JP5051112B2 - 電圧変動量算出方法及びシステム並びにコンデンサ実装形態決定方法及びシステム - Google Patents
電圧変動量算出方法及びシステム並びにコンデンサ実装形態決定方法及びシステム Download PDFInfo
- Publication number
- JP5051112B2 JP5051112B2 JP2008310812A JP2008310812A JP5051112B2 JP 5051112 B2 JP5051112 B2 JP 5051112B2 JP 2008310812 A JP2008310812 A JP 2008310812A JP 2008310812 A JP2008310812 A JP 2008310812A JP 5051112 B2 JP5051112 B2 JP 5051112B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- power supply
- internal circuit
- mounting form
- supply voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
- G06F30/30—Circuit design
- G06F30/34—Circuit design for reconfigurable circuits, e.g. field programmable gate arrays [FPGA] or programmable logic devices [PLD]
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
- G06F30/30—Circuit design
- G06F30/36—Circuit design at the analogue level
- G06F30/367—Design verification, e.g. using simulation, simulation program with integrated circuit emphasis [SPICE], direct methods or relaxation methods
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2119/00—Details relating to the type or aim of the analysis or the optimisation
- G06F2119/06—Power analysis or power optimisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Evolutionary Computation (AREA)
- Geometry (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Description
(付記1)
対象となる半導体装置内の部品の配置データにアクセスするコンピュータが、該配置データを参照して該データに対応するシミュレーション処理を実行することにより、前記半導体装置の電源入力部に実装されるデカップリングコンデンサの実装形態に対応する前記半導体装置内での電源電圧の等価的な変動量を算出する電圧変動量算出方法であって、
前記コンピュータは、
前記配置データに対し、前記半導体装置内で生ずる電源電圧の変動を検知する内部回路を示すデータを、前記配置データ全域にわたって設置するステップと、
前記半導体装置へ前記電源入力部を介して入力される電源電圧と前記内部回路が動作可能な最大動作周波数との間に存在する第1の関係を特定する第1の特定ステップと、
前記内部回路を示すデータを配置した配置データと前記内部回路の最大動作周波数との間に存在する第2の関係を特定する第2の特定ステップと、
前記第1の関係及び前記第2の関係に基づいて、前記デカップリングコンデンサの実装形態に対応する前記半導体装置内での電源電圧の等価的な変動量を算出する算出ステップと
を実行する電圧変動量算出方法。
(付記2)
前記第1の特定ステップは、
前記半導体装置へ前記電源入力部を介して供給される電源電圧を変化させる電圧変化ステップと、
前記内部回路が前記半導体装置内で生ずる前記電源電圧の変動を検知するところの前記電源電圧を、前記内部回路の動作周波数に関連付けて記憶する電圧記憶ステップと、
前記内部回路の動作周波数を他の所定の周波数へ変更し、前記電圧変化ステップ及び前記第1の電圧記憶ステップを繰り返すステップと
を有する、付記1記載の電圧変動量算出方法。
(付記3)
前記第1の特定ステップは、前記電圧変化ステップの前に、前記内部回路の動作周波数を与えるクロック信号の位相を走査し、前記半導体装置の動作状態が最悪であるところの前記クロック信号の位相を決定するクロック位相走査ステップを更に有する、付記2記載の電圧変動量算出方法。
(付記4)
前記第2の特定ステップは、
前記デカップリングコンデンサの実装形態を変化させる実装形態変化ステップと、
前記内部回路が前記半導体装置内で生ずる前記電源電圧の変動を検知するところの前記実施形態を、前記内部回路の動作周波数に関連付けて記憶する実施形態記憶ステップと、
