JP5024169B2 - 電力変換装置 - Google Patents
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すなわち、電力変換装置9は、複数の半導体モジュール2と複数の冷却管3との積層体4が、上記バスバー53を樹脂モールドしてなるバスバアッセンブリ5と、上記制御回路基板6とによって挟み込まれた状態に構成されている。
一方、積層体4も、積層方向の一端をケースの所定の位置に当接させながら積層方向に圧縮した状態で配設される。
上記複数の冷却管のうちの少なくとも一つには、上記バスバアッセンブリ側に突出した第1突起部が形成され、
上記複数の冷却管のうちの少なくとも一つには、上記制御回路基板側に突出した第2突起部が形成され、
上記バスバアッセンブリには、上記第1突起部を嵌合する第1嵌合部が形成され、
上記制御回路基板には、上記第2突起部を嵌合する第2嵌合部が形成されており、
上記第1突起部を上記第1嵌合部に嵌合させることにより、上記積層体と上記バスバアッセンブリとを位置決めし、
上記第2突起部を上記第2嵌合部に嵌合させることにより、上記積層体と上記制御回路基板とを位置決めしてなることを特徴とする電力変換装置にある(請求項1)。
上記電力変換装置は、上記第1突起部を上記第1嵌合部に嵌合させることにより、上記積層体と上記バスバアッセンブリとを位置決めし、上記第2突起部を上記第2嵌合部に嵌合させることにより、上記積層体と上記制御回路基板とを位置決めしてなる。したがって、バスバアッセンブリ及び制御回路基板は、ケースを基準とするのではなく、積層体を基準として位置決めされることとなる。
この場合には、積層体におけるすべての半導体モジュールの電極端子と、それぞれに対応するバスバーの端子(バスバ端子)との間のずれを、小さくすることができる。すなわち、積層体は、電力変換装置に組み付けられる際に、積層方向に圧縮される。このとき、積層方向の一方の端部に配された冷却管を基準とすると、他方の端部に最も近い半導体モジュールの位置がバスバ端子からずれやすくなる。これに対して、積層方向の中央の冷却管に第1突起部を設け、これを基準とすることにより、積層方向の両端部に配される半導体モジュールとバスバ端子とのずれを小さくすることができる。
この場合には、積層体におけるすべての半導体モジュールの電極端子と、それぞれ対応する制御回路基板のスルーホール等の端子との間のずれを、小さくすることができる。すなわち、積層体は、電力変換装置に組み付けられる際に、積層方向に圧縮される。このとき、積層方向の一方の端部に配された冷却管を基準とすると、他方の端部に最も近い半導体モジュールの位置が制御回路基板の端子からずれやすくなる。これに対して、積層方向の中央の冷却管に第1突起部を設け、これを基準とすることにより、積層方向の両端部に配される半導体モジュールと制御回路基板の端子とのずれを小さくすることができる。
この場合には、組み付け性に一層優れた電力変換装置を得ることができる。
この場合には、一層効果的に積層体とバスバアッセンブリとの位置決めを行うことができる。
この場合には、一層効果的に積層体と制御回路基板との位置決めを行うことができる。
この場合には、上記第1突起部を上記第1嵌合部に嵌入させやすく、かつ、上記第1突起部と上記第1嵌合部との位置を正確に決めることができる。これにより、積層体とバスバアッセンブリとの位置決めをより容易かつ正確に行うことができる。
この場合にも、上記第1突起部を上記第1嵌合部に嵌入させやすく、かつ、上記第1突起部と上記第1嵌合部との位置を正確に決めることができる。これにより、積層体とバスバアッセンブリとの位置決めをより容易かつ正確に行うことができる。
この場合には、上記突起部側凸部が上記嵌合部側凹部に当接することにより、第1嵌合部に第1突起部が安定して嵌合されることとなる。これにより、積層体とバスバアッセンブリとの位置決めをより一層正確に行うことができる。
本発明の実施例にかかる電力変換装置につき、図1〜図5を用いて説明する。
本例の電力変換装置1は、図1〜図3に示すごとく、半導体素子を内蔵する複数の半導体モジュール2とこれを冷却する複数の冷却管3とを積層した積層体4と、複数の半導体モジュール2の電極端子21に接続されるバスバーを樹脂モールドしたバスバアッセンブリ5と、複数の半導体モジュール2の信号端子22に接続される制御回路基板6とを有する。
