JP5021361B2 - 固体電解コンデンサー組立体 - Google Patents
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Description
本願は、2006年4月28日に出願された、米国仮特許第60/795,970号を基礎とする優先権を主張し、同出願の全文をここで参照によって引用する。
モデムの技術的用途の多様性によって、それに使用される、効率的な電子部品と、集積回路とに対するニーズが生じた。コンデンサーは基本的な部品であって、フィルタリング、デカップリング、バイパス、及びそうした現代的な用途におけるその他の観点に使用され、かかる用途には、無線通信、高速処理、ネットワーク、回路スイッチ、及び多くのその他の用途が含まれる。集積回路の速度及びパッケージ密度の劇的な高まりは、デカップリングコンデンサー要素の技術についての進歩を要求する。高容量のデカップリングコンデンサーが、多くの今日の用途における高い周波数を受けるとき、動作特性はますます重要になる。コンデンサーは、そうした広範囲の用途において基本的なものであるから、コンデンサーの精度及び効率は不可欠である。従って、コンデンサーのデザインにおける多くの特定の観点は、コンデンサーの動作特性を改良するための焦点であった。固体電解コンデンサー(例えば、タンタルコンデンサー)は、電子回路の小型化への主要な貢献者であって、過酷な環境におけるそうした回路の適用を可能にした。例えば、タンタルコンデンサーを作るには、代表的に、タンタル粉末をペレットに圧縮し、ペレットを焼結して多孔質体を形成し、次に、これを陽極酸化して、焼結された本体に連続した誘電酸化膜を形成する。タンタルアノードの静電容量は、焼結された粉末の特定の表面積の直接的な関数である。静電容量を増やすために、より細かいタンタル粒子の使用によって、より大きな特定の表面積が達成される。残念ながら、焼結中には、細かい粒子の間に、しばしば「ネック」が形成される。使用中には、電流がアノードを通り抜けるとき、これらのネックは、過熱する傾向があって、それにより、コンデンサーに損傷をもたらす。
本発明のベストモードを含む、当業者に向けられた、本発明の完全な開示は、本願の残りの部分において、添付図面を参照して、詳しく明らかにされる。
本明細書及び添付図面において、同一又は対応する特徴ないし要素には、同一の参照符号を繰り返して使用している。
概して、本発明は、便利で省スペースなパッケージにおいて、改良された動作特性を提供する、統合されたコンデンサー組立体に関する。コンデンサー組立体は、互いに隣接して配置された(例えば、積み重ねられた)、少なくとも2つの固体電解コンデンサー要素を含んでいる。それぞれのコンデンサー要素は、バルブメタル組成物から形成されたアノードを備えている。バルブメタル組成物は、高い比電荷を有し、例えば、約70,000マイクロファラデー・ボルト/グラム("μF・V/g")以上、いくつかの実施形態においては、約80,000μF・V/g以上、いくつかの実施形態においては、約100,000μF・V/g以上、いくつかの実施形態においては、約120,000μF・V/g以上である。バルブメタル組成物は、バルブメタル(すなわち、酸化可能な金属)又はバルブメタルをベースとする組成物、例えば、タンタル、ニオブ、アルミニウム、ハフニウム、チタン、これらの合金、これらの酸化物、これらの窒化物などである。例えば、アノードが形成されるバルブメタル酸化物が有している、金属対酸素の原子比率は、1:25未満、いくつかの実施形態においては、1:2.0未満、いくつかの実施形態においては、1:1.5未満、いくつかの実施形態においては、1:1である。そうしたバルブメタル酸化物の例には、酸化ニオブ(例えば、NbO)や、酸化タンタルなどが含まれ、より詳しくは、FiFeによる米国特許第6,322,912号に開示されているので、同文献の全文をここで参照によって引用する。