前記内部回路の動作周波数を他の所定の周波数へ変更し、前記実装形態変化ステップ及び前記実施形態記憶ステップを繰り返すステップと
を有する、付記1乃至3のうちいずれか一項記載の電圧変動量算出方法。
(付記5)
前記第2の特定ステップは、前記実装形態変化ステップの前に、前記内部回路の動作周波数を与えるクロック信号の位相を走査し、前記半導体装置の動作状態が最悪であるところの前記クロック信号の位相を決定するクロック位相走査ステップを更に有する、付記4記載の電圧変動量算出方法。
(付記6)
対象となる半導体装置内の部品の配置データにアクセスするコンピュータが、該配置データを参照して該データに対応するシミュレーション処理を実行することにより、前記半導体装置の電源入力部に実装されるデカップリングコンデンサの実装形態を決定するコンデンサ実装形態決定方法であって、
前記コンピュータは、
請求項1乃至5のうちいずれか一項記載の電圧変動量算出方法を用いて、前記デカップリングコンデンサの実装形態に対応する前記半導体装置内での電源電圧の等価的な変動量を算出する算出ステップと、
前記等価的な変動量に基づいて、前記半導体装置が動作可能であるところのデカップリングコンデンサの実装形態を決定する決定ステップと
を実行するコンデンサ実装形態決定方法。
(付記7)
前記決定ステップは、前記等価的な変動量が許容範囲内にあるかどうかを判定する判定ステップを有する、付記6記載のコンデンサ実装形態決定方法。
(付記8)
前記許容範囲は、前記半導体装置が正常に動作する可能性が高いと考えられる該半導体装置内での電源電圧の降下量である、付記7記載のコンデンサ実装形態決定方法。
(付記9)
対象となる半導体装置内の部品の配置データにアクセスするコンピュータが、該配置データを参照して該データに対応するシミュレーション処理を実行することにより、前記半導体装置の電源入力部にデカップリングコンデンサを実装された前記半導体装置を搭載するプリント回路基板の電源系統を評価する電源系統評価方法であって、
前記コンピュータは、
前記プリント回路基板に搭載される全ての半導体装置について、付記1乃至5のうちいずれか一項記載の電圧変動量算出方法を用いて、前記デカップリングコンデンサの実装形態に対応する前記半導体装置内での電源電圧の等価的な変動量を算出する算出ステップと、
前記算出ステップで算出された前記等価的な変動量を、前記プリント回路基板の電源系統の評価指標とする評価ステップと
を実行する電源系統評価方法。
(付記10)
半導体装置の電源入力部に実装されるデカップリングコンデンサの実装形態に対応する前記半導体装置内での電源電圧の等価的な変動量を算出する電圧変動量算出システムであって、
前記半導体装置内に該半導体装置全体にわたって設けられ、前記半導体装置内で生ずる電源電圧の変動を検知する内部回路と、
前記半導体装置へ前記電源入力部を介して入力される電源電圧と前記内部回路が動作可能な最大動作周波数との間に存在する第1の関係と、前記デカップリングコンデンサの実装形態と前記内部回路の最大動作周波数との間に存在する第2の関係とを記憶する記憶部と、
前記第1の関係及び前記第2の関係に基づいて、前記デカップリングコンデンサの実装形態に対応する前記半導体装置内での電源電圧の等価的な変動量を算出する電圧変動量算出部と
を有する電圧変動量算出システム。
(付記11)
前記半導体装置へ前記電源入力部を介して供給される電源電圧を変化させる電圧変更部と、
前記内部回路が前記半導体装置内で生ずる前記電源電圧の変動を検知するところの前記電源電圧を記録し、該電源電圧を前記内部回路の動作周波数に関連付けて前記記憶部へ格納する電圧記録部と
を有する、付記10記載の電圧変動量算出システム。
(付記12)
前記デカップリングコンデンサの実装形態を変化させる実装形態変更部と、
前記内部回路が前記半導体装置内で生ずる前記電源電圧の変動を検知するところの前記実施形態を記録し、該実施形態を前記内部回路の動作周波数に関連付けて前記記憶部へ格納する実施形態記録部と
を有する、付記10又は11記載の電圧変動量算出システム。
(付記13)
前記内部回路は、複数のレジスタ回路を有するシフトレジスタ回路又はカウンタ回路として構成され、
前記内部回路は、前記半導体装置内で電源電圧の変動が発生した場合に、前記半導体装置内で最も低電位となっているエリアにあるレジスタ回路をスタックさせる、付記10乃至12のうちいずれか一項記載の電圧変動量算出システム。
(付記14)
半導体装置の電源入力部に実装されるデカップリングコンデンサの実装形態を決定するコンデンサ実装形態決定システムであって、
付記10乃至13のうちいずれか一項記載の電圧変動量算出システムと、
前記等価的な変動量に基づいて、前記半導体装置が動作可能であるところのデカップリングコンデンサの実装形態を決定する判定部と
を有するコンデンサ実装形態決定システム。
100 半導体装置(FPGA)
120 電源
130 発振器
20 測定制御部(コントローラ)
200 プリント回路基板
210 電源電圧変更部
212 コンデンサ実装形態変更部
218 測定結果記憶部
220 電圧変動量算出部
222 判定部
230 クロック信号供給部
240 電圧記録部
242 実装形態記録部
301〜30m レジスタ回路
3201〜3206,C1〜Cn デカップリングコンデンサ
