JP5031114B2 - 遊技機 - Google Patents
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Description
すると共に、異常動作を回避する遊技機を提供することを目的とする。
出モータMOと、メダル払出制御基板55と、払出中継基板63と、メダル検出センサSE(図5)などが設けられている。ここで、メダルは、払出モータMOの回転に基づいて、払出口5bから図面手前に向けて導出される。なお、限界量を越えて貯留されたメダルは、オーバーフロー部5cを通して、補助タンク6に落下するよう構成されている。
、液晶表示(LCD)ユニット7における図柄演出を実現している。
オードDfと、フォトダイオードDfの出力を増幅するシュミットトリガと、オープンコレクタ型の出力トランジスタQ7とで構成されている。そして、メダルが通過しない定常状態(メダル非検出時)では、出力トランジスタQ7がON状態であるが、メダルが検査光を遮蔽するメダル検出時には、出力トランジスタQ7がOFF状態となる。
コンデンサC3とで構成されている。ここで、MOSトランジスタQ5のドレイン端子は、払出モータMOの(−)端子に接続されている。そして、ベース端子とソース端子との間には、並列接続された抵抗R9及びコンデンサC3が接続されている。
続いて、メダル払出動作に関して、払出モータMOが回転していない定常動作時について確認的に説明する。払出モータMOが回転しない定常動作時には、主制御基板50の出力トランジスタQ0は、OFF状態である。そして、メダル払出制御基板55のORゲー
トG1の入力端子は、抵抗Rpによってプルアップされているので、ORゲートG1の入力端子はHレベルとなる。
その後、主制御基板50の出力トランジスタQ0がON状態に変化すると、これに対応してメダル払出信号PAYがLレベルとなる。この時、本実施例では、異常検出回路80が異常状態を検出しない限り、トランジスタQ2の出力はLレベルである。したがって、NOTゲートG2の出力は、メダル検出センサSEによるメダル検出の有無に拘わらずHレベルとなる(図9及び図10参照)。
続いて、上記した払出動作時に、メダル検出センサSEがメダルを検出した場合について説明する。図9に示す通り、メダル検出センサSEがメダルを検出すると、出力トランジスタQ7がOFF状態となるので、センサ出力信号SNは、ほぼVccとなる。そして
、この状態では、負荷抵抗Rbの両端電圧は、ほぼゼロであるので、トランジスタQ1はOFF状態となり、メダル検出信号DETがLレベルとなる。
次に、図10に基づいて、メダル非検出時について説明する。先に説明した通り、メダル検出センサSEがメダルの通過を検出しない場合には、出力トランジスタQ7がON状態である。そのため、電源電圧Vcc→負荷抵抗Rb→検出抵抗Ra→グランドの経路に、ON電流Vcc/(Ra+Rb)が流れ、センサ出力信号SNはSN=Vcc*Ra/(Ra+Rb)となる。本実施例では、このセンサ出力信号SNは、トランジスタQ2をON動作させるレベルに設定されているので、ORゲートG1の出力はLレベルとなり、払出モータMOが上記と同様に回転を維持する。
次に、主制御基板50の出力トランジスタQ0がON状態である払出動作時に、例えば、主制御基板50とメダル払出制御基板55の間の接続コネクタCN1〜CN4を悪用して、センサ出力信号SNを、グランドレベルに落とした場合を想定する。
最後に、図12に基づいて、主制御基板50の出力トランジスタQ0がOFF状態となった場合(ST13)の動作を説明する。
SN 出力信号
PAY 払出信号
MO 払出モータ
Ra 検出抵抗
Rb 負荷抵抗
50 制御部
80 異常検出回路
Claims (2)
- 出力トランジスタをON動作させて、払出基板の信号伝送回路にONレベルの払出信号を出力する一方、払出基板から受けるセンサ信号が変化することに基づいて有価物の払出個数を把握する動作制御基板と、
ONレベルの払出信号に基づく駆動電流によって回転駆動されて有価物を払出す払出モータと、
有価物が払出されたことを検出して、センサ信号を変化させる検出センサと、を有して構成された遊技機であって、
信号伝送回路は、出力トランジスタのON動作に対応してON動作する入力側素子と、入力側素子がON動作すると払出モータの駆動電圧に基づいてON動作する出力側素子とを有して構成され、
出力側素子の電流流出端子に、第1と第2のトランジスタを有する電流制限回路が接続され、第1トランジスタのベース端子が第2トランジスタのコレクタ端子に接続される一方、第1トランジスタのコレクタ端子と第2トランジスタのベース端子とが抵抗素子を介して接続され、
払出モータの駆動電流が流れる検出抵抗と、検出抵抗の両端に並列接続される第1と第2のバイアス抵抗の直列回路とを設け、第2トランジスタのベース電位がバイアス抵抗の両端電圧によって変化するよう構成されていることを特徴とする遊技機。 - 第1トランジスタのエミッタ端子とベース端子には、抵抗とダイオードとが直列接続されている請求項1に記載の遊技機。
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