初めに、カソード端子72の表面33に、導電性接着剤89を塗布する。導電性接着剤89には、例えば、樹脂組成物を含有した導電性金属粒子が含まれる。金属粒子は、銀、銅、金、白金、ニッケル、亜鉛、ビスマスなどである。樹脂組成物には、熱硬化性樹脂(例えば、エポキシ樹脂)、硬化剤(例えば、酸無水物)、及びカップリング剤(例えば、シランカップリング剤)が含まれる。ひとつの特に適した接着剤は、Emerson and Cuming 社から、"Amicon CE 3513"の名称で入手可能な、銀入りのエポキシ樹脂である。その他の適当な導電性接着剤は、Osakoらによる米国特許公開公報第2006/0038304号に開示されているので、同文献の全体をここで参照して引用する。導電性接着剤89をカソード端子72に適用するには、任意の様々な技術が使用される。例えば、印刷技術は、それらが実用的で、コスト節約の利益が得られるために使用される。
いったんコンデンサー要素が取り付けられたならば、リードフレームは、「Vケース」、「Dケース」、又は「Yケース」(AVX社)などの、樹脂のケーシングの内部に囲まれてから、シリカ又は任意の他の公知の包被材料を充填される。ひとつの実施形態による、そうした包被ケースを、図8においては、要素58として示している。包被ケース58は、コンデンサー組立体64のために、追加的な構造的及び熱的な保護を提供する。包被した後には、アノード端子62及びカソード端子72のそれぞれの露出した部分65,42をトリミングして、ケーシング58の外側に沿って屈曲させる(例えば、約90度の角度)。このように、部分65,42は、仕上げられたコンデンサー組立体64において、J字形のリードを形成するが、本発明においては、任意の他の公知の形態に形成しても良い。結果物としてのコンデンサー組立体64は、所望の表面上に取り付けられる表面77を有している。
[試験手順]
等価直列抵抗(ESR)、静電容量、及び損失係数:
等価直列抵抗は、Agilent 4284A 型の精密LCRメーターと共に、Agilent 16089B 型のケルビンリードを用いて、2ボルトのバイアスを加え、1ボルトの信号にて測定した。動作周波数は、100kHzとした。乾燥した静電容量に対する湿った静電容量の割合についても決められた。「乾燥した静電容量」とは、グラファイト及び銀の層を適用した後における静電容量であり、一方、「湿った静電容量」とは、誘電層を形成した後に、液体電解質中で測定した静電容量である。湿った静電容量と乾燥した静電容量の割合は、湿った静電容量を乾燥した静電容量でわり算してから、“1”を引き算し、“100”をかけ算することで決定される。
漏れ電流(“DCL”)は、英国の Mantracourt Electronics LTD 社が製造している、MC 190 型の漏れ電流試験セットを用いて測定した。MC 190 による試験は、温度25℃において、所定の定格電圧を加えた10秒後に、漏れ電流を測定する。
コンデンサーの降伏電圧の値は、一定の電流において、加える電圧を0.5ボルトの増分で上昇させることで決定した。コンデンサーが破壊された電圧を、降伏電圧として記録した。
ピークサージ電圧を決定するために、測定コンデンサーを、5kΩの抵抗器を介して定格電圧に45秒間、予め充電して、放電させた。予め定格電圧の1.1倍に充電した電解コンデンサーを、0.33Ωの抵抗器を介して測定コンデンサーに放電させた。回路の電流は、わずか数ミリセカンド後にピーク値ないし最大値に達し、次に、回路のRC定数で減少した。最大電流は、Placepower UK, Ltd 社の“PLUT”テスターを用いて監視した。
リップル電流は、100kHzの周波数において、コンデンサー組立体の温度を10℃上昇させるのに必要な電流である。電流は、Fluke 社の、Fluke Scopemeter(R) 99B を用いて測定し、コンデンサーの温度は、マサチューセッツ州のボストンにある、Flir Systems 社の、Inframetrics ThermaCamTM PM250 を用いて測定した。
コンデンサー組立体は、図1乃至図8に示して説明したように、2つのタンタルコンデンサー要素から構成した。それぞれのコンデンサー要素を形成するのに用いた、タンタル粉末の比電荷は、150,000μF・V/gであった(H.C.Starck 社から入手可能)。タンタル粉末は、公知の技術を使用してプレスし、結果物たるペレットは、長さが約5.35mm、幅が3.7mm、厚みが0.75mmであった。ペレットは、1245℃で10分間、焼結した。ペレットは、15ボルトの電圧で陽極処理を施して、二酸化マンガンを含浸させてから、上述したやり方で、グラファイト及び銀の層でコーティングした。それぞれの個々のタンタル部品の静電容量は、約500μFであった。部品は、上述したように、平行に結合させて、アノード及びカソード端子を共通とし、最終的な組立体の静電容量は、約1000μFで、定格電圧は、4ボルトであった。コンデンサー組立体は、長さが約7.5mmで、幅が約4.5mmで、高さが約3.1mmのケースで包被した(「Dケース」、AVX社)。
単一のタンタルコンデンサーをタンタル粉末から形成し、タンタル粉末の比電荷は、150,000μF・V/gであった(H.C.Starck 社から入手可能)。タンタル粉末は、公知の技術を使用してプレスし、結果物たるペレットは、長さが約5.00mm、幅が3.7mm、厚みが1.95mmであった。ペレットは、1245℃で10分間、焼結した。ペレットは、15ボルトの電圧で陽極処理を施して、二酸化マンガンを含浸させてから、上述したやり方で、グラファイト及び銀の層でコーティングした。結果物たるタンタル部品の静電容量は、約1000μFであった。コンデンサーには、従来の技術を用いて端子を設け、長さが約7.5mmで、幅が約4.5mmで、高さが約3.1mmのケースで包被した(「Dケース」、AVX社)。例1と比較例1との10〜50個のサンプルについて様々な電気特性を試験した。結果は、以下の表1に明らかにしている。
(測定値の平均)
+−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−+−−−−−+−−−−−+
| パラメータ | 比較例1 | 例1 |
+−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−+−−−−−+−−−−−+
| 静電容量(μF) | 893.00 | 1070.00 |
+−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−+−−−−−+−−−−−+
| 湿った対乾燥した静電容量(%) | 42.70 | 10.30 |
+−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−+−−−−−+−−−−−+
| 損失係数(%) | 54.60 | 19.30 |
+−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−+−−−−−+−−−−−+
| ESR(mΩ) | 78.00 | 32.00 |
+−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−+−−−−−+−−−−−+
| DCL(μA) | 11.38 | 7.45 |
+−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−+−−−−−+−−−−−+
| 降伏電圧(V) | 11.80 | 14.10 |
+−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−+−−−−−+−−−−−+
| サージ破壊可能性(%) | 0.70 | 0.05 |
+−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−+−−−−−+−−−−−+
| ピークサージ電流(A) | 11.60 | 14.00 |
+−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−+−−−−−+−−−−−+
| 最大リップル電流(A) | 2.00 | 3.50 |
+−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−+−−−−−+−−−−−+
表1に示すように、本発明によるコンデンサー組立体は、比較例に比べて、優れた電気特性を示した。
コンデンサー組立体は、図1乃至図8に示して説明したように、2つの酸化ニオブ("NbO")のコンデンサー要素から構成した。コンデンサー要素を形成するのに用いた、酸化ニオブ粉末の比電荷は、80,000μF・V/gであった(H.C.Starck 社から入手可能)。酸化ニオブ粉末は、公知の技術を使用してプレスし、結果物たるペレットは、長さが約5.35mm、幅が3.7mm、厚みが0.75mmであった。ペレットは、1380℃で10分間、焼結した。ペレットは、27ボルトの電圧で陽極処理を施して、二酸化マンガンを含浸させてから、上述したやり方で、グラファイト及び銀の層でコーティングした。それぞれの個々の酸化ニオブ部品の静電容量は、約110μFであった。部品は、上述したように、平行に結合させて、アノード及びカソード端子を共通とし、最終的な組立体の静電容量は、約220μFで、定格電圧は、4ボルトであった。コンデンサー組立体は、長さが約7.5mmで、幅が約4.5mmで、高さが約3.1mmのケースで包被した(「Dケース」、AVX社)。
コンデンサー組立体は、アノードを溝付きとし、形成電圧を21ボルトとした点を除き、例2と同様に構成した。溝付きのアノードは、アノードの長さ全体に沿って(−x方向)、両側に延びた平行な溝部を有していた。それぞれの溝部は、幅が0.4mmで、厚みは0.25mmであった。溝付きアノードは、長さが約5.35mm、幅が3.7mm、厚みが0.76mmであった。
単一の酸化ニオブのコンデンサーを酸化ニオブ粉末から形成し、酸化ニオブ粉末の比電荷は、80,000μF・V/gであった(H.C.Starck 社から入手可能)。酸化ニオブ粉末は、公知の技術を使用してプレスし、結果物たるペレットは、長さが約4.10mm、幅が3.7mm、厚みが1.95mmであった。ペレットは、1380℃で10分間、焼結した。ペレットは、27ボルトの電圧で陽極処理を施して、二酸化マンガンを含浸させてから、上述したやり方で、グラファイト及び銀の層でコーティングした。結果物としての部品の静電容量は、約220μFであった。コンデンサーには、従来技術を用いて端子を設け、長さが約7.5mmで、幅が約4.5mmで、高さが約3.1mmのケースで包被した(「Dケース」、AVX社)。
単一の酸化ニオブのコンデンサーは、アノードを溝付きとし、電圧を27ボルトとした点を除き、比較例2と同様に構成した。溝付きのアノードは、アノードの長さ全体に沿って(−x方向)、両側に延びた平行な溝部を有していた。アノードの角部は丸めた。それぞれの溝部は、幅が0.4mmで、厚みは0.25mmであった。溝付きアノードは、長さが約4.90mm、幅が3.6mm、厚みが1.95mmであった。例2及び例3と共に、比較例2及び比較例3について、10〜50個のサンプルを用いて様々な電気特性を試験した。結果は、以下の表2に明らかにしている。
(測定値の平均)
+−−−−−−−−−−−−−−−+−−−+−−−+−−−+−−−+
| パラメータ |比較例|比較例| 例2 | 例3 |
| | 2 | 3 | | |
+−−−−−−−−−−−−−−−+−−−+−−−+−−−+−−−+
| 静電容量(μF) |211.00|219.00|229.00|225.00|
+−−−−−−−−−−−−−−−+−−−+−−−+−−−+−−−+
|湿った対乾燥した静電容量(%)|-14.00|-12.40| -9.80| -8.00|
+−−−−−−−−−−−−−−−+−−−+−−−+−−−+−−−+
| 損失係数(%) | 3.50| 2.30| 1.60| 1.70|
+−−−−−−−−−−−−−−−+−−−+−−−+−−−+−−−+
| ESR(mΩ) | 82.00| 48.00| 31.00| 29.00|
+−−−−−−−−−−−−−−−+−−−+−−−+−−−+−−−+
| DCL(μA) | 0.87| 0.67| 0.84| 1.36|
+−−−−−−−−−−−−−−−+−−−+−−−+−−−+−−−+
| 降伏電圧(V) | 12.10| 12.80| 13.70| 13.90|
+−−−−−−−−−−−−−−−+−−−+−−−+−−−+−−−+
| サージ破壊可能性(%) | 0.70| 0.40| 0.03| 0.02|
+−−−−−−−−−−−−−−−+−−−+−−−+−−−+−−−+
| ピークサージ電流(A) | 12.00| 14.00| 14.50| 14.80|
+−−−−−−−−−−−−−−−+−−−+−−−+−−−+−−−+
| 最大リップル電流(A) | 1.50| 2.80| 3.40| 3.60|
+−−−−−−−−−−−−−−−+−−−+−−−+−−−+−−−+
本発明のこれらの及びその他の改変例及び変形例は、本発明の精神及び範囲から逸脱せずに、当業者によって実施できる。加えて、様々な実施形態における観点を、全体的に又は部分的に交換しても良いことを理解されたい。さらに、前述した説明は、単なる例示であって、特許請求の範囲に開示された発明を限定する意図はないことを当業者は認識するだろう。
24 コンデンサー要素
62 アノード端子
64 コンデンサー組立体
65 第1の部分
67 第2の部分
72 カソード端子
77 底面
89 導電性接着剤
90 表面
Claims (56)
- コンデンサー組立体であって、この組立体が、
第1の固体電解コンデンサー要素と、
第1の固体電解コンデンサー要素に隣接して配置された、第2の固体電解コンデンサー要素であって、第1及び第2の固体電解コンデンサー要素のそれぞれは、約70,000μF・V/g以上の比電荷を有するバルブメタル組成物から形成されたアノードを含み、アノードは約0.1〜約4mmの厚みを有しているような、上記第2の固体電解コンデンサー要素と、
第1及び第2の固体電解コンデンサー要素の間に配置されて、これらに電気的に結合された、熱伝導材料であって、熱伝導材料は、温度20℃において約100W/m・K以上の熱伝導率を有しているような、上記熱伝導材料と、
第1及び第2の固体電解コンデンサー要素における第1及び第2のアノード・リード線がそれぞれ電気的に結合されたアノード端子であって、上側領域と下側領域とを有する部分を備え、上側領域は第1のアノード・リード線に電気的に接続され、下側領域は第2のアノード・リード線に電気的に接続され、上記部分は、2以上の弓形の面を備え、これらの間に開口部が形成されている、上記アノード端子と、
第1及び第2の固体電解コンデンサー要素におけるカソードが電気的に結合されたカソード端子と、
第1及び第2の固体電解コンデンサー要素を包被するケースであって、アノード端子及びカソード端子の露出した部分を残している上記ケースと、
を備えていることを特徴とするコンデンサー組立体。 - バルブメタル組成物は、約80,000以上の比電荷を有していることを特徴とする請求項1に記載のコンデンサー組立体。
- バルブメタル組成物は、約120,000以上の比電荷を有していることを特徴とする請求項1に記載のコンデンサー組立体。
- バルブメタル組成物は、タンタルを含むことを特徴とする請求項1に記載のコンデンサー組立体。
- バルブメタル組成物は、酸化ニオブを含むことを特徴とする請求項1に記載のコンデンサー組立体。
- 第1及び第2の固体電解コンデンサー要素は、アノードの上に重ねた誘電膜と、誘電膜の上に重ねた固体電解質とを備えていることを特徴とする請求項1に記載のコンデンサー組立体。
- アノードは、約0.2〜約3mmの厚みを有していることを特徴とする請求項1に記載のコンデンサー組立体。
- アノードは、約0.4〜約1mmの厚みを有していることを特徴とする請求項1に記載のコンデンサー組立体。
- 熱伝導材料は、温度20℃において、約200〜約400W/m・Kの熱伝導率を有していることを特徴とする請求項1に記載のコンデンサー組立体。
- 熱伝導材料は、銅、ニッケル、銀、亜鉛、スズ、パラジウム、鉛、アルミニウム、モリブデン、チタン、鉄、ジルコニウム、マグネシウム、及びこれらの合金からなるグループから選択された金属から形成されていることを特徴とする請求項1に記載のコンデンサー組立体。
- 金属は、銅、または、銅の合金である、ことを特徴とする請求項10に記載のコンデンサー組立体。
- 熱伝導材料は、約0.01〜約1mmの厚みを有していることを特徴とする請求項1に記載のコンデンサー組立体。
- 熱伝導材料は、約0.1〜約0.2mmの厚みを有していることを特徴とする請求項1に記載のコンデンサー組立体。
- 第1及び第2の固体電解コンデンサー要素は、水平な構成において積み重ねられていることを特徴とする請求項1に記載のコンデンサー組立体。
- 熱伝導材料は、導電性接着剤を用いて、第1及び第2の固体電解コンデンサー要素に電気的に結合されていることを特徴とする請求項1に記載のコンデンサー組立体。
- 熱伝導材料は、カソード端子によって形成されていることを特徴とする請求項1に記載のコンデンサー組立体。
- 上側領域、下側領域、または、これらの両方は、U字形を有していることを特徴とする請求項1に記載のコンデンサー組立体。
- 第1のアノード・リード線は、第2のアノード・リード線に対して、実質的に平行で、実質的に水平な配置になっていることを特徴とする請求項1に記載のコンデンサー組立体。
- アノード端子の部分は、コンデンサー組立体の底面に対して実質的に垂直に配置されていることを特徴とする請求項1に記載のコンデンサー組立体。
- 第1の固体電解コンデンサー要素に隣接して配置された、追加的な固体電解コンデンサー要素をさらに備えていることを特徴とする請求項1に記載のコンデンサー組立体。
- 組立体は、約12.0アンペア以上のピークサージ電流を有していることを特徴とする請求項1に記載のコンデンサー組立体。
- 組立体は、約14.0〜約30.0アンペアのピークサージ電流を有していることを特徴とする請求項1に記載のコンデンサー組立体。
- 組立体は、約2.5アンペア以上の最大リップル電流を有していることを特徴とする請求項1に記載のコンデンサー組立体。
- 組立体は、約3.5アンペア以上の最大リップル電流を有していることを特徴とする請求項1に記載のコンデンサー組立体。
- 上記アノード端子の部分は、上側弓形面と下側弓形面とを形成する、請求項1に記載のコンデンサー組立体。
- 上側弓形面と下側弓形面とは、それぞれ上側領域と下側領域とに隣接して配置されている、請求項25に記載のコンデンサー組立体。
- 上記アノード端子の部分は、上側弓形面と下側弓形面とに対して実質的に垂直に配置された2つの追加的な対向する弓形面を備える、請求項26に記載のコンデンサー組立体。
- コンデンサー組立体であって、この組立体が、
第1の固体電解コンデンサー要素と、
第1の固体電解コンデンサー要素に隣接して配置された、第2の固体電解コンデンサー要素であって、第1及び第2の固体電解コンデンサー要素のそれぞれは、バルブメタル組成物から形成されたアノードを含み、アノードは約0.1〜約4mmの厚みを有しており、第1の固体電解コンデンサー要素は第1のアノード・リード線を有し、第2の固体電解コンデンサー要素は第2のアノード・リード線を有し、第1のアノード・リード線は、第2のアノード・リード線に対して、実質的に平行で、実質的に水平な配置になっているような、上記第2の固体電解コンデンサー要素と、
上側領域と下側領域とを有する部分を備えたアノード端子であって、上側領域は第1のアノード・リード線に電気的に接続され、下側領域は第2のアノード・リード線に電気的に接続され、上記部分は、2以上の弓形の面を備え、これらの間に開口部が形成されているような、上記アノード端子と、
第1及び第2の固体電解コンデンサー要素の間に配置されて、これらに電気的に接続されたカソード端子であって、カソード端子は熱伝導材料を含んでいるような、上記カソード端子と、
第1及び第2の固体電解コンデンサー要素を包被するケースであって、アノード端子及びカソード端子の露出した部分を残しているような、上記ケースと、
を備えていることを特徴とするコンデンサー組立体。 - バルブメタル組成物は、約70,000μF・V/g以上の比電荷を有していることを特徴とする請求項28に記載のコンデンサー組立体。
- バルブメタル組成物は、約120,000μF・V/g以上の比電荷を有していることを特徴とする請求項28に記載のコンデンサー組立体。
- バルブメタル組成物は、タンタル又は酸化ニオブを含んでいることを特徴とする請求項28に記載のコンデンサー組立体。
- アノードは、約0.4〜約1mmの厚みを有していることを特徴とする請求項28に記載のコンデンサー組立体。
- 熱伝導材料は、温度20℃において約100W/m・K以上の熱伝導率を有していることを特徴とする請求項28に記載のコンデンサー組立体。
- 熱伝導材料は、銅、または、銅の合金であることを特徴とする請求項28に記載のコンデンサー組立体。
- 第1及び第2の固体電解コンデンサー要素は、水平な構成において積み重ねられていることを特徴とする請求項28に記載のコンデンサー組立体。
- 上側領域、下側領域、または、これらの両方は、U字形を有していることを特徴とする請求項28に記載のコンデンサー組立体。
- アノード端子の部分は、コンデンサー組立体の底面に対して実質的に垂直に配置されていることを特徴とする請求項28に記載のコンデンサー組立体。
- 上記アノード端子の部分は、上側弓形面と下側弓形面とを形成する、請求項28に記載のコンデンサー組立体。
- 上側弓形面と下側弓形面とは、それぞれ上側領域と下側領域とに隣接して配置されている、請求項38に記載のコンデンサー組立体。
- 上記アノード端子の部分は、上側弓形面と下側弓形面とに対して実質的に垂直に配置された2つの追加的な対向する弓形面を備える、請求項39に記載のコンデンサー組立体。
- コンデンサー組立体を形成する方法であって、この方法が、
第1の固体電解コンデンサー要素と第2の固体電解コンデンサー要素とを提供する段階であって、第1及び第2の固体電解コンデンサー要素はそれぞれアノードから延びた第1及び第2のアノード・リード線を備え、アノードはバルブメタル組成物から形成されているような、上記提供する段階と、
第1の面と、この面とは反対側の第2の面とを有してなるリードフレームを提供する段階であって、リードフレームはカソード端子とアノード端子とを形成しており、アノード端子は、上側領域と下側領域とを有する部分を含み、この部分は、2以上の弓形の面を備え、これらの間に開口部が形成されており、リードフレームは熱伝導材料を含んでいるような、上記提供する段階と、
アノード端子の部分を曲げる段階と、
第1の固体電解コンデンサー要素を、カソード端子における第1の面に電気的に接続する段階と、
第1のアノード・リード線を、アノード端子の部分の上側領域に溶接する段階と、
第2の固体電解コンデンサー要素を、カソード端子における第2の面に電気的に接続する段階と、
第2のアノード・リード線を、アノード端子の部分の下側領域に溶接する段階と、
を備えていることを特徴とする方法。 - バルブメタル組成物は、約70,000μF・V/g以上の比電荷を有していることを特徴とする請求項41に記載の方法。
- バルブメタル組成物は、約120,000μF・V/g以上の比電荷を有していることを特徴とする請求項41に記載の方法。
- バルブメタル組成物は、タンタル又は酸化ニオブを含んでいることを特徴とする請求項41に記載の方法。
- アノードは、約0.1〜約4mmの厚みを有していることを特徴とする請求項41に記載の方法。
- アノードは、約0.4〜約1mmの厚みを有していることを特徴とする請求項41に記載の方法。
- 熱伝導材料は、銅、または、銅の合金を含んでいることを特徴とする請求項41に記載の方法。
- 第1及び第2の固体電解コンデンサー要素は、水平な構成において一緒に積み重ねられていることを特徴とする請求項41に記載の方法。
- 上側領域、下側領域、または、これらの両方は、U字形を有していることを特徴とする請求項41に記載の方法。
- 第1のアノード・リード線は、第2のアノード・リード線に対して、実質的に平行で、実質的に水平な配置になっていることを特徴とする請求項41に記載の方法。
- 第1及び第2のリード線は、アノード端子にレーザ溶接されることを特徴とする請求項41に記載の方法。
- コンデンサー要素を、ケース内に包被させる段階をさらに備えていることを特徴とする請求項41に記載の方法。
- 第1及び第2の表面実装端子を形成するために、ケースの周囲に沿って、リードフレームの部分を曲げる段階をさらに備えていることを特徴とする請求項41に記載の方法。
- 上記アノード端子の部分は、上側弓形面と下側弓形面とを形成する、請求項41に記載の方法。
- 上側弓形面と下側弓形面とは、それぞれ上側領域と下側領域とに隣接して配置されている、請求項54に記載の方法。
- 上記アノード端子の部分は、上側弓形面と下側弓形面とに対して実質的に垂直に配置された2つの追加的な対向する弓形面を備える、請求項55に記載の方法。
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