Fmax 最大動作周波数
VCC 電源電圧
ΔVCC 等価的な変動量
Claims (10)
- 対象となる半導体装置内の部品の配置データにアクセスするコンピュータが、該配置データを参照して該データに対応するシミュレーション処理を実行することにより、前記半導体装置の電源入力部に実装されるデカップリングコンデンサの実装形態に対応する前記半導体装置内での電源電圧の等価的な変動量を算出する電圧変動量算出方法であって、
前記コンピュータは、
前記配置データに対し、前記半導体装置内で生ずる電源電圧の変動を検知する内部回路を示すデータを、前記配置データ全域にわたって設置するステップと、
前記半導体装置へ前記電源入力部を介して入力される電源電圧と前記内部回路が動作可能な最大動作周波数との間に存在する第1の関係を特定する第1の特定ステップと、
前記内部回路を示すデータを配置した配置データと前記内部回路の最大動作周波数との間に存在する第2の関係を特定する第2の特定ステップと、
前記第1の関係及び前記第2の関係に基づいて、前記デカップリングコンデンサの実装形態に対応する前記半導体装置内での電源電圧の等価的な変動量を算出する算出ステップと
を実行する電圧変動量算出方法。 - 前記第1の特定ステップは、
前記半導体装置へ前記電源入力部を介して供給される電源電圧を変化させる電圧変化ステップと、
前記内部回路が前記半導体装置内で生ずる前記電源電圧の変動を検知するところの前記電源電圧を、前記内部回路の動作周波数に関連付けて記憶する電圧記憶ステップと、
前記内部回路の動作周波数を他の所定の周波数へ変更し、前記電圧変化ステップ及び前記第1の電圧記憶ステップを繰り返すステップと
を有する、請求項1記載の電圧変動量算出方法。 - 前記第1の特定ステップは、前記電圧変化ステップの前に、前記内部回路の動作周波数を与えるクロック信号の位相を走査し、前記半導体装置の動作状態が最悪であるところの前記クロック信号の位相を決定するクロック位相走査ステップを更に有する、請求項2記載の電圧変動量算出方法。
- 前記第2の特定ステップは、
前記デカップリングコンデンサの実装形態を変化させる実装形態変化ステップと、
前記内部回路が前記半導体装置内で生ずる前記電源電圧の変動を検知するところの前記実施形態を、前記内部回路の動作周波数に関連付けて記憶する実施形態記憶ステップと、
前記内部回路の動作周波数を他の所定の周波数へ変更し、前記実装形態変化ステップ及び前記実施形態記憶ステップを繰り返すステップと
を有する、請求項1乃至3のうちいずれか一項記載の電圧変動量算出方法。 - 前記第2の特定ステップは、前記実装形態変化ステップの前に、前記内部回路の動作周波数を与えるクロック信号の位相を走査し、前記半導体装置の動作状態が最悪であるところの前記クロック信号の位相を決定するクロック位相走査ステップを更に有する、請求項4記載の電圧変動量算出方法。
- 対象となる半導体装置内の部品の配置データにアクセスするコンピュータが、該配置データを参照して該データに対応するシミュレーション処理を実行することにより、前記半導体装置の電源入力部に実装されるデカップリングコンデンサの実装形態を決定するコンデンサ実装形態決定方法であって、
前記コンピュータは、
請求項1乃至5のうちいずれか一項記載の電圧変動量算出方法を用いて、前記デカップリングコンデンサの実装形態に対応する前記半導体装置内での電源電圧の等価的な変動量を算出する算出ステップと、
前記等価的な変動量に基づいて、前記半導体装置が動作可能であるところのデカップリングコンデンサの実装形態を決定する決定ステップと
を実行するコンデンサ実装形態決定方法。 - 前記決定ステップは、前記等価的な変動量が許容範囲内にあるかどうかを判定する判定ステップを有する、請求項6記載のコンデンサ実装形態決定方法。
- 前記半導体装置の電源入力部に実装されるデカップリングコンデンサの実装形態に対応する前記半導体装置内での電源電圧の等価的な変動量を算出する電圧変動量算出システムであって、
前記半導体装置内に該半導体装置全体にわたって設けられ、前記半導体装置内で生ずる電源電圧の変動を検知する内部回路と、
前記半導体装置へ前記電源入力部を介して入力される電源電圧と前記内部回路が動作可能な最大動作周波数との間に存在する第1の関係と、前記デカップリングコンデンサの実装形態と前記内部回路の最大動作周波数との間に存在する第2の関係とを記憶する記憶部と、
前記第1の関係及び前記第2の関係に基づいて、前記デカップリングコンデンサの実装形態に対応する前記半導体装置内での電源電圧の等価的な変動量を算出する電圧変動量算出部と
を有する電圧変動量算出システム。 - 前記内部回路は、複数のレジスタ回路を有するシフトレジスタ回路又はカウンタ回路として構成され、
前記内部回路は、前記半導体装置内で電源電圧の変動が発生した場合に、前記半導体装置内で最も低電位となっているエリアにあるレジスタ回路をスタックさせる、請求項8記載の電圧変動量算出システム。 - 半導体装置の電源入力部に実装されるデカップリングコンデンサの実装形態を決定するコンデンサ実装形態決定システムであって、
請求項8又は9記載の電圧変動量算出システムと、
前記等価的な変動量に基づいて、前記半導体装置が動作可能であるところのデカップリングコンデンサの実装形態を決定する判定部と
