JP4688913B2 - 遊技機 - Google Patents

Description

本発明は、コンピュータ装置を内蔵する電子遊技機に関し、特に、遊技媒体としてメダル又は遊技球を用いる回胴遊技機や弾球遊技機に好適に適用される。

スロットマシンなどの回胴遊技機では、遊技者がメダル投入口にメダルを投入してスタートレバーを操作すると、これに応じて、回転リールの回転が開始される。そして、遊技者がストップボタンを押して回転リールを停止させたとき、停止ライン上の図柄が揃うと、その図柄に応じた配当メダルが払い出されるようになっている。但し、各ゲームの当否状態は、実際には、機器内部の抽選処理によって各ゲームの開始時に予め決まっており、この抽選処理によって当選した図柄を、遊技者が停止ライン上に揃えることで配当メダルが払出される。

この配当メダルは、各スロットマシン内部に配置されたメダルホッパーに予め貯留されている。そして、払出モータＭＯが回転してメダルを払出し、払出検出センサが必要個数の払出枚数を確認すると払出動作が終了するようになっている。

払出モータＭＯは、例えば、ＤＣ２４Ｖの電圧で回転する直流モータで構成されている。そして、メダル払出信号ＰＡＹを受けるフォトカプラを設け、メダル払出信号ＰＡＹがＬレベルになると、フォトカプラの出力側のトランジスタがＯＮ動作して、直流モータの電流駆動回路が形成されるよう構成されている。

ところが、メダル払出信号ＰＡＹがＬレベルになると、払出モータが回転を始めるので、この関係を悪用して、接続コネクタの部分でメダル払出信号の信号ラインをグランドに落とす違法行為が懸念されるところである。例えば、一旦、外した接続コネクタに、極細の短絡片を配置した後、再度、元の状態に戻すなどの違法行為が考えられる。ここで、特許文献１に記載の発明も提案されているが、簡易性にかけるので必ずしも適切な対策とはいえない。
特開２００５−１４３６５６号公報

また、上記した違法行為の問題とは別に、慣性力によるメダルの過払いの問題も懸念されるところである。更にまた、機器異常時にも、適切に動作するメダル払出制御装置の回路構成が強く望まれる。典型的には、過大電流によって払出モータや電子素子の焼損や劣化を未然防止できる構成が望まれる。

本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであって、簡易な回路構成でありながら違法行為を防止できる遊技機を提供することを目的とする。また、機器異常時やその他のタイミングでも常に適切に動作する遊技機を提供することを目的とする。

上記の目的を達成するため、請求項１に係る発明は、インタフェイス素子に供給される直流電圧と、前記インタフェイス素子をＯＮ動作させる払出指令と、グランド信号とを、接続コネクタを通して受ける払出制御部を有し、前記払出制御部が、前記インタフェイス素子のＯＮ動作に対応して払出モータを駆動して遊技者に有価物を払出す遊技機であって、前記払出制御部には、発熱に対応してその抵抗値が急増する急増抵抗と、前記インタフェイス素子とが直列接続された直列回路が設けられ、前記直列回路の一端に、前記直流電圧を受ける一方、その他端に、他の回路基板に配置された電流制限抵抗を通して前記払出指令を受けるよう構成されている。

本発明では、直列回路の他端がグランドレベルになると、過大な電流が流れることで、急増抵抗の抵抗値が急増して違法行為を防止する。なお、本発明における急増には、例えば、発熱によって抵抗体が溶断して、その抵抗値が無限大となるヒューズ動作も含まれる。但し、好ましくは、可逆的な抵抗変化をすべきである。

また、請求項３に係る発明は、インタフェイス素子に供給される直流電圧と、前記インタフェイス素子をＯＮ動作させる払出指令と、グランド信号とを、接続コネクタを通して受ける払出制御部を有し、前記払出制御部が、前記インタフェイス素子のＯＮ動作に対応して払出モータを駆動して遊技者に有価物を払出す遊技機であって、前記払出制御部には、前記インタフェイス素子への供給電流をバイパスさせて、これをＯＦＦ動作させるスイッチング回路が設けられ、前記スイッチング回路の一端に、前記直流電圧を受ける一方、その他端に、他の回路基板に配置された電流制限抵抗を通して前記払出指令を受けるよう構成されている。

前記スイッチング回路は、好ましくは、電界効果トランジスタを含んで構成され、その通電端子が前記インタフェイス素子の両端に接続されている。通電端子とは、ドレイン端子及びソース端子である。電界効果トランジスタは、好ましくはＭＯＳ型トランジスタであるが、Ｎチャンネル型であってもＰチャンネル型であっても良い。

上記各発明では、好ましくは、前記他の回路基板には、ＯＮ／ＯＦＦ動作する出力素子と、前記電流制限抵抗とが直列接続された直列回路を設けるべきである。また、前記払出指令の信号線とグランド信号の信号線とは、前記接続コネクタにおいて離間して配置すると防犯上有効である。

