、耐薬品性に弱い基材や導電性薄膜に対して、ダメージが少なく、処理時間の短い導電性薄膜のパターニング方法を提供することを目的とする。

本発明の請求項１に係る発明は、基材の片側に形成した導電性薄膜にパターニング処理を施すプラズマパターニング方法において、電極間に交流高電圧を印加して、大気圧近傍の圧力下で大気圧プラズマを発生できるプラズマ発生手段と、そのプラズマ発生手段の下部に一方面に導電性薄膜を形成した基材を載置する基材載置手段と、その基材載置手段で載置した基材の導電性薄膜の下部にパターニングされた誘電性マスクと、その下部に導電性のマスク電極７を配置して、導電性薄膜側へプラズマを照射して、導電性薄膜の表面とパターニングされた誘電性マスク及びマスク電極とで構成する微小空間内でのプラズマ処理手段と、該処理手段を用いて微小空間を挟んで直接面した導電性薄膜の部分だけを除去するための装置を用いたプラズマパターニング方法であって、基材載置手段により載置した導電性薄膜を形成した基材に、発生させたプラズマを、前記形成した微小空間を挟んで直接面した基材上に形成した導電性薄膜と導電性のマスク電極面上にプラズマ照射して、微小空間を挟んで直接面した導電性薄膜部分だけにプラズマ処理手段を用いてパターニング処理を施すことを特徴とする導電性薄膜のプラズマパターニング方法である。

本発明の請求項２に係る発明は、基材の片側に形成した導電性薄膜にパターニング処理を施すプラズマパターニング方法において、電極間に交流高電圧を印加して、大気圧近傍の圧力下で大気圧プラズマを発生できるプラズマ発生手段と、そのプラズマ発生手段の下部に一方面に導電性薄膜を形成した基材を載置する基材載置手段と、その基材載置手段で載置した基材の導電性薄膜の下部にパターニングされた導電性のマスク電極、又は誘電体の基材上に導電体のパターンが形成されたマスク電極を配置して、導電性薄膜側へプラズマを照射して、導電性薄膜の表面と導電性のパターニングされたマスク電極の表面とで構成する微小間隙内でのプラズマ処理手段と、該処理手段を用いて微小間隙内に直接面した導電性薄膜の部分だけを除去するための装置を用いたプラズマパターニング方法であって、基材載置手段により載置した導電性薄膜を形成した基材に、発生させたプラズマを、前記形成した微小間隙内に直接面したパターニングされた導電性のマスク電極と基材上に形成した導電性薄膜面上にプラズマ照射して、微小間隙内に直接面した導電性薄膜部分だけにプラズマ処理手段を用いてパターニング処理を施すことを特徴とする導電性薄膜のプラズマパターニング方法である。

本発明の請求項３に係る発明は、前記導電性薄膜は、照射したプラズマ発生手段側から見て、外側に設置することを特徴とする請求項１、又は２記載の導電性薄膜のプラズマパターニング方法である。

本発明の請求項４に係る発明は、前記導電性薄膜及び導電性のマスク電極側へ照射するプラズマは、アーク状プラズマに移行することを防止するための前記導電性薄膜よりも広面積である導電体層を設けることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１記載の導電性薄膜のプラズマパターニング方法である。

本発明の請求項５に係る発明は、前記対面した導電性薄膜と導電性のマスク電極との各々電極は、照射したプラズマ発生手段側から見て、外側に設置した導電性薄膜、又は導電性のマスク電極をグランドに接地することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項記載の導電性薄膜のプラズマパターニング方法である。

本発明の請求項６に係る発明は、前記導電性薄膜と導電性のマスク電極との距離は、０．００１〜３ｍｍの範囲内であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項記載の導電性薄膜のプラズマパターニング方法である。

本発明の請求項７に係る発明は、前記プラズマは、グロー状、又はコロナ状のプラズマであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項記載の導電性薄膜のプラズマパターニング方法である。

本発明で提案する方法によれば、大気圧雰囲気下で発生したグロー状あるいはコロナ状のプラズマを、対向するパターニングを施す導電性薄膜と導電体素材面上のプラズマ側から見て外側に配置された方をグランドに接地し、照射することにより、それぞれ、導電性薄膜と導電体素材の距離０．００１〜３ｍｍ以内の空間を挟んで、直接対面した部分の導電性薄膜にパターニング処理を施すことができる。この処理により、エッチング液やレジスト等の化学薬品を使用することなく、更に耐薬品性に弱い基材や導電性薄膜にエッチング処理を施すことができる。また、工程数が減ることによる、プロセスの簡素化やランニングコストの短縮が期待できる。

図１は、本発明の大気圧プラズマパターニング処理方法を実施するための装置の一例の概略の側断面図である。

図１（ａ）に示すような構造を有するプラズマパターニング処理装置は、電極間に交流高電圧を印加して、大気圧近傍の圧力下で発生できるプラズマ発生用電極１と、その下部に誘電体層３とのプラズマ発生手段１０を備え、その下部に導電性薄膜４を形成した基材３を載置する基材載置手段４０と、前記導電性薄膜４の下部にパターニングされた誘電性のパターンマスク６と、その下部に導電性のマスク電極７とを備え、プラズマ発生手段１０のプラズマ２を導電性薄膜５側へ照射して、導電性薄膜５の表面とパターニングされた誘電性のパターンマスク６及び導電性のマスク電極７とで構成された微小空間内でのプラズマ処理手段９０の二次微少放電を生成して、該処理手段９０を用いて微小空間を挟んで直接面した導電性薄膜５の部分だけを除去するプラズマパターニング方法である。なお、プラズマ発生手段１０側から見て外側に配置された、例えば導電性のマスク電極７がグランドに接地した。

図１（ｂ）は、（ａ）の破線丸枠の拡大図である。基材載置手段４０により載置した導電性薄膜５を形成した基材４に、発生させたプラズマ２を、前記形成した微小空間を挟んで直接面した基材上に形成した導電性薄膜と導電性のマスク電極面上にプラズマ照射して、微小空間を挟んで直接面した導電性薄膜部分だけ、例えばパターニング処理部９にプラズマ処理手段９０を用いてパターニング処理を施す導電性薄膜のプラズマパターニング方法である。

照射するプラズマ２は、アーク状のような非常に高温なプラズマであると、基材等を破壊してしまうため、グロー状あるいはコロナ状のような低温なプラズマであれば良い。上記のような形態のプラズマであれば、発生方法および装置形態は問わないが、プラズマの照射方法としては、図１のように、リモート型の吹出したプラズマを照射する方法等が考えられる。

本発明の処理雰囲気圧力は、１３〜１３３ＫＰａの大気圧近傍の圧力であり、圧力調整が容易な１００±１３ＫＰａの範囲の大気圧下が特に好ましい。プラズマ発生用の雰囲気ガスとしては、比較的低電圧でプラズマが発生しやすい不活性なガスが望ましい。具体的
な例としては、ヘリウム、アルゴン、窒素、空気等を単独または混合して使用することが挙げられる。

また、プラズマを照射する一番内側の面には、アークプラズマの発生を防止するための誘電体層３を設置することが好ましい。誘電体層３の材質は特に限定はないが、１００℃以上の耐熱性があり、誘電損失が少ない素材が好ましい。具体的な例としては、石英、パイレックス（登録商標）、テンパックス等のＳｉＯｘガラス素材や、アルミナ、ジルコン、ジルコニア、ジルコニア−イットリア、アルミナ−チタニア等のセラミック素材等が挙げられる。

前記誘電体層３は、発生させたプラズマがアーク状プラズマに移行することを防止することができる。本発明では、導電性のマスク電極７、又は導電性薄膜を形成した基材よりも広い面積を誘電体層で覆うことにより、グロー状あるいはコロナ状のような低温なプラズマを照射する方法を採用した。

本発明で使用するパターニング処理を施したい導電性薄膜５をコーティングする基材４としては、特に制限はないが、高分子フィルム、シリコン基板等の金属基板、ガラス基板、セラミック等が挙げられる。高分子フィルムの具体的な例としてはポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、セルローストリアセテート、ポリエーテルサルフォン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ナイロン−６、ナイロン−６６、ポリビニルアルコール等が挙げられる。これらの高分子フィルムには添加剤、例えば可塑剤、帯電防止剤、滑剤、紫外線吸収剤等が含まれていてもよい。

パターニング処理を施す導電性薄膜５とマスク電極７は対面して設置する。パターニング処理により、削る部分と残す部分が存在するが、削りたい部分は、０．００１〜３ｍｍ以内に近接させ、導電性薄膜とマスク電極と表面間に微少な空間を空けて設置する。特に好ましくは、０．５ｍｍ以内である。

導電性薄膜５とマスク電極７はプラズマ側から見て、遠い方をグランドに設置していれば、図１や図２のように導電性薄膜５とマスク電極７の配列は問わないものである。

また、導電性薄膜５の残したい部分に関しては、図１（ｂ）のように誘電性のパターンマスク６と対面して設置させることにより、パターニング処理部９のパターニング処理が可能になる。