を有するコンデンサ実装形態決定システム。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008310812A JP5051112B2 (ja) | 2008-12-05 | 2008-12-05 | 電圧変動量算出方法及びシステム並びにコンデンサ実装形態決定方法及びシステム |
US12/580,829 US8484606B2 (en) | 2008-12-05 | 2009-10-16 | Method and system for voltage fluctuation amount calculation |
TW098135606A TWI408376B (zh) | 2008-12-05 | 2009-10-21 | 用於電壓變動量計算之方法與系統 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008310812A JP5051112B2 (ja) | 2008-12-05 | 2008-12-05 | 電圧変動量算出方法及びシステム並びにコンデンサ実装形態決定方法及びシステム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010135599A JP2010135599A (ja) | 2010-06-17 |
JP5051112B2 true JP5051112B2 (ja) | 2012-10-17 |
Family
ID=42232495
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008310812A Expired - Fee Related JP5051112B2 (ja) | 2008-12-05 | 2008-12-05 | 電圧変動量算出方法及びシステム並びにコンデンサ実装形態決定方法及びシステム |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8484606B2 (ja) |
JP (1) | JP5051112B2 (ja) |
TW (1) | TWI408376B (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20130111782A (ko) * | 2012-04-02 | 2013-10-11 | 삼성전자주식회사 | 셀형 파워 디커플링 커패시터를 포함하는 반도체 메모리 장치 및 셀형 파워 디커플링 커패시터 배치 방법 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000347755A (ja) * | 1999-06-09 | 2000-12-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP3348709B2 (ja) * | 1999-11-24 | 2002-11-20 | 日本電気株式会社 | プリント回路基板設計支援装置及び制御プログラム記録媒体 |
JP4292720B2 (ja) * | 2001-01-24 | 2009-07-08 | 株式会社日立製作所 | 電源ノイズ検出回路を有する半導体集積回路およびプロセッサ |
US6920316B2 (en) | 2001-09-04 | 2005-07-19 | Freescale Semiconductor, Inc. | High performance integrated circuit regulator with substrate transient suppression |
JP4325274B2 (ja) * | 2002-12-06 | 2009-09-02 | 富士通株式会社 | 半導体装置モデル作成方法及び装置 |
JP2004258869A (ja) | 2003-02-25 | 2004-09-16 | Denso Corp | 実装回路設計方法、実装回路設計システムおよび実装回路設計プログラム |
JP2008070924A (ja) * | 2006-09-12 | 2008-03-27 | Nec Electronics Corp | 半導体集積回路設計方法、半導体集積回路設計プログラム、及び半導体集積回路設計装置 |
JP2008141115A (ja) | 2006-12-05 | 2008-06-19 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
-
2008
- 2008-12-05 JP JP2008310812A patent/JP5051112B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-10-16 US US12/580,829 patent/US8484606B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-10-21 TW TW098135606A patent/TWI408376B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010135599A (ja) | 2010-06-17 |