また、上記各発明は、好ましくは、払出モータに流れる駆動電流が所定値を超えると、飽和状態への移行動作を開始する正帰還ループを形成した２つのスイッチング素子を設けるべきである。この場合、前記２つのスイッチング素子は、ＮＰＮ型トランジスタとＰＮＰ型トランジスタとで構成され、全体としてサイリスタ構造を実現しているのが効果的である。

上記何れの発明でも、前記インタフェイス素子がＯＮ状態からＯＦＦ状態に遷移するとＯＮ動作する短絡素子が、前記払出モータの入力端子間に設けられていると制動効果が高まる。

上記した本発明によれば、機器異常時や違法行為時にも適切に動作を継続する遊技機を実現することができる。

以下、実施例に基づいて本発明を更に詳細に説明する。図１〜図４は、実施例に係るスロットマシンＳＬを図示したものである。本スロットマシンＳＬは、矩形箱状の本体ケース１と、各種の遊技部材を装着した前面パネル２とが、ヒンジ３を介して連結され、前面パネル２が本体ケース１に対して開閉可能に構成されている（図２）。そして、図１は前面パネル２の正面図、図２はスロットマシンＳＬの右側面図（ａ）と平面図（ｂ）、図３は前面パネル２の背面図、図４は本体ケース１の内部正面図を示している。

図４に示す通り、本体ケース１の略中央には、３つの回転リール４ａ〜４ｃを備える図柄回転ユニット４が配置され、その下側に、メダル払出装置５が配置されている。各回転リール４ａ〜４ｃには、ＢＢ図柄、ＲＢ図柄、各種のフルーツ図柄、及びリプレイ図柄などが描かれている。メダル払出装置５には、メダルを貯留するメダルホッパー５ａと、払出モータＭＯと、メダル払出制御基板５５と、払出中継基板６３と、払出センサＳＥ（図５）などが設けられている。ここで、メダルは、払出モータＭＯの回転に基づいて、払出口５ｂから図面手前に向けて導出される。なお、限界量を越えて貯留されたメダルは、オーバーフロー部５ｃを通して、補助タンク６に落下するよう構成されている。

上記のメダル払出装置５に隣接して電源基板６２が配置され、また、図柄回転ユニット４の上部に主制御基板５０が配置され、主制御基板５０に隣接して回胴設定基板５４が配置されている。なお、図柄回転ユニット４の内部には、回胴ＬＥＤ中継基板５８と回胴中継基板５７とが設けられ、図柄回転ユニット４に隣接して外部集中端子板５６が配置されている。

図１に示すように、前面パネル２の上部には液晶表示ユニット７が配置され、その下部には、回転リール４ａ〜４ｃに対応する３つの表示窓８ａ〜８ｃが配置されている。表示窓８ａ〜８ｃを通して、各回転リール４ａ〜４ｃの回転方向に、各々３個程度の図柄が見えるようになっており、合計９個の図柄の水平方向の三本と、対角線方向の二本が仮想的な停止ラインとなる。このような表示窓８ａの左側には、遊技状態を示すＬＥＤ群９が設けられ、その下方には、遊技成果として払出されるメダル数を表示する払出表示部１０や、クレジット状態のメダル数を表示する貯留数表示部１１が設けられている。

前面パネル２の垂直方向中央には、メダルを投入するメダル投入口１２が設けられ、これに隣接して、メダル投入口１２に詰まったメダルを返却させるための返却ボタン１３が設けられている。また、クレジット状態のメダルを払出すクレジット精算ボタン１４と、メダル投入口１２へのメダル投入に代えてクレジット状態のメダルを擬似的に一枚投入する投入ボタン１５と、クレジット状態のメダルを擬似的に三枚投入するマックス投入ボタン１６とが設けられている。

これらの遊技部材の下方には、回転リール４ａ〜４ｃの回転を開始させるスタートレバー１７と、回転中の回転リール４ａ〜４ｃを停止させるためのストップボタン１８ａ〜１８ｃが設けられている。その他、前面パネル２の下方には、メダルを蓄える横長の受け皿１９と、払出装置５の払出口５ｂに連通するメダル導出口２０とが設けられている。なお、メダル導出口２０の左右にはスピーカＳＰが配置されている。

図３に示すように、前面パネル３の裏側には、メダル投入口１２に投入されたメダルの選別を行うメダル選別装置２１と、メダル選別装置２１により不適正と判別されたメダルをメダル導出口２０に案内する返却通路２２とが設けられている。また、前面パネル３の裏側上部には、演出制御基板５１、演出インタフェイス基板５２、及び液晶制御基板６１などを収容する基板ケース２３が配置されている。そして、メダル選別装置２１の上部には、図１に示す各種の遊技部材と主制御基板５０との間の信号を中継する遊技中継基板５３が設けられている。

図５は、実施例に係るスロットマシンＳＬの回路構成を示すブロック図である。図示の通り、このスロットマシンＳＬは、回転リール４ａ〜４ｃを含む各種の遊技部材の動作を制御する主制御基板５０と、主制御基板５０から受けた制御コマンドに基づいて演出動作を実現する演出制御基板５１と、交流電圧（２４Ｖ）を直流電圧（５Ｖ，１２Ｖ，２４Ｖ）に変換して装置各部に供給する電源基板６２とを中心に構成されている。

主制御基板５０は、演出制御基板５１に対して、スピーカＳＰによる音声演出、ＬＥＤランプや冷陰極線管放電管によるランプ演出、及び、液晶表示ユニット７による図柄演出を実現するための制御コマンドを出力している。そして、演出制御基板５１は、演出インタフェイス基板５２を通して、液晶制御基板６１に接続されており、液晶制御基板６１は、液晶表示（ＬＣＤ）ユニット７における図柄演出を実現している。

演出制御基板５１は、演出インタフェイス基板５２と共に、ＬＥＤ基板５９やインバータ基板６０や回胴ＬＥＤドライブ基板５８を経由して、各種のＬＥＤや冷陰極線管放電管におけるランプ演出を実現している。また、演出制御基板５１は、演出インタフェイス基板５２を通してスピーカＳＰを駆動して音声演出を実現している。

主制御基板５０は、遊技中継基板５３を通して、スロットマシンの各種遊技部材に接続されている。具体的には、スタートレバー１７の始動スイッチ、ストップボタン１８ａ〜１８ｃの停止スイッチ、投入ボタン１５，１６の投入スイッチ、清算ボタン１４の清算スイッチ、投入枚数判定部２１ｄを構成するフォトインタラプタＰＨ１，ＰＨ２、投入メダル返却部２１ｃを構成するブロッカーソレノイド３１、及び、各種ＬＥＤ素子９〜１１などに接続されている。

また、主制御基板５０は、回胴中継基板５７を経由して、回転リール４ａ〜４ｃを回転させる３つのステッピングモータ、及び、回転リール４ａ〜４ｃの基準位置を検出するためのインデックスセンサに接続されている。そして、ステッピングモータを駆動又は停止させることによって、回転リール４ａ〜４ｃの回転動作と、目的位置での停止動作を実現している。

主制御基板５０は、払出中継基板６３を通してメダル払出装置５にも接続されている。

メダル払出装置５には、メダル払出制御基板５５と、メダル払出センサＳＥと、払出モータＭＯとが設けられており、メダル払出制御基板５５は、主制御基板５０からのメダル払出信号ＰＡＹに基づいて払出モータＭＯを回転させて、所定量のメダルを払出している。

なお、払出モータＭＯは、ブラシモータなどのＤＣモータであり、ＤＣ２４Ｖを受けている限り回転を継続する。

その他、主制御基板５０は、外部集中端子板５６と、回胴設定基板５４にも接続されている。外部集中端子板５６は、例えばホールコンピュータＨＣに接続されており、主制御基板５０は、外部集中端子板５６を通して、メダルの投入枚数やメダルの払出枚数などを出力している。また、回胴設定基板５４は、係員が設定した確率的なメダル払出枚数のランク設定値を示す設定キー信号などを出力している。

図６は、主制御基板５０と、払出中継基板６３と、メダル払出制御基板５５との接続関係を図示した概略図である。図示の通り、メダル払出制御基板５５は、払出中継基板６３を経由して、主制御基板５０から、メダル払出信号ＰＡＹと、ＤＣ５Ｖと、ＤＣ２４Ｖとを受けている。ここで、接続コネクタＣＮ３，ＣＮ４において、メダル払出信号ＰＡＹの隣に、ＤＣ５Ｖが配置されており、グランドラインＧＮＤは配置されていない。なお、当然ながら、メダル払出制御基板５５のグランドラインＧＮＤは、主制御基板５０と共通である。

メダル払出信号ＰＡＹは、払出すべきメダル枚数に対応するパルス幅τを有し、出力トランジスタＱａと、出力トランジスタＱａのコレクタに接続されたコレクタ抵抗Ｒａとを経由して主制御基板５０から出力される。コレクタ抵抗Ｒａは、メダル払出制御基板５５に配置されたフォトカプラＰＣ、抵抗Ｒ１、及びポリスイッチＲＴ１を経由して、電源電圧Ｖｃｃ＝５Ｖに接続されている（図７）。

ここで、ポリスイッチは、ポリマー系のＰＴＣ（Positive Temperature Coefficient)サーミスタであり、素子温度が所定値より上昇すると、正常状態では１Ω以下の抵抗値が、急激に増加して１０４Ω〜１０６Ω程度になる特性を有している。

図７は、メダル払出制御基板５５の回路構成を具体的に図示したものである。図６に関して説明した通り、メダル払出制御基板５５は、コネクタＣＮ４を通して払出中継基板６３に接続され、主制御基板５０から、ＤＣ２４Ｖ、ＤＣ５Ｖ、及びメダル払出信号ＰＡＹを受けている。そして、メダル払出制御基板５５のコネクタＣＮ５には、払出モータＭＯが接続されて、メダル払出信号ＰＡＹがアクティブレベルであれば、払出モータＭＯがＤＣ２４Ｖを受けて連続して回転するようになっている。

メダル払出制御基板５５には、フォトカプラＰＣによる信号伝送回路８１と、バイポーラトランジスタＱ３，Ｑ４による電流制限回路８２と、ＭＯＳトランジスタＱ５による駆動制御回路８３と、ＭＯＳトランジスタＱ６による動作禁止回路８４とが設けられている。

信号伝送回路８１は、ポリスイッチＲＴ１と、電流制限抵抗Ｒ１と、フォトカプラＰＣとの直列回路で構成されている。そして、ポリスイッチＲＴ１と、電流制限抵抗Ｒ１と、フォトカプラＰＣの発光ダイオードＤｐと、主制御基板の電流制限抵抗Ｒａと、出力トランジスタＱａとで、ＤＣ５Ｖを受ける電流閉回路が構成される。

そのため、出力トランジスタＱａがＯＮ動作すると、フォトカプラＰＣの発光ダイオードＤｐには、Ｉｏｎ＝（５−ＶＦ−ＶＣＥ）／（Ｒ１＋Ｒａ＋ＲＴ１）の順方向電流が流れ、メダル払出信号ＰＡＹの電圧レベルは、Ｉｏｎ＊Ｒａ＋ＶＣＥ［Ｖ］となる。ここで、ＶＣＥは、出力トランジスタＱａのコレクタ−エミッタ間の飽和電圧であり、０．３Ｖ程度である。また、ＶＦは、発光ダイオードＤｐの順方向電圧降下であり、１．２Ｖ程度である。

抵抗Ｒａ，Ｒ１は、トランジスタＱａとフォトカプラＰＣに対する電流制限抵抗であり、この電流制限状態では、ポリスイッチＲＴ１の抵抗値は低く、（Ｒ１＋Ｒａ）＞＞ＲＴ１≒０Ωである。したがって、出力トランジスタＱａがＯＮ動作時、フォトカプラＰＣの発光ダイオードＤｐには、Ｉｏｎ≒３．５／（Ｒ１＋Ｒａ）程度のオン電流Ｉｏｎが流れることになる。

ここで、違法行為者がコネクタＣＮ１〜ＣＮ４の部分を悪用して、メダル払出信号ＰＡＹを、グランド電位に落とした場合を考える。この場合には、電流制限抵抗Ｒａが短絡されるために、フォトカプラＰＣの発光ダイオードＤｐには、Ｉｏｎ＝（５−ＶＦ）／（Ｒ１＋ＲＴ１）の短絡電流が流れる。

電流制限抵抗Ｒ１は、このような違法行為時にも、フォトカプラの発光ダイオードＤｐが焼損しない程度の必要最小限の値に設定されている。具体的には、発光ダイオードＤｐの最大定格電流値がＩＭＡＸの場合、電流制限抵抗Ｒ１は、例えば、Ｒ１≒＜３．８／ＩＭＡＸに設定される。何れにしても、フォトカプラの発光ダイオードＤｐや、ポリスイッチＲＴ１には、本来のオン電流Ｉｏｎ≒３．５／（Ｒ１＋Ｒａ）より十分に高い、短絡電流ＩＭＡＸが流れる。

そのため、メダル払出信号ＰＡＹの信号線を、グランドラインＧＮＤに接触させる違法行為時、最初は、フォトカプラＰＣがＯＮ動作して払出モータＭＯが回転するものの、短絡電流ＩＭＡＸによってポリスイッチＲＴ１が加熱されることで、やがてフォトカプラＰＣがＯＦＦ状態となり、違法行為によるメダルの払出動作を成功させることはない。

ところで、メダル払出信号ＰＡＹの信号線を、直接、グランドラインＧＮＤに接触させるのではなく、電流制限抵抗Ｒａに対応する抵抗体を介して、メダル払出信号ＰＡＹの信号線をグランドラインＧＮＤに接触させた場合には、違法行為が成功するとも思われる。

しかしながら、一旦、離脱させたコネクタＣＮ４を元の状態に戻さない限り、払出モータＭＯへの通電が実現されないところ、コネクタＣＮ４の中に極細の短絡片を配置することはできても、抵抗体をコネクタＣＮ４の中に配置することは事実上不可能であるので、違法行為を成功させることはできない。しかも、本実施例では、メダル払出信号ＰＡＹの信号線とグランドラインＧＮＤとが離間して配置されているので尚更である。