本例においては、複数の冷却管3のうちの積層方向の中央の冷却管3に、第1突起部31及び第2突起部32が形成されている。すなわち、第1突起部31と第2突起部32とは、同一の冷却管3に形成されている。
そして、第1突起部31を第1嵌合部51に嵌合させることにより、積層体4とバスバアッセンブリ5とを位置決めし、第2突起部32を第2嵌合部61に嵌合させることにより、積層体4と制御回路基板6とを位置決めしている。
各半導体モジュール2は、例えば、互いに逆方向に並列接続されたIGBTとダイオードとを樹脂によってモジュール化してなり、その両主面に放熱板を露出してなる(図示略)。また、半導体モジュール2は、一つの端面から突出形成された一対の電極端子21と、反対側の端面から突出形成された複数の信号端子22とを有する。
これにより、複数の電極端子21が接続されるバスバアッセンブリ5と、複数の信号端子22が接続される制御回路基板6とが、積層体4の両側に振り分けられて配置されることとなる。
他方(図2における下側)のバスバアッセンブリ5は、電源及びコンデンサ(図示略)の負極側に接続されるバスバー53を有する。
図5に示すごとく、バスバアッセンブリ5に設けた第1嵌合部51は、樹脂部52に切り込みを入れることにより形成されている。第1嵌合部51はバスバー53と干渉しない位置に形成されている。
また、第1突起部31と反対方向に第2突起部32が突出している。第2突起部32は、冷却管3の長手方向に異なる2個所に一対形成されている。
積層体4、バスバアッセンブリ5、制御回路基板6は、一つのケース10内に収納され、バスバアッセンブリ5及び制御回路基板6は、それぞれビス12によってケース10に固定されている。
なお、制御回路基板6の組み付けと、バスバアッセンブリ5の組み付けとは、いずれを先に行ってもよい。
上記電力変換装置1は、第1突起部31を第1嵌合部51に嵌合させることにより、積層体4とバスバアッセンブリ5とを位置決めし、第2突起部32を第2嵌合部52に嵌合させることにより、積層体4と制御回路基板6とを位置決めしてなる。したがって、バスバアッセンブリ5及び制御回路基板6は、ケース10を基準とするのではなく、積層体4を基準として位置決めされることとなる。
また、第1突起部31と第2突起部32とは、同一の冷却管3mに形成されているため、組み付け性に一層優れた電力変換装置1を得ることができる。
本例は、図6に示すごとく、第1突起部31を、冷却管3の長手方向に異なる位置に分割して一対形成した例である。
その他は、実施例1と同様である。
本例の場合にも、一対の第1突起部31を、一対のバスバアッセンブリ5の第1嵌合部51に嵌合させることにより、積層体4とバスバアッセンブリ5との位置決めを行うことができる。
その他、実施例1と同様の作用効果を有する。
本例は、図7に示すごとく、バスバアッセンブリ5の第1嵌合部51を、バスバアッセンブリ5に設けた突設部55に設けた例である。
突設部55は、第1嵌合部51を形成する部分の周囲にのみ形成する。
その他は、実施例1と同様である。
本例の場合には、バスバアッセンブリ5の樹脂部52を小型化することができ、電力変換装置1の軽量化、コスト低減を図ることができる。
その他、実施例1と同様の作用効果を有する。
本例は、図8に示すごとく、第1嵌合部51に、第1突起部31の突出方向と直交する方向から第1突起部31に圧接する嵌合部側凸部511を形成した例である。
嵌合部側凸部511は、第1嵌合部51の内壁に複数形成されている。そして、第1嵌合部51に挿入される第1突起部31の両主面に嵌合部側凸部511が当接する。
また、第1嵌合部51の切り込み方向に平行かつ第1突起部31に直交する平面による、嵌合部側凸部511の断面形状は、半円形状である。なお、この断面形状は、これに限らず、例えば略三角形状等、他の形状とすることもできる。
その他は、実施例1と同様である。
その他、実施例1と同様の作用効果を有する。
本例は、図9に示すごとく、第1突起部31に、第1突起部31の突出方向と直交する方向から第1嵌合部51の内壁に圧接する突起部側凸部311を形成した例である。
突起部側凸部311は、第1突起部31の一部を略S字状に屈曲することにより形成されている。
その他は、実施例1と同様である。
その他、実施例1と同様の作用効果を有する。
本例は、図10に示すごとく、第1嵌合部51の内壁に、突起部側凸部311を当接させる嵌合部側凹部512を形成した例である。
嵌合部側凹部512は、突起部側凸部311の外形に沿った略円弧状に形成してある。
その他は、実施例5と同様である。
その他、実施例5と同様の作用効果を有する。
本例は、図11に示すごとく、第2嵌合部61に、積層体4側に向かって広がる拡大開口部611を設けた例である。拡大開口部611は、例えば、図11に示すごとくテーパ状であってもよいし、曲面状に形成されていてもよい。
その他は、実施例1と同様である。
その他、実施例1と同様の作用効果を有する。
本例は、図12に示すごとく、第2突起部32の先端部に、先端へ向かって細くなる先細り部321を設けた例である。先細り部321は、例えば、図12に示すごとく、テーパ状に形成されていてもよいし、曲面状に形成されていてもよい。
その他は、実施例1と同様である。
本例の場合には、第2突起部32を第2嵌合部61に嵌入させる際に、その挿入作業が容易となるため、積層体4と制御回路基板6との組み付け作業を容易に行うことができる。
その他、実施例1と同様の作用効果を有する。
本例は、図13〜図15に示すごとく、積層体4、バスバアッセンブリ5、制御回路基板6を、ケース10を基準に配設してなる電力変換装置90の例である。
すなわち、本例の電力変換装置90には、積層体4とバスバアッセンブリ5との間の位置決め手段も、積層体4と制御回路基板6との間の位置決め手段も設けられていない。
また、制御回路基板6における4個のビス孔691、692のうち、2個のビス孔691は長孔ではなく、ここにビス12を挿通してケース10に固定することにより、ケース10に対して制御回路基板6の位置が決まる。
10 ケース
2 半導体モジュール
21 電極端子
22 信号端子
3 冷却管
31 第1突起部
32 第2突起部
4 積層体
5 バスバアッセンブリ
51 第1嵌合部
53 バスバー
6 制御回路基板
61 第2嵌合部
Claims (9)
- 半導体素子を内蔵する複数の半導体モジュールとこれを冷却する複数の冷却管とを積層した積層体と、上記複数の半導体モジュールの電極端子に接続されるバスバーを樹脂モールドしたバスバアッセンブリと、上記複数の半導体モジュールの信号端子に接続される制御回路基板とを有する電力変換装置であって、
上記複数の冷却管のうちの少なくとも一つには、上記バスバアッセンブリ側に突出した第1突起部が形成され、
上記複数の冷却管のうちの少なくとも一つには、上記制御回路基板側に突出した第2突起部が形成され、
上記バスバアッセンブリには、上記第1突起部を嵌合する第1嵌合部が形成され、
上記制御回路基板には、上記第2突起部を嵌合する第2嵌合部が形成されており、
上記第1突起部を上記第1嵌合部に嵌合させることにより、上記積層体と上記バスバアッセンブリとを位置決めし、
上記第2突起部を上記第2嵌合部に嵌合させることにより、上記積層体と上記制御回路基板とを位置決めしてなることを特徴とする電力変換装置。 - 請求項1において、上記複数の冷却管のうちの積層方向の中央の冷却管には、上記第1突起部が形成されていることを特徴とする電力変換装置。
- 請求項1又は2において、上記複数の冷却管のうちの積層方向の中央の冷却管には、上記第2突起部が形成されていることを特徴とする電力変換装置。
- 請求項1〜3の何れか一項において、上記第1突起部と記第2突起部とは、同一の上記冷却管に形成されていることを特徴とする電力変換装置。
- 請求項1〜4の何れか一項において、上記第1突起部は、複数形成されていることを特徴とする電力変換装置。
- 請求項1〜5の何れか一項において、上記第2突起部は、複数形成されていることを特徴とする電力変換装置。
- 請求項1〜6の何れか一項において、上記第1嵌合部には、上記第1突起部の突出方向と直交する方向から該第1突起部に圧接する嵌合部側凸部が形成されていることを特徴とする電力変換装置。
- 請求項1〜6の何れか一項において、上記第1突起部には、上記第1突起部の突出方向と直交する方向から上記第1嵌合部の内壁に圧接する突起部側凸部が形成されていることを特徴とする電力変換装置。
- 請求項8において、上記第1嵌合部の内壁には、上記突起部側凸部を当接させる嵌合部側凹部が形成されていることを特徴とする電力変換装置。
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