TWI408376B (zh) | 2013-09-11 |
US20100146470A1 (en) | 2010-06-10 |
TW201027083A (en) | 2010-07-16 |
US8484606B2 (en) | 2013-07-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4501728B2 (ja) | クロストークエラー制御装置、クロストークエラー制御方法およびクロストークエラー制御プログラム | |
CN113056742B (zh) | 设计辅助装置、设计辅助方法及机器学习装置 | |
JP2010009179A (ja) | 半導体装置もしくはプリント配線基板の設計方法および設計支援システム | |
US20090228845A1 (en) | Method, design program and design system for semiconductor device | |
US20170308639A1 (en) | Method for analyzing ir drop and electromigration of ic | |
JP2008250630A (ja) | デカップリングセル配置方法及びデカップリングセル配置装置 | |
US20100138802A1 (en) | Printed board design system and printed board design method | |
CN104112031A (zh) | 检测电路板上芯片电源引脚布线的方法和装置 | |
JP2006253187A (ja) | 電源解析方法および電源解析を実行するプログラム | |
JP5071081B2 (ja) | 半導体装置に対する同時動作信号ノイズ見積り方法における同時動作信号ノイズ基礎特性取得方法、及びプログラム | |
JP5051112B2 (ja) | 電圧変動量算出方法及びシステム並びにコンデンサ実装形態決定方法及びシステム | |
US7630845B2 (en) | Method for calculating tolerable value for fluctuation in power supply voltage and method of testing | |
JP5056650B2 (ja) | 電圧変動量見積方法、装置、半導体装置動作検証装置、半導体装置設計方法、プリント板設計方法、及びプログラム | |
JP5429889B2 (ja) | 半導体集積回路の動作解析方法、動作解析装置、動作解析プログラム及び動作解析システム | |
JP4575326B2 (ja) | 基板レイアウトチェックシステムおよび方法 | |
JP2008250583A (ja) | レイアウト設計装置及びレイアウト方法 | |
JP5332972B2 (ja) | デカップリング容量決定方法、デカップリング容量決定装置およびプログラム | |
KR20060086222A (ko) | 이벤트 구동 스위치 레벨 시뮬레이션 방법 및 시뮬레이터 | |
JP2005346490A (ja) | バックアノテーション装置、マスクレイアウト補正装置、バックアノテーション方法、プログラム、記録媒体、半導体集積回路の製造方法 | |
JP2005100171A (ja) | 対策済回路図作成装置、電子回路基板設計装置、対策済回路図作成方法、対策済回路図作成プログラム、および該プログラムを記録した記録媒体 | |
US9885754B2 (en) | Integrated circuit with self-verification function, verification method and method for generating a BIST signature adjustment code | |
JP2015055942A (ja) | 信号波形解析プログラムおよび信号波形解析装置 | |
JP2011191813A (ja) | ノイズ解析方法、ノイズ解析プログラム | |
JP2007213567A (ja) | 回路設計支援装置及び回路設計方法 | |
JP2010122903A (ja) | 回路シミュレーション方法、装置、及びプログラム、並びに、回路シミュレーションモデル及びその作成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110907 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120622 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120626 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120709 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5051112 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150803 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |