JP5033244B2 - 駆動装置 - Google Patents
駆動装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5033244B2 JP5033244B2 JP2010536252A JP2010536252A JP5033244B2 JP 5033244 B2 JP5033244 B2 JP 5033244B2 JP 2010536252 A JP2010536252 A JP 2010536252A JP 2010536252 A JP2010536252 A JP 2010536252A JP 5033244 B2 JP5033244 B2 JP 5033244B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phase
- capacitive load
- input signal
- circuit
- signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 31
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 9
- 241001125929 Trisopterus luscus Species 0.000 description 27
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 20
- 101001126816 Mus musculus PH-interacting protein Proteins 0.000 description 11
- 102100030275 PH-interacting protein Human genes 0.000 description 11
- 101100206695 Rattus norvegicus Thoc6 gene Proteins 0.000 description 11
- -1 PDRN Proteins 0.000 description 5
- 101100464782 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) CMP2 gene Proteins 0.000 description 5
- 101100464779 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) CNA1 gene Proteins 0.000 description 5
- 102100029469 WD repeat and HMG-box DNA-binding protein 1 Human genes 0.000 description 4
- 101710097421 WD repeat and HMG-box DNA-binding protein 1 Proteins 0.000 description 4
- 102100031024 CCR4-NOT transcription complex subunit 1 Human genes 0.000 description 3
- 101000919674 Caenorhabditis elegans CCR4-NOT transcription complex subunit let-711 Proteins 0.000 description 3
- 101000919672 Homo sapiens CCR4-NOT transcription complex subunit 1 Proteins 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 102100031025 CCR4-NOT transcription complex subunit 2 Human genes 0.000 description 2
- 101001092183 Drosophila melanogaster Regulator of gene activity Proteins 0.000 description 2
- 101000919667 Homo sapiens CCR4-NOT transcription complex subunit 2 Proteins 0.000 description 2
- 101100294409 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) NOT5 gene Proteins 0.000 description 2
- 102100031033 CCR4-NOT transcription complex subunit 3 Human genes 0.000 description 1
- 102100032981 CCR4-NOT transcription complex subunit 4 Human genes 0.000 description 1
- 101000919663 Homo sapiens CCR4-NOT transcription complex subunit 3 Proteins 0.000 description 1
- 101000942594 Homo sapiens CCR4-NOT transcription complex subunit 4 Proteins 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 239000013642 negative control Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/217—Class D power amplifiers; Switching amplifiers
- H03F3/2173—Class D power amplifiers; Switching amplifiers of the bridge type
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
- H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
- H03F3/45179—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
- H03K17/6871—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors the output circuit comprising more than one controlled field-effect transistor
- H03K17/6872—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors the output circuit comprising more than one controlled field-effect transistor using complementary field-effect transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/297—Indexing scheme relating to amplifiers the loading circuit of an amplifying stage comprising a capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45631—Indexing scheme relating to differential amplifiers the LC comprising one or more capacitors, e.g. coupling capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45726—Indexing scheme relating to differential amplifiers the LC comprising more than one switch, which are not cross coupled
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45728—Indexing scheme relating to differential amplifiers the LC comprising one switch
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Description
その一例として身近な携帯電話機を挙げれば、デザインが非常に薄型であったり、軽量であったりするものがユーザから好まれる。同時に、製品の機能性も高いものが増えつつあるが、低消費電力で長時間駆動することができるものが好まれる。
当然ながら、これらの機器に内蔵される部品についても薄型化・低消費電力化が要求されている。最近の携帯電話機であれば、スピーカ装置には比較的に薄型化・低消費電力化し易い圧電スピーカが多く用いられるようになってきている。
そこで、本発明は、上記の課題に鑑み、出力信号の入力再現性が良好でありながら、容量性負荷を低消費電力で効率良く駆動することのできる駆動装置を提供することを目的とする。
本発明に係る第1の駆動装置は、入力信号をパルス変調して、容量性負荷を駆動するための出力信号を出力する駆動装置において、前記容量性負荷に電荷を充電させる充電用スイッチング素子と、前記容量性負荷の両極間を短絡させて前記容量性負荷から電荷を放電させる短絡用スイッチング素子とを有し、前記充電用スイッチング素子及び前記短絡用スイッチング素子をスイッチング動作させて前記出力信号を出力するスイッチング駆動手段と、前記容量性負荷に電荷を充電するフェーズ及び前記容量性負荷に電荷を充電しないフェーズを交互に繰り返す充電フェーズと、前記容量性負荷から電荷を放電するフェーズ及び前記容量性負荷から電荷を放電しないフェーズを交互に繰り返す放電フェーズと、を繰り返すように、前記パルス変調された前記入力信号に基づいて前記スイッチング駆動手段を制御する駆動制御手段と、を備え、前記駆動制御手段は、前記入力信号の傾きが変化するときに前記充電フェーズから前記放電フェーズに、または前記放電フェーズから前記充電フェーズに切り替えるように制御することを特徴とする。
本発明に係る第5の駆動装置は、前記出力信号にバイアス電圧を印加することを特徴とする。
上記の第5の駆動装置によれば、出力信号にバイアス電圧を印加させることによって、出力信号波形に歪みが発生するのを防止することができ、その結果、出力信号波形を安定化させることが可能となる。
上記の第6の駆動装置によれば、バイアス電圧は電源電圧よりも低い電圧ならば良く、上述したバイアス電圧を印加させることによる作用を得ることが可能となる。
本発明に係る第7の駆動装置は、前記バイアス電圧は、前記電源電圧の略1/2のバイアス電圧であることを特徴とする。
上記の第7の駆動装置によれば、バイアス電圧は電源電圧の略1/2の電圧で良く、上述したバイアス電圧を印加させることによる作用を得ることが可能となる。
上記の第8の駆動装置によれば、放電フェーズのときに出力信号にバイアス電圧を印加する。上述したように、放電フェーズにおいては、容量性負荷が短絡状態、実質容量性負荷が直流電圧電源及び基準電圧から切り離されている状態となる。このため、容量性負荷の端子電圧が基準電圧方向に変動し易くなり、これに伴って、出力信号波形にも歪みが発生し易くなる。そこで、放電フェーズのときに、出力信号にバイアス電圧を印加することで、出力信号波形の歪みの発生を防止して、出力信号波形を安定化することが可能となる。
上記の第9の駆動装置によれば、バイアス電圧出力手段によって、容量性負荷の少なくとも一方の端子にバイアス電圧を印加すれば、上記の駆動装置と同様の作用を得ることが可能となる。
上記の第10の駆動装置によれば、小型機器の直流のバッテリを電源として容量性負荷を駆動する際にも、入力信号の再現性が良好な出力信号を得られると共に、容量性負荷を低消費電力で駆動することが可能となる。
本発明に係る第11の駆動装置は、前記出力信号の高周波成分を除去するローパスフィルタ回路と、前記ローパスフィルタ回路から出力された前記出力信号を差動信号からシングルエンド信号に変換する差動シングルエンド信号変換回路と、前記差動シングルエンド信号変換手段で変換された前記シングルエンド信号の前記出力信号と前記入力信号との振幅誤差に基づいて前記出力信号の振幅を補正する信号補正回路と、を有する帰還手段と、前記信号補正回路からの信号に基づき、前記入力信号をパルス変調するパルス変調手段と、を備えることを特徴とする。
本発明に係る第12の駆動装置は、前記容量性負荷は圧電スピーカ装置であることを特徴とする。
上記の第12の駆動装置によれば、小型機器等に搭載される圧電スピーカを駆動する際にも、入力信号の再現性が良好な出力信号を得られると共に、圧電スピーカを低消費電力で駆動することが可能となる。
本発明に係る第2の駆動方法は、前記入力信号の傾きが正であって前記入力信号の動作基準電圧よりも低電圧である第1の基準電圧になったとき、または前記入力信号の傾きが負であって前記入力信号の動作基準電圧よりも高電圧である第2の基準電圧になったときに、前記放電フェーズから前記充電フェーズに切り替えることを特徴とする。
上記の第2の駆動方法によれば、上述した第2の駆動装置と同様の作用が得られる。
上記の第3の駆動方法によれば、上述した第3の駆動装置と同様の作用が得られる。
上記の第4の駆動方法によれば、上述した第5の駆動装置と同様の作用が得られる。
本発明に係る第5の駆動方法は、前記容量性負荷は圧電スピーカ装置であることを特徴とする。
上記の第5の駆動方法によれば、上述した第12の駆動装置と同様の作用が得られる。
一方、1周期当たりの充電フェーズは、入力信号の傾きが正であって第1の基準電圧以上になったときから最大電圧になるまでの期間、及び入力信号の傾きが負であって第2の基準電圧以下になったときから最低電圧になるまでの期間に削減できる。これによって、1周期当たりの充電フェーズを約半分にできるため、容量性負荷を低消費電力で効率良く駆動することができる。
同時に、本発明における駆動装置は、放電フェーズで容量性負荷が短絡状態、実質的には、容量性負荷が電源電圧及び基準電圧から切り離されている状態となっても、バイアス電圧出力手段が出力信号にバイアス電圧を印加することで、電源電圧及び基準電圧から切り離された状態となることによって生じる出力信号の波形の歪みを防止して、出力信号の波形を安定化することができる。
(スイッチングアンプ10の構成)
まず、図1を参照して、本発明に係る駆動装置の一例として、容量性負荷C1として圧電スピーカ装置11を駆動するスイッチングアンプ10の構成を説明する。図1は、本発明に係る駆動装置の一例であるスイッチングアンプ10の構成を示すブロック図である。
スイッチングアンプ10は、反転増幅回路10a、信号補正回路10b、PWM回路10c、ゲート駆動制御回路(ゲートドライバ)10d、スイッチング駆動回路10f、バイアス電圧出力回路10g、ローパスフィルタ回路10h及び差動/シングルエンド変換回路10iを備えて構成される。
信号補正回路10bは、入力信号VINの振幅と出力信号POUT、NOUTの振幅との誤差を検出すると共に、検出した振幅誤差に基づいて出力信号POUT、NOUTの振幅を補正するような誤差補正信号ERRを出力する回路であり、例えば積分器で構成されている。
スイッチング駆動回路10fは、スイッチング動作を行うことによって、圧電スピーカ装置11を駆動するための出力信号POUT、NOUTを出力する回路である。このスイッチング駆動回路10fは、ハーフブリッジ回路10fp、10fn及びセンタブリッジ回路10fmから構成される。
ハーフブリッジ回路10fnは、スイッチング制御信号NDRP、PDRNに基づいてスイッチング動作を行うことによって、圧電スピーカ装置11に容量性負荷接続端子VCN(負極)方向から電荷を充電するための回路である。
2つのバイアス電圧出力回路10gは、特に出力信号POUT、NOUTのシングルエンド信号に生じる歪みを防止するために、バイアス電圧Vbを生成し、出力信号POUT、NOUTに対してバイアス電圧Vbを印加する回路である。
ローパスフィルタ回路10hは、出力信号POUT、NOUTの高周波成分を除去し、信号の低周波成分を取り出すフィルタリング回路である。
差動/シングルエンド変換回路10iは、ローパスフィルタ回路10hによってフィルタリングされた出力信号POUT、NOUTを、差動信号からシングルエンド信号に変換して出力する回路である。
上述の実施形態は入力信号VINがシングルエンド信号である場合についての説明だが、入力信号VINが全差動信号である場合にも、全差動信号に対応した回路、例えば、帰還(フィードバック)回路に差動/シングルエンド変換回路10iがないような回路を構成することにより、上述の実施形態と同様の作用が得られる。
続いて、図2を参照して、PWM回路10cの構成を説明する。図2は、PWM回路10cの構成を示すブロック図である。
図2に示すPWM回路10cは、三角波発生回路TRI、比較回路CMP1、比較回路CMP2、AND回路AND1及びAND回路AND2を備えて構成される。
三角波発生回路TRIは、パルス信号PULS_P、PULS_Nを生成するために基準波となる三角波TRI_WAVEを生成するための回路である。
続いて、図3を参照して、ゲート駆動制御回路10dの構成を説明する。図3は、ゲート駆動制御回路10dの構成を示すブロック図である。
図3に示すゲート駆動制御回路10dは、比較回路CMP3、CMP4、NOT回路NOT1〜NOT5、AND回路AND3〜AND6及びOR回路OR1を備えて構成される。
比較回路CMP3は、入力信号VINと基準電圧REFHとの差分信号POSを出力する演算回路である。比較回路CMP3は、入力信号VINが基準電圧REFH以上である場合には、差分信号POSとしてHレベルを出力する。また、比較回路CMP3は、入力信号VINが基準電圧REFH未満である場合には、差分信号POSとしてLレベルを出力する。
NOT回路NOT2は、差分信号NEGの論理否定(NOT)演算をし、差分信号NEGの論理否定値を出力する演算回路である。NOT回路NOT2は、差分信号NEGがHレベルである場合にはLレベルを出力し、差分信号NEGがLレベルである場合にはHレベルを出力する。
NOT回路NOT4は、駆動回路制御信号NGの論理否定(NOT)演算をし、演算結果をスイッチング制御信号NDRPとして出力する演算回路である。
NOT回路NOT5は、駆動回路制御信号MGの論理否定(NOT)演算をし、演算結果をスイッチング制御信号MDRPとして出力する演算回路である。
AND回路AND4は、差分信号POSの反転信号とパルス信号PULS_Nとの論理積演算をし、演算結果である駆動回路制御信号NGをスイッチング制御信号NDRNとして出力する演算回路である。
AND回路AND6は、差分信号POSとパルス信号PULS_Nとの論理積演算をし、演算結果をOR回路OR1に出力する演算回路である。
OR回路OR1は、AND回路AND5から出力された論理値と、AND回路AND6から出力された論理値とを入力し、その2つの論理値の論理和(OR)演算をし、演算結果である駆動回路制御信号MGをスイッチング制御信号MDRNとして出力する演算回路である。
続いて、図4を参照して、スイッチング駆動回路10fの構成を説明する。図4は、スイッチング駆動回路10fの構成を示すブロック図である。
図4に示すスイッチング駆動回路10fは、ハーフブリッジ回路10fp、10fn及びセンタブリッジ回路10fmを備えて構成される。スイッチング駆動回路10fの容量性負荷接続端子VCP−VCN間に接続される容量性負荷C1は、上述した圧電スピーカ装置11である。
センタブリッジ回路10fmは、容量性負荷C1の両端子間、つまり容量性負荷接続端子VCP−VCN間を短絡させて、容量性負荷C1に充電された電荷を放電するための短絡用スイッチング素子として機能するスイッチSWMP、SWMNを備えて構成される。スイッチSWMP、SWMNは、容量性負荷接続端子VCP−VCN間にそれぞれ接続される。
また、容量性負荷C1の両端子間を短絡させるためには、スイッチSWMP、SWMNの2つのスイッチング素子を備えた構成以外にも、nMOSトランジスタまたはpMOSトランジスタ等によって構成されるスイッチング素子を1つだけ備えた構成であっても良い。
続いて、図5を参照して、バイアス電圧出力回路10gの構成を説明する。図5は、バイアス電圧出力回路10gの構成を示すブロック図である。
図5に示すバイアス電圧出力回路10gは、抵抗Ra、Rbを備えて構成される。
抵抗Ra、Rbは、昇圧回路等によって昇圧された電源電圧VDDに対して例えば実質的に1/2VDDのバイアス電圧Vbに電圧降下させるための素子である。
バイアス電圧出力回路10gは、電源電圧VDDを抵抗Ra、Rbによって実質的に1/2の電圧に降下し、その電圧を出力信号POUT又は、NOUTに対して印加するバイアス電圧Vbとして出力する。なお、抵抗Ra、Rbの抵抗値を変えることで、バイアス電圧Vbを変えることができる。
続いて、図6を参照して、PWM回路10cの動作方法を説明する。図6は、PWM回路10cの各信号レベルを示すタイムチャートである。 図6に示すタイムチャートの横軸は、時間を示している。また、タイムチャートの縦軸は、三角波TRI_WAVE、入力反転信号INV、誤差補正信号ERR、差分信号VCMP1、VCMP2、及びパルス信号PULS_P、PULS_Nの各信号レベルをそれぞれ示している。
上述したように、比較回路CMP1は、三角波TRI_WAVEのレベルが誤差補正信号ERRのレベル以上であるときのみ、差分信号VCMP1としてHレベルを出力する。また、比較回路CMP2は、三角波TRI_WAVEのレベルが入力反転信号INVのレベル以上であるときに、差分信号VCMP2としてHレベルを出力する。
このため、入力反転信号INVよりも誤差補正信号ERRの方のレベルが高いフェーズPH_Aにおいては、パルス信号PULS_PのレベルがHレベル及びLレベルに交互に繰り返され、PWM回路10cから断続的にパルス信号PULS_Pが出力される。
フェーズPH_Bの以降も、PWM回路10cは、フェーズPH_AとフェーズPH_Bとを交互に繰り返し、断続的なパルス信号PULS_P、PULS_Nを交互に出力する。
続いて、図7及び図8を参照して、ゲート駆動制御回路10dの動作方法を説明する。
図7は、ゲート駆動制御回路10dに入力される入力信号VINと基準電圧REFH、REFLの各信号レベルを示すタイムチャートである。図8は、ゲート駆動制御回路10dから出力されるスイッチング制御信号PDRP、PDRN、NDRP、NDRN、MDRP、MDRNの各信号レベルを示すタイムチャートである。
図7及び図8に示す各タイムチャートの横軸は時間を示しており、縦軸は各信号レベルを示している。
入力信号VINの傾きが正の期間であって、入力信号VINが基準電圧REFLである時点から、入力信号VINのレベルが正方向に最も大きくなる最大電圧Vmaxになるまでのフェーズが、上述した容量性負荷C1に容量性負荷接続端子VCP側から電荷を充電するVCP充電フェーズPH_VCP_CHである。
また、入力信号VINの傾きが負の期間であって、入力信号VINが基準電圧REFHになる時点から、入力信号VINのレベルが負方向に最も大きくなる最小電圧−Vmaxになるまでのフェーズが、上述した容量性負荷C1に容量性負荷接続端子VCN側から電荷を充電するVCN充電フェーズPH_VCN_CHである。なお、最小電圧−Vmaxとは、Vcom基準で極性が−であって振幅がVmaxである電圧のことである。
上記の各フェーズの動作では、入力信号VINが動作基準電圧VCOMであるときにフェーズを切り替えないので、出力信号のゼロクロス歪みを少なくすることができる。
続いて、図9〜図12を参照して、スイッチング駆動回路10fの動作方法を説明する。図9は、スイッチング駆動回路10fの各信号レベル及び容量性負荷C1の正極端子側、負極端子側の電荷量Qsp+、Qsp−を示すタイムチャートである。図10は、スイッチング駆動回路10fのVCP充電フェーズにおける等価回路を示す回路図である。図11は、スイッチング駆動回路10fのVCP放電フェーズにおける等価回路を示す回路図である。図12は、スイッチング駆動回路10fのVCN充電フェーズにおける等価回路を示す回路図である。
図9に示すようにVCP充電フェーズPH_VCP_CHにおいて、スイッチング駆動回路10fは、スイッチング制御信号PDRPがLレベルで、スイッチング制御信号PDRNがHレベルでそれぞれ入力される。このとき、図4に示したスイッチング駆動回路10fは、スイッチSWPP、SWPNがそれぞれオフ状態からオン状態に切り替わると共に、スイッチSWPP、SWPNがオン状態になったことによってオン抵抗Rpp、Rpnが生じ、図10に示す等価回路30aのようになる。従って、図中に示す矢印Aの方向で、容量性負荷C1に容量性負荷接続端子VCP側から電荷を充電する。
続いて、図9に示すようにVCP放電フェーズPH_VCP_dCHにおいて、スイッチング駆動回路10fは、スイッチング制御信号MDRPがLレベルで、スイッチング制御信号MDRNがHレベルでそれぞれ入力される。このとき、図4に示したスイッチング駆動回路10fは、スイッチSWMP、SWMNがそれぞれオフ状態からオン状態に切り替わると共に、スイッチSWMP、SWMNがオン状態になったことによってオン抵抗Rmp、Rmnが生じ、図11に示す等価回路30bのように短絡(ショート)する。これにより、直前のフェーズで容量性負荷C1に充電された電荷が、容量性負荷接続端子VCP側から図中に示す矢印B1、B2の方向で放電される。
続いて、図9に示すようにVCN充電フェーズPH_VCN_CHにおいて、スイッチング駆動回路10fは、スイッチング制御信号NDRPがLレベルで、スイッチング制御信号NDRNがHレベルでそれぞれ入力される。このとき、図4に示したスイッチング駆動回路10fは、スイッチSWNP、SWNNがそれぞれオフ状態からオン状態に切り替わると共に、スイッチSWNP、SWNNがオン状態になったことによってオン抵抗Rnp、Rnnが生じ、図12に示す等価回路30cのように短絡する。従って、図中に示す矢印Cの方向で、容量性負荷C1に容量性負荷接続端子VCN側から電荷を充電していく。
続いて、図9に示すようにVCN放電フェーズPH_VCN_dCHにおいて、スイッチング駆動回路10fには、スイッチング制御信号MDRPがLレベルで、スイッチング制御信号MDRNがHレベルでそれぞれ入力される。このとき、図4に示したスイッチング駆動回路10fは、スイッチSWMP、SWMNだけがそれぞれオフ状態からオン状態に切り替わると共に、オン抵抗Rmp、Rmnが生じ、図11に示した等価回路30bと同じようになる。但し、図中に示す矢印B1、B2の逆方向で、容量性負荷C1に容量性負荷接続端子VCN側から電荷を放電する。
このように、スイッチングアンプ10の動作方法は、VCP充電フェーズPH_VCP_CH、VCP放電フェーズPH_VCP_dCH、VCN充電フェーズPH_VCN_CH、VCN放電フェーズPH_VCN_dCHの順で動作を繰り返すものである。
このため、従来技術で説明した駆動回路のように、入力信号の1周期のうち、全ての期間で充電する必要がなく、半分の期間で済む。また、入力信号が、第1の基準電圧または第2の基準電圧になったときに、放電フェーズから充電フェーズに切り替えるため、ゼロクロス歪みを低減することができる。
図13は、ゲート駆動制御回路10dに入力される図7に示した入力信号VINと異なる入力信号VINと基準電圧REFH、REFLの各信号レベルを示すタイムチャートである。図13に示す各タイムチャートの横軸は時間を示しており、縦軸は各信号レベルを示している。
入力信号VINの傾きが正の期間であって、入力信号VINが基準電圧REFLである時点から、入力信号VINのレベルが正方向に最も大きくなる最大電圧Vmaxになるまでのフェーズが、上述した容量性負荷C1に容量性負荷接続端子VCP側から電荷を充電するVCP充電フェーズPH_VCP_CHである。
電圧V1は基準電圧VREFHよりも高い電圧であり、入力信号VINが電圧V1になった時点で、入力信号VINの傾きが負から正になり、入力信号VINの極性が変わっている。
また、入力信号VINの傾きが負の期間であって、入力信号VINが電圧V2である時点から、入力信号VINが基準電圧REFHになるまでのフェーズも、上述した容量性負荷C1に容量性負荷接続端子VCP側から電荷を放電するVCP放電フェーズPH_VCP_dCHである。
また、入力信号VINの傾きが正の期間であって、入力信号VINが電圧−V4である時点から、入力信号VINが基準電圧REFLになるまでのフェーズが、上述した容量性負荷C1に容量性負荷接続端子VCN側から電荷を放電するVCN放電フェーズPH_VCN_dCHである。
入力信号VINの傾きが正の期間であるときには、基準電圧REFLになったときにVCN放電フェーズPH_VCN_dCHからVCP充電フェーズPH_VCP_CHに切り替える。また、入力信号VINの傾きが負の期間であるときには、基準電圧REFHになったときにVCP放電フェーズPH_VCP_dCHからVCN充電フェーズPH_VCN_CHに切り替える。このように、充電フェーズに切り替わるタイミングを、基準電圧REFH、REFLとすることで、出力信号に生じるゼロクロス歪みを抑えることができる。
続いて、図14を参照して、バイアス電圧出力回路の動作方法について説明する。図14は、容量性負荷接続端子VCP、VCNの各信号出力レベルを示す波形図である。
図14に示すタイムチャートのように、出力信号POUT、NOUTの波形は、充電フェーズ、放電フェーズの各動作を繰り返しながら、入力信号VINに依存して形成される。
しかしながら本実施形態に係るスイッチングアンプ10は、出力信号POUT、NOUTのフィードバック回路にバイアス電圧出力回路10gが接続される。そして、バイアス電圧出力回路10gは、出力信号POUT、NOUTに、スイッチング駆動回路10fの駆動力に比べて小さいバイアス電圧Vb、例えば電圧VDD/2を印加している。バイアス電圧Vbは電源電圧VDDよりも低い電圧ならば良い。
なお、バイアス電圧出力回路10gは、出力信号POUT、NOUTに対してそれぞれバイアス電圧Vbを印加できるように2つとしたが、出力信号POUTまたはNOUTに対してどちらか1つとし、出力信号POUTまたはNOUTのどちらか一方に対してバイアス電圧Vbを印加できるようにしても良い。
上述した実施形態は例示に過ぎず、特許請求の範囲に示される技術的思想の範囲を逸脱しない限り、様々な形態に変更することができる。例えば、本実施形態に係るスイッチングアンプ10のバイアス電圧出力回路10gは、スイッチング駆動回路10fに直接接続することもできる。
そこで、本実施形態の駆動装置の変形例として、図15を参照して、バイアス電圧出力回路10gが接続されたスイッチング駆動回路40の回路構成を説明する。図15は、バイアス電圧出力回路10gが接続されたスイッチング駆動回路40の回路構成を示す回路図である。
スイッチング駆動回路40は、図4に示したスイッチング駆動回路10fと同様の各部を備えて構成される。但し、スイッチング駆動回路40とスイッチング駆動回路10fとでは、スイッチSWMPとスイッチSWMNとが互いに直列に接続された状態で、容量性負荷C1と並列に接続されている点が相違する。
この方法によって、入力信号VINの1周期当たりの充電フェーズは、入力信号VINの傾きが正の期間で基準電圧REFL以上になったときから最大電圧になるまでのフェーズ、また傾きが負の期間で基準電圧REFH以下になったときから最低電位になるまでのフェーズとすることができる。また、入力信号が、第1の基準電圧または第2の基準電圧になったときに、放電フェーズから充電フェーズに切り替えるため、ゼロクロス歪みを低減することができる。
本実施形態に係るスイッチングアンプ10は、スイッチング駆動回路10fが容量性負荷C1の両極間を短絡させて容量性負荷C1から電荷を放電させることによって、圧電スピーカ装置11等の容量性負荷を駆動する。このため、放電フェーズにおいては、短絡状態、実質的に、容量性負荷C1が電源電圧VDD及び基準電圧VSSから切り離されている状態となる。
これによって、本実施形態に係るスイッチングアンプ10は、1周期当たりの充電フェーズを約半分にすることができる。よって、従来技術で説明した駆動回路のように、入力信号の1周期のうち、すべての期間で充電する必要がない。
さらに、本実施形態に係るスイッチングアンプ10は、バイアス電圧出力回路10gからバイアス電圧Vbを印加することで電源電圧VDD及び基準電圧VSSから切り離された状態であっても、出力信号POUT、NOUTの信号波形に生じる歪みを防止して、出力信号波形を安定化することができる。
10a 反転増幅回路
10b 信号補正回路
10c PWM回路
10d ゲート駆動制御回路(ゲートドライバ)
10f スイッチング駆動回路
10g バイアス電圧出力回路
10h ローパスフィルタ回路
10i 差動/シングルエンド変換回路
Claims (17)
- 入力信号をパルス変調して、容量性負荷を駆動するための出力信号を出力する駆動装置において、
前記容量性負荷に電荷を充電させる充電用スイッチング素子と、前記容量性負荷の両極間を短絡させて前記容量性負荷から電荷を放電させる短絡用スイッチング素子とを有し、前記充電用スイッチング素子及び前記短絡用スイッチング素子をスイッチング動作させて前記出力信号を出力するスイッチング駆動手段と、
前記容量性負荷に電荷を充電するフェーズ及び前記容量性負荷に電荷を充電しないフェーズを交互に繰り返す充電フェーズと、前記容量性負荷から電荷を放電するフェーズ及び前記容量性負荷から電荷を放電しないフェーズを交互に繰り返す放電フェーズと、を繰り返すように、前記パルス変調された前記入力信号に基づいて前記スイッチング駆動手段を制御する駆動制御手段と、
を備え、
前記駆動制御手段は、
前記入力信号の傾きが変化するときに前記充電フェーズから前記放電フェーズに、または前記放電フェーズから前記充電フェーズに切り替えるように制御することを特徴とする駆動装置。 - 前記駆動制御手段は、
前記入力信号の傾きが正であって前記入力信号の動作基準電圧よりも低電圧である第1の基準電圧になったとき、または前記入力信号の傾きが負であって前記入力信号の動作基準電圧よりも高電圧である第2の基準電圧になったときに、前記放電フェーズから前記充電フェーズに切り替えるように制御することを特徴とする請求項1に記載の駆動装置。 - 前記充電フェーズは、前記容量性負荷の正極方向から電荷を充電する第1の充電フェーズ及び前記容量性負荷の負極方向から電荷を充電する第2の充電フェーズを含み、
前記放電フェーズは、前記容量性負荷の正極方向から電荷を放電する第1の放電フェーズ及び前記容量性負荷の負極方向から電荷を放電する第2の放電フェーズを含み、
前記駆動制御手段は、
前記入力信号の傾きが正の期間で前記第1の基準電圧になったときに、前記第1の充電フェーズに切り替えるように制御し、
前記入力信号の傾きが正から負になったときに、前記第1の放電フェーズに切り替えるように制御し、
前記入力信号の傾きが負の期間で第2の基準電圧になったときに、前記第2の充電フェーズに切り替えるように制御し、
前記入力信号の傾きが負から正になったときに、前記第2の放電フェーズに切り替えるように制御することを特徴とする請求項2に記載の駆動装置。 - 前記充電用スイッチング素子は、
前記容量性負荷の正極と前記電源電圧との間に接続される第1のスイッチング素子と、
前記容量性負荷の正極と基準電圧との間に接続される第2のスイッチング素子と、
前記容量性負荷の負極と前記電源電圧との間に接続される第3のスイッチング素子と、
前記容量性負荷の負極と前記基準電圧との間に接続される第4のスイッチング素子と、
を備え、
前記短絡用スイッチング素子は、
前記容量性負荷の両極間に接続される第5及び第6のスイッチング素子を備え、
前記駆動制御手段は、
前記第1の充電フェーズのとき、前記第1〜第6のスイッチング素子のうちの前記第1及び第4のスイッチング素子をオン状態にし、
前記第2の充電フェーズのとき、前記第1〜第6のスイッチング素子のうちの前記第2及び第3のスイッチング素子をオン状態にし、
前記第1及び第2の放電フェーズのとき、前記第1〜第6のスイッチング素子のうちの前記第5及び第6のスイッチング素子をオン状態にし、
前記容量性負荷に電荷を充電しないフェーズ及び前記容量性負荷から電荷を放電しないフェーズのとき、前記第1〜第6のスイッチング素子をオフ状態にすることを特徴とする請求項3に記載の駆動装置。 - 前記出力信号にバイアス電圧を印加することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の駆動装置。
- 前記バイアス電圧は前記電源電圧より低電圧であることを特徴とする請求項5に記載の駆動装置。
- 前記バイアス電圧は、前記電源電圧の略1/2のバイアス電圧であることを特徴とする請求項6に記載の駆動装置。
- 少なくとも前記放電フェーズにおいて前記バイアス電圧を印加することを特徴とする請求項5乃至7のいずれか1項に記載の駆動装置。
- 前記容量性負荷の少なくとも一方の端子に前記バイアス電圧を印加するバイアス電圧出力手段を備えることを特徴とする請求項5乃至8のいずれか1項に記載の駆動装置。
- 前記電源電圧は、直流電圧を昇圧して出力する直流の電源電圧であることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の駆動装置。
- 前記出力信号の高周波成分を除去するローパスフィルタ回路と、前記ローパスフィルタ回路から出力された前記出力信号を差動信号からシングルエンド信号に変換する差動シングルエンド信号変換回路と、前記差動シングルエンド信号変換手段で変換された前記シングルエンド信号の前記出力信号と前記入力信号との振幅誤差に基づいて前記出力信号の振幅を補正する信号補正回路と、を有する帰還手段と、
前記信号補正回路からの信号に基づき、前記入力信号をパルス変調するパルス変調手段と、
を備えることを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載の駆動装置。 - 前記容量性負荷は圧電スピーカ装置であることを特徴とする請求項1乃至11のいずれか1項に記載の駆動装置。
- 入力信号をパルス変調して、容量性負荷を駆動する駆動方法であって、
前記パルス変調された前記入力信号に基づいて、前記容量性負荷に電荷を充電するフェーズ及び前記容量性負荷に電荷を充電しないフェーズを交互に繰り返す充電フェーズと、前記容量性負荷から電荷を放電するフェーズ及び前記容量性負荷から電荷を放電しないフェーズを交互に繰り返す放電フェーズと、を繰り返し、
さらに、前記入力信号の傾きが変化するときに前記充電フェーズから前記放電フェーズに、または前記放電フェーズから前記充電フェーズに切り替えることを特徴とする駆動方法。 - 前記入力信号の傾きが正であって前記入力信号の動作基準電圧よりも低電圧である第1の基準電圧になったとき、または前記入力信号の傾きが負であって前記入力信号の動作基準電圧よりも高電圧である第2の基準電圧になったときに、前記放電フェーズから前記充電フェーズに切り替えることを特徴とする請求項13に記載の駆動方法。
- 前記充電フェーズは、前記容量性負荷の正極方向から電荷を充電する第1の充電フェーズ及び前記容量性負荷の負極方向から電荷を充電する第2の充電フェーズを含み、
前記放電フェーズは、前記容量性負荷の正極方向から電荷を放電する第1の放電フェーズ及び前記容量性負荷の負極方向から電荷を放電する第2の放電フェーズを含み、
前記入力信号の傾きが正の期間で前記第1の基準電圧になったときに、前記第1の充電フェーズに切り替え、
前記入力信号の傾きが正から負になったときに、前記第1の放電フェーズに切り替え、
前記入力信号の傾きが負の期間で第2の基準電圧になったときに、前記第2の充電フェーズに切り替え、
前記入力信号の傾きが負から正になったときに、前記第2の放電フェーズに切り替えることを特徴とする請求項14に記載の駆動方法。 - 前記出力信号にバイアス電圧を印加することを特徴とする請求項13乃至15のいずれか1項に記載の駆動方法。
- 前記容量性負荷は圧電スピーカ装置であることを特徴とする請求項13乃至16のいずれか1項に記載の駆動方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010536252A JP5033244B2 (ja) | 2009-07-24 | 2010-07-16 | 駆動装置 |
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009173307 | 2009-07-24 | ||
JP2009173308 | 2009-07-24 | ||
JP2009173307 | 2009-07-24 | ||
JP2009173308 | 2009-07-24 | ||
JP2010536252A JP5033244B2 (ja) | 2009-07-24 | 2010-07-16 | 駆動装置 |
PCT/JP2010/004623 WO2011010443A1 (ja) | 2009-07-24 | 2010-07-16 | 駆動装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP5033244B2 true JP5033244B2 (ja) | 2012-09-26 |
JPWO2011010443A1 JPWO2011010443A1 (ja) | 2012-12-27 |
Family
ID=43498925
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010536252A Expired - Fee Related JP5033244B2 (ja) | 2009-07-24 | 2010-07-16 | 駆動装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8649537B2 (ja) |
EP (1) | EP2302796B1 (ja) |
JP (1) | JP5033244B2 (ja) |
WO (1) | WO2011010443A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2814180A1 (en) | 2013-06-11 | 2014-12-17 | Onkyo Corporation | Signal modulation circuit |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011010443A1 (ja) | 2009-07-24 | 2011-01-27 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 駆動装置 |
JP5711041B2 (ja) * | 2011-05-09 | 2015-04-30 | 新日本無線株式会社 | 容量性スピーカ駆動回路 |
JP2013009176A (ja) * | 2011-06-24 | 2013-01-10 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 駆動用ドライバ、駆動用アンプおよび情報機器 |
JP2013009177A (ja) * | 2011-06-24 | 2013-01-10 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 駆動用ドライバ、駆動用アンプおよび情報機器 |
JP2013009178A (ja) * | 2011-06-24 | 2013-01-10 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 駆動用ドライバ、駆動用アンプおよび情報機器 |
US8643436B2 (en) | 2011-11-22 | 2014-02-04 | Analog Devices, Inc. | Multi-level boosted Class D amplifier |
US9000690B2 (en) | 2012-06-13 | 2015-04-07 | Texas Instruments Incorporated | Driver for capacitive loads |
US8760230B2 (en) * | 2012-06-28 | 2014-06-24 | Wen-Hsiung Hsieh | Switching amplifier with pulsed current source and sink |
JP2017500684A (ja) * | 2013-12-20 | 2017-01-05 | ヴィジマックス インコーポレイテッド | 制御されたスイッチング装置とその使用方法 |
US10355609B2 (en) | 2017-08-15 | 2019-07-16 | Texas Instruments Incorporated | Voltage step-down technique for deriving gate-charge using multi-level core architecture |
US10439494B2 (en) | 2017-08-15 | 2019-10-08 | Texas Instruments Incorporated | Inductor current sensing and regulation for power converter |
US11362587B2 (en) * | 2017-08-15 | 2022-06-14 | Texas Instruments Incorporated | Hysteretic pulse modulation for charge balance of multi-level power converters |
TWI638518B (zh) * | 2018-04-02 | 2018-10-11 | 新唐科技股份有限公司 | 電子裝置及零交越失真的補償方法 |
US11290015B2 (en) | 2019-12-10 | 2022-03-29 | xMEMS Labs, Inc. | Driving circuit with energy recycle capability |
US11133784B2 (en) * | 2019-12-10 | 2021-09-28 | xMEMS Labs, Inc. | Method of driving circuit with energy recycle capability |
US11336182B2 (en) | 2020-07-19 | 2022-05-17 | xMEMS Labs, Inc. | Driving circuit with energy recycle capability |
US11271480B2 (en) * | 2020-08-03 | 2022-03-08 | xMEMS Labs, Inc. | Driving circuit with energy recycle capability and method thereof |
US11906940B2 (en) | 2022-03-08 | 2024-02-20 | xMEMS Labs, Inc. | Two-tier feedback control system and related method |
US11757360B1 (en) * | 2022-03-08 | 2023-09-12 | xMEMS Labs, Inc. | Method applied in driving circuit and driving circuit using the same |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005210280A (ja) * | 2004-01-21 | 2005-08-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電力増幅装置 |
JP2007096364A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-12 | Fuji Xerox Co Ltd | 容量性負荷の駆動回路及び方法、液滴吐出装置、圧電スピーカ駆動装置 |
WO2007132839A1 (ja) * | 2006-05-15 | 2007-11-22 | Asahi Kasei Emd Corporation | 駆動装置、駆動方法、ならびに情報機器 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040145273A1 (en) * | 2002-10-31 | 2004-07-29 | Khoury James M. | Electronic driver circuit for high-speed actuation of high-capacitance actuators |
GB0428114D0 (en) * | 2004-12-22 | 2005-01-26 | Univ Westminster | Technique and method for suppressing clock-jitter in continuous-time delta-sigma modulators |
US7355473B2 (en) * | 2005-11-03 | 2008-04-08 | Amazion Electronics, Inc. | Filterless class D power amplifier |
WO2011010443A1 (ja) | 2009-07-24 | 2011-01-27 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 駆動装置 |
-
2010
- 2010-07-16 WO PCT/JP2010/004623 patent/WO2011010443A1/ja active Application Filing
- 2010-07-16 JP JP2010536252A patent/JP5033244B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-07-16 EP EP10785310.3A patent/EP2302796B1/en not_active Not-in-force
- 2010-07-16 US US12/999,845 patent/US8649537B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005210280A (ja) * | 2004-01-21 | 2005-08-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電力増幅装置 |
JP2007096364A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-12 | Fuji Xerox Co Ltd | 容量性負荷の駆動回路及び方法、液滴吐出装置、圧電スピーカ駆動装置 |
WO2007132839A1 (ja) * | 2006-05-15 | 2007-11-22 | Asahi Kasei Emd Corporation | 駆動装置、駆動方法、ならびに情報機器 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2814180A1 (en) | 2013-06-11 | 2014-12-17 | Onkyo Corporation | Signal modulation circuit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2302796A1 (en) | 2011-03-30 |
EP2302796A4 (en) | 2014-03-05 |
US8649537B2 (en) | 2014-02-11 |
WO2011010443A1 (ja) | 2011-01-27 |
EP2302796B1 (en) | 2015-09-09 |
JPWO2011010443A1 (ja) | 2012-12-27 |
US20110235831A1 (en) | 2011-09-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5033244B2 (ja) | 駆動装置 | |
US7295063B2 (en) | Class D amplifier | |
US7385444B2 (en) | Class D amplifier | |
EP2020750B1 (en) | Drive device, drive method, and information device | |
TWI385914B (zh) | 轉換放大器電路及其方法 | |
CN101710824B (zh) | D级放大器 | |
CN113179089B (zh) | 音频功放电路及其功率限制方法、电子设备 | |
US7463090B2 (en) | Driving device | |
CN111901725B (zh) | 音频功放电路及其功率限制方法 | |
US7825725B2 (en) | Class D amplifier | |
CN112910427A (zh) | D类音频放大器及其自适应脉宽调整方法、电子设备 | |
US20090066377A1 (en) | Pulse width modulation circuit and switching amplifier using the same | |
CN112886933B (zh) | D类音频放大器及其自适应脉宽调整方法、电子设备 | |
US7102405B2 (en) | Pulse-width modulation circuit and switching amplifier using the same | |
CN112865731B (zh) | D类音频放大器及其混合调制方法、电子设备 | |
US9806682B1 (en) | Multilevel class-D amplifiers | |
CN102549920B (zh) | 共模电压控制 | |
JP2012231264A (ja) | 電力増幅器 | |
JP4955580B2 (ja) | スイッチングアンプ | |
US8659350B2 (en) | Circuit for an amplifier | |
JP5499431B2 (ja) | 三角波発生回路 | |
US8970269B2 (en) | Pulse width modulator and switching amplifier | |
JP5978988B2 (ja) | パルス幅変調回路及びスイッチングアンプ | |
JP5376311B2 (ja) | 半導体装置および電子機器 | |
JP2010213112A (ja) | D級増幅回路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120619 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120629 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5033244 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150706 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |