JP5087195B2 - シリコンの製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、高純度亜鉛ガス及び高純度四塩化珪素ガスを反応させる四塩化珪素の亜鉛ガス化還元法により生成された高純度シリコンに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の方式は、ＴＣＳ（三塩化シラン）を水素ガスにより還元反応を行い高純度シリコンを生成させているが、反応効率が悪く且つ大電力を消費するために、高純度多結晶シリコンで約５，０００円／ｋｇと高価となり、太陽電池用としては不適格品が一部使用されているに過ぎない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、高純度亜鉛ガス及び高純度四塩化珪素ガスを、９００℃〜１１００℃のガス化雰囲気において反応させることにより、高純度シリコン結晶を生成させるものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、金属亜鉛及び四塩化珪素をそれぞれ加熱蒸発する蒸発器と、蒸発した四塩化珪素及び金属亜鉛を不活性ガスをキャリアとして温度制御、流量制御を行いつつ所定の量を反応器に導入して還元反応を行わせると、高純度シリコンが生成する。
尚、樹枝状結晶もしくは鱗状結晶等の生成割合は、運転条件により変動する。
【０００５】
上記で生成した高純度シリコンは大部分が樹枝状結晶や鱗状結晶よりなるが、形状が一定ではなく微粒子や粉体も含む。尚、キャステイング等の後工程での取り扱いの便の為に、難溶解の粉体は篩等で除去後、加熱・融解し固化した塊状の多結晶シリコンとする。
【０００７】
【実施例１】
上記０００５項により製造した製品の品質を下記に示す。
（１）測定条件：ＣＺキャロットＸ’ｔａｌ ４Ｐ測定。
（２）抵抗値：Ｎ２７０Ωｃｍ（Ｔｏｐ−５％）、Ｎ４００Ωｃｍ（Ｔｏｐ−６０％）
（３）Ｂレベル：Ｐ２４０Ωｃｍ（Ｔｏｐ−５％）、Ｐ２８０Ωｃｍ（Ｔｏｐ−６０％）
（４）ＬＴ：８０μ−ｓｅｃ
Claims (1)
- 高純度亜鉛ガス及び高純度四塩化珪素ガスを反応させる四塩化珪素の亜鉛ガス化還元法により生成された高純度シリコンを篩で篩って、５０重量％以上が１ｍｍサイズのスクリーンを通過しない樹枝状結晶もしくは鱗状結晶を得る工程を有すること（洗浄工程を行うものを除く。）を特徴とする抵抗値が「Ｎ＞０．１Ωｃｍ」もしくは「Ｐ＞１Ωｃｍ」の太陽電池用高純度多結晶シリコンの製造方法。
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| JP2002383377A JP5087195B2 (ja) | 2002-12-19 | 2002-12-19 | シリコンの製造方法 |
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