さて、電流制限回路８２は、ＰＮＰ型トランジスタＱ３と、コレクタ抵抗Ｒ４、バイアス抵抗Ｒ１０と、払出モータＭＯの電流検出抵抗Ｒ１３と、バイアス抵抗Ｒ５と、コンデンサＣ１と、ＮＰＮ型トランジスタＱ４と、電流制限抵抗Ｒ８と、逆方向電流阻止用のダイオードＤ２とで構成されている。

トランジスタＱ３のエミッタ端子は、フォトカプラのトランジスタＴｒのエミッタ端子と、電流制限抵抗Ｒ８とに接続されている。そして、トランジスタＱ３のエミッタ端子とベース端子の間には、電流制限抵抗Ｒ８とダイオードＤ２とが直列接続され、ダイオードＤ２のカソード端子が、トランジスタＱ３のベース端子に接続されている。また、ダイオードＤ２のカソード端子は、トランジスタＱ４のコレクタ端子に接続され、そのエミッタ端子はグランドに接続されている。トランジスタＱ４のベース端子は、並列接続されたコンデンサＣ１及び抵抗Ｒ５を通して、グランドに接続されている。

また、トランジスタＱ４のベース端子は、抵抗Ｒ１０を通して、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱ５のソース端子に接続されている。ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱ５のソース端子とグランドとの間に、抵抗Ｒ１３が接続されて、払出モータＭＯの駆動電流を監視している。なお、電流検出抵抗Ｒ１３は、０．５１Ω程度である。

駆動制御回路８３は、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱ５と、バイアス抵抗Ｒ９と、コンデンサＣ３とで構成されている。ここで、ＭＯＳトランジスタＱ５のドレイン端子は、払出モータＭＯの（−）端子に接続されている。そして、ベース端子とソース端子との間には、並列接続された抵抗Ｒ９及びコンデンサＣ３が接続されている。

動作禁止回路８４は、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＱ６と、分圧用のバイアス抵抗Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ６，Ｒ７と、コンデンサＣ２と、逆方向電流阻止用のダイオードＤ１と、ポリスイッチＲＴ２とで構成されている。ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＱ６のソース端子とドレイン端子は、各々、払出モータＭＯの（＋）端子と（−）端子に接続されている。したがって、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＱ６がＯＮ動作すると払出モータＭＯの駆動が禁止されることになる。

一方、ＭＯＳトランジスタＱ６のソース端子とゲート端子間には抵抗Ｒ１１が接続され、ゲート端子とグラントとの間には、バイアス抵抗Ｒ１２，Ｒ６，Ｒ７が直列接続されている。そして、抵抗Ｒ１２と抵抗Ｒ６の接続点には、ダイオードＤ１のカソード端子が接続されている。一方、ダイオードＤ１のアノード端子は、フォトカプラＰＣのトランジスタＴｒのエミッタ端子と、抵抗Ｒ８とに接続されている。

ポリスイッチＲＴ２は、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＱ２のドレイン端子と払出モータＭＯの（＋）端子との間に接続されている。したがって、例えば、払出モータＭＯの配線の短絡などによって過大電流が流れる場合には、ＤＣ２４Ｖの電源ラインを開放状態にする役目を果たす。なお、このポリスイッチＲＴ２は、電流制限回路８２が機能しないようなトラブル時に大きな意義がある。

続いて、主制御部５０において実行されるメダル払出処理について図８のフローチャートに基づいて説明する。先ず、遊技者に払出すべきメダル払出枚数が０か否か判定され（ＳＴ１０）、メダル払出枚数≠０であれば、クレジット数が上限値（例えば５０枚）に達するまでは、クレジット数を増加させることで払出処理を実行する（ＳＴ１１〜ＳＴ１３）。

一方、このようにしてクレジット数が上限値に達するか、或いは、もともと上限値に達している場合には、メダル払出信号ＰＡＹをＯＮレベル（アクティブレベル）にする（ＳＴ１５）。具体的には、主制御部５０の出力トランジスタＱａをＯＮ動作させて、メダル払出制御基板５５のフォトカプラＰＣをＯＮ動作させる。この結果、払出モータＭＯが回転を開始してメダルの払出が開始される。

そこで、次に、払出センサＳＥ（図５）がメダル払出を検出したか否か判定され（ＳＴ１６）、所定の待機時間、メダルの払出が検出されるのを待つ（ＳＴ１８）。そして、メダルの払出が検出されれば、払出枚数を減算し（ＳＴ１７）、残余払出枚数が０になるまで同じ動作を繰返す。一方、所定の待機時間を超えても、払出センサＳＥがメダルの払出を検出しない場合は、メダルホッパー５ａが空であると思われるので、その旨の異常報知処理を実行する（ＳＴ１９）。そして、ドアセンサの開閉が検出されたら、係員による補給処理が完了したと想定して、エラー報知処理を解除してステップＳＴ１５の処理に戻る。

このような処理を繰返していると、やがて、残余払出枚数が０になるので（ＳＴ１３）、メダル払出信号ＰＡＹをＯＦＦ状態にして処理を終える（ＳＴ１４）。具体的には、主制御部５０の出力トランジスタＱａをＯＦＦ動作させ、メダル払出制御基板５５のフォトカプラＰＣをＯＦＦ動作させる。この結果、払出モータＭＯの回転が停止される。

続いて、図７に示す実施例について、払出動作時と払出禁止時の動作を、念のため説明する。先ず、主制御部５０の出力トランジスタＱａがＯＮ状態となった場合（ＳＴ１５）について、図１１に基づいて説明する。この場合には、ＤＣ５Ｖ→ポリスイッチＲＴ１→抵抗Ｒ１→フォトカプラの発光ダイオードＤｐ→抵抗Ｒａ→出力トランジスタＱａの経路で、ＯＮ電流Ｉ_ｏｎが流れる。そのため、フォトカプラＰＣはＯＮ状態となり、フォトカプラＰＣのトランジスタＴｒを通過する直流電流は、ダイオードＤ１→抵抗Ｒ６→抵抗Ｒ７の経路に流れる。また、トランジスタＴｒを通過する直流電流は、抵抗Ｒ８→抵抗Ｒ９→抵抗Ｒ１３の経路と、抵抗Ｒ８→抵抗Ｒ９→抵抗Ｒ１０→Ｒ５の経路にも流れる。その結果、トランジスタＱ５はＯＮ状態となり、ポリスイッチＲＴ２→払出モータＭＯ→トランジスタＱ５の経路でモータ駆動電流が流れ、払出モータＭＯが回転する。

この時、電流制限回路８２は、過大なモータ駆動電流が流れることを防止する負帰還回路として機能する。すなわち、モータ駆動電流は、電流検出抵抗Ｒ１３に流れるので、仮に、モータ駆動電流が大きく増加すると、トランジスタＱ４のベース電位が増加して、抵抗Ｒ８→ダイオードＤ２経路でコレクタ電流が流れる。

すると、トランジスタＱ４とトランジスタＱ３とは、サイリスタ構造を有して接続されているので、トランジスタＱ４のコレクタ電流の増加が、トランジスタＱ３のコレクタ電流の増加をもたらし、抵抗Ｒ５を経由してトランジスタＱ４のコレクタ電流を益々増加させることで、２つのトランジスタＱ３，Ｑ４は、ＯＮ動作に向けた正帰還ループを形成する。

一方、トランジスタＱ４のコレクタ電流が飽和電流に向けて増加すると、ダイオードＤ２のアノード端子の電位が降下するので、トランジスタＱ５をＯＦＦ動作させる向きの負帰還ループが形成される。したがって、トランジスタＱ５の動作に基づいて、過大なモータ駆動電流が流れることが防止され、モータ駆動電流が所定範囲に維持される。

ところで、払出モータＭＯが駆動されているタイミングでは、トランジスタＱ６は、ＯＦＦ状態である。それは、抵抗Ｒ１１→抵抗Ｒ１２→抵抗Ｒ６→抵抗Ｒ７の経路で電流が流れると共に、ダイオードＤ１→抵抗Ｒ６→抵抗Ｒ７の経路でも電流が流れるので、抵抗Ｒ１１と抵抗Ｒ１２の両端電圧が、トランジスタＴｒの飽和電圧Ｖ_ＣＥとダイオードの順方向電圧降下Ｖ_ＦからＶ_ＣＥ＋Ｖ_Ｆ≒１Ｖに抑制されるからである。

次に、図１２に基づいて、主制御部５０の出力トランジスタＱａがＯＦＦ状態となった場合（ＳＴ１３）の動作を説明する。この場合には出力トランジスタＱａがＯＦＦ状態であるので、フォトカプラＰＣのダイオードＤｐに電流が流れない。そして、フォトカプラＰＣがＯＦＦ状態であるため、トランジスタＱ３，Ｑ４，Ｑ５はＯＮ状態とならない。

一方、抵抗Ｒ１１→抵抗Ｒ１２→抵抗Ｒ６→抵抗Ｒ７→グランドの経路では電流が流れる。ここで、抵抗Ｒ１１の両端電圧は、２４＊Ｒ１１／（Ｒ１１＋Ｒ１２＋Ｒ６＋Ｒ７）≒３Ｖとなるよう設定されているので、トランジスタＱ６のソース端子とゲート端子間の電圧によってトランジスタＱ６はＯＮ状態となる。

このトランジスタＱ６のＯＮ動作は、フォトカプラＰＣのＯＮからＯＦＦへの遷移時に実行されるので、発電機として機能する払出モータＭＯの出力電流がトランジスタＱ６の短絡電流として吸収され、払出モータＭＯの回転にブレーキがかかる。そのため、本実施例の構成によれば、慣性力によるメダルの過払いが防止される。

以上、本発明の実施例について具体的に説明したが、具体的な記載内容は特に本発明を限定する趣旨ではなく、適宜に変更可能である。例えば、先の実施例ではスロットマシンについて説明したが、遊技球の払出処理をＤＣモータで実現する弾球遊技機においては、本発明が好適に適用される。

また、先の実施例では、違法行為を排除するために、ポリスイッチを使用したが、可逆的に動作する他のヒューズ素子を使用しても良いのは勿論である。なお、簡易的には溶断動作をするヒューズ素子を使用してもよく、更に簡易的には、ポリスイッチＲＴ１及び電流制限抵抗Ｒ１を設けない構成を採ることもできる。このような構成を採ると、違法行為時には、発光ダイオードＤｐに短絡電流が流れ、フォトカプラＰＣが破損することで、違法行為が防止される。

また、必ずしも、信号伝送回路８１を遮断状態に制御する必要はなく、フォトカプラＰＣを短絡させる構成を採っても良い。図９は、その回路構成を示す回路図である。この実施例では、フォトカプラの発光ダイオードＤｐに並列に、電界効果トランジスタＱｆ(FET: Field effect transistor)のドレイン端子Ｄとソース端子Ｓとが接続されている。ここで電界効果トランジスタとは、接合型とＭＯＳ型とを含む概念であり、図示例ではＮチャンネル型のＭＯＳＦＥＴを使用している。

トランジスタＱｆのドレイン端子Ｄには、電流制限抵抗Ｒ１を通して直流５Ｖが供給されている。また、トランジスタＱｆのゲート端子Ｇは、分圧抵抗Ｒ２，Ｒ３の接続点が接続されている。この実施例では、出力トランジスタＱａのＯＮ動作時、メダル払出信号ＰＡＹの電圧レベルは、例えば、３Ｖになるよう構成されている。

この場合、出力トランジスタＱａのＯＮ動作時、分圧抵抗Ｒ２，Ｒ３の両端には、２ボルトの電圧が加わる。そして、ゲート端子Ｇとソース端子Ｓとの間の電圧は、２＊Ｒ３／（Ｒ２＋Ｒ３）ボルトであるので、この実施例では、この電圧値２＊Ｒ３／（Ｒ２＋Ｒ３）が、トランジスタＱｆのＯＦＦ状態を維持するレベルに設定されている。つまり、この実施例では、出力トランジスタＱａのＯＮ動作時にも、トランジスタＱｆはＯＦＦ状態である。

したがって、出力トランジスタＱａのＯＮ動作時には、電流制限抵抗Ｒ１→発光ダイオードＤｐ→電流制限抵抗Ｒａ→出力トランジスタＱａの経路で、オン電流ＩＯＮ≒３．５／（Ｒ１＋Ｒａ）が流れ、フォトカプラＰＣがＯＮ動作する。なお、分圧抵抗Ｒ２，Ｒ３は、電流制限抵抗Ｒ１より抵抗値が十分に高いので、そこに流れる電流は、オン電流ＩＯＮとの関係では無視してよい。

次に、この回路において、違法行為によって、メダル払出信号ＰＡＹの電圧レベルがグランドレベルになった場合を想定する。このような場合には、分圧抵抗Ｒ２，Ｒ３には、電圧５ボルトが直接加わるので、トランジスタＱｆのゲート端子Ｇとソース端子Ｓとの間の電圧は、５＊Ｒ３／（Ｒ２＋Ｒ３）に増加する。そして、この電圧は、トランジスタＱｆをＯＮ動作させるレベルに設定されているので、ドレイン端子Ｄ−ソース端子Ｓ間の電圧が降下して、発光ダイオードＤｐをＯＦＦ動作させる。その結果、フォトカプラＰＣが活性化されないので、払出モータＭＯが回転せず、違法行為によるメダルの払出動作を成功させない。

図１０は、更に別の実施例であり、フォトカプラの発光ダイオードＤｐに並列に、バイポーラ型のトランジスタＱのコレクタ端子Ｃとエミッタ端子Ｅとが接続されている。図示の通り、ここではＮＰＮ型のトランジスタを使用している。

トランジスタＱのコレクタ端子Ｃには、電流制限抵抗Ｒ１を通して直流５Ｖが供給され、ベース端子Ｂには、バイアス抵抗Ｒ２を通して直流５Ｖが供給されている。この実施例では、出力トランジスタＱａのＯＮ動作時、トランジスタＱがリニア動作をして、電流制限抵抗Ｒ１から流れ出すオン電流ＩＯＮが、トランジスタＱと発光ダイオードＤｐに分流されるよう構成されている。但し、トランジスタＱのコレクタ電流ｉ１と、発光ダイオードＤｐの順方向電流ｉ２と合わせた電流が、抵抗Ｒ１を通り電圧降下を起こしても、発光ダイオードＤｐの最低動作電圧を保つように設定されており、フォトカプラＰＣは問題なくＯＮ動作する。

次に、違法行為によって、メダル払出信号ＰＡＹの電圧レベルがグランドレベルになった場合を想定する。このような場合には、バイアス抵抗Ｒ２には、５−ＶＢＥの電圧が加わるので、ベース電流ＩＢはＩＢ＝（５−ＶＢＥ）／Ｒ２となる。ここで、ＶＢＥは、トランジスタＱのベース端子Ｂとエミッタ端子Ｅ間の電圧であり、０．６Ｖ程度である。

本実施例では、この程度のベース電流値ＩＢ＝（５−ＶＢＥ）／Ｒ２において、コレクタ電流が飽和するよう構成されている。つまり、違法行為時には、トランジスタＱが飽和状態となってコレクタ端子Ｃとエミッタ端子Ｅの間が、例えば、０．３Ｖ程度まで降下する。その結果、フォトカプラＰＣが活性化されないので、払出モータＭＯが回転せず、この回路においても、違法行為によるメダルの払出動作を成功させることがない。

実施例に係るスロットマシンの正面図である。 図１のスロットマシンの右側面図（ａ）と平面図（ｂ）である。 スロットマシンの前面パネルを背面から図示した図面である。 スロットマシンの本体ケースの内部正面図である。 図１のスロットマシンの回路構成を示すブロック図である。 主制御基板とメダル払出制御基板との接続関係を示すブロック図である。 メダル払出制御基板の回路構成を示す回路図である。 主制御部におけるメダル払出動作を説明するフローチャートである。 メダル払出制御基板の別の回路構成を示す回路図である。 メダル払出制御基板の更に別の回路構成を示す回路図である。 メダル払出動作を説明する図面である。 払出停止動作を説明する図面である。

符号の説明

ＰＣ インタフェイス素子
ＰＡＹ 払出指令
ＧＮＤ グランド信号
ＣＮ４ 接続コネクタ
５５ 払出制御部
ＭＯ 払出モータ
ＲＴ１ 急増抵抗
Ｒａ 電流制限抵抗

Claims (9)

1. インタフェイス素子に供給される直流電圧と、前記インタフェイス素子をＯＮ動作させる払出指令と、グランド信号とを、接続コネクタを通して受ける払出制御部を有し、前記払出制御部が、前記インタフェイス素子のＯＮ動作に対応して払出モータを駆動して遊技者に有価物を払出す遊技機であって、
   前記払出制御部には、
   発熱に対応してその抵抗値が急増する急増抵抗と、前記インタフェイス素子とが直列接続された直列回路が設けられ、
   前記直列回路の一端に、前記直流電圧を受ける一方、その他端に、他の回路基板に配置された電流制限抵抗を通して前記払出指令を受けるよう構成されたことを特徴とする遊技機。
2. 前記急増抵抗は、その温度変化に対応して可逆的に抵抗値が変化する請求項１に記載の遊技機。
3. インタフェイス素子に供給される直流電圧と、前記インタフェイス素子をＯＮ動作させる払出指令と、グランド信号とを、接続コネクタを通して受ける払出制御部を有し、前記払出制御部が、前記インタフェイス素子のＯＮ動作に対応して払出モータを駆動して遊技者に有価物を払出す遊技機であって、
   前記払出制御部には、
   前記インタフェイス素子への供給電流をバイパスさせて、これをＯＦＦ動作させるスイッチング回路が設けられ、
   前記スイッチング回路の一端に、前記直流電圧を受ける一方、その他端に、他の回路基板に配置された電流制限抵抗を通して前記払出指令を受けるよう構成されたことを特徴とする遊技機。
4. 前記スイッチング回路は、電界効果トランジスタを含んで構成され、その通電端子が前記インタフェイス素子の両端に接続されている請求項３に記載の遊技機。
5. 前記他の回路基板には、ＯＮ／ＯＦＦ動作する出力素子と、前記電流制限抵抗とが直列接続された直列回路が設けられている請求項１〜４の何れかに記載の遊技機。
6. 前記払出指令の信号線とグランド信号の信号線とは、前記接続コネクタにおいて離間して配置されている請求項１〜５の何れかに記載の遊技機。
7. 払出モータに流れる駆動電流が所定値を超えると、飽和状態への移行動作を開始する正帰還ループを形成した２つのスイッチング素子を設けた請求項１〜６の何れかに記載の遊技機。
8. 前記２つのスイッチング素子は、ＮＰＮ型トランジスタとＰＮＰ型トランジスタとで構成され、全体としてサイリスタ構造を実現している請求項７に記載の遊技機。
9. 前記インタフェイス素子がＯＮ状態からＯＦＦ状態に遷移するとＯＮ動作する短絡素子が、前記払出モータの入力端子間に設けられている請求項１〜８の何れかに記載の遊技機。

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