誘電性のパターンマスク６は、パターニングを施したい形状に象ったマスクあるいは、パターニングを施したい形状に象ったマスク電極を保持するものであり、ここでは、導電性薄膜表面に対してパターンマスクが面した部分のみ、パターンは残るものである。

誘電性のパターンマスク６の素材に関しては、誘電性のものであれば、特に問題がなく、高分子フィルム、プラスチック基盤、ガラス基板、セラミック等が挙げられる。具体的な例としてはポリプロピレン、ポリカーボネイト、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、テフロン（登録商標）、石英、パイレックス（登録商標）、アルミナ等が挙げられる。

図１（ｂ）を用いて本発明の導電性薄膜のプラズマパターニング方法を説明する。所定のパターンの形状を前記誘電性のもの、例えばテフロン（登録商標）により形成し、該テフロン（登録商標）からなる誘電性のパターンマスク６を用いて、導電性薄膜５／テフロン（登録商標）からなる誘電性のパターンマスク６／マスク電極７と配置し、誘電性のパターンマスク６の開口部内の二次放電によるプラズマ処理手段９０で導電性薄膜５の表面
より膜面破壊の処理をする。すなわち、誘電性のパターンマスク６のパターンを導電性薄膜５に転写する。誘電性のパターンマスク６の形成方法は、樹脂レジスト等を用いたフォトプロセス法、樹脂蒸着法、蒸着重合法、ドライエッチング法があり、適宜選択することが重要である。その厚さは、０．００１〜３ｍｍに制限され、その厚さが、微小空間を形成する役割となる。また、前記厚さが０．００１ｍｍの近傍では、導電性のマスク電極７の表面に０．００１ｍｍ厚の誘電性のパターンマスク層を形成することもある。

図２は、図１の構成で、導電性薄膜５とマスク電極７の配置位置を変更した場合の事例である。機能等は同等である。

図４は、本発明の大気圧プラズマパターニング処理方法を実施するための装置の一例の概略図である。図４ｂの装置を使用して、大気圧プラズマパターニングを実施した時の装置の概略図である。

図４（ａ）に示す構造を有するプラズマパターニング装置は、電極間に交流高電圧を印加して、大気圧近傍の圧力下で発生できるプラズマ発生用電極１と、その下部に誘電体層３とのプラズマ発生手段１０を備え、その下部にパターニングされた導電性のマスク電極７０を配置して、その下部に導電性のマスク電極７０と対向する位置に導電性薄膜を形成した基材を載置する基材載置手段とを備え、プラズマ発生手段１０のプラズマをパターニングされた導電性のマスク電極７０側へ照射して、パターニングされた導電性のマスク電極７０の表面と導電性薄膜５の表面で構成する微小間隙内でのプラズマ処理手段９０の二次微少放電を生成して、該処理手段９０を用いて微小間隙内に直接面した導電性薄膜の部分だけを除去するための装置を用いたプラズマパターニング方法である。なお、プラズマ発生手段１０側から見て外側に配置された、例えば基材４がグランドに接地した。

図４（ｂ）は、（ａ）の破線丸枠の拡大図である。基材載置手段４０により載置した導電性薄膜５を形成した基材４に、発生させたプラズマを、前記形成した微小間隙内に直接面した導電性のパターンマスク電極７０と、基材４上に形成した導電性薄膜５面上にプラズマ照射して、微小間隙内に直接面した導電性薄膜部分だけ、例えばパターニング処理部９にプラズマ処理手段９０を用いてパターニング処理を施す導電性薄膜のプラズマパターニング方法である。

マスク電極７は、パターニングを施したい形状に象ったマスクあるいは、パターニングを施したい形状に象った誘電性のパターンマスクを保持するものであり、基材に対して、所定の距離以内で導電性薄膜と面した部分のみ、プラズマによりパターニング処理を施されるものである。

マスク電極の素材に関しては、導電性であればよく、具体的には、銅、アルミ、錫、鉄、チタン等の金属を単体あるいは合金等が挙げられる。また、マスク電極は、場合によっては、アークプラズマの異常発生を防ぐ為に、１ｍｍ以内の誘電性の層で覆っても良い。誘電性の層の素材に関しては、具体的な例としてはポリプロピレン、ポリカーボネイト、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、テフロン（登録商標）、石英、パイレックス（登録商標）、アルミナ等が挙げられる。

図４（ｂ）を用いて本発明の導電性薄膜のプラズマパターニング方法を説明する。所定のパターンの形状を前記導電性のもの、例えば銅により形成し、該銅からなる導電性のパターンマスク電極７０を用いて、銅からなる導電性のパターンマスク電極７０／導電性薄膜５と配置し、導電性のパターンマスク電極７０の微小間隙内の二次放電によるプラズマ処理手段９０で導電性薄膜５の表面より膜面破壊の処理をする。すなわち、導電性のパターンマスク電極７０のパターンを導電性薄膜５に転写する。導電性のパターンマスク電極
７０の形成方法は、フォトプロセス法を用いて、エッチング法、金属蒸着法、電解めっき法等から適宜選択することが重要である。そのパターンの段差は、０．００１〜３ｍｍに制限され、その段差が、微小間隙を形成する役割となる。

また、本発明の処理方法におけるパターンの形成では、導電性のパターンマスク電極７０と誘電性のパターンマスク６にパターンを形成する方法であり、そのパターンを導電性薄膜５に転写するもので、図１，２のような誘電性のパターンマスク６では、ネガティブパターンが形成され、図４，図３のような導電性のパターンマスク電極７０では、ポジティブパターンが形成される。

図３は、図４の構成で、導電性薄膜５と導電性のパターンマスク電極７０の配置位置を変更した場合の事例である。機能等は同等である。

図５は、導電性のパターンマスク電極７０の構成を説明する側断面図であり、（ａ）は、導電体からなる導電性のパターンマスク電極であり、（ｂ）は、誘電体の基材上に導電体のパターンを形成した導電性のパターンマスク電極である。図３は、図４の構成では、全て図５（ａ）の場合であるが、図５（ｂ）の場合でも同様な効果がある。図５（ａ）は導電性の薄膜５のみで、基材及びパターンを形成した導電性のパターンマスク電極７０である。図５（ｂ）は誘電体層の基材４上に導電性の薄膜５にパターンを形成した導電性のパターンマスク電極７０である。

続いて、本発明の処理方法を装置の具体例をあげて説明する。図１に本発明で使用する装置の一例を示す。

厚さ１００μｍのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム基材４上に、ＩＴＯ（酸化インジウム）５を１００ｎｍ堆積したフィルムを被パターニング処理物として用いた。

図１に示したように、パターニング処理物となるＩＴＯ５を堆積させた基材４とマスク電極７を、残したいパターン形状を象った誘電性のパターンマスク６を挟むように配置して、マスク電極をグランド面に接地した。基材面の上には、アーク放電防止用の誘電体層３として１ｍｍ厚のテンパックスガラスを設置した。前記誘電性のパターンマスク６は、汎用の１８μｍ厚の銅箔上にポジ型液状レジスト（ＰＭＥＲ−Ｐ・商品名、東京応化（株）製）を５μｍ厚に形成後、ドライエッチング法により露出した銅箔部をエッチングして、１８μｍ厚さに形成した。

ここで用いたプラズマ発生用電極１の構造は、外径１２ｍｍ、厚さ２ｍｍの石英ガラス管の外側にステンレスメッシュ電極を巻きつけ、内側中央に外径６ｍｍのステンレス棒電極と同軸上に配置したものを使用した。プラズマ発生用のガスとして、ヘリウムを５リットル／分として、電源は高電圧パルス電源（ハイデン研究所社製）を使用し、繰り返し周波数２０ｋＨｚ、出力３００Ｗとした。

照射したプラズマ２は、電気的に誘電体層内３を通過し、導電性薄膜５とマスク電極７間で微小空間を挟んで面した部分のみで２次微少放電が発生する。この２次放電により導電性薄膜面のパターニング処理部９が破壊され、図１（ｂ）のようにパターンが形成された。

本発明によって、従来のケミカルエッチングを用いたパターニング処理のように、エッチング液やレジストを大量に使用することないため、環境負荷が少なく、更に、耐薬品性
が弱い基材や導電性薄膜に対して、ダメージが少なく、処理時間の短い導電性薄膜のパターニング方法を提供することを可能とした。

本発明の大気圧プラズマパターニング処理方法を実施するための装置の一例の概略図で、（ａ）は、装置の側断面で、（ｂ）は、パターニング処理部の部分拡大図である。 本発明の大気圧プラズマパターニング処理方法を実施するための装置の一例の概略図で、（ａ）は、装置の側断面で、（ｂ）は、パターニング処理部の部分拡大図である。 本発明の大気圧プラズマパターニング処理方法を実施するための装置の一例の概略図で、（ａ）は、装置の側断面で、（ｂ）は、パターニング処理部の部分拡大図である。 本発明の大気圧プラズマパターニング処理方法を実施するための装置の一例の概略図で、（ａ）は、装置の側断面で、（ｂ）は、パターニング処理部の部分拡大図である。 本発明の導電性のパターンマスク電極の構成を説明する側断面図であり、（ａ）は、導電体からなるマスク電極であり、（ｂ）は、誘電体の基材上に導電体のパターンを形成したマスク電極である。

符号の説明

１…プラズマ発生用電極
２…プラズマ
３…誘電体層
４…基材
５…導電性薄膜
６…（パターンマスク）誘電性のパターンマスク
７…（マスク電極）導電性のマスク電極
８…上部電極
９…パターニング処理部
１０…プラズマ発生手段
４０…基材載置手段
７０…パターニングされた導電性のマスク電極（導電性のパターンマスク電極）
９０…プラズマ処理手段

Claims (7)

1. 基材の片側に形成した導電性薄膜にパターニング処理を施すプラズマパターニング方法において、
   電極間に交流高電圧を印加して、大気圧近傍の圧力下で大気圧プラズマを発生できるプラズマ発生手段と、
   そのプラズマ発生手段の下部に一方面に導電性薄膜を形成した基材を載置する基材載置手段と、
   その基材載置手段で載置した基材の導電性薄膜の下部にパターニングされた誘電性マスクと、
   その下部に導電性のマスク電極７を配置して、
   導電性薄膜側へプラズマを照射して、導電性薄膜の表面とパターニングされた誘電性マスク及びマスク電極とで構成する微小空間内でのプラズマ処理手段と、
   該処理手段を用いて微小空間を挟んで直接面した導電性薄膜の部分だけを除去するための装置を用いたプラズマパターニング方法であって、
   基材載置手段により載置した導電性薄膜を形成した基材に、発生させたプラズマを、前記形成した微小空間を挟んで直接面した基材上に形成した導電性薄膜と導電性のマスク電極面上にプラズマ照射して、微小空間を挟んで直接面した導電性薄膜部分だけにプラズマ処理手段を用いてパターニング処理を施すことを特徴とする導電性薄膜のプラズマパターニング方法。
2. 基材の片側に形成した導電性薄膜にパターニング処理を施すプラズマパターニング方法において、
   電極間に交流高電圧を印加して、大気圧近傍の圧力下で大気圧プラズマを発生できるプラズマ発生手段と、
   そのプラズマ発生手段の下部に一方面に導電性薄膜を形成した基材を載置する基材載置手段と、
   その基材載置手段で載置した基材の導電性薄膜の下部にパターニングされた導電性のマスク電極、又は誘電体の基材上に導電体のパターンが形成されたマスク電極を配置して、
   導電性薄膜側へプラズマを照射して、
   導電性薄膜の表面と導電性のパターニングされたマスク電極の表面とで構成する微小間隙内でのプラズマ処理手段と、
   該処理手段を用いて微小間隙内に直接面した導電性薄膜の部分だけを除去するための装置を用いたプラズマパターニング方法であって、
   基材載置手段により載置した導電性薄膜を形成した基材に、発生させたプラズマを、前記形成した微小間隙内に直接面したパターニングされた導電性のマスク電極と基材上に形成した導電性薄膜面上にプラズマ照射して、微小間隙内に直接面した導電性薄膜部分だけにプラズマ処理手段を用いてパターニング処理を施すことを特徴とする導電性薄膜のプラズマパターニング方法。
3. 前記導電性薄膜は、照射したプラズマ発生手段側から見て、外側に設置することを特徴とする請求項１、又は２記載の導電性薄膜のプラズマパターニング方法。
4. 前記導電性薄膜及び導電性のマスク電極側へ照射するプラズマは、アーク状プラズマに移行することを防止するための前記導電性薄膜よりも広面積である導電体層を設けることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１記載の導電性薄膜のプラズマパターニング方法。
5. 前記対面した導電性薄膜と導電性のマスク電極との各々電極は、照射したプラズマ発生手段側から見て、外側に設置した導電性薄膜、又は導電性のマスク電極をグランドに接地
   することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１記載の導電性薄膜のプラズマパターニング方法。
6. 前記導電性薄膜と導電性のマスク電極との距離は、０．００１〜３ｍｍの範囲内であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項記載の導電性薄膜のプラズマパターニング方法。
7. 前記プラズマは、グロー状、又はコロナ状のプラズマであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項記載の導電性薄膜のプラズマパターニング方法。

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