JP5030351B2 - シリコンの製造装置および方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、高純度シリコンの製造方法に関し、さらに詳しくは原料として四塩化珪素及び金属亜鉛を蒸発気化して使用し、気相において還元反応を行う反応炉による高純度シリコンの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の方式は、反応炉全体が空洞化した一体構造をなしており、反応・析出の場所が特定されておらず又反応・析出の速度も不均一のため、炉内の場所により反応・析出の程度が不均一となり、反応の特に進んだ一部の場所に製品となるシリコンが樹枝状或いは薄片状にランダムに充満して、反応を停止せざるを得ない状態が発生し炉内の製品占積率を低下させるとともに生産性の低下をもたらした。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、気相法亜鉛還元法による高純度シリコン製造用還元反応炉において、種結晶表面をブラスティング処理を行うことにより結晶生成をすすめ急速に樹枝状結晶を成長させ、反応速度を促進し安定した効率の良い運転を確保すおよび方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本願で特許請求される発明は以下の通りである。
（１）高純度亜鉛及び高純度四塩化珪素を使用した四塩化珪素の亜鉛ガス化還元法に係わる反応炉において、結晶生成（製品生成）をより効率化するために樹枝状結晶（デンドリティックグロース）を促進させる目的のために、結晶生成のもととなる種結晶表面のブラスティングを行うことを特徴とした高純度シリコン製造装置。
（２）上記（１）の高純度シリコン製造装置により安定的に且つ効率よく結晶生成を行うことを特徴とする高純度シリコンの製造方法。
【０００５】
【発明の実施の形態】
【実施例１】
シリコン種結晶表面をＡｌ２Ｏ３粒によりブラスティングを行い、Ａｌがシリコンに対してポイズンとなるためにアルカリエッチング後処理を行い、樹枝状結晶生成の促進を確認した。酸エッチング処理は望ましくない。
【実施例２】
平均粒径１２〜１３ミクロンのシリコンパウダーによりブラスティングを行い、樹枝状結晶生成の促進を確認した。
Claims (2)
- 高純度亜鉛及び高純度四塩化珪素を使用した四塩化珪素の亜鉛ガス化還元法に係わる反応炉において、結晶生成（製品生成）をより効率化するために樹枝状結晶（デンドリティックグロース）を促進させる目的のために、結晶生成のもととなる種結晶表面のブラスティングを行うことを特徴とした高純度シリコン製造装置。
- 請求項１記載の高純度シリコン製造装置により安定的に且つ効率よく結晶生成を行うことを特徴とする高純度シリコンの製造方法。
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| JP2001333478A JP5030351B2 (ja) | 2001-09-26 | 2001-09-26 | シリコンの製造装置および方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001333478A JP5030351B2 (ja) | 2001-09-26 | 2001-09-26 | シリコンの製造装置および方法 |
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Family Applications (1)
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| JP2003095631A (ja) | 2003-04-03 |
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